专利名称：具有横向构造的带介质镜的发光二极管的制作方法
具有横向构造的带介质镜的发光二极管
背景技术：
本发明涉及发光二极管。发光二极管(LED)是一类这样的光子半导体器件，其通过在适当的半导体材料中激发电子空穴复合事件而将施加的电压转换为光。然后，在复合事件中释放的一些能量或全部能量产生光子。当复合事件产生光子时，它们在所有的方向上发射光子。发光二极管与其他半导体固态器件具有相同的一些良好特征。这些良好特征包括耐用物理特征、长寿命、高可靠性、以及取决于特殊材料的低成本。这些物理特征和相对低的功率需求使LED可期望作为光输出器件。LED的一般理论和操作在本领域中是众所周知的。关于发光二极管的结构和操作的适当参考资料包括S.M. SZE, PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES(半导体器件物理)(1981 年第二版)和 E. FRED SCHUBERT,LIGHT-EMITTING DIODES (发光二极管)(2OO3)。氮化镓(GaN)基LED典型地包括绝缘或半导体衬底，例如碳化硅(SiC)或蓝宝石，多层GaN基外延层沉积于其上。这些外延层形成具有p_n结的有源区域(active region),当通电时,该区域发出光。LED能够安装在衬底侧下的子底座(submount)或引线框架上,或者安装在这两者上。可替换地，倒装芯片LED安装在引线框架上，而衬底侧面向上；8卩，衬底侧不面向子底座。倒装芯片安装的LED常常包含竖直几何形状。术语“竖直(vertical) ”不需要描述整个器件的最终位置，而是描述器件中的方向，在该方向上用于引导电流通过器件及其p-n结的电接触被定位成在器件中彼此相对(轴向上)。因而，在典型的形式中，竖直器件包括导电衬底；金属接触，其在衬底的一面上；两层或更多层外延层，其在衬底的相对一面上，从而形成P-n发光结；以及顶部接触，其在顶部外延层上，从而提供通过各层及其结和通过衬底至衬底接触的电流路径。很多LED使用反射层来提高其外部光输出。这些反射层典型地被定位成使光子朝着期望的发光表面改变方向，并且远离任何光子吸收材料。反射层典型地由金属制成，例如Ag或Al。金属性反射层具有反射任何角度和偏振的光的优点，但是具有比其他反射器更高的光学损失。也已使用介质镜作为反射器，例如分布布拉格反射器(DBR)。DBR具有低光学损失和高反射率，但是具有这样的缺点，即只有效反射在接近垂直于DBR的方向上照射的光。已通过使用由TiO2和SiO2交替层组成的全方向反射器(ODR)例证了一种较好的介质镜。C. H. Lim 等人，Enhancement of INGaN-GaN Indium-Tin-0xideFlip-Chip Light-Emitting Diodes With TiO2-SiO2 Multilayer Stack OmnidirectionalReflector,18IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 2050(2006)；也见 H. W. Huang 等人，High Performance GaN-Based Vertical-Injection Light-Emitting Diodes WithTiO2-SiO2 Omnidirectional Reflector and n-GaN Roughness,19IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS 565 (2007)。与DBR相比，ODR具有更好的反射率，因为ODR反射任何入射角和偏振的光。当金属性反射层被包含在竖直倒装芯片的LED中时，金属性反射层也能够包括另外的金属层，从而用于将P层连接至导电衬底。建立该电连接典型地要求高温处理。当介质反射层(例如DBR)被包含进竖直倒装芯片的LED中时，由于介质反射层电绝缘，所以必须通过其他手段来将P层连接至导电衬底。现有器件通过在介质层中产生通孔并以一种或更多种金属填充这些孔作为导电接触而形成该连接。虽然这些通孔提供期望的电流路径，但是它们趋于吸收光并且减小周围介质反射层的反射优点。因而，这些通孔可能限制使用介质反射器的益处，并且可能降低包含该镜和通孔的LED的整体外部量子效率。因此，对于具有介质反射层的LED有这样一种需求，避免或最小化这种光吸收结构的使用。
发明内容
