专利名称：光电子器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光电子器件，尤其是一种可表面安装的光电子器件。
背景技术：
在常规的可表面安装的光电子器件中，首先如下来制造预加壳体的元件，使得用合适的合成材料围绕预制的引线架来喷注，该合成材料形成了元件的壳体。该元件例如在上侧面上具有洼槽或缺口 ，引线架接头从相对的两侧引入该洼槽或缺口中，其中，将例如像LED芯片那样的半导体芯片在一个接头上粘接和电气上接点接通。于是将清澈透光的浇注材料填入该缺口中。例如从文献RM6llmer和G. Waitl著着"表面安装用的西门子SMT顶部LED(TOPLED)"，西门子元件29(1991)，第4期，147-149页中公开了可表面安装的光电子器件的这种基本形式。 在这些公知的可表面安装的构造形式中可以如下来实现很有方向性的辐射，使得由合成材料壳体形成的侧壁构成为斜置的反射器。按壳体形式或反射器形式不同，器件可以设计成所谓的顶视器(Toplooker)，即具有基本上垂直于器件安装平面的主射束方向的，或设计成所谓的侧视器(Sidelooker)，即具有基本上平行于或以锐角对着器件安装平面的主射束方向的。例如在EP 0400175A1的图2或图3中展示了具有相应壳体形式的顶视器和侧视器的实例。 在图12至15中示意地示出了开始时所述类型光电子器件不同的常规构造形式。
在图12的情况下，在狭窄的壳体或基体中装入了例如像LED芯片那样的半导体芯片。在该壳体中由构成为反射器的基体侧壁，将由半导体芯片向侧面发射出的射束重新返回反射到半导体芯片的侧面上，并被吸收，使得射束在那里丢失。 在图13中示出的常规光电子器件的设计中，尤其由专门的芯片技术决定了器件中的光损失，在该芯片技术中由半导体芯片斜向后方辐射所发射射束的大部分。该斜向后方发射出的射束的主要部分由基体所吸收，并丢失了 。 图14A和14B以侧视图或俯视图展示装入了多个LED芯片的基体，以便例如通过混合三种基色可以生成任意的颜色。在此情况下，由相邻LED芯片的侧面吸收了由LED芯片侧向发射的射束的一部分，射束因此而丢失。 最后也公开了其基体构成为暗色的光电子器件，正如这在图15A中所表明的那样。例如采用该实施形式，以便实现在器件辐射面和其余装置面之间尽可能良好的反差，正如在图15B中可识别的那样。这种反差的改善例如在显示技术或显示器技术中得到使用。暗色的壳体具有以下的缺点，在缺口的暗色侧壁上吸收了上LED芯片所发射光线的某个部分，由此减少了发光效率。 专门在具有多个LED芯片的器件中，如它们例如在图14中所展示的那样，还产生了来自器件发射面中不均匀和偏心地作用的光输出。此外，有必要不全部对准中心地布置
多个LED芯片，使得在侧向观察器件时，各个LED芯片的光发射可能发挥不同强度的影响，
并因此例如在多色LED的颜色混合从某个度数开始变得与角度有关。基于清澈透光的浇注材料，LED芯片及其从短距离的布线可以是部分地不同的。
尤其在为了达到更高光强而收縮(Verengung)射束特性时，芯片表面投影到器件的发射面
上。此外在外界光线射入时，由在发射面和芯片表面上反射的外界光线产生了有缺陷的反差。 为了避免诸如低的效率、芯片表面和布线干扰性的投影、不均匀的光线发射以及 反差缺陷的上述不利现象，当今例如采用光电子器件，这些器件通过更优质和因而更昂贵 的芯片技术来实现更高的效率，在这些器件中尤其是LED芯片主要通过芯片表面来发射光 线。 对于显示技术领域中的用途，其中，光线发射时的良好的反差是重要的，从现有技 术中公开了，一方面暗色构成器件表面，如它在图15B中所说明那样，或采用连接在前面的 光圈装置，以便遮挡LED芯片防止外界光线射入。
发明内容
从上述的现有技术出发，本发明所基于的任务是开发一种开始时所述类型的改进 的光电子器件，该器件尤其向前方发射更多的光线，并在该器件中优选最广泛地清除了常 规器件的上述缺点，尤其应该用该光电子器件来实现均匀的光线发射和更好的反差。
