偏移裸片堆叠中的半导体裸片支撑的制作方法

专利名称：偏移裸片堆叠中的半导体裸片支撑的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及一种低轮廓半导体装置及制造所述低轮廓半导体装置的方法。
背景技术：
对便携式消费电子装置的需求的强烈增长推动着对高容量存储装置的需要。例如 快闪存储器存储卡的非易失性半导体存储器装置正变得广泛用于满足不断增长的对数 字信息存储及交换的需求。此类存储器装置的便携性、多功能性及坚固耐用设计连同 其高可靠性及大容量已使此类存储器装置理想地用于各种各样的电子装置中，包含(例 如)数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA及蜂窝式电话。虽然已知各种各样的封装配置，但快闪存储器存储卡通常可制造为单封装系统 (SiP)或多芯片模块(MCM)，其中多个裸片以堆叠式配置安装在衬底上。现有技 术图l及2中显示常规半导体封装20 (不具有模制化合物)的边视图。典型的封装包 含安装到衬底26的多个半导体裸片22、 24。虽然图1及2中未显示，但所述半导体 裸片形成有位于所述裸片的上部表面上的裸片接合垫。衬底26可由夹在上部传导层与 下部传导层之间的电绝缘核心形成。所述上部传导层及/或下部传导层可经蚀刻以形成 包含电引线及接触垫的电导图案。将线接合焊接在半导体裸片22、 24的裸片接合垫与 衬底26的接触垫之间以将半导体裸片电耦合到衬底。所述衬底上的电引线又提供裸片 与主机装置之间的电路径。 一旦形成裸片与衬底之间的电连接，通常，接着将所述组 合件包封在模制化合物中以提供保护性封装。已知以堆叠式配置(现有技术图1)或以偏移(现有技术图2)将半导体裸片层 叠在彼此顶部上。在图l的堆叠式配置中，两个或两个以上的半导体裸片直接堆叠在 彼此顶部上，借此为既定大小半导体裸片提供最小占用面积。然而，在堆叠式配置中， 必须在邻近半导体裸片之间为接合线30提供空间。除接合线30本身的高度之外，还 必须在所述接合线上面留有额外空间，因为一个裸片的接合线30与上面的下一裸片接 触可导致电短路。因此，如图1中所示，已知提供介电间隔件层34以为将要接合到下 部裸片24上的裸片接合垫的线接合30提供足够的空间。在图2的偏移配置中，以偏移堆叠所述裸片以使得下一下部裸片的接合垫暴露。 此类配置显示于(例如)林(Lin)等人的标题为"Multichip Module Having A Stacked Chip Arrangement (具有堆叠式芯片布置的多芯片模块)"的美国专利第6,359,340号中。偏移配置提供便于接近所述半导体裸片中的每一者上的接合垫的优点。Off Of在图 2所示的实施例中，所述线接合是从顶部半导体裸片22的第一边缘及底部半导体裸片 24的相对边缘形成的。还已知从与底部裸片24相同的边缘从顶部裸片22提供线接合。在图1及2的配置中，在安装裸片之后，可使用线接合毛细管将所述裸片线接合 在所述衬底与相应裸片之间。 一种己知的线接合工艺是球接合工艺，其中将要线接合 的一段线(通常是金或铜)被馈送穿过所述线接合毛细管的中心腔。所述线穿过所述 毛细管的尖端伸出，其中从与所述毛细管尖端相关联的变换器向所述线施加高电压电 荷。所述电荷使所述尖端处的线熔化且所述线由于熔融金属的表面张力而形成为球。随着所述球凝固，所述毛细管降低到半导体裸片的表面以接纳线接合的第一端。 可对所述表面进行加热以促进较好接合。在负载下将所述线接合球沉积在所述裸片的 裸片接合垫上，同时变换器施加超声波能量。组合的热、压力及超声波能量在所述线 接合球与所述裸片接合垫之间形成接合。接着，穿过所述毛细管将所述线放出，且线接合装置移到接纳所述线接合的第二 端的衬底(或其它半导体)。接着，再次使用热、压力及超声波能量但不是形成球而 是形成称为楔形接合或尾端接合的第二接合，所述线在压力下被挤压而形成第二接合。 接着，所述线接合装置放出一小段线并将所述线从第二接合的表面撕下。