一方面，本发明为一种发光二极管，其包括有源结构、有源结构上的第一欧姆接触、以及有源结构上与第一欧姆接触相对的透明导电氧化物层。透明导电氧化物层具有比有源结构更大的覆盖区(footprint)。发光二极管进一步包括在透明导电氧化物层上与有、源结构相对的介质镜。第二接触被定位于透明导电氧化物层上、与介质镜相对，并且与有源结构分离。另一方面，本发明涉及一种发光二极管，其包括具有第一导电类型的第一第III族氮化物外延层。第二第III族氮化物外延层具有与第一层相反的导电类型，并且与第一层形成p-n结。发光二极管进一步包括透明导电氧化物层，其邻接第二第111族氮化物层并且与第一第III族氮化物层相对。透明导电氧化物层帮助电流越过P-n结扩散。发光二极管还包括用于增加二极管的外部量子效率的介质镜，其邻接透明导电氧化物层并与第III族氮化物层相对。另外，发光二极管包括至第一层的欧姆接触和至透明导电氧化物层的接触，其提供透明导电氧化物层和欧姆接触之间并且通过第III族氮化物层从而产生输出的电流流动。另一方面，本发明是这样一种方法，其形成具有增强的光提取的发光二极管。本方法包括以下步骤在发光二极管结构的P类型外延层上形成透明导电氧化物层，该发光二极管结构也至少包括邻接P类型层的n类型层；将介质反射器与p类型层相对的增加至透明导电氧化物层；利用蚀刻(etch)将n类型层和p类型层蚀刻成台面(mesa)，所述蚀刻将去除n类型和p类型层的材料，但是不蚀刻透明导电氧化物材料；向n类型层增加n类型的欧姆接触；以及向透明导电氧化物层增加欧姆接触，用于连接至P类型层。
图I是示出本发明第一实施例的横截面示意图。图2是示出本发明第二实施例的横截面示意图。图3是示出图2中示出的本发明实施例的分解透视图。图4是示出图2和图3中示出的本发明实施例的顶部平面图。图5-11是示出本发明的方法步骤的横截面示意图。
具体实施例方式总体来说，本发明为具有提高的光输出效率的发光二极管。该二极管设计简化了制造工艺并帮助降低成本。在附图中示出本发明的许多方面。为了描述的目的，在第III族氮化物和碳化硅方面描述LED结构，但是适当时能够包含其他材料。第III族氮化物、碳化硅以及其他材料在发光二极管中的使用在本领域总体上已被公认，因此将不另外详细描述。如本领域的技术人员所熟悉的，当在一层或更多层半导体材料内发生复合事件时，LED的有源区域产生光子。在其中发生这种情况的最简单结构是p-n结。这样的p-n结能够包括本发明中描述的LED结构的有源区域(或有源层)。然而，将理解的是，该有源区域能够包括更复杂的结构，例如单一量子阱、多量子阱和超点阵结构。因而，虽然在此大多数讨论和附图都根据简单P-n结阐述，将理解的是，除了简单p-n结，本发明能够包含复杂结构及其变体。如在本领域中众所周知的，在这样的更复杂结构中，有源层(或多层)通常定位在P和n类型外延层之间。在典型实施例中，该有源层是多量子阱。作为例子，这样的量子阱通常包括氮化镓(GaN)和氮化铟镓((InGaN)的2至25周期(period)交替层。在其中的很多层中，讲中的GaN和InGaN层不主动掺杂(proactive doping)生长。结果,各层(虽 然称为“无掺杂”)从本质上讲为n类型。图I是根据本发明的一个LED实施例的示意性横截面图，其由10大致标示。分别以11和12不出n层和p层。n层11和p层12结合组成LED 10的p_n结(有源区域)，在应用正向电流时其产生光子。n层11和p层12从至少一层或典型地多层第III族氮化物中形成。面向外部的层(图中为n层11)可具有光增强特性，例如用于提高LED 10的光输出效率的织构化或透镜状表面。透明导电氧化物(TCO)层13在p接触16和p层12之间产生电连接。具体地，该TCO层13横过n层11和p层12下面的所有(或基本所有)区域延伸。TCO层13用于将电流更有效地扩散到这些层，并且因而更有效地横过P-n结(或其等价物)，因而产生外部效率明显增加的结果。在典型实施例中，透明导电氧化物层13由氧化铟锡形成。可替换地，透明导电氧化物层13可由其他适当的透明导电氧化物形成，例如掺氟氧化锡、掺铝氧化锌和氧化锌锡。p接触16定位在透明导电氧化物层13上，以便p接触16与由n层11和p层12形成的有源结构物理分离。欧姆接触15提供与n层11的电连接。p接触16和欧姆接触15可由以下金属形成，例如钼、镍、金、钛、铬、铝和银，包括这些金属的合金以及两种或两种以上这些金属的层。