专利名称：：喷水激光切割用粘合片的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，具体而言，本发明涉及一种在利用喷水激光对半导体晶片和/或半导体关联材料进行切割时起固定作用的喷水激光切割用粘合片。
背景技术：
：一直以来，半导体晶片和半导体相关材料等通过使用旋转刀片来切割，并分离为芯片和IC部件。在该切割工序中，通常，为了固定半导体晶片等而将半导体晶片粘接在粘合片上，并且，晶片等被切割为芯片状后，通过拾取从粘合片上剥离下来。可是，在上述方法中，由于切割刀片产生的物理应力，引起切飞(夕、v7，一)或产生裂纹、碎片等缺陷，从而产生使这些芯片等的品质降低、该切割方法的生产性也降低这样的问题。特别是，近年来，由于需要电子装置小型化、薄膜化，上述问题变得尤为深刻。因此，作为代替使用切割刀片的半导体晶片等的切割技术，提出了使用激光束的切割方法，特别是使用由液体喷射引导的激光束进行的切断、穿孑L、熔接、刻印和剥离等的材料加工方法(例如专利文献1)。在该方法中，由于晶片等只暴露于来自上方的水流，因而可以防止旋转刀片带来的物理应力而引起的切飞等。另外，在使用该激光技术的切割方法中，存在由于利用水流而引起的芯片等容易从固定它们的粘合片上剥离的问题，为此，提出了可以适用于喷水激光切割的粘合片(例如，专利文献2)。专利文献1:日本W095/32834号专利文献2:日本特开2001-316648号公报
发明内容发明要解决的课题本发明的目的在于提供一种粘合片，该粘合片通过在喷水激光切割中使来自液体流的液体的透过性更加良好来防止在喷水激光切割时发生芯片或IC部件等的剥离及芯片等的飞散、缺损等加工精度的降低，从而能够对极薄的半导体晶片或材料进行加工。解决问题的方法
技术领域：
：本发明的喷水激光切割用粘合片是在基材膜上层叠粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，其特征在于(l)所述基材膜有穿孔且粘合剂层的厚度为0.120jum;(2)粘合剂层具有lMPa以下的拉伸强度；和/或(3)粘合剂层表面与水的接触角为90度以下。用于上述喷水激光切割的粘合剂优选能量射线固化型粘合剂。另外，上述的基材膜优选为网状膜。发明的效果根据本发明的喷水激光切割用粘合片，由于其具有下述特征，使在喷水激光切割中来自液体流的液体容易使粘合剂层断裂，且可准确地从基材膜的穿孔顺利地通过。其中，所述粘合片的特征为使用的基材膜有穿孔且其粘合剂层具有指定厚度、粘合剂层具有lMPa以下的拉伸强度、或粘合剂层表面与水的接触角为90度以下。由此，可防止利用液体进行的切割中被加工物从粘合片上剥离。其结果，可防止芯片等的飞散、缺损等加工精度的降低，从而能够对极薄的半导体晶片等进行加工。图1为本发明的激光加工用粘合片的平面示意图。符号说明10激光加工用粘合片11粘合剂层12基材膜具体实施例方式本发明的喷水激光切割用粘合片主要包括基材膜和设置于基材膜上的粘合剂层。这里所说的喷水激光切割用粘合片是指下述粘合片其被用于使用由液体流(通常指水流)引导的激光束进行的切割，且在切割时，当将该液体流(例如指定压力以上的液体流)从粘合剂层一侧直接或间接地引入到粘合片上时，可使该液体从粘合片的一侧表面流向另一侧表面。此时的指定压力通常可以为几MPa以上。作为基材膜，可列举合成树脂，例如聚乙烯和聚丙烯等聚烯烃(具体地，包括低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、未拉伸聚丙烯、乙埽-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物等)、聚酯、聚对苯二曱酸乙二醇酯、聚氨酯、EVA、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚酰胺、缩醛树脂、聚苯乙烯、聚砜、聚碳酸酯、尼龙、氟树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物等含有橡胶成分的聚合物等的膜；PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等聚合物纤维、人造纤维或乙酸纤维素等合成纤维、棉、丝绸或羊毛等天然纤维及玻璃纤维或碳纤维等由无机纤维构成的无纺布和织物(即，网状膜)等。