接着，使用 从所述毛细管的末端垂下的小尾线来形成用于下一随后线接合的线接合球。上述循环 可每秒重复约20到30次。如图1及2中所见，上部裸片22的接纳线接合的部分悬伸在下部裸片24之外且 其后表面上未受到支撑。常规半导体封装的一个问题是当线接合毛细管接触上部裸片 以粘附线接合球时，其在裸片22的其后表面处未受到支撑的部分上施加向下压力。在 过去，半导体裸片足够厚，因此这并不是一个重要问题。然而，由于半导体裸片的厚 度已显著地降低，因此线接合毛细管在线接合期间施加的压力可使上部裸片破裂或否 则损坏上部裸片。发明内容本发明的实施例涉及一种半导体装置，其包含支撑结构，所述支撑结构用于支撑 半导体裸片的未支撑于下面的衬底或半导体裸片上的边缘。在实施例中，所述半导体装置通常可包含衬底，其具有多个接触垫；第一半导体裸片，其安装在所述衬底上； 及第二半导体裸片，其以偏移配置安装在所述第一半导体裸片上，使得所述第二半导 体裸片的边缘悬伸在所述第一半导体裸片之外。可将支撑结构附加到所述悬伸边缘下 方的所述接触垫中的一者或一者以上以在对悬伸边缘施加向下力的线接合工艺期间支 撑所述悬伸边缘。在实施例中，个别接触垫上的支撑结构可以是使用线接合毛细管附加到接触垫的 单个支撑球或支撑球堆叠。所述支撑球的高度大约是第一半导体裸片的厚度，使得第二半导体裸片平直地倚靠在第一半导体裸片及支撑球两者上。此允许在随后的线接合 工艺期间支撑第二半导体裸片的悬伸边缘，使得所述悬伸边缘内的应力被最小化。替代或除通过线接合毛细管形成的支撑球之外，还可通过在晶片级或组装工艺处的螺柱凸块形成(studbumping)或金凸块形成而在接触垫上形成凸块。在另一替代实 施例中，替代支撑球，支撑结构可以是形成于所述衬底上的一对接触垫之间的线环， 例如眺台式环。所述线环在随后的线接合工艺期间支撑半导体裸片的悬伸边缘。


图1是包含呈重叠关系且由间隔件层分离的一对半导体裸片的常规半导体装置的 现有技术边视图。图2是包含以偏移关系堆叠的一对半导体裸片的常规半导体装置的现有技术边视图。图3是显示制造根据本发明实施例的半导体装置的流程图。 图4是根据本发明实施例的半导体装置在第一制造阶段期间的俯视图。 图5是根据本发明实施例的半导体装置在另一制造阶段期间的俯视图。 图6是在进一步的制造阶段期间包含根据本发明实施例的支撑球的半导体装置的 俯视图。图7是半导体装置在图6中所示的制造阶段期间包含根据本发明的实施例的支撑 球的侧视图。图8是根据本发明实施例的半导体装置在另一制造阶段期间的侧视图。图9是根据本发明实施例的完整半导体装置的侧视图。图10是根据本发明实施例的半导体装置在第一制造阶段期间的俯视图。图11是根据本发明实施例的半导体装置在另一制造阶段期间的俯视图。图12是半导体装置在另一制造阶段期间包含根据本发明实施例的支撑环的俯视图。图13是半导体装置在一制造阶段期间包含图12中所示的支撑环的侧视图。 图14是根据本发明实施例的半导体装置在另一制造阶段期间的侧视图。 图15是根据本发明替代实施例的完整半导体装置的侧视图。
具体实施方式
现在将参照图3到15描述涉及一种半导体封装及形成所述半导体封装的方法的 实施例。应理解，本发明可以许多不同形式体现，而不应视为受限于本文所陈述的实 施例。而是，提供这些实施例旨在使本揭示内容透彻且完整并将本发明全面传达给所 属领域的技术人员。实际上，本发明打算涵盖这些实施例的替代、修改及等效形式， 这些实施例的替代、修改及等效形式包含于由所附权利要求书界定的本发明的范围及中，陈述了众多特定细节以提供对本发明的 透彻理解。然而，所属领域的技术人员应清楚，可在无此类特定细节的情况下实践本 发明。本文中使用术语"顶部"和"底部"及"上部"和"下部"仅出于方便及说明性 目的且并不意谓着限制对本发明的描述，因为所参照的物项可交换位置。现在将参照图3的流程图及图4到15的各种俯视图及侧视图解释用于形成根据 本发明的半导体封装100的工艺。首先参照图4的俯视图，其显示衬底102。