在操作中，电流流过P接触16、透明导电氧化物层13、有源层11和12以及欧姆接触15之间。介质镜14定位于TCO层13上，相对有源层11和12，用于增加二极管10的外部量子效率。使用镜14，从而通过使光子转向离开光吸收材料(例如承载衬底(carriersubstrate) 18)而提高LED的光输出。根据定义，介质镜14电绝缘,其意味着没有来自承载衬底18的电流能够穿过介质镜14到达p层12。在本实施例中，介质镜14由SiO2和TiO2的交替层形成。虽然描述三层19、20和21，但是介质镜14可由任何数量的SiO2和TiO2的交替层形成。每层SiO2层都具有大约70至SOnm之间的厚度。在典型实施例中，每层TiO2层都具有大约50至60nm之间的厚度(基于波长)。可替换地，介质镜14可为分布布拉格反射器或其他任何类型的介质反射器，只要其不干扰LED 10的结构或操作。
在例示性实施例中，使用包括介质材料和金属层的混合全方向反射器。与全布拉格反射器相比，混合设计使用更少介质层，并且更兼容全方向光源。由于该混合结构包括介质层，其保持关于器件的竖直轴线的绝缘。因此，在此使用的术语介质镜包括这样的混合结构。在一个例子中，混合ODR形成有第一层大约590nm厚的二氧化娃(SiO2);第一层大约55nm厚的二氧化钛(TiO2);第二层大约IOOnm厚的二氧化娃(SiO2);第二层大约75nm厚的二氧化钛(TiO2);以及大约200nm厚的反射金属层，例如银(Ag)或铝(Al)。在第二个例子中，混合ODR可为具有反射金属层(例如银或铝)的大约0.5 的单一 SiO2层。其用于具有比SiO2指数更高的材料(例如GaN)尤其有效。如这些尺寸指出的，这样的混合设计能够包括以不同反射器周期(即，重复结构)的不同厚度层。传统的分布布拉格反射器(DBR)通常具有这样的周期，其中所有的层具有相同的厚度。介质层使特定的波长折射，而金属层反射大多数(并且在很多情形下为全部)可见波长。分布布拉格反射器(也称为布拉格镜)的性质和操作在本领域中通常为众所周知的。反射器是两种不同光学材料的交替次序层，通常使用的设计是四分之一波长镜，其中每 个光学层的厚度对应于设计该镜所反射的波长的四分之一。在示出实施例中，使用二氧化硅和二氧化钛的交替层来形成该镜。LED 10包括承载衬底18，在示出实施例中其通过粘合材料17附接至镜14。因为LED的接触15和16在横向方向布置，所以承载衬底18能够由导电或电绝缘材料形成。例如，承载衬底可由以下材料形成，SiC、蓝宝石、娃、或金属。此外,接触15和16的横向构造避免对于通孔的这样一种需求，即通过介质镜14构造通孔，从而将承载衬底18电连接至由n层11和p层12形成的LED 10的有源区域。缺乏通孔降低LED 10中光子吸收材料的量，使介质镜14能够比存在通孔时反射更多光，并且提高器件的外部量子效率。粘合材料17可为任何适合将LED 10粘合至承载衬底18的材料。例示性材料包括胶和金属。作为LED横向构造的另外的益处，在承载衬底18和LED 10之间不再需要导电金属粘合剂，其消除对高温处理的需求。图2、3和4示出本发明的第二实施例。图2是根据本发明的LED第二实施例的示意性横截面图，其大体由30标示。图3是LED 30的分解图，而图4描述LED 30的顶部平面图。适当时,使用相同的参考数字标示图2、3和4中的相同元件。将理解的是，图3的分解图实际上是示意图，而示出元件的精确式样可与图中示出的基本矩形形状不同。LED 30具有由n层31和p层32形成的有源区域。欧姆接触35提供与n层31的电连接。如图3和图4中所描述，欧姆接触35可如格栅的形状形成，其提供横过和通过n层31的提高的电流扩散。接触35的格栅形状是优选的，以便简单地增大n-欧姆接触垫，因为用于形成这些接触的金属反射朝向承载衬底的光子并且吸收其他光子；这两种因素都降低外部量子效率。本发明的格栅设计通过避免该损失同时仍提供提高的电流扩散，来提高外部量子效率。透明导电氧化物层33在p接触36和p层32之间产生电连接，并且如上所述增强电流扩散。 在图2、3和4示出的实施例中，二极管30也包括数字42所示的另外的电流扩散格栅。如图所示，格栅42定位在有源(外延)层之下，并在布拉格反射器34之上。在示出实施例中，格栅42在透明导电氧化物层33的底部侧上；即与p层32和n层31的位置相对。可替换地，格栅42能够在p层32上或TCO层33上；即在TCO层相对布拉格镜34的一侧上。在典型实施例中，格栅42为反射性的，并且由任何适当的金属形成，只要其导电良好，并且另外兼容器件的其他元件的结构和功能。为了降低格栅42干扰二极管30的外部量子效率的程度，所以格栅的大多数部分(并且在有些情况下为全部)与P接触36或与n-欧姆接触35或与其两者在几何上叠合(congruent)。介质镜34由SiO2和TiO2的多个交替层(例如39、40和42)形成，并且起与上述相同的作用。
