专利名称：发光二极管封装的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管封装，且特别是有关于一种由壳体分隔发光二极 管芯片与静电防护元件的发光二极管封装。
背景技术：
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点， 发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器的指示灯或光源。近年来，更由于发 光二极管朝向多色彩以及高亮度化发展，发光二极管的应用范围已拓展至大型户外显示看 板及交通号志灯等，未来甚至可以取代钨丝灯和水银灯以成为兼具省电和环保功能的照明 灯源。图IA绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图IB绘示图IA的发光二极管封 装沿着1-1’线段的剖面图。请同时参考图IA与图1B，已知的发光二极管封装100包括一导 电架(Ieadframe) 110、一壳体(housing) 120、一发光二极管芯片130、一静电防护元件(ESD protector) 140、(conductive wire) 150(encapsuliirit) 160。冑# 120包覆部分导电架110，并具有一开口 122。发光二极管芯片130与静电防护元件140配 置于导电架110上且位于开口 122内，并且发光二极管芯片130与静电防护元件140分别 由这些导线150电性连接至导电架110。此外，封装胶体160包覆发光二极管芯片130、静 电防护元件140与这些导线150。当已知的发光二极管封装100的发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，发光 二极管芯片130所发出的部份光线会由白色的壳体120反射后，才从透明的封装胶体160 往远离导电架110的方向出射。由于已知的发光二极管封装100的静电防护元件140为非 透明元件，所以当发光二极管芯片130受电流驱动而发光时，非透明的静电防护元件140将 会吸收发光二极管芯片130所发出的部分光线。因此，已知的发光二极管封装100的发光 强度会受到非透明的静电防护元件140的影响。
发明内容
本发明提供一种发光二极管封装，可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发 出的光线。本发明提出一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片 以及至少一静电防护元件。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二 开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第 一表面。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯 片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静 电防护元件电性连接至承载部。在本发明的一实施例中，承载部的第一表面为一平面，且发光二极管芯片、静电防 护元件与壳体的挡墙皆配置于平面上。
在本发明的一实施例中，发光二极管封装还包括一第一封装胶体，其填满于壳体 的第一开口中，并包覆发光二极管芯片，第一封装胶体为一透明胶体。在本发明的一实施例中，发光二极管封装还包括一第二封装胶体，其填满于壳体 的第二开口中，并包覆静电防护元件。在本发明的一实施例中，当第一封装胶体的材质相同于第二封装胶体 的材质时， 壳体的挡墙具有一背向承载部的第二表面，第二表面具有一连通第一开口与第二开口的沟 槽，第一封装胶体或第二封装胶体填满于沟槽中，且沟槽的底部相对于承载部的高度大于 发光二极管芯片的背对承载部的表面相对于承载部的高度。在本发明的一实施例中，静电防护元件包括齐纳二极管芯片(zener)、发光二极管 芯片、萧特基二极管芯片(Schottky diode chip)、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着 型发光二极管封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器。在本发明的一实施例中，当静电防护元件包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、 萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着 型萧特基二极管封装时，发光二极管芯片与静电防护元件反向并联。在本发明的一实施例中，承载部为一导电架。在本发明的一实施例中，壳体的材质为塑料、金属或金属氧化物。在本发明的一实施例中，第二开口位于壳体的一角落部分。基于上述，本发明的壳体的挡墙是位于静电防护元件与发光二极管芯片之间，故 可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下，其中图IA绘示已知的一种发光二极管封装的上视图，图IB绘示图IA的发光二极管封 装沿着1-1’线段的剖面图。图2A绘示本发明一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二 极管封装沿1-1’线段的剖面图。图3绘示本发明一实施例的静电防护电路的示意图。
具体实施例方式图2A绘示本发明一实施例的发光二极管封装的上视图，图2B绘示图2A的发光二 极管封装沿1-1’线段的剖面图。请同时参照图2A与图2B，本实施例的发光二极管封装200包括一承载部210、一 壳体220、一发光二极管芯片230以及多个静电防护元件240，其中承载部210例如为一导 电架。壳体220包覆部分承载部210，壳体220具有一第一开口 222、多个第二开口 224 与多个挡墙226。挡墙226分隔第一开口 222与第二开口 224。第一开口 222与第二开口 224暴露出承载部210的一第一表面212。在本实施例中，第二开口 224位于壳体220的多 个角落部分228a，且第一开口 222位于壳体220的一中心部分228b，其中第二开口 224位于第一开口 222的周边。在本实施例中，壳体220的材质为塑料、金属或金属氧化物，举例来说，壳体220的 材质例如为环氧树脂(epoxy)、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、陶瓷或前述材料的组合、或是其 它适合的材料。发光二极管芯片230配置于承载部210的第一表面212上，并位于第一开口 222 中，且发光二极管芯片230可透过一导线270电性连接至承载部210。在其它实施例中，发 光二极管芯片230可透过多个凸块(未绘示)电性连接至承载部210，换言之，发光二极管 芯片230可覆晶接合至承载部210。静电防护元件240配置于承载部210的第一表面212上，并位于第二开口 224中， 且静电防护元件240可透过导线270电性连接至承载部210。