专利名称：可挠曲的光检测器的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及光检测器。
背景技术：
已开发了多种类型的光检测器，其能够将光转换为电流用于检测光。用于将光转换为电流的光检测器利用能够光-受激产生电荷载流子对的多种材料。考虑到光检测器的许多最终使用应用，对能够检测光的新装置和方法存在持续需要，其可进一步有利于开发能够光-受激产生电荷载流子对的材料。
发明内容
在所实施的示例中，提供了一种包括沿长度延伸的挠曲线的设备，
该挠曲线包括第一电荷载流子运送体，其沿挠曲线的长度的至少一部分延伸；感光体，其在第一电荷载流子运送体的上方且沿挠曲线的长度
的至少一部分延伸，该感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷
载流子对；和第二电荷载流子运送体，其在感光体的上方且沿挠曲线的长度的至少一部分延伸，第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。
作为实施的另一示例，提供了一种方法，该方法包括提供沿长度延伸的挠曲线，该挠曲线包括第一电荷载流子运送体、在第一电荷载流子运送体的上方的感光体和在感光体的上方的第二电荷载流子运送体，第一和第二电荷载流子运送体和感光体中的每一个沿挠曲线的长度的至少一部分延伸，感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对；和第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。所述方法还包括形成电路，该电路包括第一和第二电荷载流子运送体和感光体以及电流检测器。所述方法还包括检测通过将挠曲线暴露于近红外光或可见光产生的电流。
在研究下述的附图和详细描述的时，本领域中的技术人员都可以清楚或变得清楚本发明的其它系统、方法、特征和优点。意图是所有的这样的额外的系统、方法、特征和优点包括在这种描述中、在本发明的范围中且由附属的权利要求来保护。
参照下述的附图将能更好地理解本发明。附图中的部件不一定是成比例的，而是将重点放到了说明本发明的原理上。此外，在图中，贯穿不同视图的相似的标号表示对应的部件。
图1是显示设备的示例的透视图。
图2是显示设备的另一示例的透视图。
图3是沿图2中所显示的设备的示例的线A-A切割的横截面视图。图4是沿图2中所显示的设备的线A-A切割的另一示例的横截面视图。
图5是显示方法的流程图。
具体实施例方式
提供了一种包括沿长度延伸的挠曲线的装置。挠曲线包括第一电荷载流子运送体，其沿挠曲线的长度的至少一部分延伸。挠曲线还包括感光体，其在第一电荷载流子运送体的上方并沿挠曲线的长度的至少一部分延伸。挠曲线还包括第二电荷载流子运送体，其在感光体的上方并沿挠曲线的长度的至少一部分延伸。感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对。第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。
5图1是显示设备100的示例的透视图。该设备100包括沿由虚线110显示的长度延伸的挠曲线105。挠曲线105包括第一电荷载流子运送体115，其沿挠曲线105的长度110的至少一部分延伸。挠曲线105还包括感光体120，其在第一电荷载流子运送体115的上方并沿挠曲线105的长度110的至少一部分延伸。感光体120能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对。挠曲线105还包括第二电荷载流子运送体125，其在感光体120的上方并沿挠曲线105的长度110的至少一部分延伸。第二电荷载流子运送体125对于近红外光或可见光至少是半透明的。在一个示例中，挠曲线105可包括导体130，其在第二电荷载流子运送体125的上方并沿挠曲线105的长度110的至少一部分延伸。导体130对于近红外光或可见光是半透明的。作为另一示例，挠曲线105可包括导体135、在导体135的上方的第一电荷载流子运送体115，导体135沿挠曲线105的长度110的至少一部分延伸。作为另一示例，挠曲线105可包括在挠曲线105的一部分或全部的上方的保护层(未示出)。
挠曲线105可以弯曲，沿线110形变。例如，挠曲线105可被配置用以沿线110在箭头145的方向上或者在箭头150的方向上，或者在箭头145和150两个方向上形变。
第一和第二电荷载流子运送体115、 125或者导体130、 135 (如果包括的话)或所有前述的部件可在电路中与检测器(未示出)相连。在一个示例中，可以将偏置电压应用到电路上；或可以忽略偏置电压。当具有近红外波长或可见光波长的光通常沿箭头140的方向进入设备100时，电荷载流子对的产生可以在电路中产生可以由检测器进行检测的电流。第二电荷载流子运送体125和导体130 (如果包括的话)的半透明合成物便于光进入感光体120的通过。