光学反射金属终止层(metal terminating layer) 43邻接介质镜34,并且与透明导电氧化物层33相对。反射金属终止层33也改变光子远离光子吸收材料(例如承载衬底38)的方向。当计划使用二极管发出白光时，反射金属终止层是有利的，因为金属将比孤立的分布布拉格反射器34反射更广范围的波长。换句话说，分布布拉格反射器34比金属镜反射特定波长或窄范围波长更好，并且其为该目的而被包括在此。然而，对于更宽范围的波长，布拉格镜的特异性帮助较少，并且因而反射金属终止层43提供反射很多可见光波长(并且在大多数情况下反射所有可见光波长)的能力。因而，当(例如)LED是白色发光灯的部分时，反射金属终止层43提高除被布拉格镜34反射之外的频率的外部量子效率。反射金属层38可为Ag、Al或任何另外的适当金属形成的一层或更多层金属。在示出实施例中，LED 30通过粘合材料37附接至承载衬底38。在其他实施例中，并且如本领域中众所周知的，该衬底可为生长衬底(growth substrate), 二极管30的示出层以适当的制造步骤增加在其上。然而，因为外延层31和32不直接接触衬底38，而是(至少)由布拉格镜34和反射金属层43分离，所以在本发明的上下文中，生长衬底较不相关。因而，衬底支持外延层生长的能力在本二极管设计的上下文中相比其他二极管设计较不相关，在后者中衬底的晶体结构必须兼容外延层的结构。结果，因为二极管的最终结构不需要包括生长衬底，能够为了其他有利原因而选择衬底38，例如成本、制造简单、热优点、或任何其他适当的根据。在很多情况下导热衬底有利，因为其帮助降低二极管的运行温度，这进而常常帮助增加其有效寿命。图5至图11示出本发明的方法方面。将理解的是，图5-11为示意性和例示性的，而不是限制该方法的步骤。适当时，图5-11中的参考数字对应于图3中的参考数字。因此，图5示出一种二极管前体(precursor)，即使这些图中每一幅都示出另外的特征，但为了方便，贯穿图5-11，该二极管前体都将使用参考数字30。碳化硅衬底51为以下元件提供生长表面，即n类型外延层31、有源层52、以及p类型外延层32。将理解的是，二极管30能够包括这样一种结构，其简单为p-n结，而不包括任何进一步的有源层。然而，在例示性二极管中，一层或更多有源层(例如52示出的层)为典型的。本领域的技术人员将很好理解的是，有源层52典型地包括多量子阱，其具有氮化镓和氮化铟镓的2至25周期的交替层。在生长步骤期间，在这些周期层中不执行主动掺杂，并且因而虽然这些层的特征是非掺杂的，其本质上典型地为n类型。将理解的是，在此描述的本发明能够具有这样一种结构，其简单至基本的P-n结，复杂至多量子阱的25 (或更多)周期、或其他不同复杂性的结构。本领域中很好理解氮化镓、氮化铟镓以及其他相关的第III族氮化物材料在碳化硅生长衬底上的生长，并且在此不再进一步详细描述。图6示出了该过程中的下一步骤，其中透明导电氧化物(TCO)层33增加在p类型层32上。如上所述，透明导电氧化物层33典型地由氧化铟锡(ITO)或相关的透明氧化物形成。图7示出该过程中的两个进一步步骤，即粗线42所示的电流扩散格栅的增加，以及之后的介质反射器(也称为全方向反射器或“0DR”)34的增加。格栅42和介质反射器
34能够具有上述及图3中示出的相同形式。图8示出该过程中的下一步骤，其中子底座结构增加在反射器34上。如上所述及关于图3所示，该子底座能够包括一层或更多适当的材料层，并且因此具有参考数字37、38和43指示各层。能够使用另外的金属、粘合剂或(取决于材料)热和压力而方便地将子底座粘结至反射器34。图9示出该过程中的下一步骤，其中移除生长衬底51，并且二极管30倒装，以便子底座37、38、43起结构衬底的作用。图10示出在下一步骤中，蚀刻二极管30从而形成台面，其包括n类型层31、有源层52、和p类型层32。在本发明的方法中，选择透明导电氧化物层33和蚀刻技术以相互补充，从而透明导电氧化物层33起蚀刻停止的作用。因而，蚀刻将去除n类型和p类型层中的材料，但是将高度选择性地到达TCO材料。