专利名称：大功率半导体器件管座压焊区去金工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种大功率半导体器件管座压焊区去金工艺。
背景技术：
随着科技的发展，国内各行业需要的大功率器件越来越多。而在其生产过程中， 为了保证产品在使用过程中具有良好的可焊性，必须采用镀金管腿。由于现有的大功率器 件管座生产工艺，无法在镀金过程中使压焊区与管腿隔离，因而，压焊区同时被镀金。而半 导体芯片的导电带为铝层，无论采用金丝还是铝丝键合，均存在金_铝系统，存在可靠性隐 患，许多高尖端产品严禁采用金铝系统。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种不存在金-铝系统肝，可解除可靠性隐患，
将管座的压焊区金层去除的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺。 本发明的技术解决方案是 大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特殊之处是对欲处理管座进行区域 选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤 10 50分钟，所述的烘箱温度为70 10(TC;配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化
钾和高纯水按照重量份数比i : i : 2 i : i : 4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的
金层去除；再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。 上述的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，所述的区域选择性涂胶是指在除
压焊区外的管座表面涂胶。 上述的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，将腐蚀后的管座用氮气吹干后， 放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行再腐蚀。 本发明的优点是由于将欲处理管座进行区域选择性涂胶，可解决大功率器件的 金_铝系统问题，解除可靠性隐患。
图1为管座(以F型管座为例)的结构示意图。
图中l-压焊区，2-管脚，3-镀镍壳体
具体实施方式
实施例l
1.涂胶 如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳体3表面除压焊 区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不要使光刻胶粘到管座压焊区1上。
2.烘烤
将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10分钟，烘箱温度为IO(TC。 3.配制金腐蚀液 取碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1 : 1 : 2混合配制金腐蚀液。 4.腐蚀 将烘好的管座从烘箱中取出，放到金腐蚀液中进行腐蚀，2 8分钟后，将管座取 出，用高纯水进行冲洗。 5.后处理 5.1检查 将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行 再腐蚀。 5. 2去胶 将腐蚀好的管座放到去胶液(丙酮)中浸泡，完成去胶工艺。 5. 3冲洗 将管座用高纯水冲洗干净。 5. 4脱水 对管座进行脱水。 5. 5烘干 将管座用红外灯烘干。 实施例2 1.涂胶 如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳体3表面除压焊 区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不要使光刻胶粘到管座压焊区1上。 2.烘烤 将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤50分钟，烘箱温度为70°C。 3.配制金腐蚀液 取碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1 : 1 : 4混合配制金腐蚀液。 4.腐t虫 将烘好的管座从烘箱中取出，放到金腐蚀液中进行腐蚀，2 8分钟后，将管座取 出，用高纯水进行冲洗。 5.后处理 5.1检查 将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行 再腐蚀。 5. 2去胶 将腐蚀好的管座放到去胶液(丙酮)中浸泡，完成去胶工艺。 5. 3冲洗 将管座用高纯水冲洗干净。 5. 4脱水 对管座进行脱水。
5. 5烘干 将管座用红外灯烘干。 实施例3 1.涂月交 如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳体3表面除压焊 区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不要使光刻胶粘到管座压焊区1上。 2.烘烤 将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤30分钟，烘箱温度为80°C。 3.配制金腐蚀液 取碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1 : 1 : 3混合配制金腐蚀液。 4.腐蚀 将烘好的管座从烘箱中取出，放到金腐蚀液中进行腐蚀，2 8分钟后，将管座取
出，用大量的高纯水进行冲洗。 5.后处理 5.1检查 将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行 再腐蚀。 5. 2去胶 将腐蚀好的管座放到去胶液(丙酮)中浸泡，完成去胶工艺。 5. 3冲洗 将管座用高纯水冲洗干净。 5. 4脱水 对管座进行脱水。 5. 5烘干 将管座用红外灯烘干。 实施例4 涂胶时对欲处理管座的镀镍壳体3下表面和管脚2处涂正性光刻胶，其它同实施 例1 实施例3。
权利要求
一种大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特征是对欲处理管座进行区域选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10～50分钟，所述的烘箱温度为70～100℃；配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶2～1∶1∶4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的金层去除；再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。
2. 根据权利要求1所述的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特征是所述的区域选择性涂胶是指在除压焊区外的管座表面涂胶。
3. 根据权利要求1所述的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特征是将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行再腐蚀。
全文摘要
一种可解决金-铝系统问题、消除可靠性隐患的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，对欲处理管座进行区域选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10～50分钟，所述的烘箱温度为70～100℃；配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶2～1∶1∶4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的金层去除；再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。
文档编号H01L21/02GK101740402SQ200910248640
公开日2010年6月16日 申请日期2009年12月20日 优先权日2009年12月20日
发明者刘阳, 张帆 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司