通过具有以下特征的技术方案的光电子器件来解决该任务。本发明还包括基于所 述技术方案的有利的改进方案和实施形式。 根据本发明的具有发射射束的半导体芯片的光电子器件，其中，所述发射射束的 半导体芯片被布置在基体的缺口中，所述基体由一种材料制成，该材料对于由所述半导体 芯片发射的射束是至少部分地起吸收作用的，并且所述缺口的侧壁被构成为黑色，所述半 导体芯片在所述缺口中至少部分地被埋入芯片包封中，该芯片包封对于所述由所述半导体 芯片发射的射束是透射的，所述芯片包封被构成为漫散射的，所述半导体芯片包括至少一 个侧壁区，通过该侧壁区侧向地或者向后地沿基体方向发射在所述芯片中产生的射束中的 大部分。 根据本发明的具有多个发射射束的半导体芯片的光电子器件，其中，这些半导体 芯片彼此相邻地布置在基体的缺口中，所述基体由一种材料制成，该材料对于由所述半导 体芯片发射出的射束是至少部分地起吸收作用的，并且所述缺口的侧壁被构成为黑色，所 述半导体芯片在所述缺口中至少部分地被埋入芯片包封中，该芯片包封对于所述由所述半 导体芯片发射的射束是透射的，所述芯片包封被构成为漫散射的，所述芯片包封按照以下 方式被构成为漫散射的，亦即使得在由所述半导体芯片发射出的射束分别在射到相邻半 导体芯片侧面之前，向所述芯片包封的射束输出面方向偏转。 根据本发明，透光的芯片包封(Chip咖billl皿g)，优选合成材料包封是漫散射地构 成的，并为此优选含有散射体颗粒，即散射射束的颗粒，由LED芯片发射的射束在这些颗粒 上被散射。在散射体颗粒上如此来散射由半导体芯片向侧面方向发射的射束，使得它们至 少大部分不再在基体缺口的侧壁上、和/或在反射之后在缺口的侧壁上、在半导体芯片的
6侧面上被吸收。因此提高了由器件的发射面向前方，即基本上在光轴方向上射出的射束分 量。因而收善了器件效率。 如此来确定(bemessen)芯片包封中的散射体含量，使得相对于没有散射体的同 类芯片包封，显著地提高了轴线方向上的射束。特别优选如此来确定散射体含量，使得显著 地提高轴线方向上的射束，并同时仅不显著地降低了总光束。 优选如此来确定反差范围，使得轴线方向上光线增益大于由散射体颗粒(还由在 散射体颗粒上的吸收)所引起的器件中总光线损失。
所述的概念轴线方向涉及LED芯片的光轴。 在此，散射体颗粒的放入不是针对扩大光束角度的目的，而是促使由器件向前方 发射更多的光线，并同时避免芯片和压焊丝的投影。 在根据本发明的器件中，相对于在芯片包封中没有散射体颗粒的本身相同的器 件，向前方发射出更多的光线。在散射体颗粒上的散射显然比在基体缺口的侧壁上的反射 更为有效，这完全可以看作为令人惊奇的。 这种效应尤其特别地在芯片上起作用，这些芯片通过芯片侧面，例如通过衬底的 侧面来发射在芯片中所产生电磁射束的主要部分，外延制造的半导体层序列位于该衬底 上。以下将这种LED芯片称为侧向发射的LED芯片。尤其特别地，例如在文献WO 01/61764 和W0 01/61765中所说明的LED芯片中就是这种情况。在这一点上以此引用了 WO 01/61764 和WO 01/61765的公布内容。 以下用"ATON"和必要时用位于其后的颜色说明来表示这种LED芯片，其特征在 于，通过至少一个侧面区侧向向后方、和因此不在器件的射束方向上来发射芯片中所产生 射束的显著部分，该侧壁区对于产生射束的外延层序列的主要延伸方向成斜向、弯曲或阶 梯地分布。该侧面区在此向芯片背面方向倾斜。尤其在具有这种LED芯片的器件中，芯片 包封中的散射体颗粒相对于芯片包封中没有散射体颗粒的这种类型器件来说，惊奇地引起 显著增长的向前方的射束。 此外还通过散射体颗粒来均匀分散由半导体芯片所发射的射束。这一方面促使 由器件的发射面均匀地辐射光线，而另一方面促使避免了芯片表面以及LED芯片布线的投影。 本发明措施的另一个优点在于，散射体颗粒不仅作用于由LED芯片发射的光线，
而且也作用于从外面射入的外界光线。与没有散射体颗粒的清澈的浇注材料相反，因此不
是镜面反射回外界光线，而是漫射地反射，使得器件确保了更好的反差。 本发明的一个特别的优点还在于，根据本发明器件的反差性能优于在常规的表面
