专利名称：紫外线照射装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在对粘贴于半导体晶圆表面上的紫外线固化型的保护带进行剥离处 理之前，通过对保护带照射紫外线来降低其粘接力的紫外线照射装置。
背景技术：
作为对半导体晶圆(以下，仅称为“晶圆”)进行薄型加工的方法，使用磨削、研磨 等机械方法或利用了蚀刻的化学方法等。采用这些方法对晶圆的背面进行加工来减薄晶圆 的厚度。此外，在利用这些方法对晶圆进行加工时，为了保护形成有布线图案的晶圆表面， 在晶圆表面上粘贴保护带。粘贴有保护带的进行了研磨处理的晶圆被借助支承用粘接带从 背面粘接保持在环形框上。之后，从被保持在环形框上的晶圆表面剥离保护带。作为剥离该保护带的方法，公知有在保护带表面粘贴粘接力较强的剥离带，剥离 该剥离带。其结果，剥离带被与保护带一体地从晶圆表面剥离(参照日本国特开平5-63077 号公报)。此外，作为保护带，使用紫外线固化型的保护带。在剥离该保护带前照射紫外线， 保护带的粘接力被减弱。作为照射该紫外线的装置，将带有保护带的晶圆吸附保持在能沿 着导轨往返移动的吸附台上，在使该吸附台往返移动期间从配置在上方的紫外线照射装置 对保护台照射紫外线。该紫外线照射装置通过纵横排列多个紫外线发光二极管(以下，适 当称为“二极管”)而构成(日本国特开2006-40944号公报)。可是，在上述以往装置中具有如下那样的问题。S卩，因为上述的紫外线照射装置必须使吸附台在导轨上往返移动，所以存在设置 面积增大这样的问题。此外，为了对在导轨上呈直线(inline)移动的晶圆整体的照度为恒定，需要达到 超出晶圆的直径的范围地纵横地排列多个二极管。因此，也存在装置大型化且重量变重这 样的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够使装置小型化、能够组装入以往的保护带剥离装 置地廉价地构成的紫外线照射装置。本发明为了达到上述目的，而采用如下那样的构成。一种紫外线照射装置，是用于对粘贴在半导体晶圆表面上的紫外线固化型的保护 带照射紫外线的紫外线照射装置，上述装置包括保持台，其用于载置保持已粘贴有上述保护带的半导体晶圆；驱动机构，其用于驱动上述保持台旋转；，多个紫外线发光二极管，它们至少沿上述半导体晶圆的半径方向排列；在一边使载置保持了带有上述保护带的半导体晶圆的保持台旋转一边从紫外线 发光二极管朝向保护带表面照射紫外线时，使该保护带的紫外线的照射区域的累计光量为恒定。采用本发明的紫外线照射装置，至少沿着晶圆的半径方向排列多个二极管。例如， 配置1列二极管，使保持台旋转，能够使粘贴在晶圆表面上的保护带整体上的紫外线的累 计光量为恒定。即，无需使保持台沿着导轨往返移动。此外，无需超出晶圆的直径的范围地 纵横配置多个二极管。因此，能够使装置构成小型化。另外，在使保持台旋转的情况下，随着从中心朝向外方去周向速度变快。因此，在 上述构成中，为了使保护带整个面上的紫外线的累计光量为恒定，优选像以下那样构成。例如，控制供给电压，使得随着朝向半导体晶圆的外方去，来自二极管的紫外线的 强度变强。此外，随着朝向半导体晶圆的外方去，从保护带表面到二极管的高度变低。采用该 构成，与晶圆的中心相比高度较低、从二极管到保护带表面的距离较短的外方部分的紫外 线的照度变高。即，紫外线强度也增强。另外，设定二极管的高度的情况下，还优选包括以下结构。S卩，包括传感器，其用于测量多个发光二极管的照度；升降驱动机构，其用于改变每个上述发光二极管的高度；高度控制部，其基于上述传感器的检测结果，使升降驱动机构动作来调节各发光 二极管的高度，以使得保护带表面的每单位面积的累计光量为恒定。