贯穿本说明书本领域的技术人员将理解，在主体或层被称作为在另一主体或层"上"或"上方"时，所述主体或层可以直接地或实际在其它的主体或层上(或上方)，或可替代地，还可以存在一个或多个居间的主体或层。还应当理解，当主体或层被称作为在另一主体或层"上"或"上方"时，所述主体或层可以覆盖其它的主体或层的整个表面或仅覆盖其它的主体或层的表面的一部分。另外，贯穿本说明书本领域技术人员应当理解，
6诸如"在……上形成"或"形成在……的上方"的术语不是要引入与材料运送、沉积、制造、表面处理或物理、化学或离子键合或相互作用的特定方法相关的任何限制。贯穿本说明书本领域技术人员还应当理解，在所述主体或层允许至少50%的近红外光或可见光或上述两者传输通过所述主体或层时，主体或层被称作是"透明的"。类似地，贯穿本说明书本领
域技术人员应当理解，在主体或层允许一些但小于50%的近红外光或可见光或上述两者传输通过所述主体或层时，该主体或层被称作是"半透明的"。
图2是显示设备200的另一示例的透视图。设备200包括围绕纵向轴线211的沿由虚线210显示的长度延伸的挠曲线205。挠曲线205例如可以包括内部电荷载流子运送层215，其沿挠曲线205的长度210的至
少一部分延伸。挠曲线205还可例如包括感光层220，其在内部电荷载流子运送层215的上方并沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸。感光层220能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对。在一个例子中，挠曲线205还可包括外部电荷载流子运送层225，其在感光层220的上方并沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸。外部电荷载流子运送层225对于近红外光或可见光至少是半透明的。在一个示例中，挠曲线205可包括沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸的光纤230，在光纤230的上方并沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸的内部电荷载流子运送层215。作为另一示例，挠曲线205可包括保护层235，其在外部电荷载流子运送层225的上方并沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸。
在一个示例中，挠曲线205可包括导体240，其在外部电荷载流子运送层225的上方并沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸。导体240对于近红外光或可见光至少是半透明的。保护层235例如可在导体240的上方。作为另一示例，挠曲线205可包括导体245、在导体245的上方的内部电荷载流子运送层215、沿挠曲线205的长度210的至少一部分延伸的导体245。
内部和外部电荷载流子运送层215、 225或者导体240、 245 (如果包括的话如图2中所示出)或所有前述的部件可在电路250中与检测器255相连。在一个示例中，可以将偏置电压施加到电路250上；或可以忽 略偏置电压。当在挠曲线205的圆周265附近的任何点处，具有近红外 光波长或可见光波长的光通常沿箭头260的方向进入设备200中时，电 荷载流子对的产生可以在电路250中产生可由检测器255进行检测的电 流。外部电荷载流子运送层225和导体240 (如果包括的话)的半透明 合成物便于光进入感光层220的通过。
图3是显示图2中的设备200的示例的沿线A-A切割的横截面视 图。图3显示出设备200包括挠曲线205和纵向轴线211。挠曲线205 例如可以包括内部电荷载流子运送层215;在内部电荷载流子运送层 215的上方的感光层220和在感光层220的上方的外部电荷载流子运送 层225。例如，挠曲线205还可包括光纤230、在光纤230的上方的内部 电荷载流子运送层215。作为另一示例，挠曲线205可包括在外部电荷 载流子运送层225上方的保护层235。在一个示例中，挠曲线205可包 括导体240，其在外部电荷载流子运送层225的上方并沿挠曲线205的 长度210的至少一部分延伸。作为另一示例，挠曲线205可包括导体 245、在导体245的上方的内部电荷载流子运送层215，所述导体245沿 挠曲线205的长度210的至少一部分延伸。
