专利名称：发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光器件。
背景技术：
发光二极管(LED)是用于将电流转化为光的半导体发光器件。由这种LED发射的 光的波长取决于用于LED的半导体材料的带隙，带隙表示价带和导带之间的能量差。最近， LED已经用作显示器例如液晶显示器(LCD)的光源、汽车的光源和其它类型的照明器件的 光源。LED可通过使用磷光体物质以发射白光或者可通过将具有各种颜色的LED组合以发 射各种颜色的光。然而，当LED用于一定的应用中时，LED的效率可能显著地降低。
发明内容
根据一个实施方案，提供一种发光器件，包括具有预定厚度、宽度和周期的具有 至少一种形状的预定图案的反射层；和在所述反射层上形成的发光层，其中所述预定周期 基于0.75X/n 5X/n，其中\是由所述发光层发射的光的波长，n是所述发光层的折射率。根据另一个实施方案，提供一种发光器件，包括具有至少一种预定形状的图案的 第一电极层；在所述第一电极层上形成的发光层；和在所述第一电极层和所述发光层之间 形成的预定层，所述预定层具有至少一种形状的图案，其中所述预定层使得由所述发光层 发射的光沿预定方向偏振。根据另一个实施方案，提供一种发光器件，包括反射层；在所述反射层上形成的 第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源层；在所述有源层上形成的第二半导体 层；在所述反射层上形成的突起，所述突起朝向所述第一半导体层延伸以在所述反射层上 的相邻突起之间形成凹陷；和在由所述反射层上的所述突起限定的凹陷中形成的图案化的 层，使得所述图案化的层的顶表面与所述突起的上表面基本齐平。根据又一个实施方案，提供一种发光器件，包括反射层；在所述反射层上形成的 第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源层；在所述有源层上形成的第二半导体 层；和在与所述反射层邻近的所述第一半导体层的表面上形成的突出图案，所述突出图案 包括从所述第一半导体层的表面朝向所述反射层延伸的多个突起。
以下将参考附图详细地描述实施方案，其中相同附图标记表示相同元件，其中图1和2是说明衰减率(damping rate)随着有源层和反射层之间距离的变化的 变化图；图3说明根据本文概述的一个实施方案的发光器件；图4说明根据本文概述的另一个实施方案的发光器件；图5说明根据本文概述的另一个实施方案的发光器件；
图6 8说明在图3-5中所示的发光器件中的偏振诱导图案；图9是模拟由具有图6-8中所示偏振诱导图案的图3-5中所示发光器件发射的光 的偏振率的结构；图10说明通过模拟具有图6-8的偏振诱导图案的图3-5的发光器件发射的光的 偏振率所获得的结果；图11是根据本文概述的实施方案的发光器件的偏振诱导图案的周期、宽度和高 度的图；图12是偏振率与偏振诱导图案周期的函数关系图；图13是偏振率与偏振诱导图案的宽度的函数关系图；和图14是偏振率与偏振诱导图案的第一导电型半导体层厚度的函数关系图。
具体实施例方式在本文公开的实施方案的描述中，当称各层(膜)、区域、图案或者结构在衬底“上 /下”时，“上”和“下”可包括“直接地”和“间接地”在其“上”和“下”。对“上”或“下”的 任何引用均基于附图。在附图中，各层的厚度或者尺寸可进行放大、省略或者示意地说明， 以使得说明方便和清楚，各个构件的尺寸不一定反映其实际尺寸。IXD装置通过控制光源的偏振可产生各种颜色。通过光源发射的光可穿过偏振器， 使得穿过偏振器的光沿特定方向具有偏振分量。通常，通过光源发射的光具有随机的偏振。因此，穿过偏振器的光的强度减小至例 如一半，为了产生具有偏振分量的光，光损失不可避免。美国专利No. 7，528，416中显示了 具有LED的液晶显示模件的一个实例，通过引用将其全部内容并入本文。在一些实施方案中，可描述一种垂直型发光器件，包括包括第一导电型半导体 层、有源层和第二导电型半导体层的发光半导体层；在所述发光半导体层上设置的第一电 极层；和在所述发光半导体层下设置的第二电极层。当在第二导电型半导体层和第二电极层之间形成具有相对高的反射性的反射层 时，可提高垂直型发光器件的发光效率。在具有反射层的垂直型发光器件中，有源层和反射层之间的距离可相对靠近，使 得有源层和反射层之间的距离小于由有源层发射的光的波长。随着有源层和反射层之间距 离的改变，可产生量子干涉效应，使得发光器件的光学特性可改变。