采用该构成，基于由传感器测量的照度，更高精度地调节保护带表面的每单位面 积的紫外线的累计光量。因此，与紫外线照射时的环境变化无关，能够始终以稳定的状态对保护带照射紫 外线。此外，作为使保护带整个面的紫外线的累计光量为恒定的构成，也可以构成为随 着朝向半导体晶圆的外方去，二极管的排列间隔变窄。采用该构成，随着朝向晶圆的外周去二极管的排列间隔变窄，来自相邻的二极管 的紫外线的光斑形状变成互相叠合。所以，即使是在周向速度高于中心侧的外周侧，每单位 面积的紫外线的强度也高于中心侧。其结果，能够使保护带的整个面上的累计光量为恒定。此外，作为其他的构成，也可以包括能够分别控制多个上述二极管间歇点亮的点 亮控制部，随着向上述半导体晶圆的外方去，二极管的点亮时间变长。此外，在上述各构成中，也可以包括形成有从半导体晶圆的中心朝向外方扩展的 扇形的狭缝的遮光板，经由上述遮光板的狭缝，从二极管朝向保护带表面照射紫外线。采用该构成，使呈放射状扩散的紫外线通过遮光板的狭缝，能够对保护带仅照射 强度较高的部分。所以，能使保护带整个面的紫外线的累计光量更加均勻。此外，作为其他的构成，也可以包括随着朝向半导体晶圆的外方去紫外线的透射 率提高的滤光片，经由滤光片，从二极管朝向保护带表面照射紫外线。在该构成中，也能使保护带整个面的紫外线的累计光量更加均勻。而且，在上述各构成中，优选包括用于对上述保护带的周缘部进行照射的辅助用 紫外线发光二极管。在将保护带粘贴在晶圆上的情况下，有时紫外线固化型的粘接剂从晶圆的周缘部 溢出。在使用以往装置使该粘接剂固化的情况下，为了去除作为妨碍固化的主要原因的氧，而在腔室内吹扫氮并照射紫外线。可是，可以判断，通过对粘接剂直接照射强度较高的紫外 线，不用吹扫氮也能够使粘接剂固化。因此，采用该构成，能够对晶圆边缘部分照射强度高于对保护带整个面照射的紫 外线的强度的紫外线。即，能够使所有的粘接剂大致同等程度地固化从而降低其粘接力。所 以，在后工序中的保护带剥离处理时，能消除因晶圆边缘部分的粘接剂未固化而产生的破 损、残留在晶圆边缘的粘接剂的残渣。
为了说明发明，图示了认为现在较佳的几个方式，但是希望被理解为不限定于图 示的发明那样的构成和方法。图1是表示半导体晶圆固定装置的整体的立体图。
图2是紫外线照射装置的主视图。
图3是紫外线照射装置的俯视图。
图4是表示紫外线的照度变化和累计光量的图。
图5是表示剥离机构的动作的立体图。
图6是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图7是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图8是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图9是通过遮光板的狭缝照射紫外线时的示意图。
图10是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图11是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图12是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
图13是表示紫外线照射装置的另一实施例的二极管的排列的俯视图
图14是是表示紫外线照射装置的另一实施例的主视图。
具体实施例方式以下，参照