发射的器件上的反差性能，这尤其在显示器用途方面是有巨大重要性的。除此之外，本发明
器件的光密度是较小的，因为发射的面积较大。备有散射体颗粒的芯片包封的整个面积在
发射。本发明的另一个优点在于，因此在器件上减少了太阳光的干扰性反射。 透明浇注材料中的散射体颗粒的组分优选在约0. 1%和10%之间，特别优选在
0. 15%和约3. 0%之间，尤其特别优选在约0. 75%和约1. 25%之间。这尤其适用于环氧浇
注树脂中的散射体颗粒，优选CaF散射体颗粒。 如在常规的光电子器件中那样，透明的浇注材料可以是一种环氧树脂，而基体可 以由一种热固性或热塑性材料制成，使得可以有利地采用常规的生产方法。
为了进一步改进在光线发射方面的反差，有利的是将基体的至少一个表面，尤其 是向前方向的表面构成为暗色的，或甚至于构成为黑色的。
借助优选实施例以下的说明，根据附图(图1至16)来详述本发明以上的，以及其 它的特征和优点 图1以剖面图展示了根据本发明的光电子器件基本构造的示意图； 图2A-2D以极其简化的示图展示了根据本发明的光电子器件不同的优选实施形
式； 图3展示了与常规器件相比较的，根据本发明的光电子器件射束特性的图表；
图4A-4C展示了光强测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光电子器 件上在第一试验系列中获得该光强； 图5A-5C展示了光通量测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光电子 器件上在第一试验系列中获得该光通量； 图6A-6C展示了不同LED芯片的射束特性的图表，在根据本发明的光电子器件上 在第一试验系列中测量了这些射束特性； 图7A-7C展示了光强测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光电子器 件上在第二试验系列中获得该光强； 图8A-8C展示了光通量测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光电子 器件上在第二试验系列中获得该光通量； 图9A-9C展示了不同LED芯片的射束特性的图表，在根据本发明的光电子器件上 的第二试验系列中测量了这些射束特性； 图10A-10C展示了光强测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光束电 子器件上在第三试验系列中获得该光强； 图11A-11C展示了光通量测量结果的列表式和图形式示图，在根据本发明的光电 子器件上在第三试验系列中获得该光通量； 图12-15B展示了常规光电子器件的不同实施形式的示意图；禾口
图16展示了一个器件的图表，在该图表中根据散射体含量标上了向前方向上的 亮度和总亮度，该器件具有用CaF作为在环氧树脂芯片浇注材料中的散射体材料，并具有 在可表面安装的LED壳体中的、基于InGaN的LED芯片。
具体实施例方式
首先借助图1来阐述根据本发明光电子器件的基本构造。然后根据图2和3说明 器件不同的可能实施形式，以及根据本发明的作用方式。最后由发明者执行了三个试验系 列，其测量结果借用图4-11来示出。 图1中示出了可表面安装的、根据本发明构成的光电子器件的示意截面图。通过 用合适的合成材料从外部喷注引线架1，在壳体成型的条件下来形成基体2。壳体具有一个 中心的缺口，在该缺口中布置了例如像光电子发射机芯片那样的半导体芯片3，并借助压焊 丝技术4与引线架1的电气接头1A， 1B导电地相连接。