例如，随着有源层和反 射层之间距离的改变，由发光器件发射的光的偶极源的衰减率可改变。图1和2说明根据由发光器件发射的光的偶极源的振动方向的衰减率随有源层和 反射层之间距离变化而变化。在这种情况下，衰减率指的是发光器件中从电子接受能量的 时间直至能量以光的形式发射的时间的周转时间。当衰减率提高时，偶极源光发射增加使 得可改善内部量子效率。参考图1和2，由发光器件发射的光的衰减率随有源层和反射层之间的间隙距离 D、形成发光器件的材料的折射率、以及由发光器件发射的光的波长而改变。在图1和2中，Y轴表示衰减率，下部X轴表示有源层和反射层之间的距离D，上部 X轴表示通过用有源层和反射层之间的距离D除以所得的相对值，其中\表示由发光 器件发射的光的峰值波长，n表示形成发光器件的材料的折射率。
换言之，假定形成发光器件的材料的折射率n和由发光器件发射的光的峰值波长 A均为常数，则根据由发光器件发射的光的偶极源振动方向的衰减率随有源层和反射层之 间距离D的改变而改变。在图1和2中，显示发射具有峰值波长\为约450nm的蓝光的折射率n为约2. 46 的GaN基发光器件的衰减率，上部X轴上的值1.0对应于下部X轴上的约188. 3nm(= 450nm/2. 46)如图1所示，在相对于x_y平面垂直振动的偶极源的情况下，衰减率随有源层 和反射层之间的距离变短而增加。如图2所示，在平行于x-y平面振动的偶极源的情况下， 在特定距离(例如50nm)处显示出衰减率的最大值。如上所述，在垂直型发光器件中，有源层和反射层之间的距离短于由发光器件发 射的光的波长，所以光学特性可随有源层和反射层之间的距离D而改变。以上已经参考图1和2说明了通过改变有源层和反射层之间的距离D相对于x-y 平面垂直振动的偶极源的衰减率变化和平行于x-y平面振动的偶极源的衰减率变化。如下 所述，通过在第二导电型半导体层和反射层之间形成偏振诱导图案，改变由有源层发射的 光的沿X方向振动的偶极源的衰减率以及改变其沿Y方向振动的偶极源的衰减率，可发射 沿特定方向具有大量偏振分量的光。图3说明根据本文概述的第一实施方案的发光器件。发光器件包括第一电极层 10、在第一电极层10上形成的反射层20、在反射层20上形成的图案化的层80、在反射层20 和图案化的层80上形成的第一导电型半导体层30、在第一导电型半导体层30上形成的有 源层40、在有源层40上形成的第二导电型半导体层50、以及在第二导电型半导体层50上 形成的第二电极层70。在第二导电型半导体层50上可选择性地形成非导电半导体层60。可由铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(A1)、钼(Pt)、金(Au)、钨(W)或者注 入有杂质的半导体衬底中的至少一种形成第一电极层10，第一电极层10用于和第二电极 层70 —起对有源层40提供电源。反射层20可部分地与第一导电型半导体层30相对，并 可由具有高的反射性的银(Ag)、含银(Ag)合金、铝(A1)或者含铝(A1)合金中的至少一种 形成。在第一电极层10和反射层20之间也可形成包括镍(Ni)或者钛(Ti)的粘合金属层 (图3中未详细地显示)，以强化第一电极层10和反射层20之间的界面粘合。在反射层20 和第一导电型半导体层30之间也可形成提供欧姆接触的欧姆层(图3中未详细地显示)。在反射层20的上部上和第一导电型半导体层30之下形成图案化的层80。在一些 的实施方案中，如图3所示，图案化的层80的侧表面可被反射层20部分包围。例如，反射 层20可具有从其上表面向上突出的突出部，图案化的层80可在突出部之间设置。因此，反 射层20的突出部和图案化的层80可至少部分地设置在相同的水平面上。图案化的层80 和反射层20可形成偏振诱导图案90。图案化的层80可由非金属材料形成，使得图案化的层80的折射率大于空气的折 射率而小于第一导电型半导体层30的折射率。图案化的层80可形成作为透明电极和例如 可由ITO、ZnO、GZO、RuOx或者IrOx中的至少一种形成。当图案化的层80形成作为透明电极时，电流可流过图案化的层80，使得图案化的 层80可不形成为以预定间距间隔开，如图3所示。而是，图案化的层80可在第一导电型半 导体层30和反射层20之间的整个区域上形成。在这种情况下，形状类似于图案化的层80 的突出图案可在与反射层20相对的表面上形成。