具体而言，在本实施例中，挡 墙226位于静电防护元件240与发光二极管芯片230之间，以避免静电防护元件240吸收 发光二极管芯片230所发出的光线，进而提升发光二极管封装200的发光强度。在本实施 例中，承载部210的第一表面212为一平面，且发光二极管芯片230、静电防护元件240与壳 体220的挡墙226皆配置于此平面上。在本实施例中，静电防护元件240包括齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基 二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装、表面粘着型萧特基 二极管封装或电容器、或者是其它适于用来作为静电防护的元件。在本实施例中，当静电防护元件240为齐纳二极管芯片、发光二极管芯片、萧特基 二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管封装或表面粘着型萧特 基二极管封装时，发光二极管芯片230与静电防护元件240为反向并联。图3绘示本发明 一实施例的静电防护电路的示意图。请参照图3，发光二极管芯片230连接到一高电压端 310与一低电压端320，静电防护元件240与发光二极管芯片230并联反接，换言之，静电防 护元件240的正极与发光二极管芯片230的负极电性连接，且静电防护元件240的负极与 发光二极管芯片230的正极电性连接。如此一来，当静电由低电压端320导入时，可由静电 防护元件240的路径将静电导出，以避免静电破坏发光二极管芯片230。另外，在本实施例中，可由一第一封装胶体250包覆发光二极管芯片230与导线 270，并填满壳体220的第一开口 222。第一封装胶体250例如为一透明封装胶体，例如环氧 树脂(印oxy resin)、硅胶(silicone)或紫外线固化(UV-cured)胶。此外，在本实施例中，可由一第二封装胶体260包覆静电防护元件240与导线270， 并填满壳体220的第二开口 224。第二封装胶体260可为一透明封装胶体或一不透明封装 胶体，且第二封装胶体260的材质可相同于第一封装胶体250的材质。在本实施例中，当第一封装胶体250的材质相同于第二封装胶体260的材质时，壳 体220的挡墙226具有一背向承载部210的第二表面226a。第二表面226a可具有一连通 第一开口 222与第二开口 224的沟槽T，且第一封装胶体250或第二封装胶体260填满于沟 槽T中，沟槽T的底部Tl相对于承载部210的高度Hl大于发光二极管芯片230的背对承 载部210的表面232相对于承载部210的高度H2。在形成第一封装胶体250与第二封装胶 体260时，沟槽T可有助于使两者相互流通而具有等高的表面252、262，以避免因胶体过多 所产生的溢流问题或者是表面252、262凸起的问题。 综上所述，本发明的壳体的挡墙位于静电防护元件与发光二极管芯片之间，故可避免静电防护元件吸收发光二极管芯片所发出的光线，进而提升发光二极管封装的发光强度。此外，在形成第一封装胶体与第二封装胶体时，挡墙上的沟槽可有助于使两者相互流通 而具有等高的表面，以避免因胶体过多所产生的溢流问题或者是胶体表面凸起的问题。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域 中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明 的保护范围当视后所附的权利要求范围所界定的为准。
权利要求
一种发光二极管封装，包括一承载部；一壳体，包覆部分该承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，该挡墙分隔该第一开口与该第二开口，该第一开口与该第二开口暴露出该承载部的一第一表面；至少一发光二极管芯片，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第一开口中，且该发光二极管芯片电性连接至该承载部；以及至少一静电防护元件，配置于该承载部的该第一表面上，并位于该第二开口中，且该静电防护元件电性连接至该承载部。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该承载部的该第一表面为一平面，且该 发光二极管芯片、该静电防护元件与该壳体的该挡墙皆配置于该平面上。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装，还包括一第一封装胶体，填满于该壳体的该第一开口中，并包覆该发光二极管芯片，该第一封 装胶体为一透明胶体。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装，还包括一第二封装胶体，填满于该壳体的该第二开口中，并包覆该静电防护元件。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装，其中当该第一封装胶体的材质相同于该第 二封装胶体的材质时，该壳体的该挡墙具有一背向该承载部的第二表面，该第二表面具有 一连通该第一开口与该第二开口的沟槽，该第一封装胶体或该第二封装胶体填满于该沟槽 中，且该沟槽的底部相对于该承载部的高度大于该发光二极管芯片的背对承载部的表面相 对于该承载部的高度。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该静电防护元件包括齐纳二极管芯片、 发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二极管 封装、表面粘着型萧特基二极管封装或电容器。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装，其中当该静电防护元件包括齐纳二极管芯 片、发光二极管芯片、萧特基二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型发光二 极管封装或表面粘着型萧特基二极管封装时，该发光二极管芯片与该静电防护元件反向并 联。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该承载部为一导电架。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该壳体的材质为塑料、金属或金属氧化物。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装，其中该第二开口位于该第一开口的周边。
全文摘要
一种发光二极管封装包括一承载部、一壳体、至少一发光二极管芯片以及至少一静电防护元件。壳体包覆部分承载部，该壳体具有至少一第一开口、至少一第二开口与一挡墙，挡墙分隔第一开口与第二开口，第一开口与第二开口暴露出承载部的一第一表面。发光二极管芯片配置于承载部的第一表面上，并位于第一开口中，且发光二极管芯片电性连接至承载部。静电防护元件配置于承载部的第一表面上，并位于第二开口中，且静电防护元件电性连接至承载部。
文档编号H01L23/60GK101819968SQ20091000682
公开日2010年9月1日 申请日期2009年2月27日 优先权日2009年2月27日
发明者陈义文 申请人:亿光电子工业股份有限公司