虽然未 显示，但衬底102可以是一板衬底的一部分，使得可为实现规模经济而批量处理根据 本发明的半导体封装。虽然下文描述了单个半导体封装的制造，但应理解，以下描述 可应用于在所述衬底板上形成的所有封装。衬底102可以是各种不同的芯片载体媒介，包含PCB、引线框架或带式自动接合 (TAB)带。在衬底102是PCB的情形下，所述衬底可由上面形成有顶部及/或底部 传导层的核心形成。所述核心可以是各种介电材料，例如聚酰亚胺层压片、包含FR4 及FR5的环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)等等。传导层可由以下材料形成铜或 铜合金、镀铜或镀铜合金、合金42 (42Fe/58Ni)、镀铜钢或已知供在衬底上使用的其 它金属或材料。如已知，可在步骤200中将所述传导层蚀刻为电导图案。所述电导图案在半导体 裸片(如下文所解释，其附加到衬底)与外部装置(未显示)之间传递信号。所述电 导图案可包含接触垫104、 106及电迹线108。图中以实例方式显示接触垫及电迹线的 数量及图案，且其它实施例中，可存在呈各种图案的更多接触垫及电迹线。在图4的 实施例中，接触垫106不与任一特定接触垫104对准。在替代实施例中，图4中所示 的两个垫106可与两个垫104对准。在半导体封装是焊盘网格阵列(LGA)封装的情 形下，还可在衬底102的后表面上界定接触指(未显示)。提供用于在衬底102的前 表面与后表面之间传递信号的通孔110。可用一层焊料掩模覆盖衬底102的上部表面 及下部表面的若干部分，从而使接触垫104、 106及所述接触指(如果提供的话)暴露。 接着，可以(例如)此项技术中已知的电镀工艺给接触垫104、 106及接触指(如果提 供的话)镀上一个或一个以上金层。现在参照图5的俯视图，可在步骤202中将半导体裸片120安装到衬底102。可 以已知的粘合剂或共熔裸片接合工艺经由裸片附接粘合剂122 (图7)将裸片120附加 到衬底102。所述裸片包含邻近裸片120的第一边缘126的多个裸片接合垫124。在安 装裸片120之后，衬底102上的接触垫104及106保持邻近裸片120的第二边缘128 暴露。现在参照图6的俯视图，根据本发明，可在步骤204中将裸片支撑球130附加到 接触垫106。图6显示位于沿裸片120的边缘128的两个位置处的支撑球130。应理解， 在替代实施例中，支撑球130可提供于沿裸片120的边缘128的单个位置处或多于两 个位置处。除图6的俯视图之外，现在还参照图7的侧视图，可将一对支撑球130彼置处。在实施例中，可使用常规线接合毛细管(未显示)在衬底102上形成支撑球130。举例来说，在一个实施例中，可通过经由与所述毛细管相关联的变换器在毛细管的尖端处形成球来沉积支撑球130。球130的大小可通过所述毛细管控制，此取决于将要 包含在单个堆叠中的球130的数量及半导体裸片120的厚度。接着，可将所述毛细管 降低到接触垫106。可对或可不对衬底102的表面进行加热以促进支撑球130到接触 垫106的接合。在形成球130之后，可接着在负载下将球130沉积在接触垫106上， 同时所述变换器施加超声波能量。组合的热、压力及/或超声波能量在支撑球130与接 触垫106之间形成接合。接着，所述线接合装置可放出一小段线，且可在所述支撑球 处切断所述线以在所述接触垫上留下支撑球。可接着使用从所述毛细管的末端垂下的 小尾线来形成下一支撑球130。可将下一支撑球130直接堆叠在第一支撑球130的顶 部上。或者，可在所有接触垫106上形成第一层级的支撑球130，之后在所述第一层 级上堆叠第二层级的支撑球130。可通过各种其它方法在衬底102的接合垫106处形成支撑球130，所述方法包含 (例如)晶片或组装级的螺柱凸块形成或金凸块形成，或上述球及凸块中的任何者的 组合。此外，在本发明的替代实施例中，支撑球130的大小及形状可有所不同。在实 施例中，支撑球130可各自为球形、长度大于宽度的卵形或宽度大于长度的卵形。当 在球接合工艺中使毛细管的尖端处的线熔化且接着将其施加到接合垫时，可以已知方 式形成此类形状。