其中，优选由聚烯烃形成、或含有由聚烯烃形成的层。由此，可确保下述两个特性对激光切割的适当的强度和膨胀性。另外，从另一方面考虑，优选为网状膜。由此，可以使来自液体流的液体更加容易且准确地排出。基材膜可以是单独一层结构，也可以是2层以上的多层结构。另外，当基材膜由纤维形成时，所述纤维可以是单丝或多丝中的任何一种，但为了使后述的基材膜的穿孔具有均一尺寸，优选为单丝。基材膜具有穿孔。该穿孔优选为贯穿厚度方向的孔，但也可以是在厚度方向由多个孔相连而达到贯穿的孔。特别优选基材膜的孔是当基材膜由网状结构构成时的开口。基材膜的空隙率优选为390%左右。特别是当基材膜为网状结构时，其平均开口径优选为5800lam左右、5150ym左右、5-100iLim左右、进一步优选为550)Jm左右。这是为了确保与粘合剂的接触面积、确保基材膜与粘合剂具有充分的密合性，同时确保粘合剂层表面的平滑性。另外，是为了使进行喷水激光切割时使用的水容易透过基材膜，从而防止被加工物的飞散等。这里所说的平均开口径是指当孔基本为圆形时，平均开口径是孔的直径；当孔为多边形等时，平均开口径是其一边的长度。另外，从另一方面考虑，孔的尺寸为例如10Mm23.0mm2左右，优选为25jun^左右以上、100lun^左右以上、1000|um2左右以上、O.lmm2左右以上，并且优选为3.0mm2左右以下、2.0mm2左右以下、l.lmm2左右以下、900pm2左右以下。为了使基材膜为网状结构，例如，纤维直径优选为10Mm150iam左右，考虑到液体的透过性，其直径更优选为25]um80jum左右。为了防止粘合片破损或半导体晶片等在加工过程中断裂，同时，为了降低制造成本，基材膜的厚度优选为10lam400jam,进一步优选为30~250Mm。另外，还可以对基材膜进行电晕放电处理、火炎处理、等离子体处理、溅射蚀刻处理或底涂(例如，底漆(primer))处理、氟处理等表面处理、利用药液的脱脂处理等。这是为了增强基材膜与粘合剂的密合性。其中，优选进行底涂处理。本发明的基材膜的断裂伸长率优选大于100%,更优选为150%。这是由于，通过拉伸基材膜，可以在切割步骤后容易从粘合片上对芯片等进行拾取。此外，基材膜的拉伸强度优选大于0.1N/20mm,更优选大于0.3N/20mm。这是为了避免粘合片本身的破损和/或断裂。断裂伸长率和拉伸强度可使用例如长5.0cm、宽20mm的试样、采用拉伸试验机进行测定。进行试验时的拉伸速度为室温下300mm/分(依照ASTMD1000标准)。断裂伸长率可按下式求出。断裂伸长率=(断裂时的长度-原长度)/(原长度)x100%拉伸强度为断裂时的测定值。粘合剂层由涂布在基材膜一面的粘合剂层构成。其粘合剂可以是压敏型、热敏型、光敏型中的任一种，但优选通过能量射线照射而固化型的粘合剂。由此，可以容易地将其从被加工物上剥离。作为能量射线，可采用例如紫外线、可见光线、红外线等各种波长的光线，用于切割的激光束为400nm以下的激发波长(例如，激发波长248nm的KrF准分子激光、308nm的XeCl准分子激光、YAG激光的第三高次谐波(355nm)、第四高次谐波(266nm))、或400nm以上的激发波长(例如，可吸收经历了多光子吸收过程的紫外线区域的光波、且可通过多光子吸收烧蚀而进行20um以下宽度的切割加工等的在波长750nm800nm附近的钛宝石激光等脉冲宽度在le一秒(0.000000001秒)以下的激光等)，因此，优选使用不因所使用的切割装置的激光束的照射而固化的粘合剂。作为粘合剂层的形成材料，可使用含有橡胶类聚合物、(曱基)丙烯酸类聚合物等的公知的粘合剂，尤其优选(曱基)丙烯酸类聚合物。