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在一些替代实施方案中，图案化的层80可由电介质例如Si02、MgF2、SOG、Ti02、 A1203或者Si3N4中的至少任一种形成。当图案化的层80由电介质形成时，电流不流过图案 化的层80，因此图案化的层80由以预定间距间隔开的构件形成，如图3所示。换言之，在这 种情况下，第一导电型半导体层30和反射层20彼此部分地相对。反射层20和图案化的层80形成偏振诱导图案90，使得由发光器件发射的光沿特 定方向具有偏振分量。偏振诱导图案90通过在图案化的层80和反射层20之间的界面上 形成的对称图案来控制由有源层40发射的光的偏振。因此，在这样的发光器件中，偏振诱 导图案90设置为短于发射的光的波长，由此使得通过自发光过程来发射沿特定方向具有 大量偏振分量的光。这不同于其中具有随机偏振的光由于利用偏振器而沿特定方向具有偏 振分量的方法。在本文示例性地概述的偏振诱导图案90中，因此可避免光效率降低，以完 成特定的偏振。第一导电半导体层30可由注入有P-型杂质的GaN基半导体层形成，第二导电半 导体层50可由注入有N-型杂质的GaN基半导体层形成。作为发光层的有源层40可由单 量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一种形成。可使用 III-IV族半导体材料的其它变化材料。非导电半导体层60可为导电率显著低于第二导电型半导体层50和第一导电型半 导体层30的半导体层。例如，非导电半导体层60可为未掺杂的GaN层。如上所述，在本文实施并概述的发光器件中，偏振诱导图案90包括在第一导电 型半导体层30和反射层20之间的由透明电极或者电介质形成的图案化的层80以及设置 在图案化的层80的下表面和侧表面上的反射层20。图4说明根据本文概述的另一个实施方案的发光器件。图4显示的发光器件可包 括第一电极层10、在第一电极层10上形成的反射层20、具有朝向反射层20延伸的突出图 案31的第一导电型半导体层30、在第一导电型半导体层30上形成的有源层40、在有源层 40上形成的第二导电型半导体层50、以及在第二导电型半导体层50上形成的第二电极层 70。非导电半导体层60可在第二导电型半导体层50上选择性地形成。第一导电型半导体 层30的突出图案31和反射层20形成偏振诱导图案90。突出图案31可朝向反射层20突出并且间隔开预定间距，使得突出图案31的下表 面和侧表面与反射层20相对。通过在形成第一导电型半导体层30之后对其选择性地蚀刻或者通过利用控制第 一导电型半导体层30的生长条件使得第一导电型半导体层30的表面粗糙化来形成突出图 案31。突出图案31可形成作为GaN基半导体层，从而形成如上所述的图案化的层。偏振诱 导图案90由形成作为GaN基半导体层的第一导电型半导体层30的突出图案31以及作为 与突出图案31接触的金属镜的反射层20形成。图5说明根据本文概述的另一个实施方案的发光器件。图5所示的发光器件可包 括第一电极层10、在第一电极层10上形成的反射层20、在反射层20上形成的图案化的 层80、在反射层20和图案化的层80上形成的第一导电型半导体层30、在第一导电型半导 体层30上形成的有源层40、在有源层40上形成的第二导电型半导体层50、在第二导电型 半导体层50上形成的第二电极层70、以及在第二导电型半导体层50上形成的非导电半导 体层60。在非导电半导体层60上可形成具有柱或者孔形状的光子晶体结构100，柱或者孔
761设置为具有预定间距或者任意形状，以改善由发光器件发射的光的提取效率。在如图5所示的非导电半导体层60上形成的光子晶体结构100也可用于图4中显 示的发光器件的实施方案。在一些替代实施方案中，光子晶体结构100可通过移除非导电 半导体层60而在第二导电型半导体层50上形成。这也可应用于图4中显示的实施方案。图6 8是根据本文概述的实施方案的发光器件中的偏振诱导图案的示意图。偏 振诱导图案90是平面图，说明在x_y平面上观察时偏振诱导图案90的形状，然而图3 5 中显示的偏振诱导图案90显示为正视图。图6 8中显示的偏振诱导图案90本质上是示 例性的，本发明不限于此。并且，在图6 8中，在反射层20上形成的图案化的层80在图3中所示的实施方 案中示例性地进行说明，但是本发明也可应用于其中在如图4所示的实施方案中在反射层 20上形成突出图案31的情况。如图6 8中的偏振诱导图案90的平面图所示，在其构件部分间隔开的反射层20 上形成图案化的层80。在一些替代实施方案中，可在其构件部分间隔开的图案化的层80上 形成反射层20。