减少基材上粒子污染的平台及其方法

专利名称：减少基材上粒子污染的平台及其方法
技术领域：
本发明涉及一种用以支撑一基材的平台装置，尤其涉及一种于处理基材时减少粒 子污染的平台及其方法。
背景技术：
离子植入或掺杂为制造电子装置中多个处理过程中的一个过程。于现有的技术 中，可利用束线离子植入系统来执行离子植入。图1为束线离子植入系统的方块图。现有 的离子植入系统100可包括一离子源104、多个束线(beam-line)元件以及一末端站(end station)。于现有技术中，离子源104可用来产生所要种类(species) 102的离子。产生的 离子可以藉由束线元件105而从离子源104取出。类似于一连续的光学透镜来操作一光束， 束线元件105操作各离子102使成为离子束102且使离子束102朝向一晶圆106与一支撑 该晶圆106的平台108所在的末端站110。离子束直接朝着末端站而射入于晶圆106上且 离子植入得以进行。离子植入也可利用一等离子体掺杂(PLAD)或等离子体浸没离子植入(PIII)系统 来进行。在等离子体掺杂系统中，晶圆106与支撑该晶圆106的平台108是配置于一处理 室中。同时，包含一所要种类的处理(process)气体是进入于等离子体掺杂系统的等离子 体源中。于有些系统中，等离子体源可邻近处理室。于其他系统中，等离子体源可移开且远 离处理室。接着，该处理气体可转换成等离子体210，其包含电子、所要种类的离子202、中 子与/或残余物。晶圆106可以加偏压，且所要种类的离子202可以植入于晶圆中。平台108可在离子植入时用以支撑该晶圆106。平台108可包括多个静电地钳紧 (clamp)该晶圆106至平台108的电极(未绘示)。于其他实施例中，平台108可以使晶圆 106在多个不同方向中移动(例如，平移、旋转、倾斜等)。平台108可用来控制多个离子置入的参数。举例来说，平台108可用来维持晶圆 106的温度在一所要值。因为离子植入过程为一需能量的过程，晶圆106的温度会提升至 超过所所要的温度。一般来说，平台108是用来防止基材过热。现有的平台可具有沿着已 安装的晶圆106而设置的冷却凹陷(未绘示)，其可定义出一冷却区域(未绘示)。冷却气 体可引入于冷却区域中且维持在一预定压力，如此使气体可接触到晶圆106与冷却的晶圆 106。平台108可用来控制其他的植入参数，包括晶圆106中防止过度的充电增长。现有 技术中，当晶圆106以充电的离子来轰击时，过度充电会在晶圆106中形成。过度充电的形 成会造成电弧且导致晶圆106的严重失效。此外，充电的形成会于完成离子植入过程后使 晶圆106由平台108松开(de-clamped)时受到阻碍。为了避免过度充电的形成，晶圆106 与206可包含一或多个接地电路(未绘示)，其将晶圆106电性连接至地面且降低过度充电 的形成。在现有的平台108中，平台108的部分是直接连接至晶圆106。这样的接触会产生 碎片。碎片会漂移至晶圆106的前侧，且此侧即为离子束所射入的那侧。邻近该晶圆106的前侧的碎片是不利的，此乃因碎片会干涉植入过程，且最后会造成小于最佳效果的设备。 因此，改进的平台是需要。

发明内容
本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一实施例中，此技术可以一具有多个 不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一 平台主体，其包含第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材 的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽(cavity)用以保持一接地电路；一第一 介层窗(via)定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近流体区 域，而第二开口邻近第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相 等于第一凹槽的压力值。依据本实施例的另一方面，流体区域可与第一凹槽处于压力平衡。依据本实施例的又一方面，流体区域可与第一凹槽处于流体相通。