应理解，在本发明的其它实施例中，支撑球130可以是其它形状。 此外，尽管显示支撑球堆叠具有两个支撑球，但应理解，在其它实施例中，单个位置 可包含单个支撑球或多于两个支撑球。此可部分地由所使用的半导体裸片120的厚度 确定。在具有以上实施例中的任一者中所描述的形状的情形下，如图7中所示的堆叠式 支撑球130可在衬底102上方延伸到大约等于半导体裸片120的厚度的高度。在实施 例中，支撑球130的高度可以是几百微米至5到IO密尔，此取决于所使用的半导体裸 片的厚度及所使用的线接合毛细管的配置。应理解，在本发明的替代实施例中，支撑 球130的高度可少于几百微米且大于IO密尔。此外，在堆叠含有两个或两个以上支撑 球130的情形中，应理解，堆叠中的每一球可以是相同直径或可具有彼此不同的直径。仍参照图7，在步骤208中，可在裸片堆叠上附加额外裸片，图7中的裸片140。 可以已知的粘合剂或共熔裸片接合工艺经由裸片附接粘合剂142将裸片140附加到衬 底102。所述裸片包含邻近裸片140的边缘144的多个裸片接合垫(在图7的侧视图 中看不见)。在实施例(未显示)中，裸片120与裸片140之间可另外包含如此项技 术中已知的互连体层。由于互连体层将有效地提升第二裸片140在第一裸片120的表 面上方的高度，因此可相应地增加支撑球130的高度。如图7中所见，球130的高度大约是第一半导体裸片120的厚度，使得第二半导 体裸片140平直地倚靠在第一半导体裸片120与支撑球130两者上。就工程公差阻碍对支撑球堆叠的高度精确定大小来说，所述高度可改变为裸片附接粘合剂142的厚度。 因此，堆叠式支撑球的高度可略大于第一裸片120的厚度，在此情形中，上部支撑球 130可投入到裸片140的下侧上的裸片附接粘合剂142中。此外，如果堆叠式支撑球 的高度略大于第一裸片120的厚度，那么所述支撑球的高度可因在裸片附接工艺期间 将第二裸片140安装在裸片堆叠上所借助的向下力而减小。
由于支撑球130是导电的且与接触垫106及裸片140的下侧两者都接触，因此接 触垫106可以是经电接地的垫。因此，防止电短路。应理解，替代或除粘合剂裸片附 接层142之外，还可在裸片140的下侧上提供一层电介质。在此类实施例中，接触垫 106不必是经接地的垫。
在于步骤208中将半导体裸片140附加到裸片堆叠之后，线接合可在步骤210中 将裸片120、 140电耦合到衬底102。明确地说，如图8的侧视图中所示，线接合146 可附接在裸片120上的裸片接合垫与衬底102上的接触垫104之间，且线接合148可 附接在裸片140上的裸片接合垫与衬底102上的接触垫104之间。线接合146、 148 可以已知的线接合工艺形成，例如正向或反向球接合。
如背景技术部分中所解释，在其中上部裸片140的边缘144不受支撑的现有技术 封装中，在线接合工艺期间通过线接合毛细管施加在裸片140的所述边缘上的压力可 损坏裸片140。然而，由于支撑球130的支撑，因此防止在线接合工艺期间对裸片140 的损坏。
图8中所示的实施例包含两个堆叠的裸片。然而，应理解，所述裸片堆叠中可包 含多于两个的半导体裸片。因此，如由图3的流程图中的虚线箭头所指示，形成且附 接支撑球的步骤204、附接额外裸片的步骤208及线接合所述额外裸片的步骤210可 重复一次或一次以上的额外次数。在其中添加第三裸片的一个实例中，可使所述第三 裸片沿与裸片140相反的方向偏移，使得所述第三裸片正好在上面对准第一裸片120。 在此实施例中，支撑球130可提供在裸片120的第一边缘126处的裸片接合垫124中 的一者或一者以上上。可以类似的交替偏移方式添加额外裸片。
虽然以上描述涉及将支撑球添加到包含偏移裸片堆叠的半导体封装，但本发明还 涵盖可使用所述支撑球来支撑例如现有技术图1中所示的重叠裸片堆叠中的悬伸边 缘。在此实施例中，所述支撑球可以是与图1中所示的现有技术封装的间隔件层34 相同的厚度。所述支撑球可邻近所述间隔件层的边缘而提供以支撑上部裸片的一侧或 两侧的悬伸边缘。