在这种情况下，图案化的层80的周期或者宽度可被反射层20的周期或者 宽度所代替。在图6中显示的实施方案中，偏振诱导图案90具有在反射层20上形成为线形状 的图案化的层80。具体地，多个图案化的层80形成为线形状，沿第一方向间隔开预定间距。 图案化的层80沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向间隔开预定间距。例如， 图案化的层80可均具有沿y方向延伸并可沿x方向间隔开的线形状。因此，图案化的层80 在x方向具有周期性，但是在1方向不具有周期性。在图7所示的实施方案中，偏振诱导图案90具有在反射层20上形成的图案化的 层80，图案化的层80沿第一方向和沿垂直于第一方向的第二方向具有不同长度。具体地， 在图7所示的图案化的层80中，沿y方向的长度ry大于沿x方向的长度rx，图案化的层 80可为在y方向比在x方向具有较长长度的椭圆形。在图8所示的实施方案中，在反射层20上设置图案化的层80，沿第一方向和沿垂 直于第一方向的第二方向具有不同的周期，即具有不同的间距。例如，图案化的层80可为 圆形，并且沿x方向的周期ax可小于沿y方向的周期ay。因此，在图6 8所示的偏振诱导图案90中，图案化的层80可沿第一方向和垂直 于第一方向的第二方向设置，可形成为线形状并沿第一方向或者沿第二方向延伸，或者在 第一方向和第二方向上可具有不同的周期或者尺寸。在一些实施方案中，沿第一方向设置成行的图案化的层80的图案密度可不同于 沿第二方向设置成行的图案化的层80的图案密度。在一些替代实施方案中，沿第一方向设置成行的图案化的层80的图案密度可与 沿第二方向间隔开预定间距以沿第一方向设置成行的图案化的层80的图案密度相同。图案化的层80可形成为沿第一方向和第二方向具有一定的规则性，其中沿第一 方向的规则性和沿第二方向的规则性可彼此不同。图9和10说明由图3-5的具有图6-8所示偏振诱导图案的发光器件发射的光的
偏振率。参考图9和10，在由银(Ag)形成的反光镜21上形成透明电极图案81，该透明电极图案81由IT0形成，具有线形状并且厚度为约lOOnm，并且在透明电极图案81和反光镜 21上形成由GaN材料形成的发光层111。透明电极图案81的周期a设定为约200nm。在一些实施方案中，发光层111可具有多量子阱结构MQWs，其间具有厚度为约 60nm的p-GaN层。而且，当在如上所述和如图9所示的模拟结构中分别施加沿x方向振动 的偶极源和沿y方向振动的偶极源时，可从上部方向(z方向)检测总发光量。总发光量可 对应于自发光率。基于该结构，由沿与透明电极图案81的延伸方向平行的x方向振动的偶极源的总 发光量，是由沿y方向振动的偶极源的总发光量的1.8倍或更大。根据本发明概述的实施 方案的发光器件可发射沿特定方向具有大量偏振分量的光。图11是说明在根据本文概述的实施方案的发光器件中的偏振诱导图案的周期或 者间距、宽度和高度的图。图12说明偏振率随偏振诱导图案的周期的变化，图13说明偏振 率随偏振诱导图案的宽度的变化，图14说明偏振率随偏振诱导图案的第一导电型半导体 层的厚度的变化。如图11所示，偏振诱导图案的周期a指的是从反射层20突出的相邻图案的中心 之间的距离，宽度指的是图案化的层80的两端部之间的距离，高度指的是图案化的层80的厚度。参考图12，可理解，在其中第一导电型半导体层的厚度为约60nm、图案化的层的 高度为约lOOnm以及图案化的层的宽度为约70nm的偏振诱导图案中，当图案化的层的周 期a为约150nm 600nm时，偏振控制效果极好。此处，比率为1表示无偏振控制效果。例 如，如果由发光器件发射的光的波长为X，形成发光层的材料的折射率为n，则图案化的层 的周期a可为0. 75入/n 5入/n。参考图13，可理解，在其中第一导电型半导体层的厚度为约60nm、图案化的层的 高度为约lOOnm以及图案化的层的宽度为约300nm的偏振诱导图案中，当图案化的层的宽 度为约0. 4a nm 0. 9a nm时，偏振控制效果极好。参考图14，可理解，在其中图案化的层的高度为约lOOnm、图案化的层的宽度为约 60nm、以及图案化的层的周期为约300nm的偏振诱导图案中，偏振控制效果随着第一导电 型半导体层的厚度的改变而改变。应理解，偏振控制效果的变化周期为X/2n，具有极好振 控制效果的第一导电型半导体层的厚度为0. 75m A /2n 1. 25m A /2n。在此，m指的是自然 数。