由此，当将其用作光敏型粘合剂时，不添加用于能量射线固化的特别的单体/低聚物成分等也可以进行固化。作为橡胶类聚合物，例如可以是天然橡胶(例如，聚异戊二烯等)、合成橡胶(例如，苯乙烯-丁二烯橡胶、聚丁二烯类、丁二烯-丙烯腈类、氯丁二烯类橡胶等)中的任何一种。作为构成(曱基)丙烯酸类聚合物的单体成分，可列举具有例如曱基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基等碳原子数在30以下、优选碳原子数为4~18的直链或支链烷基的丙烯酸烷基酯或曱基丙烯酸烷基酯。这些(曱基)丙烯酸烷基酯可以单独使用，也可以2种以上组合使用。作为上述以外的单体成分，可列举例如丙烯酸、曱基丙烯酸、(曱基)丙烯酸羧基乙酯、(曱基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸等含有羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(曱基)丙烯酸2-羟基乙酯、(曱基)丙烯酸2-羟基丙酯、(曱基)丙烯酸4-羟基丁酯、(曱基)丙烯酸6-羟基己酯、(曱基)丙烯酸8-羟基辛酯、(曱基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(曱基)丙烯酸(4-雍基曱基环己基)曱酯等含有羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(曱基)丙烯酸磺丙酯和(曱基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体；2-幾基乙基丙烯酰磷酸酯等含有磷酸基的单体；(曱基)丙烯酰胺、(曱基)丙烯酸N-羟基曱酰胺、(曱基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如曱基丙烯酸二曱基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰吗淋、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。上述单体成分可单独使用，也可以两种以上组合使用。另夕卜，为了使(曱基)丙烯酸类聚合物交联，还可以任意使用多官能单体。作为多官能单体，可列举例如己二醇二(曱基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(曱基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(曱基)丙烯酸酯、新戊二醇二(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇二(曱基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯、环氧基(曱基)丙烯酸酯、聚酯(曱基)丙烯酸酯和氨基曱酸酯(曱基)丙烯酸酯等。上述多官能单体可以单独使用，也可以2种以上组合使用。考虑到其粘合性能等，多官能单体的使用量优选为所有单体成分的30重量％以下，进一步优选为20重量％以下。此外，优选使用具有碳-碳双键等能量射线固化性的官能团的单体和/或低聚物。作为所述单体/低聚物，可列举例如氨基曱酸酯(曱基)丙烯酸酯、三羟曱基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟曱基曱烷四(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯和1,4_丁二醇二(曱基)丙烯酸酯等。上述单体/低聚物可单独使用一种，也可以2种以上组合使用。对于上述单体/低聚物的混合量没有特殊限制，但考虑到其粘合性，相对于100重量份构成粘合剂的(甲基)丙烯酸类聚合物等的基础聚合物，优选其混合量为5~500重量份左右，进一步优选为70150重量份左右。