依据本实施例的其他方面，平台可还包括一流体通道，其中流体区域通过流体通 道而使流体流通于第一凹槽。依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于平台主体内。依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于接地电路内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚(pin)，其具有一引脚主体 与一套管(sleeve)，且流体通道可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 套管，其中流体通道可提供于引脚主体内。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 透气的(porous)套管，其中流体通道可提供于透气套管内。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一沟槽(groove)的形式。依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚，其具有一引脚主体与一 套管，其中流体通道可为一沟槽的形式，且沟槽可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，沟槽可延伸于一方向。依据本实施例的其他方面，沟槽可为一螺旋状沟槽。在另一实施例中，接地引脚用以将一基材连接于地面且可包括一引脚主体以及一 套管。套管支撑引脚主体，其中套管可包括一流体通道，以传输流体。依据本实施例的另一方面，流体通道可为一沟槽的形式，配置于套管的一外表面 与一内表面至少其中之一。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一介层窗的形式，配置于套管的一外表 面与一内表面之间。依据本实施例的其他方面，沟槽为一螺旋状沟槽。在又一实施例中，技术上可通过装载基材于一平台上来实施；引进流体于一流体 区域，其邻近基材与平台的平台主体；维持流体区域于一第一压力值；以及维持平台主体 所定义出的一第一凹槽于一第二压力值，第二压力值实质上相等于第一压力值。依据本实施例的另一方面，技术可还包括提供一流体通道，其中流体区域通过流体通道而使流体流通于第一凹槽。依据本实施例的又一方面，平台可包括一平台本体，其中流体区域通过平台主体 而与第一凹槽隔开，且其中流体通道可提供于平台主体内。依据本实施例的其他方面，技术可还包括一接地引脚，用以连接基材于地面，其 中流体通道可提供于接地引脚内。依据本实施例的其他方面，接地引脚可还包括一引脚主体与一套管，其中流体通 道可提供于套管内。依据本实施例的其他方面，流体通道可为一沟槽的形式，配置于套管的外表面上。依据本实施例的其他方面，沟槽可为一螺旋状沟槽。将参照附图所示的范例性实施例更详细地描述本发明。虽然下文参照范例性实施 例来描述本发明，但应该理解本发明并不限于此。获得本案教导的本领域技术人员将意识 到落在本发明范围内且本发明对其特别有用的其他实施方式、变更、实施例及其他使用领 域。


为了便于更好地理解本发明，现在参照附图，其中相似的标号表示相似的元件。这 些附图不应解释为限制本发明，而旨在作为范例性的解释。图1绘示现有的一种束线离子植入系统的方块图。图2绘示现有的一种等离子体掺杂或等离子体浸没离子植入系统的方块图。图3A是根据本发明的一实施例的一种包括一或多个接地电路的平台的方块图。图3B是根据本发明的一实施例的一邻近接地电路的平台的详细示意图。图4是根据本发明的一实施例的一种用以降低粒子污染的平台的横剖面示意图。图5是根据本发明的另一实施例的一种用以降低粒子污染的平台的横剖面示意 图。图6A至图6D是根据本发明的多个实施例的多种可纳入图3a、图3b、图4与图5 所绘示平台的接地引脚的示意图。图7A与图7B是根据本发明的其他实施例的多种可纳入图3a、图3b、图4与图5 所绘示平台的接地引脚的示意图。图8是根据本发明的另一实施例的一种可纳入图3a、图3b、图4与图5所绘示平 台的接地引脚的示意图。