本发明教导一种发光器件，包括偏振诱导图案，其包括反射层和在所述反射层上 的非金属图案；在所述偏振诱导图案上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体 层上的有源层；和在所述有源层上的第一导电型半导体层。偏振诱导图案形成为线形状，多个偏振诱导图案沿第一方向延伸，沿垂直于第一 方向的第二方向间隔开。偏振诱导图案沿第一方向的长度不同于沿垂直于第一方向的第二 方向的长度，沿第一方向和第二方向设置多个偏振诱导图案。多个偏振诱导图案沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向设置，其中沿第一方 向设置的周期不同于沿第二方向设置的周期。多个偏振诱导图案沿第一方向和垂直于第一 方向的第二方向设置，其中沿第一方向在直线上设置的偏振诱导图案的图案密度不同于沿 第二方向在直线上设置的偏振诱导图案的图案密度。
多个偏振诱导图案沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向设置为具有规则性， 其中沿第一方向设置的偏振诱导图案的规则性不同于沿第二方向设置的偏振诱导图案的 规则性。非金属图案的下表面和侧表面与反射层相对。非金属图案由透明电极或者电介质 形成。非金属图案的上表面通过反射层的上表面间隔开，或者反射层的上部通过非金属图 案的上表面间隔开。非金属图案或者反射层的周期为0.75X/n 5X/n，A是由发光器件的发光半导 体层发射的光的波长，n是形成发光半导体层的材料的折射率。非金属图案或者反射层的 周期为150 600nm。非金属图案的宽度为0. 4a 0. 9a，其中a为非金属图案的周期。反 射层的宽度为0. 4a 0. 9a，其中a为反射层的周期。第二导电型半导体层的厚度为0.75mX/2n 1.25na/2n，其中入是由发光器件 的发光半导体层发射的光的波长，n是形成发光半导体层的材料的折射率，m是自然数。非 金属图案为突出图案，其中第二导电型半导体层沿设置反射层的方向突出。本发明还教导一种发光器件，包括偏振诱导图案，其包括具有沿向上方向突出的 突出部的反射层和至少部分配置为与反射层的突出部在相同水平面上的非金属图案；在所 述偏振诱导图案上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；和在 所述有源层上的第一导电型半导体层，其中非金属图案和所述反射层的突出部之一彼此间 隔开。偏振诱导图案形成为线形状，其中多个偏振诱导图案沿第一方向延伸，沿垂直于 第一方向的第二方向间隔开。偏振诱导图案沿第一方向的长度不同于沿垂直于第一方向的 第二方向的长度，其中沿第一方向和第二方向设置多个偏振诱导图案。多个偏振诱导图案沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向设置，其中沿第一方 向设置的周期不同于沿第二方向设置的周期。多个偏振诱导图案沿第一方向和垂直于第一 方向的第二方向设置，其中沿第一方向在直线上设置的偏振诱导图案的图案密度不同于沿 第二方向在直线上设置的偏振诱导图案的图案密度。在本说明书中对"一个实施方案"、“实施方案"、“示例性实施方案"等的任 何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实 施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合 任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为关于其它的实施方案实现这种特征、结 构或特性均在本领域技术人员的范围之内。虽然已经参考大量说明性实施例描述了实施方案，但是应理解，本领域技术人员 可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体 地，在说明书、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中 可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而 言，可替代的用途也会是显而易见的。
权利要求