另外，构成光敏型粘合剂时，优选使用光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)S同、oc-羟基-a，a-曱基苯乙酮、曱氧基苯乙酮、2，2-二曱氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-曱基-l-[4-(曱硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-l等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻曱醚等苯偶姻醚类化合物；2-甲基-2-羟基丙基苯酮等a-P引哚类化合物；千基二曱基缩酮等缩酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；l-苯酮-l,l-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯曱酮、苯酰苯曱酸、3,3，-二曱基_4-曱氧基二苯曱酮等二苯曱酮类化合物；噻吨酮、2-氯瘗吨酮、2-曱基p塞吨酮、2,4-二曱基蓬吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯p塞吨酮、2,4-二乙基p塞吨酮、2,4-二异丙基遙吨酮等p塞吨酮类化合物；樟脑醌，卣代酮，酰基氧化膦和酰基膦酸酯等。上述光聚合引发剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。相对于100重量份构成粘合剂的基础聚合物，光聚合引发剂的混合量优选为0.1~10重量份左右，进一步优选为0.5~5重量份左右。此外，为了提高基础聚合物的重均分子量，还可以任意添加交联剂。作为交联剂，可列举多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮杂环丙烷化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、酸酐化合物、多胺、含有羧基的聚合物等。上述交联剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。使用交联剂时，为了避免剥离粘合力过度下降，通常优选相对于100重量份基础聚合物，交联剂的使用量为0.015重量份左右。另外，除了上述成分以外，还可以任意含有以往公知的增粘剂、防老剂、填充剂、防老剂、着色剂等添加剂。丙烯酸类聚合物可通过下述方法制备例如，对1种或2种以上的单体或它们的混合物进行溶液聚合法、乳液聚合法、本体聚合法、悬浮聚合法等公知的方法。其中，优选溶液聚合法。在溶液聚合法中使用的溶剂可列举例如乙酸乙酯、曱苯等极性溶剂。溶液浓度通常为20~80重量％左右。在聚合物的制备中，还可以使用聚合引发剂。作为聚合引发剂，可列举过氧化氢、过氧化苯曱酰、叔丁基过氧化物等过氧化物类。上述聚合引发剂优选单独使用，但也可以与还原剂组合制成氧化还原类聚合引发剂使用。作为还原剂，可列举例如亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化盐；三乙醇胺等胺类；醛糖、酮糖等还原糖等。另外，还可以使用2,2，-偶氮-2-曱基丙脒酸盐、2,2，-偶氮-2,4-二曱基戊腈、2，2，-偶氮-N，N，-二亚曱基异丁脒酸盐、2，2，-偶氮二异丁腈、2,2，-偶氮-2-曱基-N-(2-羟乙基)丙酰胺等偶氮化合物。上述化合物可单独使用，也可以2种以上组合使用。反应温度通常为5085。C左右，反应时间为1~8小时左右。特别是，为了防止对被加工物造成污染等，优选丙烯酸类聚合物中低分子量物质的含量较少，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选在30万以上，进一步优选为80万~300万左右。