现在参照图9的侧视图，在形成裸片堆叠并将其线接合到衬底102上的接合垫之 后，可在步骤216中将裸片堆叠包封在模制复合物150内，且在步骤218中从所述板 单片化所述裸片堆叠以形成成品半导体裸片封装100。模制复合物150可以是(例如) 可从住友(Sumitomo)公司及日东电工(NittoDenko)公司(两个公司总部均在日本) 购得的已知环氧树脂。在一些实施例中，可任选地在步骤220中将成品封装IOO包封 在盖内。现在将参照图10到15的俯视及侧视图描述本发明的替代实施例。具有与上述实
施例的结构及操作相似的结构及操作的组件具有被增量200的参考编号。如图10中所 示，提供包含本文中所界定的接触垫304、 306及电迹线308的衬底302。在图10的 实施例中，显示接触垫306与一对接触垫304对准。在替代实施例中，图10中所示的 两个垫306不必与任何垫304对准。
如图11的俯视图中所示，可使用裸片附接层322 (图13)如上文针对裸片320 所描述的那样将包含裸片接合垫324的第一半导体裸片320安装到衬底302。根据此 实施例，接着将线环360 (本文中还称为眺台式环)线接合在所述衬底上的接合垫306 与衬底302上的邻近接合垫304 (图12中为304a)之间。眺台式环360是通过首先经 由与毛细管相关联的变换器在所述毛细管的尖端处形成球362而提供。接着，可将所 述毛细管降低到接触垫306。可对或可不对衬底302的表面进行加热以促进球362到 接触垫306的接合。在形成球362之后，接着可在负载下将球362沉积在接触垫306 上，同时变换器施加超声波能量。组合的热、压力及/或超声波能量在球362与接触垫 306之间形成接合。
接着，所述线接合毛细管可放出一段线以形成环364，且所述毛细管移到邻近的 接触垫304。在不同实施例中，环364可具有圆形顶点或扁平顶点。接着，再次使用 热、压力及超声波能量在邻近接触垫304a上形成楔形接合或类似接合。接着，放出少 量的线且在所述楔形接合处将所述线扯下。
用于形成眺台式环360的线可与用于形成上述线接合的线厚度相同或更厚且更坚 固。在实施例中，与用于线接合的0.8密尔相比，环360中所使用的线可以是0.8密尔 到1密尔。这些厚度只是举例说明且在替代实施例中可有所不同。尽管所述图显示两 个眺台式环360，但应理解，可使用单个眺台式环或可使用多于两个眺台式环。
现在参照图14的侧视图，接下来可使用粘合剂裸片附接层342将第二半导体裸 片340安装在第一半导体裸片320的顶部上。环364可在第二裸片340安装在裸片堆 叠上时被其略微压縮，但眺台式环360为裸片340的悬伸边缘344提供结构支撑。这 个结构支撑足以承受随后的线接合工艺期间施加在边缘344上的压力。由于眺台式环 360是导电的且与接触垫304a、 306及裸片340的下侧两者都接触，因此接触垫304a 及306可以是经电接地的垫。因此，防止电短路。应理解，替代或除粘合剂裸片附接 层342之外，还可在裸片340的下侧上提供一层电介质。在此类实施例中，接触垫304a 及306不必是经接地的垫。
如图14中的进一步显示，在安装第二裸片340之后，线接合346及348可将裸 片320、 340电耦合到衬底302，如上文针对线接合146及148所描述。线接合346、 348可以已知的线接合工艺形成，例如正向或反向球接合。接纳眺台式环360的末端 的接合垫304a还可或还可不接纳线接合346的末端。眺台式环360提供对裸片340的 边缘344的支撑以防止在形成线接合348时损坏到裸片340。如以上针对支撑球130 实施例的描述，在这个实施例中，可通过在裸片堆叠的每一层级处形成一个或一个以上眺台式环360来将多于两个的半导体裸片附加到所述裸片堆叠。
现在参照图15的侧视图，在形成裸片堆叠并将其线接合到衬底302上的接合垫 之后，可将所述裸片堆叠包封在模制复合物350内，并将从所述板单片化所述裸片堆 叠以形成成品半导体裸片封装300。在一些实施例中，可任选地将成品封装300包封 在盖内。