一种发光器件，包括具有预定厚度、宽度和周期的具有至少一种形状的预定图案的反射层；和在所述反射层上形成的发光层，其中所述预定周期基于0.75λ/n～5λ/n，其中λ是由所述发光层发射的光的波长，n是所述发光层的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光层包括在所述预定图案上的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电型半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状为线形状且沿第一方向延 伸，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向重复，相邻的线形状基于所述预定周期沿所述 第二方向彼此间隔开预定距离。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状具有与长度不同的宽度， 所述至少一种形状沿第一方向和第二方向重复，所述第一方向垂直于所述第二方向。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一和第二距离彼此不同。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述至少一种形状沿所述第一方向的图案密 度与所述至少一种形状沿所述第二方向的图案密度不同。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状沿所述第一方向重复以形 成多个成形图案，所述至少一种形状沿所述第二方向重复以形成多个成形图案，其中相邻 的成形图案沿所述第一方向间隔开第一预定距离，相邻的成形图案沿所述第二方向间隔开 第二预定距离，所述第一和第二距离不同。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状的下表面和侧表面与所述 发光层的至少一个表面交叠。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状的顶表面仅仅接触所述发 光层的表面。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状由透明材料或者介电材 料形成。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中0.75λ/η 5λ/η对应于约150nm 600nmo
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一种形状的宽度为0.4a 0. 9a, 其中a对应于0. 75 λ /n 5 λ /η。
13.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一导电型半导体层的厚度为 0. 75m λ /2η 1. 25m λ /2n，m 为自然数。
14.一种发光器件，包括具有至少一种预定形状的图案的第一电极层；在所述第一电极层上形成的发光层；和在所述第一电极层和所述发光层之间形成的预定层，所述预定层具有至少一种形状的 图案，其中所述预定层使得由所述发光层发射的光沿预定方向偏振。
15.一种发光器件，包括反射层；在所述反射层上形成的第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成的有源层； 在所述有源层上形成的第二半导体层；在所述反射层上形成的突起，所述突起朝向所述第一半导体层延伸以在所述反射层上的相邻突起之间形成凹陷；和在由所述反射层上的所述突起限定的凹陷中形成的图案化的层，使得所述图案化的层 的顶表面与所述突起的上表面基本齐平。
16. 一种发光器件，包括 反射层；在所述反射层上形成的第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成的有源层； 在所述有源层上形成的第二半导体层；和在与所述反射层邻近的所述第一半导体层的表面上形成的突出图案，所述突出图案包 括从所述第一半导体层的表面朝向所述反射层延伸的多个突起。
全文摘要
本发明提供一种发光器件。所述发光器件可包括具有预定厚度、宽度和周期的至少一种形状的预定图案的反射层。所述发光器件也可包括在反射层上形成的发光层。所指定的周期可基于0.75λ/n～5λ/n，其中λ为由发光层发射的光的波长，n为发光层的折射率。
文档编号H01L33/46GK101826586SQ20091025428
公开日2010年9月8日 申请日期2009年12月14日 优先权日2009年3月2日
发明者金鲜京 申请人:Lg伊诺特有限公司