专利名称：一种多晶硅氢化炉用变流变压器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于变压器技术领域，具体涉及一种多晶硅氢化炉用变流变压器。
背景技术：
在工业生产中，多晶硅氢化炉加热电源要求加热功率大、电压电流变化范围宽且 能精确控制，同时还要求具有负载阻抗变化大、谐波干扰低且生产场所防火等级要求高等 特点。而工业生产中这种加热电源通常由多台调压变压器共同组成，其存在的问题是 1.谐波含量高且靠近城市负荷中心，严重影响了电网的供电质量；2.绝大多数调压变压器 为油浸式结构，这种结构易产生渗漏油污染环境的问题，且发生爆炸时容易引起火灾安全 隐患；3.由于加热电源由多台调压变压器共同组成，故其造价高而可靠性低；4.在多晶硅 氢化炉的加热过程中，还需另外提供温控、冷却及照明等系统的控制电源，增加了用户的采 购成本，并且由于需要另外安装控制电源，扩大了整个装置的安装空间。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题就是针对现有技术存在的上述不足，提供一种可消 除谐波干扰、且不会污染环境，并且可消除火灾隐患的多晶硅氢化炉用变流变压器。解决上述技术问题所采取的技术方案是该多晶硅氢化炉用变流变压器采用三相 干式变压器，该干式变压器包括铁心、从内到外依次设置在铁心上的副边绕组和原边绕组， 所述原边绕组采用三角形联接，原边绕组中每相绕组都带有三个或三个以上的分接抽头。由于原边绕组采用三角形联接，三次谐波电流可以循环流过，从而可以消除三次 谐波电压，以减小三次谐波在金属结构件中引起的涡流损耗。在原边绕组上根据需要按要 求抽分接头，调压范围的具体数值可分为1 士5% ；1±2X2. 5% ；1±4X2. 5%等，其调压范围 可达到士 10%。所述副边绕组为多抽头绕组，三相绕组尾头短接并引出。这种接法实际上是采用 星形接法，其中性点引出。优选的是，所述副边绕组和原边绕组之间还有静电屏蔽层，所述静电屏蔽层短接 并接地。静电屏蔽层可使原、副边绕组互相隔离，从而形成两个相互独立的静电系统，以消 除静电耦合作用，防止原边绕组中的过电压波及副边绕组，增强产品的运行可靠性。优选所 述静电屏蔽层采用铜箔或铝箔制成，其包裹在副边绕组的外层，并与副边绕组之间绝缘。进一步优选的是，所述铁心上还可设有辅助绕组，辅助绕组套在铁心心柱上。所述 辅助绕组可采用星形联接。辅助绕组的作用是可以为用户提供电压为220V 400V的温控、 冷却及照明等系统的控制电源。在保证绝缘距离(即安全距离，是确保辅助绕组与原、副边 间的绝缘距离)的情况下，辅助绕组可设置在变压器器身的任何位置。本实用新型多晶硅氢化炉用变流干式变压器的优点是1.由于本实用新型变压器采用的是三相干式变压器，因而不会产生渗漏油污染环 境的问题，或者发生爆炸从而引起火灾安全隐患，这种结构的变压器可减少工程占地面积，而且安装更加方便，运行更加可靠，造价更加低廉。2.由于原边绕组采用三角形联接，可消除和抑制三次谐波电压，减小三次谐波在 金属结构件中引起的涡流损耗，使其不流入公共高压电网形成谐波污染，原边绕组中每相 绕组带有三个及三个以上的分接抽头，其调压范围可达到士 10%。3.辅助绕组可以为用户提供电压为220V 400V的温控、冷却及照明等系统的控 制电源。用户无需另外配置提供温控、冷却及照明等系统的控制电源，从而使用户减少了采 购成本。
图1是本实用新型多晶硅氢化炉用变流变压器的结构示意图图2是本实用新型多晶硅氢化炉用变流变压器原边绕组4的接法示意图图3是本实用新型多晶硅氢化炉用变流变压器副边绕组2的接法示意图图4是本实用新型多晶硅氢化炉用变流变压器辅助绕组5的接法示意图图中1_铁心2-副边绕组3-静电屏蔽层4-原边绕组5-辅助绕组