粘合剂层的厚度可以在不会使粘合剂层从被加工物上剥离的范围内适当调节，但考虑到下述各个方面，优选其厚度在0.1pm20um左右，所考虑的各个方面包括确保在切割时具有充分的粘结强度以使被加工物确实地固定；防止从粘合片上取下半导体晶片等之后在所述晶片等的内侧残留有非期待的粘合剂残渣；可以由粘合剂层的断裂而使水容易通过；在切割时将因激光束的照射或液体流的振动而引发的粘合剂层的共振控制在最小限度；抑制振幅大小；防止芯片断裂、崩裂等。其中，粘合剂层的厚度通常是指由整个粘合片的厚度-基材膜的厚度而求得的值，如图1所示，当构成粘合片10的基材膜12为网状膜时，将基材膜12的最表面作为厚度基准线A,将从该厚度基准线A到粘合剂层11的最表面的长度规定为粘合剂层的厚度D。另夕卜，在本发明中，粘合剂层的拉伸强度优选为lMPa以下。通过设定为上述的拉伸强度，利用液体流可使粘合剂层易于断裂，从而可以使来自液体流的液体、即水的排出准确地进行。可通过例如增减多感应单体和/或交联剂的比例等对使用的粘合剂的成分进行调节来适当调整拉伸强度。拉伸强度可通过如上所述的方法进行测定。此外，优选粘合剂层表面与水的接触角为90度以下。通过使接触角在上述范围，可使粘合剂层对水的润湿性良好，从而可使来自液体流的液体容易且准确地流向粘合片的反面。为了使其与水的接触角为90度以下，粘合剂层优选从上述的材料等中适当选择并组合使用。例如，作为使用的单体/低聚物成分，优选使用具有极性基团的成分。作为极性基团，可列举氨基、酰胺基、烷氧基、羟基、酯基、氰基、硝基、羰基等。对于极性基的种类、导入的比例等，可以根据粘合剂以外的其它成分的种类、用量等、以及保存/稳定性等进行适当调节。本发明的粘合片可通过本
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中公知的薄片制造方法来形成。例如，首先准备基材膜。接着，在基材膜上层叠粘合剂。此时，可以直接在基材膜上进行涂布，或者也可以利用连续自动涂布法进行层叠，还可以在基材膜上压延层叠粘合剂，其中，所述连续自动涂布法是将粘合剂涂布在涂敷有剥离剂的工艺材料上并进行干燥，然后将所述粘合剂层叠在基材膜上的方法。上述的涂布可以利用例如逆辊涂布、凹版涂布、帘式喷涂、金属模涂布、挤出以及其它可应用于工业生产的涂布法等各种方法。另外，准备的基材膜可以以基材膜的状态形成穿孔，也可以在涂布粘合剂后在基材膜上形成穿孔。在本发明的粘合片中，优选具有1.5N/20mm以上、更优选具有3N/20mm以上的粘合强度。此外，所述粘合强度优选小于10N/20mm、更优选小于8N/20mm。即，随着切割技术逐渐转变为采用喷水激光的技术，对于切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化，其结果，即使在更弱的粘合力下，也可以保证在切割时晶片等的良好粘合，同时还可以防止芯片或部件从粘合片上剥离。并且，通过降低初期粘合力，还可以使拾取时芯片或IC部件等的缺损等缺陷减少。特别是使用光敏型粘合剂时，可以使经能量射线照射后的粘合剂的粘合力有效、迅速、简便地降低。另外，能量射线照射后的粘合强度优选小于0.2N/20mm、进一步优选小于0.18N/20mm这里所说的粘合强度是在测定温度23土3。C、剥离角度180。、剥离速度300mm/分(依照ASTMD1000标准)的条件下，在镜状硅片上进行测定时的测定值。实施例下面对本发明的喷水激光切割用粘合片的实施例进行详细说明。c基材膜的制备)利用纤维直径55Mm的聚对苯二甲酸乙二醇酯纤维形成密度200根x200根/英寸、空隙面积32%、厚度90um的网状膜。对该网状膜进行电暈处理，将其作为基材膜。实施例1按照常规方法在乙酸乙酯中使40重量份丙烯酸曱酯、35重量份丙烯酸2-乙基己酯、20重量份丙烯酰吗啉、5重量份丙烯酸进行共聚。由此，得到了含有重均分子量60万的丙烯酸类共聚物的溶液。接着，向上述含有丙烯酸类共聚物的溶液中加入100重量份由季戊四醇三丙烯酸酯与二异氰酸酯反应而得到的紫外线固化型低聚物(在25。