内部电荷载流子运送层215例如可以反射近红外光或可见光。如果 导体245被包括在设备200中，那么导体245可以代替或另外反射近红 外光或可见光。之后，沿箭头275的示例方向进入设备200中且穿过感 光层220的这样的光可被反射且沿箭头280的示例方向通过感光层 220。与仅沿箭头275的方向的单个通路相比，这种经过感光层220的 近红外光或可见光的双通路可诱导更多的电荷载流子对的生成。作为一 个示例，挠曲线205可被配置以与沿箭头275的入射方向所成的角度 285反射近红外光或可见光，以使入射光和反射光之间的相消干扰 (destructive interference)最小。例如，内部电荷载流子运送层215或 导体245 (如果有的话)可以在延迟(retarder)层(未显示)的上方，该 延迟层被配置用于在反射光上导致诸如45度相变的相变。同样，图1 中所示出的挠曲线105可以被改变，使得第一或第二电荷载流子运送体 115、 125反射近红外光或可见光。同样也可以以类似的方式改变下文所讨论的挠曲线405。
虽然纵向轴线210显示为图2中的直线，但是在直线的形变的情况下，挠曲线205可以弯曲。例如，挠曲线205可被配置以能够使纵向轴线210在箭头290的方向或箭头295的方向，或箭头290和295两个方
向上形变。
设备200和400的特征是可以相互交换的；且将在下文中设备400的讨论的全部内容并入设备200的所述讨论中。
图4是沿图2中所示出的设备的线A-A切割的另一示例400的横截面视图。图4显示出包括挠曲线405和纵向轴线406的设备400。挠曲线405例如可以包括内部电荷载流子运送层415。作为一个实例，内部电荷载流子运送层415可仅沿箭头408、 409之间的挠曲线405的一部分圆周407出现在纵向轴线406的上方。作为示例，挠曲线405还可以包括在内部电荷载流子运送层415的上方的感光层420和在感光层420的上方的外部电荷载流子运送层425。在一个示例中，挠曲线405可包括导体440，该导体440在外部电荷载流子运送层425的上方并沿挠曲线405的长度的至少一部延伸。导体440对于近红外光或可见光至少是半透明的。保护层435例如可以在导体440的上方。作为另一示例，挠曲线405可以包括导体445、在导体445的上方的内部电荷载流子运送层415，该导体445沿挠曲线405的长度的至少一部分延伸。
作为示例，感光层420与内部和外部电荷载流子运送层415、 425也可以仅沿箭头408、 409之间的挠曲线405的一部分圆周407出现在纵向轴线406的上方。同理，如果导体440、 445被包括在设备400中，那么作为示例导体440、 445也可仅沿箭头408、 409之间的挠曲线405的一部分圆周407出现在纵向轴线406的上方。挠曲线405还可包括例如光纤430、在光纤430的上方的内部电荷载流子运送层415。作为另一示例，挠曲线405可以包括在外部电荷载流子运送层425的上方的保护层435。例如，围绕圆周407的区域中的剩余部分可由适合的非导电和非光诱导的电荷载流子产生合成物填充。作为另一示例，围绕圆周407的区域中的剩余部分可被保护层435填充。箭头408、 409的围绕圆周407相对于彼此的位置可以被改变，所述位置表示在纵向轴线406的上方的层415、 420、 425、 440、 445的位置。例如，箭头408、 409的围绕圆周407相对于彼此的这样的位置可以在纵向轴线406上沿挠曲线405的选择的点处关于层415、 420、 425、 440、 445中的每个层被独立地改变。作为另一示例，围绕圆周407的彼此相对的箭头408、 409的这样的位置可以在纵向轴线406上沿挠曲线405的不同点处关于层415、 420、425、 440、 445中的一个或多个层被改变。在还一示例中，之间设置了层415、 420、 425、 440、 445中的一个或多个层的箭头408、 409的位置可沿纵向轴线406以螺旋的方式被独立地改变。
由箭头411的端点显示的设备400的直径例如可以在约1微米与约1毫米之间的范围内。由箭头411的端点显示的设备400的直径沿纵向轴线406可以是均一的或是变化的。设备200的直径或设备100分别在箭头145、 150的方向上的宽度或高度也可以例如在约1微米和约1毫米之间的范围内，并且也可以沿线105、 205的长度是均一的或是变化的。
可以以与关于设备200在上文所讨论的相同方式，将内部和外部电荷载流子运送体415、 425或者导体440、 445 (如果包括的话，如图4所示)在电路(未显示)中与检测器(未显示)相连。设备200和400的特征是可相互交换的；并且将设备200的讨论的全部内容并入设备400的所述讨论中。