具体实施例方式为了解决上述的问题，多个用以降低处理中的基材上粒子污染的平台以其方法的 实施例在此提出介绍。为了清楚且简单起见，本发明所揭示的重点在于平台及其元件以及 离子植入系统的装备。然而，本领域技术人员应了解，本发明所揭示的内容也可相同地应用 于其他类型的系统及其元件。举例来说，本发明所揭示的内容也可相同地应用于其他基材 支撑的型态及其元件，或应用在一蚀刻系统、一沉积系统、一退火(annealing)系统或一其 他光学基本制程系统。此外，本发明的上下文所揭示的术语“基材”，本领域技术人员应了 解，基材可包括金属、半导体、绝缘体或此三者的组合。
请参考图3a，此图是根据本发明的一实施例的一种用以降低一基材上粒子污染的 平台的横剖面示意图。本实施例的平台可以是一于多个处理过程中支撑基材302的平台 300。平台300可由导电材料所制成，例如，由铝制成。然而，平台300也可由其他导电材料 所制成。平台300虽不期望由绝缘体所制成，但并不排除此情况。如图3a所示，平台300可包括一平台主体301与一或多个将基材302电性连接至 地面的接地电路330。平台主体301包括一定义出一或多个流体区域310的第一凹陷。流 体区域310可容纳流体以维持一基材302在一预定温度。举例来说，若欲维持基材302在 一低温状态，可于处理该基材302时将冷却流体引入于流体区域310以冷却该基材302。在 另一方面，若欲维持该基材302在一高温状态，可将热流引入于流体区域310以加热该基材 302。请参考图3b，此图是邻近接地电路330的平台主体301的详细示意图。除了定义流 体区域的第一凹陷外，平台主体301可还包括一定义一第一凹槽312的第二凹陷以及耦接 于流体区域310及第一凹槽312的第一与第二介层窗314与316。接地电路330可同时包 括一接地电极334与一接地引脚332，其中接地引脚具有一引脚主体332a与一套管332b。 如图所示，接地电极334与套管332b是配置于第一凹槽312内。同时，引脚主体332a可通 过第一介层窗314而从第一凹槽312延伸至流体区域310。在本实施例中，引脚主体332a较佳地可具有一尖端以穿过一种通常配置于基材 302背侧上的介电薄膜302a而与基材302相接触。为了提供电性连接，本实施例的引脚主 体332a可由一或多个导电金属材料所制成，例如是碳化钨(tungsten carbide，“WC”)。同 时，套管332b可为电性绝缘。套管332b较佳地可包括一或多种绝缘材料或介电材料，可包 括例如橡胶(rubber)、聚合物(polymer)、介电陶瓷(dielectric ceramic)或此三者的组 合。虽然套管336较佳地可以是绝缘的，但于本实施例中，套管336也可具有导电性。如图3b所示，套管332b可配置于引脚主体332a上。此外，套管332b可以与邻近 第一介层窗314的开口的平台主体301相接触。套管332b可按规格尺寸来成形，以对引脚 主体332a提供支撑并防止引脚主体332a过度地突出于流体区域310中。举例来说，套管 332b的横剖面尺寸(例如，介于中心与外侧周围之间的距离)可大于第一介层窗314的横 剖面尺寸。过度突出于流体区域310会对基材造成损坏。为了使基材接地，接地电极332耦接至接地引脚332。接地电极334较佳地可使接 地引脚332在一垂直方向中移动。为了达到电传导与垂直移动，接地电极334可具有一弹 性(spring)板结构。接地电极334的一端可受到支撑，反之，接地电极334的另一端，即， 与接地引脚332连接的那一端，无一支撑物。然而，支撑物也可提供至与接地引脚332相接 触的那一端。此外，接地电极334可包括一或多个可挠曲的导电材料。举例来说，接地电极 340可由一材料所制成，例如是铜。本领域技术人员应了解，接地电极334也可以具有其他 结构与其他材料。举例来说，在本实施例中，接地电极334可具有一螺旋状线圈的结构与/ 或由合金，例如是铍铜合金(Be-Cu alloy)或较佳是合成物所制成。电极334也可由一形 状记忆体合金制作成，以使得在应力造成变形后可恢复为其原来的形状。在操作上，基材302是装载、钳紧与处理于平台300上。平台300可为一静电的钳 紧平台300，且一或多个钳紧电极(未绘示)可主动钳紧基材302于平台300上。