这特别适当，因为对于用于蚀刻氮化镓和相关的第III族氮化物的湿化学蚀刻(例如氢氧化钾)和干蚀刻(例如卤素基蚀刻，典型地为氯基)两者，氧化铟锡和其他适当的透明导电氧化物层都为适合的蚀刻停止。图11示出最后两个步骤执行后的二极管30的结构，即增加n-欧姆接触35和P-欧姆接触36。这些接触典型地在单独的步骤中增加，虽然这是传统技术的结果而不是对于本方法本身的任何限制。如果适当的金属能够在单一步骤中沉积，n-欧姆接触35和P-欧姆接触36两者能够在单一步骤或紧接的组合步骤中增加。通过在制造过程期间增加欧姆接触，本方法消除了对于金属/导电粘结剂的需求。图11也示出这样的情况，在优选实施例中，二极管30包括延伸进p类型层32中的降低导电率区域53。这样的降低导电率区域的制造和设计在例如美国专利申请公开No. 20080217635中详细描述。简要描述，降低导电率区域53在制造期间生产。优选地，该区域的几何形状总体上(或特定的)与n-欧姆接触35和电流扩散格栅42的相关部分两者相叠合。降低导电率区域53的存在促进更多电流流过p类型层32的其他部分。当然，欧姆接触35典型地将阻滞二极管产生的一些光。降低导电率区域53的几何形状和接触35几何形状的匹配促进更多的电流流过p类型层32的这样的部分，即不被欧姆接触35光学阻滞的部分。结果，p类型层32的剩余部分发出更多的光，其中降低导电率区域的净损失量小或者没有。这帮助增加二级管30的外部效率(在本领域中这是很好理解的，P类型层将典型地具有比n类型层更低的导电率)。
二极管30的外部表面还能够包括光提取和增强特性。在附图和说明书中，已阐述本发明的优选实施例，并且虽然使用了特定的术语，但是它们只用于一般的和描 述性的意义而非限制性目的，本发明的范围由权利要求限定。
权利要求
1.一种发光二极管，包括 有源结构； 第一欧姆接触，在所述有源结构上； 透明导电氧化物层，在所述有源结构上与所述第一欧姆接触相对，所述透明导电氧化物层具有比所述有源结构更大的覆盖区； 介质镜，在所述透明导电氧化物层上与所述有源结构相对；以及第二接触，所述第二接触被定位在所述透明导电氧化物层上与所述介质镜相对，并且与所述有源结构分离。
2.根据权利要求I所述的发光二极管，进一步包括在所述介质镜上与所述透明导电氧化物层相对的反射金属层。
3.根据权利要求I所述的发光二极管，进一步包括位于所述透明导电氧化物层和所述 介质镜之间的电流扩散格栅。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中 所述第一欧姆接触包括格栅；并且 所述电流扩散格栅与所述第一欧姆接触的一些部分并且与所述第二接触的一些部分堂口 o
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述电流扩散格栅包括由钛、金、锌、铟、镍、和铍组成的组中的至少一种金属。
6.根据权利要求I所述的发光二极管，其中，所述有源结构包括由第III族氮化物材料体系形成的多个外延层。
7.根据权利要求I所述的发光二极管，其中，所述透明导电氧化物层由铟锡氧化物形成。
8.根据权利要求I所述的发光二极管，其中，所述介质镜由TiO2和SiO2的交替层形成。
9.根据权利要求I所述的发光二极管，进一步包括在所述有源结构的至少一些部分上的透镜状表面。
10.根据权利要求I所述的发光二极管，其中 所述有源结构包括第一第III族氮化物外延层和第二第III族氮化物外延层，所述第一第III族氮化物外延层具有第一导电类型，所述第二第III族氮化物外延层邻接所述第一第III族氮化物层并且具有与所述第一层相反的导电类型，用于与所述第一层形成p-n结；并且 其中，所述透明导电氧化物层邻接所述第二第III族氮化物层并且与所述第一第III族氮化物层相对；并且 其中，所述介质镜邻接所述透明导电氧化物层并且与所述第III族氮化物层相对。
11.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，TiO2层具有大约50nm至60nm之间的厚度，并且其中，SiO2层具有大约70nm至80nm之间的厚度。
12.根据权利要求10所述的发光二极管，进一步包括位于所述外延层和所述介质镜之间的电流扩散格栅。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中 针对所述第一第III族氮化物层的所述欧姆接触包括格栅；并且所述电流扩散格栅与所述欧姆的针对所述第一第III族氮化物层的一些部分以及与所述接触的针对所述透明导电氧化物层的一些部分叠合。
