专利名称：：高阻抗低衰减高速传输线的制作方法
技术领域：
：本实用新型涉及一种高速传输线，特别是涉及一种衰减常数小、体积小、质量轻，机械物理性能高的高阻抗低衰减高速传输线。
背景技术：
：目前在航空航天及计算机领域中应用的高速传输线产品，大多依赖进口。该产品的应用，可以通过发射(接收)频率的不同，实现一线多信号高速传输。通常，由于其采用导线和实芯填充对称组合结构，因此在特定高特性阻抗(120Q)的条件下，存在着综合介电常数大、衰减常数大、体积大、质量重等问题，并且还存在着屏蔽效果差的问题。还有，进口产品存在价格高、供货周期长、易被技术封锁和禁运等问题。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种高阻抗、综合介电常数小、衰减常数小、体积小、质量轻、价格适中的高阻抗低衰减高速传输线。本实用新型所采用的技术方案是一种高阻抗低衰减高速传输线，包括有两根绝缘导线，还设置有两根填充芯，所述的绝缘导线与填充芯对称绞缆形成两根绞缆线，在两根绞缆线外依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层、第二复合屏蔽层、薄膜保护层及护套层，所述的两层第一复合屏蔽层之间设置有地线。所述的绝缘导线包括有导电线芯和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层。所述的填充芯是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯。所述的第一复合屏蔽层是采用铝复合薄膜。所述的第二复合屏蔽层采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线。所述的薄膜保护层采用聚酯材料。所述的护套层采用聚全氟乙丙烯材料。本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线，在保证衰减常数小、体积小、质量轻的基础上，具有高阻抗、综合介电常数小，并以此产品的国产化彻底解决因国外技术封锁和禁运而造成项目搁浅等问题，满足航天航空等相关领域的需要。图1是本实用新型的结构示意图其中l:导电线芯23:第一复合屏蔽层45:薄膜保护层67:填充芯8:绝缘导线9:第二复合屏蔽层聚全氟乙丙烯绝缘层第二复合屏蔽层具体实施方式以下结合附图给出具体实施例，进一步说明本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线是如何实现的。如图1所示，本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线，包括有两根绝缘导线8，还设置有两根填充芯7，所述的绝缘导线8与填充芯7对称绞缆，即一根绝缘导线8与一根填充芯7绞缆，共形成两根绞缆线。然后在两根绞缆线外再依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层3、第二复合屏蔽层9、薄膜保护层5及护套层6，在所述的两层第一复合屏蔽层3之间设置有地线4。在本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线上述的结构中，所述的绝缘导线8是由导电线芯1和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层2构成；所述的填充芯7是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯；所述的第一复合屏蔽层3是采用铝复合薄膜；所述的第二复合屏蔽层9采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线；所述的薄膜保护层5采用聚酯材料；所述的护套层6采用聚全氟乙丙烯材料。本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线的结构及主要性能如下<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>权利要求一种高阻抗低衰减高速传输线，包括有两根绝缘导线(8)，其特征在于，还设置有两根填充芯(7)，所述的绝缘导线(8)与填充芯(7)对称绞缆形成两根绞缆线，在两根绞缆线外依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层(3)、第二复合屏蔽层(9)、薄膜保护层(5)及护套层(6)，所述的两层第一复合屏蔽层(3)之间设置有地线(4)。2.根据权利要求l所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的绝缘导线(8)包括有导电线芯(1)和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层(2)。3.根据权利要求l所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的填充芯(7)是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯。4.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的第一复合屏蔽层(3)是采用铝复合薄膜。5.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的第二复合屏蔽层(9)采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线。6.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的薄膜保护层(5)采用聚酯材料。7.根据权利要求l所述的高阻抗低衰减高速传输线，其特征在于，所述的护套层(6)采用聚全氟乙丙烯材料。专利摘要本实用新型公开一种高阻抗低衰减高速传输线，有两根绝缘导线，两根填充芯，绝缘导线与填充芯对称绞缆形成两根绞缆线，在两根绞缆线外依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层、第二复合屏蔽层、薄膜保护层及护套层，两层第一复合屏蔽层之间设置有地线。绝缘导线有导电线芯和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层。填充芯是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯。第一复合屏蔽层是采用铝复合薄膜。第二复合屏蔽层采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线。薄膜保护层采用聚酯材料。护套层采用聚全氟乙丙烯材料。本实用新型在保证衰减常数小、体积小、质量轻的基础上，具有高阻抗、综合介电常数小，满足航天航空等相关领域的需要。文档编号H01B7/17GK201465651SQ20092009795公开日2010年5月12日申请日期2009年7月27日优先权日2009年7月27日发明者杨玉萍,董华章,韩学军申请人:天津维达维宏电缆科技有限公司