第一电荷载流子运送体115和第二电荷载流子运送体125例如可以每个包括p型掺杂的半导体或n型掺杂的半导体。同样，内部电荷载流子运送层215、 415和外部电荷载流子运送层225、 425例如可以每个包括p型掺杂的半导体或n型掺杂的半导体。例如，可利用无机和有机半导体。例如包括从周期表的第III和V族中选择的元素的合成物可以用作无机半导体。聚乙烯(噻吩)是p型掺杂有机聚合物的示例；而富勒烯("C60")功能聚合物是n型掺杂的有机聚合物的示例。在还一示例中，感光体120或感光层220、 420可以包括适合作为本征体120或本征层220、 420的合成物。例如，挠曲线105、 205、 405可具有包括感光体120或层220、 420处于其之间的第一和第二电荷载流子运送体115、 125或层215、 225、 415、 425的结。之后，第一和第二电荷载流子运送体115、 125或层215、 225、 415、 425和感光体120或层220、420可以一起形成从p-i-n结、n-i-n结和p-i-p结中选择的结。对于这些结，"p"表示p型掺杂的半导体，"n"表示n型掺杂的半导体，和"i"表示通常未掺杂的本征区域。作为另一示例，第一和第二电荷载流子运送体115、 125或层215、 225、 415、 425可具有是无机或有机导体的合成物。在示例中，第一和第二电荷载流子运送体115、 125和层215、 225、 415、 425可以由元素金属或合金、导电聚合物或混合物形成。在这些示例中，选择第二电荷载流子运送体125或层225、 425至少是半透明的。例如，可以使用氧化铟锡(TTO")或金的薄层。作为另一示例，导体240、 245、 440、 445也可以由元素金属或合金、导电聚合物或混合物形成。
感光体120或层220、 420能够近红外光诱导或可见光诱导生成电荷载流子对。在一个示例中，感光体120或层220、 420可以具有包括能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对的感光有机聚合物的合成物。作为示例，感光有机聚合物可以包括从苯撑乙烯(paraphenylenevinylene)、芴、噻吩和前述物质中的两种或更多种的混合物选择的一部分。可以利用的感光有机聚合物的示例包括聚苯撑乙烯("PPV")、聚芴、聚(噻吩)或烷氧基取代的聚苯撑乙烯("MEH-PPV")，其中，"烷氧基"表示具有1-20个碳原子的键合有氧的支链或无支链的烷基。用"聚(噻吩)"表示包含噻吩部分的感光聚合物，诸如例如聚(3-己基)噻吩("P3HT")。在示例中，感光体120或层220、 420可具有这样的合成物，该合成物包括被选择的能够响应于被具有一个或多个已选择的波长或波长范围的近红外光或可见光照射而产生电荷载流子对的感光有机聚
在另一示例中，感光体120或层220、 420可具有这样的合成物，该合成物包括分散在导电聚合物中的半导体纳米结构，该半导体纳米结构能够近红外光诱导或可见光诱导应产生电荷载流子对。例如，半导体纳米结构可以从量子点、量子杆、量子阱和包括前述的两种或更多种的混合物中选出。半导体纳米结构也可称作为"纳米晶体"。半导体纳米结构的合成物可包括两种元素的组，例如镉和硒、锌和硒、铟和砷、或包
ii括这样的元素组中的两种或更多种的混合物。半导体纳米结构可被配置，例如以响应于被具有一个或更多个选择的波长或波长范围的近红外光或可见光照射而产生电荷载流子对。此外，例如，导电聚合物可包括
从聚(苯胺)、聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸酯("PEDOT:PSS")，禾Q，前述的两种或更多种的混合物中选出的一种。聚(乙炔)例如可包括诸如碘或三价铁离子的氧化掺杂物。
保护层235、 435，或如包括在设备100中的(未显示)，可具有这样的合成物，该合成物包括适合用于形成挠曲线105、 205、 405的可挠曲的牢固的且耐用的盖体的半透明或透明电介质聚合物。作为示例，保护层235、 435或被包括在设备100中的，可由聚(乙烯)、聚(丙烯)、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)或聚(苯乙烯)形成。本领域的技术人员应当理解，包含在设备100、 200、 400中的保护层235、 435可以由被选取的任何具有适合的电介质性、挠曲性、光传输以及耐久性性质聚合物形成，以对于给定的最终用途使设备100、 200、 400有效地免受周围环境的负面作用。
光纤230、 430可以包括例如天然或合成的无机或有机纤维。在另一示例中，光纤230、 430可以包括多于一个被缠绕的或被纺丝的丝线。例如，光纤230、 430可由一种或多种天然的或合成的无机或有机材料拉伸、纺丝或织造得到。有机材料例如包括植物纤维和有机聚合物。无机材料包括诸如二氧化硅的玻璃成份。通常，对于给定的最终用途，可选取任何具有适合的电介质性、可挠曲性和其它机械属性如抗张强度的纤维。