在实施例中，封装100/300内所用的半导体裸片120、 140可包含一个或一个以上 快闪存储器芯片，且可能包含例如ASIC的控制器，以使得封装100/300可被用作快闪 存储器装置。应理解，在本发明的其它实施例中，封装100/300可包含经配置以执行 其它功能的半导体裸片。
出于图解说明及描述的目的，上文已呈现了对本发明的详细描述。本文并不打算 包罗无遗或将本发明限制于所揭示的精确形式。鉴于上述教示内容，可能做出许多修 改及改变。选择所描述的实施例旨在最好地解释本发明的原理及其实际应用，借此使 所属领域的技术人员能够以适合于所涵盖的特定使用的各种实施例及使用各种修改来 最好地利用本发明。本发明的范围由所附权利要求书界定。
权利要求
1、一种半导体装置，其包括第一组件，其包含多个接触垫；第二组件，其支撑于所述第一组件上方，所述第二组件包含未被所述第一组件支撑且定位于所述第一组件上的所述多个接触垫中的一部分接触垫上方的边缘；支撑结构，其附加到所述第一组件上的所述部分的接触垫中的一个或一个以上接触垫，所述支撑结构支撑所述第二组件的未被所述第一组件支撑的所述边缘；及至少一个线接合，其在所述第二组件的未被所述第一组件支撑的所述边缘处从所述第二组件上的裸片接合垫延伸以将所述第二组件电耦合到所述半导体装置。
2、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组件包括衬底，且所述第二 组件包括安装在第一半导体裸片上的第二半导体裸片，所述第一半导体裸片安装在所 述衬底上。
3、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组件包括第一半导体裸片， 且所述第二组件包括安装在间隔件层上的第二半导体裸片，所述间隔件层安装在所述 第一半导体裸片上。
4、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括沉积在所述第一组 件上的一个或一个以上球。
5、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括沉积在所述第一组 件上的一个或一个以上球堆叠。
6、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括形成于所述第一组 件上的所述部分的接触垫中的一对接触垫之间的线环。
7、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构通过线接合毛细管附加 到所述一个或一个以上接触垫。
8、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构通过在晶片级处的螺柱 凸块形成或金凸块形成中的一者形成于所述一个或一个以上接触垫上。
9、 如权利要求1所述的半导体装置，其中所述支撑结构所附加到的所述一个或 一个以上接触垫电接地。
10、 如权利要求l所述的半导体装置，其进一步包括位于所述第二半导体裸片的 下侧上的介电层。
11、 如权利要求10所述的半导体装置，其中所述支撑结构所附加到的所述一个 或一个以上接触垫不电接地。
12、 如权利要求l所述的半导体装置，其中所述装置是快闪存储器装置。
13、 一种半导体 置，其包括 衬底，其包含多个接触垫；第一半导体裸片，其安装在所述衬底的表面上，所述衬底上的所述接触垫中的至少一部分接触垫紧邻所述第一半导体裸片的第一边缘暴露；第二半导体裸片，其安装在所述第一半导体裸片的表面上，所述第二半导体裸片包含未被所述第一半导体裸片支撑的第一边缘；支撑结构，其附加到所述衬底上紧邻所述第一半导体裸片的所述第一边缘暴露的 所述部分的接触垫中的一个或一个以上接触垫，所述支撑结构支撑所述第二半导体裸 片的未被所述第一半导体裸片支撑的所述第一边缘；及至少一个线接合，其附加于所述第二半导体裸片上的裸片接合垫与所述衬底上的 所述多个接触垫中的接触垫之间。