具有本发明的紫外线照射装置的半导体晶圆固定装置的实施 例。图1是表示本发明的一实施例的半导体晶圆固定装置的整体构成的局部剖切立 体图。该晶圆固定装置1包括晶圆供给部2，其用于装填分多层收纳已实施了背面研磨 处理后的半导体晶圆W(以下，仅称为“晶圆”)的盒Cl ；晶圆输送机构3，其具有机器人手 臂4和按压机构5 ；对准台7，其用于对晶圆W进行对位；紫外线照射装置9，其用于朝向被 载置在对准台7上的晶圆W照射紫外线；卡盘台15，其用于吸附保持晶圆W;环形框供给部 16，其中分多层收纳环形框f;环形框输送机构17，其用于将环形框f移载到作为切割用带 的粘接带DT上；带处理部18，其用于从环形框f的背面粘贴粘接带DT ；环形框升降机构26， 其使粘贴有粘接带DT的环形框f升降移动；固定框制作部27，其用于将晶圆W贴合在粘贴 有粘接带DT的环形框f上而制作成一体化了的固定框MF ；第1固定框输送机构29，其用于 输送制作成的固定框MF ；剥离机构30，其用于剥离被粘贴在晶圆W表面上的保护带PT ；第2固定框输送机构35，其用于输送被剥离机构30剥离了保护带PT后的固定框MF ；转台36， 其用于进行固定框MF的方向转换以及输送该固定框MF;固定框回收部37，其分多层收纳固 定框MF。在晶圆供给部2上设有未图示的盒台。在该盒台中载置有盒C，该盒C中分多层收 纳有在图案面(以下，适当称为“表面”)上粘贴有保护带PT的晶圆W。此时，晶圆W保持 图案面朝上的水平姿势。晶圆输送机构3构成为在未图示的驱动机构的作用下进行旋转和升降移动。艮口， 晶圆输送机构3对后述的机器人手臂4的晶圆保持部、按压机构5所具有的按压板6进行 位置调整。晶圆输送机构3还用于将晶圆W从盒C输送到对准台7。晶圆输送机构3的机器人手臂4在其前端具有未图示的呈马蹄铁形的晶圆保持 部。此外，机器人手臂4构成为使晶圆保持部能在分多层收纳于盒C中的晶圆W彼此间的 间隙中进退。另外，在机器人手臂4的前端的晶圆保持部上设有吸附孔，从背面真空吸附并 保持晶圆W。晶圆输送机构3的按压机构5在其前端具有与晶圆W大致相同形状的圆形的按压 板6。臂部分构成为能以使该按压板6移动到被载置于对准台7上的晶圆W上方的方式进退。在将晶圆W载置在后述的对准台7的保持台8上时，在产生吸附不良的情况下按 压机构5进行动作。具体而言，晶圆W产生翘曲而无法吸附保持晶圆W时，按压板6按压晶 圆W的表面，矫正翘曲而使晶圆W成为平面状态。在该状态下，保持台8从背面真空吸附晶 圆W。对准台7基于设于晶圆W周缘的定位平面、槽口等对所载置的晶圆W进行对位。此 外，在对准台7上设有覆盖晶圆W的整个背面地进行真空吸附的保持台8和使保持台8旋 转的电动机M。对准台7能够在载置晶圆W并对晶圆W进行对位的初始位置和卡盘台15与环形 框升降机构26的中间位置之间以吸附保持晶圆W的状态输送移动该晶圆W，该卡盘台15分 多层配置在后述的带处理部18的上方。即，对准台7矫正晶圆W的翘曲，保持该晶圆W的 平面状态地将其输送到下一工序。紫外线照射装置9配置在处于初始位置的对准台7的上方。紫外线照射装置9朝 向被粘贴在晶圆W表面上的作为紫外线固化型的粘接带的保护带PT照射紫外线。S卩，利用 紫外线的照射使保护带PT的粘接剂固化，使其粘接力降低。紫外线照射装置9的构造表示 在图2和图3中。S卩，紫外线照射装置9包括紫外线照射单元12，其沿着从对准台7中心侧的基部 向外方延伸的支承板隔有规定间隔地以一维阵列状配置多个紫外线发光二极管11 (以下， 仅称为“二极管11”)而构成；照度传感器14，其能移动到与紫外线照射单元12相对的下 方的位置来测量紫外线的照度。