此外，平 台300也可以是一机械式钳紧平台300，且基材302可以机械地钳紧于平台300上。之后，接地引脚332对着基材302挤压，穿入至该介电薄膜302a且紧密地接触该基材302。为了维持基材于一预定温度，流体可引入于流体区域310中。上述提及的是，流体 可以被引入以提供冷却或加热。此外，流体在流体区域310中维持在一预定压力值或维持 在一预定压力值范围Pc中。在基材处理后，基材302可以由平台300松开且离开此平台 300。当基材固定于平台300上时，平台300与基材302彼此直接连接的部分会有碎片 (debris)产生。举例来说，来自基材302与薄膜302a的碎片可能是产生于基材302与薄 膜302a紧密地接触该引脚主体332a的尖端。产生的碎片可安放且累积于平台主体301的 表面、引脚主体332a、套管332b、第一凹陷312与第一介层窗314。发明者发现碎片可能会 转移至末端站的其他位置或接近基材302的前侧。此问题例如在流体区域30与第一凹槽 312之间会由于流体流动的一或多个突然冲击而更加恶化。一或多个流体冲击会妨碍碎片 安放于多个表面，且提供动力与传输碎片于邻近该基材302的前侧。发明者发现流体冲击可归因于流体区域310与第一凹槽312之间的压力差。于操 作时，流体区域310可维持在预定压力值Pc，反之，第一凹槽312维持在另一不同于Pc的压 力值P1。发明者间歇地发现，当引脚主体332a连接于基材302或薄膜302a时，套管322b与 平台主体301通过一引导至接地引脚332的垂直移动而分开。于过程中，通常被套管332b 阻碍的第一介层窗314不受阻碍。因为不同的Pc与P1，突然冲击的流体可流动于流体区域 310与第一凹槽312之间。在本实施例中，平台主体301可包括使流体流通于流体区域310与第一凹槽312 的第二介层窗316。第二介层窗316可提供一流体通道，流体可从流体通道流通于两区域 310与312。于过程中，可维持区域310与312之间的压力平衡。举例而言，在较大的压力 值下，流体可通过第二介层窗316而由区域310与312之一流至区域310与312中的另一 区域。于过程中，在两区域310与312压力值可以是相同或实质上相同，且介于两区域之间 的压力差可降到最小。即使套管332b与平台主体301分开，使第一介层窗314打开，介于 两区域310与312之间急速的流体流动仍可避免。安放于多个表面的碎片将较不可能受到 干扰且运输至接近基材302。本领域技术人员应了解，本发明所揭示的内容可相同地应用以 达成平台的其他区域中的压力平衡，即，间歇地使流体流通于其他区域且使突然冲击的流 体流动于区域之间。请参考图4，此图是本发明的一实施例的一种用以降低粒子污染的平台400的横 剖面示意图。本实施例的平台400与图3a与图3b的平台300相似。为了清楚且简单起见， 相似特征的细部描述在此不在赘述。此外，采用相同的标号来表示相似的元件。在本实施例中，平台400可为任意地省略前述实施例中包括于平台主体301中 的第二介层窗316。本实施例的平台主体401包括一配置于第一凹槽312的流体通口 (port)418，以使介于流体区域310与第一流体凹槽312之间的压力差降至最小。流体通口 418可连接至一流体源头(未绘示)与/或一真空泵(未绘示)。此外，可提供一压力监控 器(未绘示)以测量第一凹槽312与流体区域310之间的压力差。若流体区域310与第一 凹槽312的压力值不同，流体可提供至第一凹槽312或由第一凹槽312中抽空，以使得介于 区域310与312之间的压力差能降低至最小。请参考图5，此图是根据本发明的另一实施例的一种用以降低粒子污染的平台500的横剖面示意图。本实施例的平台500相似于图3a、图3b与图4的系统300与400。 在本实施例中，平台500可为任意地省略前述实施例中的第二介层窗316与/或一流体通 口 318。为了清楚且简单起见，相似特征的细部描述在此不在赘述。此外，采用相同的标号 来表示相似的元件。在本实施例中，平台500可包括一接地电路530。接地电路500可包括一接地电极 534与一接地引脚532，其中接地引脚532包括一引脚主体532a与一套管532b。