14.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，所述电流扩散格栅由一种或更多种金属形成。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述电流扩散格栅包括由钛、金、锌、铟、镍和铍组成的组中的至少一种金属。
16.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，所述电流扩散格栅被定位于所述透明导电氧化物层和所述介质镜之间。
17.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，所述电流扩散格栅被定位在所述第二第III族氮化物外延层上。
18.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，所述透明导电氧化物层由掺杂氟的氧化锡形成。
19.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，所述透明导电氧化物层由掺杂铝的氧化锌形成。
20.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，所述透明导电氧化物层由锌锡氧化物形成。
21.根据权利要求10所述的发光二极管，包括从由SiC、蓝宝石、硅、和金属组成的组中选择的承载衬底。
22.根据权利要求10所述的发光二极管，包括电绝缘的承载衬底。
23.根据权利要求2所述的发光二极管，进一步包括以粘结材料粘结至所述反射金属层的承载衬底。
24.根据权利要求23所述的发光二极管，其中，所述粘结材料从由金属和胶组成的组中选择。
25.根据权利要求23所述的发光二极管，其中，所述承载衬底从由SiC、蓝宝石、硅、和金属组成的组中选择。
26.根据权利要求23所述的发光二极管，其中，所述承载衬底是电绝缘的。
27.一种形成具有增强的光提取的发光二极管的方法，所述方法包括 在发光二极管结构的P类型外延层上形成透明导电氧化物层，所述发光二极管结构也至少包括邻接P类型层的n类型层； 向所述透明导电氧化物增加与所述P类型层相对的介质反射器； 利用蚀刻将所述n类型层和p类型层蚀刻成台面，所述蚀刻将去除n类型和p类型层材料，但是不蚀刻所述透明导电氧化物材料； 向所述n类型层增加n类型欧姆接触；以及 向所述透明导电氧化物层增加欧姆接触，用于连接至所述P类型层。
28.根据权利要求27所述的方法，包括在形成所述TCO层步骤之后和增加介质反射层之前形成电流扩散格栅。
29.根据权利要求27所述的方法，包括 在所述P类型层中产生降低导电率区域；以及 向所述n类型层增加具有与所述降低导电率区域的几何形状叠合的几何形状的欧姆接触。
30.根据权利要求29所述的方法，包括在向所述p类型层增加所述透明导电氧化物之前形成所述降低导电率区域。
31.根据权利要求27所述的方法，在将所述n类型层和p类型层蚀刻成台面的步骤之前，进一步包括以下步骤 在生长衬底上生长n类型层和p类型层； 将所述介质反射器层粘结至承载衬底；以及 去除所述生长衬底以暴露所述n类型外延层。
32.根据权利要求31所述的方法，包括在碳化硅生长衬底上生长第III族氮化物的n类型层和P类型层。
33.根据权利要求32所述的方法，进一步包括在n类型和p类型第III族氮化物层之间生长至少一层未掺杂的第III族氮化物层。
全文摘要
在此公开一种发光二极管(10)，其包括有源结构(11，12)、该有源结构上的第一欧姆接触(15)、以及该有源结构上与第一欧姆接触相对的透明导电氧化物层(13)。透明导电氧化物层(13)具有比所述有源结构(11，12)更大的覆盖区。介质镜(14)被定位于该透明导电氧化物层(13)上，与所述有源结构(11，12)相对，并且第二接触(16)被定位于透明导电氧化物层(13)上，与介质镜(14)相对并且从该有源结构(11，12)分离。
文档编号H01L33/42GK102742038SQ200980149205
公开日2012年10月17日 申请日期2009年12月7日 优先权日2008年12月8日
发明者约翰·埃德蒙, 詹姆斯·伊贝斯顿, 郦挺, 马修·多诺弗里奥 申请人:克利公司