紫外线照射单元12的各二极管11具有功率放大器13。该功率放大器13基于由 照度传感器14测量出的测量结果变更为由控制装置56的运算处理部57算出的输出电压。 即，调节各二极管11的输出电压，使得累计光量如图4所示地在保护带PT的整个表面上为 恒定，该累计光量根据从保持台8的转速求得的晶圆半径方向上的紫外线照射位置的周向速度和各照射部位的紫外线强度求得。照度传感器14既可以将各照度传感器连续地排列或等间隔排列地构成，也可以 由线型传感器构成。为了使该照度传感器14的紫外线受光部位于到达晶圆中心的位置，将 该照度传感器14安装于能在稍微偏离中心的图中靠右的位置升降和旋转的轴心Z上。艮口， 照度传感器14在对准台7的保持台8为了接收晶圆W并对晶圆W进行对位而旋转时的晶 圆表面的高度位置、且在与紫外线照射单元12相对的位置测量紫外线的照度。返回到图1，卡盘台15为了能够覆盖晶圆W的表面地真空吸附晶圆W而呈与晶圆 W大致相同形状的圆形。此外，卡盘台15能从带处理部18上方的待机位置到将晶圆W贴合 到环形框f上的位置进行升降移动。即，卡盘台15吸附保持利用保持台8矫正翘曲而被保 持为平面状态的晶圆W。此外，卡盘台15能收纳在环形框升降机构26的开口部中，该环形框升降机构26 用于吸附保持从背面粘贴有后述的粘接带DT的环形框f，使晶圆W下降到环形框f的中央 的接近粘接带DT的位置。此时，卡盘台15和环形框升降机构26由未图示的保持机构保持。环形框供给部16是底部设有滑轮的小型手推车状的构件。此外，环形框供给部16 被装填在装置主体内。而且，环形框供给部16的上部开口，使分多层收纳于其内部的环形 框f滑动上升而送出环形框f。环形框输送机构17从上侧1张1张地依次真空吸附被收纳在环形框供给部16中 的环形框f，将环形框f依次输送到未图示的对准台和粘贴粘接带DT的位置。此外，在粘贴 粘接带DT时，环形框输送机构17也作为在粘接带DT的粘贴位置保持环形框f的保持机构 发挥作用。带处理部18包括带供给部19，其用于供给粘接带DT ；拉伸机构20，其用于对粘 接带DT施加张力；粘贴单元21，其用于将粘接带DT粘贴到环形框f上；切割机构24，其用 于将粘贴在环形框f上的粘接带DT切断；剥离单元23，其用于将由切割机构24切断后无 用的带从环形框f剥离；带回收部25，其用于回收切断后不需要的残留带。拉伸机构20从宽度方向的两端夹持粘接带DT，在带宽度方向上施加张力。S卩，若 使用柔软的粘接带DT，则由于沿带供给方向施加的张力，在粘接带DT表面沿着该供给方向 会产生褶皱。为了避免该褶皱而将粘接带DT均勻地粘贴到环形框f上，从带宽度方向侧施 加张力。粘贴单元21被配置在被保持在粘接带DT上方的环形框f的斜下方(在图1为左 斜下方)的待机位置。在该粘贴单元21上设有粘贴辊22。利用环形框输送机构17将环形 框f输送到粘接带DT的粘贴位置并对其进行保持，在从带供给部19开始供给粘接带DT的 同时，粘贴辊22移动到带供给方向右侧的粘贴开始位置。到达了粘贴开始位置的粘贴辊22上升，从粘贴开始位置向待机位置方向滚动，一 边按压粘接带DT —边将该粘接带DT粘贴到环形框f上。剥离单元23用于将由切割机构24切断的粘接带DT的无用的部分从环形框f剥 离。具体而言，在向环形框f粘贴粘接带DT和切断该粘接带DT结束时，解除由拉伸机构20 对粘接带DT的保持。接着，剥离单元23在环形框f上朝向带供给部19侧移动，剥离切断 后无用的粘接带DT。切割机构24配置在粘接带DT的载置有环形框f的下方。