基体2缺口的内面2A优选构成为斜向的，如这在图1中所展示的那样。通过选出 一种具有高反射能力的基体2用的合适材料，还可以将这些斜向的内面2A用作为反射器， 以便提高光电子器件的射束功率或接收灵敏度。 在此要指出，本发明不仅局限于在所展示实施例中示出的顶视器设计(请参阅说 明书引言)。当然通过采用本发明的措施，尤其也可以构造具有侧视器设计(请参阅说明书 引言)的器件。 例如将合成材料，优选热塑性或热固性的合成材料采用于器件的基体2。从们在过 去已查明，例如聚酞酰胺(Polyphtalamid)特别适合于此，该聚酞酰胺还可以用玻璃纤维 来交链。 在芯片包封5中，例如在透明的浇注材料中埋入了光电子的半导体芯片3。在此主 要用基体2的表面8来封闭芯片包封5的背向半导体芯片3的发射面或射束输出面7。但 是要指明，在本发明的范围内按需求不同，当然也可以在基体2的缺口中选择芯片包封5的 另外的充填高度。 通常采用透明的材料作为芯片包封5的材料，该材料优选具有UV激发或光激发的 阳离子硬化的性能。优选的材料5含有UV激发或光激发的阳离子硬化的环氧树脂，该环氧 树脂通过用光束或UV射束的照射，在少数几秒钟内开始硬化或预固化，并在稍后的时刻可 以加热彻底硬化(aushSrten)。而例如丙烯酸树脂(如PMMA)或硅树脂也是合适的材料。
根据本发明来漫散射地构成芯片包封5。这优选如下来实现，芯片包封5含有散射 体颗粒6，这些散射体颗粒6将射到它们上面的射束、尤其是光线漫射地散射。
在透明浇注材料中的散射体颗粒的组分在约0. 15%和约2. 0%之间，优选在约 0. 75%和约1. 25%之间，和特别优选约为1. 0%。散射体颗粒的最佳组分还与器件或其部 件的结构高度有关。 在此要指明，本发明不局限于专门的散射体颗粒。光电子或光学领域中的专业人 员会毫无问题地找出适合于他目的的散射体颗粒，这些散射体颗粒的大小和材料组成还可 能与要散射的射束的波长有关。合适散射体颗粒的选择尤其与由LED芯片3所发射的，或 要接收的光线波长有关。 此外，按基体2材料的选择和光电子器件所希望光学特性的不同，除了它的上述 环氧树脂的和散射体颗粒的主要组成部分之外，芯片包封5还可以附加地含有其它的组 分，以便按希望来调节与基体材料的连接强度、开始硬化时间和彻底硬化时间、光透射性、 折射率、耐热性、机械硬度等等。 图2A-2D展示了光电子器件的不同结构形式，其中，可以优选采用器件的本发明 扩展方案。 图2A因此展示了一个器件，该器件在基体2中的一个狭窄缺口中具有主要侧向发 射的LED芯片3。侧向发射的射束在存在于芯片包封5中的散射体颗粒6上部分地被散射， 使得射束的该分量在缺口侧壁上的反射之后不重新被LED芯片3的侧面所吸收。与常规的 光电子器件相比较，由器件的发射面7反发射的射束的分量以此方式变得更大，即提高了 器件的效率。 如果采用用于接收射束的光电子传感器来代替发射光线的LED芯片3，也适用同 样的原理。在此情况下也提高了器件的效率，因为基于入射射束在散射体颗粒6上的散射，可能由半导体芯片的侧面来接收入射射束的较大分量。 通过芯片包封5中的散射体颗粒6不仅提高了器件的效率，而且由发射面所辐射 的光线均匀地分布在整个发射面7上，并且还防止了芯片表面或导线4的投影。
此外，即使当例如基于在没有散射体颗粒的器件中装入了多个LED芯片3而离散 了 LED芯片的射束特性时，通过漫散射由LED芯片3所发射的光线来使得LED芯片的射束 特性对准中心。这在图3中的图表中得到说明。具有散射体颗粒的增加到1%组分的射束 特性被更好地对准中心，正如这由两条曲线2和3所说明的那样，而用1所表示的曲线展示 了常规兰色LED芯片3的射束特性，该兰色LED芯片3在图3的示图中向右偏心。由于针 对基准轴进行了测量的情况，得出了在曲线2和3中的光通量的还更高的测量值。
芯片包封5中的散射体颗粒6的另一个优点尤其表现在显示技术或显示器技术的 应用领域中，在那里外界光线射入对于信息的清晰和明显的显示从根本上说是一个问题。 与作为浇注材料5的清晰的树脂相反，入射的外界光线不折回，而是由于散射体颗粒6而漫 射地反射。外界光线因此失去了强度，该强度即使在外界光线入射的情况下也导至显示的 更好反差。 图2B中示出了具有LED芯片3的光电子器件，其中，从芯片侧壁出发斜向后方，即 在壳体内部的方向上辐射所发射光线的大部分。这由侧壁区所引起，这些侧壁区相对于外 延层序列的主要延伸方向成斜向、弯曲或阶梯地向内部分布，正如图2B中所说明的那样。 例如在文献W001/61764和W0 01/61765中，说明了以下用"AT0N"和必要时用颜色说明来 表示的这种LED芯片3，在这一点上以此引用了这些文献的公布内容。