设备100、 200、 400可例如包含在织物(未显示)中，从而形成被分布的光检测器。作为示例，设备100、 200、 400可被结合在诸如外套、衬衣或背心的衣服中。在另外的示例中，设备100、 200、 400可被结合在诸如帐篷或毯子的另一织物中。这些衣服和其它织物可被配置以使例如由士兵和其它军事人员和执法人员使用。第一和第二电荷载流子运送体115、 125或者内部与外部电荷载流子运送层215、 225、 415、 425之后可在电路250中与检测器255相连。在一个示例(未显示)中，可以将偏置电压应用到电路250上；或可以忽略偏置电压。当具有近红外光波长或可见光波长的光进入设备100、 200、 400时，电荷载流子对的产生可在电路250中产生可由检测器255进行检测的电流。作为示例，在敌人测距激光器"描绘"士兵时，该士兵可以穿戴包括具有这种检测器255的设备100、 200、 400的衣服作为报警装置。通过测距激光器或其它光源的波长或开-关图案的检测，设备100、 200、 400例如可区分友和敌。例如，设备100、 200、 400可包括被配置用于检测已选择的波长或波长范围的感光体120或感光层220、 420。此外，检测器255可被配置用于这种开-关图案的信号分析，和将已检测的近红外光或可见光的图案与友与敌的测距仪和其它光信号的图案的数据库进行比较。
图5是显示方法500的流程图。该方法以步骤505开始，之后在步骤510沿长度提供了包括挠曲线105、 205、 405的设备100、 200、 400。挠曲线105、 205、 405包括第一电荷载流子运送体115或内部电荷载流子运送层215、 415。挠曲线105、 205、 405还包括在第一电荷载流子运送体115或内部电荷载流子运送层215、 415的上方的感光体120或感光层220、 420。挠曲线105、 205、 405还包括在感光体或层120、220、 420的上方的第二电荷载流子运送体125或外部电荷载流子运送层225、 425。第一和第二电荷载流子运送体115、 125或内部和外部电荷载流子运送层215、 225、 415、 425中的每个沿挠曲线105、 205、 405的长度的至少一部分延伸。感光体120或感光层220、 420也沿挠曲线105、 205、 405的长度的至少一部分延伸，并能够近红外光诱导的或可见光诱导的生成电荷载流子对。第二电荷载流子运送体125或外部电荷载流子运送层225、 425对于近红外光或可见光至少是半透明的。挠曲线105、 205、 405还可包括导体130、 135、 240、 245、 440、 445。设备100、 200、 400的上述讨论的全部内容在执行步骤510中可以被利用，并且在此处并入方法500的所述讨论中。
在步骤515处，形成了包括第一和第二电荷载流子运送体或内部和外部电荷载流子运送层和感光体或层115、 120、 125、 215、 220、 225、415、 420、 425和电流检测器250的电路，且该电路可以包括导体130、135、 240、 245、 440、 445。之后，在步骤520处，检测通过暴露挠曲线105、 205、 405于近红外光或可见光中所产生的电流。然后，在步骤525
13结束方法500。
方法500例如可以包括另外的特征。例如挠曲线105、 205、 405可 预先形成，或可被制造作为执行方法500的步骤510的一部分。包括挠 曲线105、 205、 405的设备100、 200、 400的制造可以例如通过包括涂 覆、熔合或挤压技术的过程来进行。如上文所讨论的用于形成设备100、 200、 400的主体或层的合成物可以例如被浸渍涂布或喷涂到光纤230、 430上。在另一示例中，第一或内部电荷载流子运送体或层115、 215、 415可以例如通过拉伸或挤压过程被预形成；之后如上文所讨论的用于 形成设备100、 200、 400的其它主体或层的合成物可被浸渍涂布或喷涂 或挤压到第一或内部电荷载流子运送体或层115、 215、 415上。在另一 示例中，可制造包括具有用于形成如上文所讨论的设备100、 200、 400 的主体或层的合成物的同心层的预制件；并且该预制件可被拉伸或挤压 以形成设备100、 200、 400。例如还可以通过包括将多个预制件熔合在一 起的过程，来形成设备100。例如，可以制造第一预制件和第二预制件， 所述预制件中的每一个包括由包括被用于形成第一或第二电荷载流子运 送体115、 125的n型掺杂或p型掺杂的半导体的合成物的层并且之后被 用于形成感光体120的合成物的层接连地包围的中心导体。之后诸如通 过加热它们，将两个预制件熔合在一起，从而形成从p-i-n结、n-i-n结 或p-i-p结中选出的结，所述结被包含在设备100中。作为另一示例，可 以省略中心导体。
设备100、 200、 400例如可用作分布的光检测器，诸如用于检测进 入设备100、 200、 400中的近红外光或可见光。同样，方法500可用于 检测近红外光或可见光。虽然前述的描述在一些示例中参考如图1-5所示 出的设备100、 200、 400和方法500，但是应当认识到，所述主题并不局 限于这些结构或本说明书中的所述结构。可以制造其它形状和配置的设 备。同理，可通过利用是示例的设备100、 200、 400中的任何设备，来 执行所述方法500。此外，本领域的技术人员将理解到，方法500可以 包括额外的步骤和已显示出的步骤的修改。
另外，应该理解到，为了说明和描述的目的，已提供了许多示例的 上述描述。这种描述并不是穷尽的，并且并不将所要求保护的本发明局限于所公开的确切形式。鉴于上文的描述可以进行修改和变形，或在实 施本发明时可以需要修改和变形。权利要求和它们的等价物限定了本发 明的范围。