在利用粘贴单元21将粘接带DT粘贴到环形框f上时，解除由拉伸机构20对粘接带DT的保持，该切割机构24上 升。上升了的切割机构24沿着环形框f切断粘接带DT。环形框升降机构26配置于将粘接带DT粘贴到环形框f上的位置的上方的待机位 置。该环形框升降机构26在将粘接带DT粘贴到环形框f上的处理结束后下降，并吸附保 持环形框f。此时，保持着环形框f的环形框输送机构17返回环形框供给部16上方的初始位置。此外，环形框升降机构26在吸附保持着环形框f时，向与晶圆W的贴合位置上升。 此时，吸附保持着晶圆W的卡盘台15也下降到晶圆W的贴合位置。固定框制作部27具有周面能弹性变形的粘贴辊28。粘贴辊28 —边按压粘贴在环 形框f背面上的粘接带DT的非粘接面一边滚动。第1固定框输送机构29真空吸附由环形框f和晶圆W—体形成的固定框MF，并将 该固定框MF移载到剥离机构30。剥离机构30包括未图示的剥离台，其用于载置晶圆W并使晶圆W移动；带供给部 31，其用于供给剥离带Ts ；剥离单元32，其用于粘贴和剥离剥离带Ts ；带回收部34，其用于 回收被剥离了的剥离带Ts和保护带PT ；等。如图5所示，带供给部31将从原料辊导出的剥离带Ts引导到剥离单元32的下端 部。此外，带回收部34将从剥离单元32送出的剥离带Ts向上方引导而卷绕回收。剥离单元32包括刀状构件41，其作为剥离带Ts的粘贴构件和剥离构件，顶端锐 利；输送引导辊42，其用于将在刀状构件41的顶端部折回的剥离带Ts朝向带回收部34引导。返回到图1，第2固定框输送机构35用于真空吸附从剥离机构30取出的固定框 MF，并将其移载到转台36上。转台36构成为对固定框MF进行对位和将该固定框MF收纳到固定框回收部37中。 即，在利用第2固定框输送机构35将固定框MF载置在转台36上之后，基于晶圆W的定位 平面、环形框f的定位形状等进行对位。此外，为了改变将固定框MF收纳于固定框回收部 37中的方向，使转台36旋转。另外，在确定了收纳方向后，转台36利用未图示的推进器推 出固定框MF，而将固定框MF收纳于固定框回收部37中。固定框回收部37被载置在未图示的能够升降的载置台上。通过该载置台的升降 移动，能够将由推进器推出的固定框MF收纳在固定框回收部37的任意的层中。接着，关于上述的实施例装置，说明一个循环的动作。首先，将半导体晶圆固定装置1的各驱动机构的设定条件经由操作面板等设定输 入到控制装置56中。例如，在本实施例的情况下，输入保护带PT的种类等。在输入该种类 时，从控制装置56内的储存装置等读出预先在存储装置中被数据库化的对应的所照射的 紫外线的累计光量。此外，同时使驱动机构动作而使照度传感器14移动到测量位置。移动结束时，一边使保持台8旋转一边使紫外线照射单元12动作来进行初始测 量。将由与各二极管11相对的位置的照度传感器14测量的测量结果送到控制装置56。控 制装置56的运算处理部57根据预先决定的保持台8的转速求出与在半径方向上排列的二 极管11相对的位置的周向速度。接着，求出各个二极管11的功率放大器13的能使保护带 PT的紫外线的各照射位置的累计光量恒定、且能以最短时间使保护带PT的粘接剂固化的输出电压。另外，测量结束后的照度传感器14返回到偏离测量区域的上方的待机位置。在确定紫外线照射条件后，使机器人手臂4动作，将晶圆保持部插入到盒C的间隙 中。晶圆W被从下方吸附保持地1张1张地取出。被取出的晶圆W被输送到对准台7。利用机器人手臂4将晶圆W载置到保持台8上，并从背面进行吸附保持。此时，利 用未图示的压力计检测晶圆W的吸附程度，将其与正常动作时的压力值相关联地预先确定 的基准值相比较。