14、 如权利要求13所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括沉积在所述衬底 上的一个或一个以上球。
15、 如权利要求13所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括沉积在所述衬底 上的一个或一个以上球堆叠。
16、 如权利要求13所述的半导体装置，其中所述支撑结构包括形成于所述衬底 上的所述部分的接触垫中的一对接触垫之间的线环。
17、 如权利要求13所述的半导体装置，其中所述支撑结构所附加到的所述一个 或一个以上接触垫电接地。
18、 如权利要求13所述的半导体装置，其进一步包括位于所述第二半导体裸片 的下侧上的介电层。
19、 如权利要求18所述的半导体装置，其中所述支撑结构所附加到的所述一个 或一个以上接触垫不电接地。
20、 一种半导体装置，其包括-衬底，其包含多个接触垫；第一半导体裸片，其安装在所述衬底的表面上；第二半导体裸片，其安装在所述第一半导体裸片的表面上，所述第二半导体裸片 包含未被所述第一半导体裸片支撑的第一边缘；一个或一个以上支撑球，其安装到所述衬底上的所述多个接触垫中的一个或一个 以上接触垫，所述支撑球支撑所述第二半导体裸片的未被所述第一半导体裸片支撑的 所述第一边缘；及至少一个线接合，其附加于所述第二半导体裸片上的裸片接合垫与所述衬底上的 所述多个接触垫中的接触垫之间。
21、 如权利要求20所述的半导体装置，其中所述一个或一个以上支撑球包括位 于所述一个或一个以上接触垫中的单个接触垫上的支撑球堆叠。
22、 如权利要求20所述的半导体装置，其中所述一个或一个以上支撑球所附加 到的所述一个或一个以上接触垫电接地。
23、 如权利要求20所述的半导体装置，其中所述一个或一个以上支撑球通过线接合毛细管附加到所述一个或一个以上接触垫。
24、 如权利要求20所述的半导体装置，其中所述一个或一个以上支撑球通过在 晶片级处的螺柱凸块形成或金凸块形成中的一者形成于所述一个或一个以上接触垫 上。
25、 一种半导体装置，其包括-衬底，其包含多个接触垫；第一半导体裸片，其安装在所述衬底的表面上；第二半导体裸片，其安装在所述第一半导体裸片的表面上，戶万述第二半导体裸片 包含未被所述第一半导体裸片支撑的第一边缘；线环，其安装在所述衬底上的所述多个接触垫中的一对接触垫之间，所述线环支 撑所述第二半导体裸片的未被所述第一半导体裸片支撑的所述第一边缘；及至少一个线接合，其附加于所述第二半导体裸片上的裸片接合垫与所述衬底上的 所述多个接触垫中的接触垫之间。
26、 如权利要求25所述的半导体装置，其中所述线环所附加到的所述接触垫对 电接地。
27、 如权利要求25所述的半导体装置，其中所述线环通过线接合毛细管附加到 所述接触垫对。
28、 如权利要求25所述的半导体装置，其中用于所述线环的线粗于用于所述线 接合的线。
29、 如权利要求25所述的半导体装置，其中用于所述线环的线与用于所述线接 合的线直径相同。
30、 如权利要求25所述的半导体装置，其中所述接触垫对中接纳所述线环的接 触垫与接纳线接合的至少一个接触垫是同一接触垫。
全文摘要
本发明揭示一种半导体装置，其包含支撑结构，所述支撑结构用于支撑半导体裸片的未被支撑于下面的衬底或半导体裸片上的边缘。在实施例中，所述半导体装置通常可包含衬底，其具有多个接触垫；第一半导体裸片，其安装在所述衬底上；及第二半导体裸片，其以偏移配置安装在所述第一半导体裸片上，使得第二半导体裸片的边缘悬伸在第一半导体裸片之外。可将支撑结构附加到所述悬伸边缘下方的所述接触垫中的一者或一者以上以在对所述悬伸边缘施加向下力的线接合工艺期间支撑所述悬伸边缘。
文档编号H01L25/065GK101661931SQ20091016616
公开日2010年3月3日 申请日期2009年8月18日 优先权日2008年8月20日
发明者习佳清, 赫姆·塔基阿尔, 邱锦泰 申请人:桑迪士克股份有限公司