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。以下实施例为本实用新型的非限定性实施例。如图1所示，本实用新型多晶硅氢化炉变流变压器采用三相干式变压器，其包括 铁心1、副边绕组2、静电屏蔽层3、原边绕组4和辅助绕组5，按照从内到外的排列顺序为 铁心1、副边绕组2、静电屏蔽层3、原边绕组4。辅助绕组5套在铁心心柱上，本实施例中， 辅助绕组5设在原边绕组4和副边绕组2的下方。 如图2所示，所述原边绕组4为三角形联接。本实施例中，每相绕组都带六个分接 抽头，从而进一步增大调压范围，调压范围可达到士 10%。如图3所示，所述副边绕组2为多抽头绕组。本实施例中，副边绕组2的每相绕组 采用三个抽头，三相绕组尾头短接并引出，也就是采用星形接法，其中性点引出。静电屏蔽层3设置在副边绕组2和原边绕组4之间，所述静电屏蔽层3短接(即 将静电屏蔽层3用引线联结在一起)并接地。本实施例中，静电屏蔽层3采用铜箔或铝箔 制成，其裹附在副边绕组2的外层，并与副边绕组2之间绝缘。静电屏蔽层3的搭结处需进 行绝缘处理以避免形成短路环(如果形成短路环将在静电屏蔽层3上形成匝电势)。静电 屏蔽层3可使原边绕组4和副边绕组2互相隔离，形成两个相互独立的静电系统，以消除静 电耦合作用，可防止原边绕组过电压波及副边绕组2，使变压器产品运行可靠。当然，本实用 新型变压器也可根据用户需求不设置静电屏蔽层3。本实施例中，辅助绕组5设在原边绕组4和副边绕组2的下方。当然，在保证绝缘 距离的情况下辅助绕组5也可设置在变压器器身上的任何位置。辅助绕组5为星形联接， 它可以为用户提供电压为220V 400V的温控、冷却及照明等系统的控制电源。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性 实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本 实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型 的保护范围。
权利要求一种多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于该变压器采用三相干式变压器，该干式变压器包括铁心(1)、从内到外依次设于铁心(1)上的副边绕组(2)和原边绕组(4)，所述原边绕组(4)采用三角形联接，原边绕组(4)的每相绕组都带有三个或三个以上的分接抽头。
2.根据权利要求1所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于所述副边绕组(2) 为多抽头绕组，三相绕组尾头短接并引出。
3.根据权利要求2所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于副边绕组(2)和原 边绕组⑷之间有静电屏蔽层(3)，所述静电屏蔽层(3)短接并接地。
4.根据权利要求3所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于所述静电屏蔽层 (3)采用铜箔或铝箔制成，其包裹在副边绕组(2)的外层，并与副边绕组绝缘。
5.根据权利要求1-4之一所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于所述铁心 (1)上还设有辅助绕组(5)。
6.根据权利要求5所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于所述辅助绕组采用 星形联接。
7.根据权利要求5所述的多晶硅氢化炉用变流变压器，其特征在于所述辅助绕组(5) 设置在副边绕组(2)的下方。
专利摘要一种多晶硅氢化炉用变流变压器，其采用三相干式变压器，包括铁心(1)、从内到外依次设于铁心(1)上的副边绕组(2)和原边绕组(4)，所述原边绕组(4)采用三角形联接，原边绕组(4)的每相绕组带有三个或三个以上的分接抽头。该变流变压器可消除谐波干扰、且不会污染环境，并且可消除火灾隐患。
文档编号H01F27/36GK201590317SQ20092021879
公开日2010年9月22日 申请日期2009年11月16日 优先权日2009年11月16日
发明者孟杰, 魏月刚 申请人:特变电工股份有限公司