在检测到吸附异常的情况下，利用按压板6从表面按压晶圆W，晶圆W在被矫正了 翘曲后的平面状态下被吸附保持。此外，基于定位平面、槽口对晶圆W进行对位。此时，在检测晶圆W的定位平面、槽口时的保持台8的旋转动作时，从具有分别能 改变输出的二极管11的紫外线照射单元12朝向保护带PT照射紫外线。即，虽然保护带PT 的各紫外线照射部位的照射强度不同，但在整个照射区域上紫外线的累计光量恒定，粘接 剂的粘接力均勻地降低。在紫外线照射以及在对准台7上进行对位结束后，晶圆W以被吸附保持在保持台 8上的状态连同对准台7—起向下一个固定框制作部27输送。即，对准台7移动到卡盘台 15和环形框升降机构26的中间位置。对准台7在规定的位置待机时，位于上方的卡盘台15下降，卡盘台15的底面与晶 圆W抵接，开始真空吸附。在卡盘台15开始真空吸附时，保持台8侧的吸附保持被解除。因 此，在保持台8上矫正翘曲并被保持为平面状态的晶圆W被交接到卡盘台15上。交接了晶 圆W的对准台7返回到初始位置。接着，利用环形框输送机构17从上方1张1张地真空吸附被分多层收纳在环形框 供给部16中的环形框f而取出环形框f。被取出的环形框f在未图示的对准台上进行了对 位后，被输送到粘接带DT上方的粘接带粘贴位置。在环形框f由环形框输送机构17保持而处于粘接带DT的粘贴位置时，从带供给 部19开始供给粘接带DT。同时，粘贴辊22移动到粘贴开始位置。在粘贴辊22到达粘贴开始位置时，拉伸机构20保持粘接带DT的宽度方向的两 端，在带宽度方向上施加张力。接着，粘贴辊22上升，将粘接带DT按压并粘贴在环形框f的端部上。之后，粘贴 辊22朝向位于待机位置的带供给部19侧滚动。此时，粘贴辊22 —边从非粘接面按压粘接 带DT —边滚动，将粘接带DT粘贴到环形框f上。粘贴辊22到达粘贴位置的终端时，解除 由拉伸机构20对粘接带DT的保持。同时，切割机构24上升，沿着环形框f切断粘接带DT。粘接带DT的切断结束时， 剥离单元23朝向带供给部19侧移动，剥离无用的粘接带DT。接着，带供给部19动作，陆续放出粘接带DT，并且，被切断的无用部分的带被向带 回收部25送出。此时，粘贴辊22为了将粘接带DT粘贴到下一个环形框f上而移动到粘贴 开始位置。粘贴有粘接带DT的环形框f由环形框升降机构26吸附保持框部地向上方移动。 此时，卡盘台15也下降。S卩，卡盘台15和环形框升降机构26彼此移动到贴合晶圆W的位置。各机构15、26到达规定位置时，分别由未图示的保持机构保持。接着，粘贴辊28移动到粘接带DT的粘贴开始位置，一边按压粘贴在环形框f底面上的粘接带DT的非粘接 面一边滚动，将粘接带DT粘贴到晶圆W上。其结果，制作成环形框f和晶圆W —体化了的 固定框MF。在制作成固定框MF时，卡盘台15和环形框升降机构26移动到上方。此时，未图 示的保持台移动到固定框MF的下方，将固定框MF载置在该保持台上。利用第1固定框输 送机构29吸附保持被载置的固定框MF，并将其移载到剥离台上。载置有固定框MF的剥离台朝向剥离单元32的下方前进移动。在该过程中，用光 传感器检测保护带PT的前端缘，控制脉冲电动机的动作，使得剥离台从检测位置前进移动 以下的距离，上述距离为从由脉冲电动机控制的预先判断此时的剥离台的位置的光传感器 到刀状构件41的顶端位置的距离。在此，剥离台的前进移动暂时停止。即，保护带PT的前 端缘到达刀状构件41的顶端的正下方位置时，前进移动自动地暂时停止。剥离台的前进移动暂时停止时，控制脉冲电动机的动作，使可动组件下降，刀状构 件41在绕挂有从带供给部31供给来的剥离带Ts的状态下下降。