C下的粘度为lOPa.sec)、3重量份光聚合引发剂(商品名"IRGACURE651"、CibaSpecialtyChemicals公司制造)、以及2重量份多异氰酸酯化合物(商品名"CORONETL"、日本聚氨酯公司制造)，得到丙烯酸类紫外线固化型粘合剂溶液。将得到的紫外线固化型粘合剂溶液涂布于上述的基材膜上，使粘合剂层的厚度为5nm，获得粘合片。实施例2除了涂布紫外线固化型粘合剂溶液、使粘合剂层的厚度为15wm以夕卜，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。实施例3按照常规方法在乙酸乙酯中使60重量份丙烯酸曱酯、35重量份丙烯酸2-曱氧基乙酯、5重量份丙烯酸进行共聚。由此，得到含有重均分子量70万的丙烯酸类共聚物的溶液。接着，向上述含有丙烯酸类共聚物的溶液中加入100重量份由季戊四醇三丙烯酸酯与二异氰酸酯反应而得到的紫外线固化型低聚物(在25。C下的粘度为10Pa'sec)、3重量份光聚合引发剂(商品名"IRGACURE651"、CibaSpecialtyChemicals公司制造)、以及2重量份多异氰酸酯化合物(商品名"CORONETL"、日本聚氨酯公司制造)，得到丙烯酸类粘合剂溶液。除了将得到的粘合剂溶液涂布在上述的基材膜上、使粘合剂层的厚度为15mm以外，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。实施例4按照常规方法在曱苯中使48重量份丙烯酸乙酯、48重量份丙烯酸2-乙基己酯、4重量份丙烯酸2-羟基乙酯进行共聚。由此，得到含有重均分子量50万的丙烯酸类共聚物的溶液。接着，向上述含有丙烯酸类共聚物的溶液中加入5重量份多异氰酸酯化合物(商品名"CORONETHL"、日本聚氨酯公司制造)，得到丙烯酸类紫外线固化型粘合剂溶液。除了将得到的紫外线固化型粘合剂溶液涂布在上述的基材膜上、使粘合剂层的厚度为5ym以外，采用与实施例1相同的方法得到粘合片。实施例5除了使粘合剂溶液中CORONETL的混合份数为5重量份，并将得到的紫外线固化型粘合剂溶液涂布在上述的基材膜上、使粘合剂层的厚度为15Mm以外，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。实施例6除了将得到的紫外线固化型粘合剂溶液涂布在上述的基材膜上、使粘合剂层的厚度为30pm以外，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。实施例7除了涂布得到的紫外线固化型粘合剂溶液、使粘合剂层的厚度为30ym以外，采用与实施例4相同的方法得到粘合片。实施例8按照常规方法在曱苯中使48重量份丙烯酸乙酯、48重量份丙烯酸2-乙基己酯、4重量份丙烯酸2-羟基乙酯进行共聚。由此，得到含有重均分子量50万的丙烯酸类共聚物的溶液。接着，向上述含有丙烯酸类共聚物的溶液中加入io重量份多异氰酸酯化合物(商品名"CORONETHL"、日本聚氨酯公司制造)，得到丙烯酸类的粘合剂溶液。除了将得到的粘合剂溶液涂布在上述的基材膜上、使粘合剂层的厚度为5jam以外，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。实施例9除了使粘合剂层的厚度为30jam以外，采用与实施例l相同的方法得到粘合片。比较例1除了使粘合剂层的厚度为30jiim以外，采用与实施例5相同的方法得到粘合片。(粘合剂层厚度的测定)对在实施例及比较例中得到的粘合片进行切片机切割，并对其截面进行Pt-Pd'减射处理后，利用SEM(日立制S-4800)观察其二次电子图像，测定粘合剂层的厚度D(参照图1)。(水与粘合剂层表面的接触角的测定)采用图像处理式接触角计(商品名FACE、接触角计CA-X型)，使实施例和比较例中得到的粘合片的粘合剂层侧向上，使用注射器向该粘合剂层表面滴加水，对滴加后经过1分钟后的接触角进行测定。