引脚主体 532a与接地电极534可相似于前述实施例。为了清楚起见，相似特征的细部描述于此不在 赘述。在本实施例中，套管532b可为一透气套管532b。本实施例于套管532b中的气孔 (pores)可具有多个连接至流体区域310与第一凹槽312的流体通道。在透气套管532b中 的通道可允许流体区域310中的流体流动至第一凹槽312或反之亦可。本领域技术人员应 了解，套管532b虽然可透气，但可维持其结构以适当地支撑引脚主体532a。藉由提供有透气套管532b的接地引脚532，可达成介于流体区域310与第一凹槽 312之间的压力平衡。此外，介于两区域310与312之间可干扰及/或分散碎片的流体流动 的突然冲击可降低至最小或避免。本实施例的利用接地引脚532的平台500可具有其它优 点。举例来说，若在套管532b中的流体通道由于大量的使用而阻塞，则该接地引脚532可 取代其他的接地引脚532。整个平台500不需被取代或更新。因此，维修该平台500可较为 简单且成本较低。本领域技术人员应了解，本发明所揭示的接地引脚可具有多种结构。在其他结构 中，可挑选形状、尺寸与接地引脚的套管的材料以充分地支撑引脚主体与维持其结构。举例 来说，套管的一部分的横剖面尺寸可大于第一介层窗314的横剖面尺寸。于过程中，套管可 防止引脚主体过度地突出至流体区域310内或过度地撞击该基材302。此外，接地引脚可包括一连通于流体区域310与第一凹槽312的流体通道，可直接 或间接穿过其他元件(例如，第一介层窗)。流体通道可为一沟槽或一介层窗的形态。流体 通道为一沟槽或一介层窗的型态，可配置于引脚主体或接地引脚的套管。举例而言，流体通 道，为一沟槽或一介层窗的形态，可配置于套管上，邻近外侧表面；套管内；套管上，邻近 于内侧表面；引脚主体上，邻近引脚主体的外侧边缘；与/或引脚主体内。当接地引脚配置 于平台主体上时，接地引脚的流体通道可提供流体区域310与第一凹槽312之间的压力平 衡，以使得压力差降至最低。以下，说明多个可纳入至图3a、图3b、图4与图5所绘示的平 台的接地引脚。请参考图6A至图6D，这些是根据本发明的多个实施例的多种可纳入图3a、图3b、 图4与图5所绘示的平台的接地引脚的示意图。如图6A所示，接地引脚632可包括引脚主体 632a、一套管632b以及一流体通道632c。在本实施例中，流体通道632c为一沟槽632c的 型态，可配置于套管632b上，邻近套管632b的外侧表面。然而，本领域技术人员应了解，流 体通道632c也可为一介层窗的型态。此外，本领域技术人员应了解，流体通道632c，为一沟 槽或一介层窗的型态，也可配置于套管632b内，套管632的内侧表面上，引脚主体632a的 外表面上或引脚主体632a中。再者，本领域技术人员应了解，流体通道632c不需要从套管 632b的上表面(例如，邻近引脚主体632a的尖端的表面)延伸至套管632b的下表面(例 如，邻近引脚主体632a的基部与接地电极的表面)。若接地引脚包括一可使流体流通于流体区域310与第一凹槽312的流体通道，则接地引脚632在本发明所揭示的范围内。举例 来说，套管632b的一部分配置于平台主体上时可延伸于第一介层窗314的上方且延伸至流 体区域310。此种接地引脚632中，流体通道632c的一端可在套管632b的上表面下方。
在本实施例中，流体通道632c可具有一圆形凹表面。于其他实施例中，套管632b 可具有一或多个凸出于外的突出物(未绘示)，远离该套管632b的中心。在此种实施例中， 一或多个流体通道可邻近于突出物。于其他实施例中，流体通道632c可具有多个平坦的表通过提供流体通道来连通流体区域310与第一凹槽312，两区域310与312可彼此 达成流体相通。流体可流穿流体通道632c，且可达成介于流体区域310与第一凹槽312之 间的压力平衡。突然冲击的流体可避免流入于流体区域310与第一凹槽312之间。请参考图6B与图6C，这些是根据本发明的二个其他实施例的接地引脚635与637 的等体积(isometric)示意图。于图6B与图6C中的每一接地引脚相似于图6A所描述的 接地引脚。此外，接地引脚635与637彼此相似。每一接地引脚635与637分别包括一引 脚主体635a、一套管635b与637b以及一流体通道635c。