与器件壳体的常规方 案相反，这些器件壳体的方案基本上基于在缺口内壁上的反射，在这里在分布在芯片包封 中的散射体颗粒上将所发射的光线散射，并向器件正面反向。这导至已经提及的优点(请 参阅说明书引言和根据图2A的实施形式的说明)。在根据图2B的器件中，芯片包封的本发 明扩展方案有利的效应尤其特别地起作用。 图2C展示了具有多个LED芯片3的器件，正像例如用这来构造多色LED器件那样。 在常规的器件中，在此情况下由另外的LED芯片和缺口的陡峭的侧壁来吸收直至30%的、 由LED芯片所发射的光线。通过根据本发明所安排的散射体颗粒6，光线在射到相邻LED芯 片的侧面上和缺口的侧壁上之前被偏转，并因此穿过发射面7而离开器件。
最后在图2D中展示了具有暗色或黑色基体2的器件。光线也在这里在射到缺口 的黑色侧壁上之前，由浇注材料5中的散射体颗粒6所偏转，并到达器件的发射面7。
在所有展示的实施例中当然出现全部所述的优点，尤其是像更高的效率、较均匀 的光线发射、对准中心的射束特性、避免了芯片表面的投影和较好的反差，即使在所有展示 的实施例中未曾再次重复这些优点。 以下现在说明总共三个在根据本发明构造的光电子器件上实施的试验系列。
1.试验系列 在第一试验系列中测量了三色的LED器件(也称为RGB(红绿兰)多重 LED (Multiled))，该LED器件在俯视图中大致相当于图15B的示图，并且该LED器件具有完 全黑色的基体。三个LED芯片发射在橙色的("H0P琥珀色")约615nm的波段中、在绿色 的("AT0N真绿色")约526nm的波段中、或在兰色的("AT0N兰色")约467nm的波段中 的射束。
图4A中示出的表展示了以mcd(10—3坎德拉)为单位的光强，该光强是在20mA的 二极管电流时，针对在浇注材料中的O. 19%、0. 50%、1.0%和1.50%的散射体颗粒不同浓 度或组分来测量的。为了作比较，还给出了具有无散射体颗粒(组分0%)浇注材料的常规 器件的测量值。在图4C的条形图中再次说明了相同的测量值。 除此之外，在图4B的表中示出了相对于100%无散射体颗粒浇注材料的相对光 强。如所说明的那样，通过本发明可以实现将光强提高了直至21.8% (散射体组分1.0%， 兰色LED)。 图5A-5C展示了相同试验系列的结果，其中，在这里分别说明或标上了以 mlm(10-3流明)为单位的光通量或相对光通量来代替光强。 最后图6A-6C分别展示了浇注材料中不同组分散射体颗粒的，橙、绿或兰色LED芯 片3的射束特性。正如可明显识别的那样，与在没有漫散射特性的浇注材料相比，通过该组 分的散射体颗粒产生了更均匀和更对准中心的射束特性。此外还可以识别在约1%组分的 散射体颗粒时，可以实现在射束特性方面最好的结果。此外还看到，在具有主要侧向辐射的 芯片("ATON")中这些优点特别明显。
2.试验系列 在第二试验系列中同样测量了三色的RGB多重LED，而该RGB多重LED与第一试验 系列相反地备有白色基体。三个LED芯片又发射在橙色的("HOP琥珀色")约614nm的波 段中、在绿色的("ATON真绿色")约532nm的波段中、或在兰色的("ATON兰色")约465nm 的波段中的射束。 图7A中示出的表展示了以mcd为单位的光强，该光强是在20mA的二极管电流时， 针对浇注材料中在0%和1.0%之间的散射体颗粒的不同浓度来测量的。在图7C的条形图 中也说明了相同的测量值。 图7B的表展了相对于100%无散射体颗粒浇注材料的相对光强。如所示出的那 样，在该试验构造中通过本发明可以实现将光强提高直到18% (散射体组分1.0%，绿色 LED)。 图8A-8C展示了相同试验系列的结果，其中，在这里分别说明或标上了以mlm为单 位的光通量或相对光通量来代替光强。 图9A-9C最后展示了基于浇注材料中所提高的散射体颗粒的组分而逐级地改善 橙、绿或兰色LED芯片3的各自的射束特性。
3.试验系列 在第三试验系列中，最后分析研究了具有各个兰色("ATON兰色")LED芯片的、根
据本发明的光电子器件。在此将具有浇注材料中的1X散射体颗粒组分的所谓的顶部LED