(粘合剂层的拉伸强度的测定)使用万能拉伸试验机在脱模纸上形成在实施例和比较例中使用的粘合剂，以夹具间距10mm、宽10mm、速度300mm/分进行拉伸，用断裂时的强度除以测定前的截面面积，作为拉伸强度。(切割条件)在实施例和比较例中得到的切割用粘合片上贴合被磨削成厚100mm的硅晶片，在下述条件下进行切割。激光波长532nm切割速度50mm/s、70mm/s激光直径50pm喷水压力8MPa芯片尺寸lmmxlmm晶片尺寸13.7cm(5cm)视为0的情况水的排出性良好，在芯片表面基本没有残留水，所有硅晶片被切割，切割线处的所有粘合剂均被切断；视为O的情况水的排出性良好，在芯片表面基本没有残留水，所有硅晶片被切割，但在切割线处的粘合剂中有部分粘合剂未被切断；视为A的情况水的排出性不良，在芯片表面的大部分残留有水，硅晶片的部分部位存在未^f皮切割的部分；视为x的情况水的排出性不良，在芯片表面的大部分残留有水，硅晶片上存在基本未被切割的部分。上述中，0或0的评价为良，A或x的评价为不良。_<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表1可知，当粘合剂层的厚度、粘合剂层的拉伸强度和粘合剂层表面与水的接触角均在指定范围内时，排水性非常好，在硅晶片表面没有残留水，所有芯片均被准确切割。并且，未发生芯片等的飞散和缺损，加工精度也较好。此外，切割线处的粘合剂层均被切断，在切割后的拾取中芯片等的剥离也容易进行，未发生因剥离等而引起的缺陷。另外，当粘合剂层的厚度、粘合剂层的拉伸强度和粘合剂层表面与水的接触角中的任一项在指定范围以外时，在进行粘合剂层切断时产生了一定的残余。另一方面，当粘合剂层的厚度、粘合剂层的拉伸强度和粘合剂层表面与水的接触角均在本发明指定的范围以外时，无法进行充分的排水，产生无法正常进行晶片的切割加工或者芯片等的飞散。工业实用性本发明的喷水激光切割用粘合片不仅对于可通过由液体流引导的激光束进行切割加工的对象，即半导体关联材料(例如，半导体晶片、BGA封装、印刷电路、陶瓷板、液晶装置用玻璃部件、片材、电路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光的发光/受光元件基板、MEMS基板或半导体封装等)等，而且对于所有种类的材料，都可以在广泛的范围内使用。权利要求1.一种喷水激光切割用粘合片，该喷水激光切割用粘合片是在基材膜上层叠粘合剂层而成的；其中，所述基材膜有穿孔，而且粘合剂层的厚度为0.1～20μm。2.根据权利要求1所述的喷水激光切割用粘合片，其中，粘合剂层具有1MPa以下的拉伸强度。3.根据权利要求1或2所述的喷水激光切割用粘合片，其中，水与粘合剂层表面的接触角为90度以下。4.一种喷水激光切割用粘合片，该喷水激光切割用粘合片是在基材膜上层叠粘合剂层而成的；其中，粘合剂具有lMPa以下的拉伸强度。5.根据权利要求4所述的喷水激光切割用粘合片，其中，水与粘合剂层表面的接触角为90度以下。6.—种喷水激光切割用粘合片，该喷水激光切割用粘合片是在基材膜上层叠粘合剂层而成的；其中，水与粘合剂层表面的接触角为90度以下。7.根据权利要求1~6中任一项所述的喷水激光切割用粘合片，其中，粘合剂为能量射线固化型粘合剂。8.根据权利要求16中任一项所述的喷水激光切割用粘合片，其中，基材膜为网状膜。全文摘要本发明的目的在于提供一种粘合片，该粘合片通过在喷水激光切割中使来自液体流的液体具有更加良好且稳定的透过性来防止在芯片或IC部件等的剥离时产生缺损等缺陷，从而可实现对极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明的粘合片是在基材膜12上层叠粘合剂层11而成的喷水激光切割用粘合片，其中，基材膜12是由纤维形成的网状结构。文档编号H01L21/301GK101542689SQ200880000519公开日2009年9月23日申请日期2008年4月15日优先权日2007年4月20日发明者三木翼,佐佐木贵俊,山本晃好,新谷寿朗,浅井文辉,高桥智一申请人:日东电工株式会社