然而，每一接地引脚635与637的流体通道635c与637c具有不同的标号。举例 来说，图6B所绘示的接地引脚635包括三个流体通道635c，而图6C所绘示的接地引脚637 包括八个流体通道637c。每一流体通道635c与637c可使得流体流动于流体区域310与第 一凹槽312之间，如此可达成两区域310与312之间的压力平衡。本领域技术人员应了解， 本发明并不限定流体通道的数量。本实施例所揭示的接地引脚可包括一具有任何数量的流 体通道的套管。请参考图6D，此图显示为根据本发明的其他实施例的接地引脚637的示意图。图 6D的接地引脚相似于图6A至图6C所描述的接地引脚。举例来说，接地引脚639包括一引脚 主体639a、一套管639b与至少一流体通道639c。然而，流体通道639c包括一平坦表面。在 本实施例中，套管的一些部分所具有的横剖面尺寸可大于第一介层窗314的横剖面尺寸。即使当套管接触平台主体时(请参考图5)，可通过本实施例的接地引脚630来达 成介于流体区域310与第一凹槽312之间的压力平衡。此外，可避免该流体区域310与第 一凹槽312之间流体流动所发生的突然冲击，其会干扰且分散碎片。请参考图7A与图7B，这些是根据本发明的其他实施例的多种接地引脚732的示意 图。相似于前述实施例的接地引脚，本实施例的接地引脚732可纳入至图3a、图3b、图4与 图5所绘示的平台中。在本实施例中，接地引脚732可包括一引脚主体732a、一套管732b与一流体通道 732c。在本实施例中，流体通道732c具有一螺旋状外形。虽然图7A与图7B绘示一具有 多圈绕组(windings)的螺旋状流体通道732c，但本领域技术人员应了解，螺旋状流体通道 732c可具有一圈或少于一圈的绕组。流体通道732c较佳地可具有一使流体流通于流体区 域310与第一凹槽312的开口。于过程中，当套管连接至平台时可达成压力平衡(请参考 图5)。此外，可避免该流体区域310与第一凹槽312之间该流体流动所发生的突然冲击，其 会干扰且分散碎片。请参考图8，此图是根据本发明的另一实施例的一种接地引脚832的示意图。相似 于前述实施例的接地引脚，本实施例的接地引脚832也可纳入至图3a、图3b、图4与图5所绘示的平台中。接地引脚832包括一接地引脚832a、一套管832b以及一流体通道832c。套管 832b可相似于前述实施例中所描述的套管。在本实施例中，流体通道832c可提供于引脚 主体832a内。穿过流体通道832c，流体可流通于流体区域310与第一凹槽312之间，且可 使介于两区域310与312之间的压力达成平衡。此外，可避免该流体区域310与第一凹槽 312之间该流体流动所发生的突然冲击，其会使套管732b和平台形成间歇性的分离且会将 污染物分布至该基材上。已揭示了处理基材时使基材上粒子污染降低的平台及其方法的多个实施例。本领 域技术人员应了解本发明并不局限于本案描述的特定实施例的范围。实际上，除了本案已 描述的实施例，本发明的其他各种实施例和润饰是本领域技术人员通过前述描述和附图显 而易见的。举例来说，本发明所揭示的内容也可相同地应用于其他基材支撑的型态及其元 件，以及应用于进行不同于离子植入过程的系统中。特别是，本发明所揭示的内容也可相同 地应用于进行蚀刻系统、沉积系统、退火系统或其他光学处理的系统中。此外，本发明所揭 示的内容也可相同地应用于具有多个区域的基材支撑物中，其中这些区域其中之一遭受其 他不同区域的流体的突然冲击。因此，这些其他实施例和润饰旨在落入本发明的范围。此 外，尽管本发明已在用于特定目的的特定环境中以特定实施例为背景进行了描述，但本领 域技术人员应意识到其效用并不限于此，并且本发明可有利地用于出于任意目地的任意环 境中。因此，本发明的申请专利范围应根据本发明的最宽范围和精神来进行解释。
权利要求
1.一种平台，于处理一基材时用以支撑该基材，该平台包括一平台主体，包括一第一凹陷与一第二凹陷，该第一凹陷定义出一流体区域，以保持流 体而将基材的温度维持在一预定温度，该第二凹陷定义出一第一凹槽，以保持一接地电路； 以及一第一介层窗，定义于该平台主体内，该第一介层窗具有一第一开口与一第二开口，该 第一开口邻近该流体区域，该第二开口邻近该第一凹槽；其中该流体区域的压力值维持在一准位，且该准位实质上相等于该第一凹槽的压力值。