和微型顶部LED，与浇注材料中无散射体颗粒的相应器件进行了比较。 图10A的表展示了在10mA、20mA、和30mA的二极管电流时测量的，以cd(坎德拉)
为单位的光强，而图10B的表展示了在10mA、20mA、和30mA的二极管电流时测量的，相对于
具有无散射体颗粒(100% )浇注材料器件的相对光强。在图10C的条形图中也说明了光强
的没量值。 在微型顶部LED中，通过漫散射的浇注材料可以实现在光强方面的2%的增长，而 在顶部LED中甚至于可以达到直至7%的增长。
图11A-11C再次展示了相同试验系列的结果，其中，在这里分别说明或标上了以 lm(流明)为单位的光通量或相对光通量来代替光强。 从图16中示出的图表中可以看出，在随后总光束和甚至向前辐射随着进一步增 加的散射体含量重新降低之前，轴线方向上的光辐射首先随着增加的散射体含量而增长， 而没有总光束同时急剧地降低。在该图表中标上了浇注材料中散射体颗粒的四个不同浓度 的四个条副(Balkenpaar)，在这些条副中各自左边的条代表了向前方向(或轴线方向)上 的亮度，而各自右边的条代表了总光束。针对四个不同的浓度示出了条副，也就是针对浇注 材料中0%、1%、3%、和9%的散射体组分。分别通过条副来说明分别属于条副的散射体颗 粒浓度。将对0%敷射体含量所求出的值用作基准。在根据图1的发光二极管器件上曾求 出测量值。LED芯片是一个具有SiC衬底的、基于InGaN的LED芯片，该LED芯片通过芯片 侧壁发射在芯片中产生射束的主要部分。散射体材料是CaF。可以看出，向前辐射上的最大 值位于浇注材料中的约3%的散射体组分处。在散射体组分为1%左右时，在同时几乎可忽 略的总光功率损失的情况下，产生向前辐射的显著提高。 具体芯片浇注材料中的本发明散射体组分的发光二极管器件，相对于相同类型的 无散射体的发光二极管器件，具有显著改善的反差性能。除此之外，在本发明的发光二极管 器件中，按散射体含量不同，有利地显著降低了 LED芯片和必要时压焊丝的投影。通过芯片 浇注材料的整体正面进行光辐射。 在此要一般地说明，含有在浇注材料中的散射光线的发光材料颗粒，正如它们例
如在基于发射兰色光的LED芯片的、发射白色光的发光二极管器件中所应用的那样，同时
可以起散射体颗粒的作用，并因此可以至少部分地引起或支持本发明的效应。 此外还曾查明，将散射体颗粒混入含有发光材料颗粒的浇注材料中，正如它们例
如应用于上述发射白色光的发光二极管器件那样，可以引起轴线方向上的光辐射的提高。
在此起决定性作用的是，给浇注材料混入了以合适浓度的散射体颗粒。 为了完整起见也还要说明，在浇注材料的概念之下不仅应理解为借助浇注技术来 处理的芯片包封材料，而且借助像喷注或压注那样的另外的技术来置放到芯片上的芯片包 封材料也归属于其下。
1权利要求
具有发射射束的半导体芯片(3)的光电子器件，其中，-所述发射射束的半导体芯片(3)被布置在基体(2)的缺口中，-所述基体(2)由一种材料制成，该材料对于由所述半导体芯片(3)发射的射束是至少部分地起吸收作用的，并且所述缺口的侧壁被构成为黑色，-所述半导体芯片(3)在所述缺口中至少部分地被埋入芯片包封(5)中，该芯片包封(5)对于所述由所述半导体芯片(3)发射的射束是透射的，-所述芯片包封(5)被构成为漫散射的，-所述半导体芯片(3)包括至少一个侧壁区，通过该侧壁区侧向地或者向后地沿基体(2)方向发射在所述芯片中产生的射束中的大部分。
2. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述芯片包封(5)包含射束散射颗粒(6)，在所述射束散射颗粒(6)处所述射束被散射。
3. 按照权利要求2所述的光电子器件， 其特征在于，该芯片包封(5)中的射束散射颗粒(6)的份额在O. 1%与10%之间。
4. 按照权利要求3所述的光电子器件， 其特征在于，该芯片包封(5)中的射束散射颗粒(6)的份额在0. 15%与3%之间。
5. 按照权利要求4所述的光电子器件， 其特征在于，该芯片包封(5)中的射束散射颗粒(6)的份额在0.75%与1.25%之间。
6. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，该芯片包封(5)包括环氧树脂、丙烯酸树脂或者硅树脂。
7. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述基体(2)中缺口的侧壁(2A)被构成为倾斜的。
8. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述基体(2)由一种热固性或者热塑性材料制成。
9. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述基体(2)的至少一个正面被构成为黑色。
10. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，在所述缺口中，彼此相邻地布置了多个半导体芯片(3)。
11. 按照权利要求10所述的光电子器件， 其特征在于，所述半导体芯片(3)分别发射出仅一种光谱颜色的射束，并且不同的半导体芯片(3) 发射出不同颜色的射束。
12. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述侧壁区相对于外延制造的、产生射束的半导体芯片(3)的半导体层序列的主延伸 方向成斜向、弯曲或阶梯地分布。
13. 按照权利要求l所述的光电子器件， 其特征在于，所述基体(2)被构成为黑色。
14. 具有多个发射射束的半导体芯片(3)的光电子器件，其中， -这些半导体芯片(3)彼此相邻地布置在基体(2)的缺口中，-所述基体(2)由一种材料制成，该材料对于由所述半导体芯片(3)发射出的射束是至 少部分地起吸收作用的，并且所述缺口的侧壁被构成为黑色，-所述半导体芯片(3)在所述缺口中至少部分地被埋入芯片包封(5)中，该芯片包封 (5)对于所述由所述半导体芯片(3)发射的射束是透射的，-所述芯片包封(5)被构成为漫散射的，-所述芯片包封(5)按照以下方式被构成为漫散射的，亦即使得在由所述半导体芯片 (5)发射出的射束分别在射到相邻半导体芯片(3)侧面之前，向所述芯片包封(5)的射束输 出面(7)方向偏转。
15. 按照权利要求14所述的光电子器件， 其特征在于，所述半导体芯片(3)通过芯片侧壁来发射该射束中的大部分。
16. 按照权利要求14所述的光电子器件， 其特征在于，所述芯片包封(5)按照以下方式被构成为漫散射的，亦即使得在由所述半导体芯片 (5)侧向地向所述基体(2)发射出的射束中的大部分在射到所述基体(2)的界靠着所述缺 口的一个面上之前，向所述芯片包封(5)的射束输出面(7)方向偏转。
17. 按照权利要求14所述的光电子器件， 其特征在于，所述基体(2)的至少一个正面被构成为黑色。
18. 按照权利要求14所述的光电子器件， 其特征在于，所述半导体芯片(3)分别发射出仅一种光谱颜色的射束，并且不同的半导体芯片(3) 发射出不同颜色的射束。
19. 按照权利要求14所述的光电子器件， 其特征在于，所述半导体芯片具有至少一个侧壁区，通过该侧壁区侧向地或向后地沿基体方向发射 在所述芯片中产生的大部分射束。
20. 按照权利要求14所述的光电子器件，其特征在于，所述基体(2)被构成为黑色。
全文摘要
光电子器件，具有一个基体或壳体(2)、至少一个布置在基体缺口中的光电子半导体芯片(3)、和一种在缺口中埋入至少一个半导体芯片的浇注材料(5)，该浇注材料(5)由透明材料制成，其中，该透明的浇注材料(5)是漫散射地构成的，并尤其含有散射体颗粒(6)，在这些散射体颗粒(6)上漫射地散射射到它们上面的光线。
文档编号H01L33/56GK101728475SQ200910261589
公开日2010年6月9日 申请日期2002年12月2日 优先权日2001年11月30日
发明者K·阿恩德特, N·法希特奇安 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司