权利要求
1.一种设备，包括沿长度延伸的挠曲线，所述挠曲线包括第一电荷载流子运送体，该第一电荷载流子运送体沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸；感光体，该感光体在所述第一电荷载流子运送体的上方，并沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸，所述感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对；和第二电荷载流子运送体，该第二电荷载流子运送体在所述感光体的上方，并沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸，所述第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中所述挠曲线包括沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸的挠曲光纤；并且所述第一电荷载流子运送体是在所述光纤的上方且沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分 延伸的内部电荷载流子运送层。
3. 根据权利要求2所述的设备，其中所述感光体是在所述内部电荷载流子运送层的上方且沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸 的感光层。
4. 根据权利要求3所述的设备，其中所述第二电荷载流子运送体是在所述感光层的上方且沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸 的外部电荷载流子运送层。
5. 根据权利要求4所述的设备，其中所述光纤沿所述挠曲线的所述长度在选择的点处具有圆周，所述内部电荷载流子运送层、所述感 光层和所述外部电荷载流子运送层的每一个在所述点处仅在所述圆周的 一部分上。
6. 根据权利要求1所述的设备，其中所述感光体包括分散在导电聚合物中的半导体纳米结构，所述半导体纳米结构能够近红外光诱导 或可见光诱导产生电荷载流子对。
7. —种方法，包括提供沿长度延伸的挠曲线，所述挠曲线包括第一电荷载流子运送 体、在所述第一电荷载流子运送体的上方的感光体和在所述感光体的上 方的第二电荷载流子运送体，所述第一电荷载流子运送体、所述第二电 荷载流子运送体和所述感光体中的每一个沿所述挠曲线的所述长度的至 少一部分延伸，所述感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载 流子对，且所述第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半 透明的；形成电路，该电路包括所述第一电荷载流子运送体、所述第二电荷 载流子运送体和所述感光体以及电流检测器；和检测通过将所述挠曲线暴露于近红外光或可见光而产生的电流。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中提供所述挠曲线包括提供 沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸的挠曲光纤，并包括提供作 为所述第一 电荷载流子运送体的内部电荷载流子运送层，该内部电荷载 流子运送层在所述光纤的上方，且沿所述挠曲线的所述长度的至少一部 分延伸。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中提供所述挠曲线包括提供 作为所述感光体的感光层，该感光层在所述内部电荷载流子运送层的上 方，且沿所述挠曲线的所述长度的至少一部分延伸。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中提供所述挠曲线包括提供作为所述第二电荷载流子运送体的外部电荷载流子运送层，该外部电荷 载流子运送层在所述感光层的上方，且沿所述挠曲线的所述长度的至少 一部分延伸。
全文摘要
设备包括沿长度延伸的挠曲线。挠曲线包括第一电荷载流子运送体、在第一电荷载流子运送体的上方的感光体和在感光体的上方的第二电荷载流子运送体。第一和第二电荷载流子运送体和感光体中的每一个沿挠曲线的长度的至少一部分延伸。感光体能够近红外光诱导或可见光诱导产生电荷载流子对。第二电荷载流子运送体对于近红外光或可见光至少是半透明的。
文档编号H01L51/42GK101689610SQ200880023154
公开日2010年3月31日 申请日期2008年7月1日 优先权日2007年7月2日
发明者奥烈格·米楚法诺夫, 尼古拉·B·日捷涅夫, 热南·雷派波特, 阿肖克·J·马里阿卡尔, 刚 陈 申请人:朗讯科技公司