2.根据权利要求1所述的平台，其中该流体区域与该第一凹槽处于压力平衡。
3.根据权利要求1所述的平台，其中该流体区域与该第一凹槽处于流体相通。
4.根据权利要求3所述的平台，还包括一流体通道，其中该流体区域通过该流体通道而与该第一凹槽处于流体相通。
5.根据权利要求4所述的平台，其中该流体通道提供于该平台主体内。
6.根据权利要求4所述的平台，其中该流体通道提供于该接地电路内。
7.根据权利要求6所述的平台，其中该接地电路包括一接地引脚，其具有一引脚主体 与一套管，其中该流体通道提供于该套管内。
8.根据权利要求6所述的平台，其中该接地电路包括一接地引脚，其具有一引脚主体 与一套管，其中该流体通道提供于该引脚主体内。
9.根据权利要求6所述的平台，其中该接地电路包括一接地引脚，其具有一引脚主体 与一套管，其中该套管是可透气的，且该流体通道提供于透气的该套管内。
10.根据权利要求7所述的平台，其中该流体通道为一沟槽的形式。
11.根据权利要求6所述的平台，其中该接地电路包括一接地引脚，其具有一引脚主体 与一套管，其中该流体通道为一沟槽的形式，且该沟槽提供于该套管内。
12.根据权利要求11所述的平台，其中该沟槽在一方向中延伸。
13.根据权利要求11所述的平台，其中该沟槽为一螺旋状沟槽。
14.一种接地引脚，用以将基材连接于地面，包括 一引脚主体；以及一套管，支撑该引脚主体，该套管包括一流体通道，以传输流体。
15.根据权利要求14所述的接地引脚，其中该流体通道为一沟槽的形式，配置于该套 管的一外表面与一内表面的至少其中之一表面上。
16.根据权利要求14所述的接地引脚，其中该流体通道为一介层窗的形式，配置于该 套管的一外表面与一内表面之间。
17.根据权利要求15所述的接地引脚，其中该沟槽为一螺旋状沟槽。
18.—种在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，包括 装载该基材于一平台上；引进流体至一流体区域，该流体区域邻近于该基材与该平台的平台主体； 维持该流体区域于一第一压力值；以及维持该平台主体所定义出的一第一凹槽于第二压力值，该第二压力值实质上相等于该 第一压力值。
19.根据权利要求18所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，还包括 提供一流体通道，其中该流体区域通过该流体通道使流体流通于该第一凹槽。
20.根据权利要求19所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，其中该流体 区域通过该平台主体而与该第一凹槽隔开，且其中该流体通道提供于该平台主体内。
21.根据权利要求19所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，还包括 一接地引脚，用以连接该基材至地面，其中该流体通道提供于该接地引脚内。
22.根据权利要求21所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，其中该接地 引脚还包括一引脚主体与一套管，其中该流体通道提供于该套管内。
23.根据权利要求22所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，其中该流体 通道为一沟槽的形式，配置于该套管的外表面上。
24.根据权利要求23所述的在正被处理的基材上使粒子污染减少的方法，其中该沟槽 为一螺旋状沟槽。
全文摘要
本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一介层窗定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。
文档编号H01L21/683GK102119439SQ200980131177
公开日2011年7月6日 申请日期2009年6月19日 优先权日2008年6月20日
发明者亚瑟·P·瑞福, 大卫·苏若恩, 岱尔·K·史东, 爱德华·D·梅克英特许, 茂雄·S·大城 申请人:瓦里安半导体设备公司