即，用刀状构件41的顶 端以规定的按压力将剥离带Ts按压并粘贴在保护带PT的前端上表面上。向保护带PT的前端粘贴保护带PT结束后，在用刀状构件41将剥离带Ts按压在 保护带PT上的状态下，剥离台再次开始前进移动，并且，以与该移动速度同步的速度向带 回收部34卷绕剥离带Ts。由此，刀状构件41将剥离带Ts按压并粘贴在晶圆W表面的保 护带PT上。与此同时，一边剥离粘贴了的剥离带Ts—边将保护带PT与该粘贴了的剥离带 Ts与一起从晶圆W表面剥离。控制脉冲电动机的动作，使得刀状构件41从下降动作的剥离带粘贴开始位置前 进相当于晶圆直径的距离。即，在刀状构件41到达保护带PT的后端缘，保护带PT被完全 从晶圆表面剥离的时刻，控制刀状构件41使其上升，之后，剥离单元32恢复到初始状态。利用剥离台将保护带PT的剥离处理结束后的固定框MF移动到第2固定框输送机 构35的待机位置。然后，利用第2固定框输送机构35将被从剥离机构30取出的固定框MF移载到转 台36上。利用定位平面、槽口对被移载来的固定框MF进行对位，并且调节收纳方向。对位 和确定了收纳方向后，利用推进器推出固定框MF，而将固定框MF收纳于固定框回收部37 中。如上所述，通过将二极管11从晶圆W中心侧朝向外方呈一维阵列状排列，随着朝 向晶圆W的外方去，各二极管11的输出电压提高，并且，根据与周向速度的关系调节各二极 管11的输出电压，能够使保护带PT的紫外线照射的整个面上的累计光量为恒定。因此， 能够消除因在剥离保护带PT时粘接剂的固化不均而产生的残留在晶圆表面的粘接剂的残渣。此外，无需将二极管11呈纵横的2维阵列状地配置为超过晶圆W的直径的范围， 并且，因为使保持台8只在规定的位置旋转即可，所以能够使装置小型化。本发明不限于上述实施方式，能像以下那样变形实施。(1)在上述实施例中，在使半导体晶圆固定装置1动作之前，利用照度传感器14 调节各二极管11的输出，但是也可以在对适当的处理张数或者全部的晶圆W对准前测量照 度，调节各二极管11的输出电压。
(2)在上述实施例装置中，一体地构成紫外线照射单元12和照度传感器14，但是 也可以是分离的构成。(3)在上述实施例装置中，使从保护带PT表面到各二极管11的高度为恒定，且通 过调节输出电压使紫外线的累计光量为恒定，但是也可以像以下那样构成。使各二极管11 的输出为恒定，且调节从保护带PT表面到二极管的高度。例如，随着向晶圆W的外方去周向速度变快。所以，为了得到与中心侧相同的紫外 线的累计光量，如图6所示，随着向晶圆W的外方去，使从保护带PT到二极管11的高度变 低。此外，作为另一实施例，如图7所示，能利用驱动器60调节各二极管11的高度。在 该构成的情况下，使照度传感器14移动到测量位置，使各二极管的输出为恒定地照射紫外 线。此时，求出能够获得下述照度的各二极管11的高度，上述照度是根据保持台8的旋转 和紫外线的强度求得的累计光量在整个照射区域上恒定的照度。基于其结果，操纵各驱动 器60，使各二极管11移动到规定的高度。采用该构成也能够得到和上述实施例相同的效果。(4)在上述各实施例中，也可以如图8和图9所示地在紫外线照射单元12和晶圆 W之间配置形成有从晶圆W的中心朝向外方扩展的扇形的狭缝61的遮光板62。采用该构成，利用在旋转周向速度较慢的中心侧开口面积较窄的狭缝缩小紫外线 的光斑SP的直径。另一方面，因为在速度快的晶圆W的外方开口面积较大，所以能够在保 护带PT的紫外线照射的整个区域上使累计光量为恒定。(5)如图10所示，也可以在紫外线照射单元12和保持台8之间配置随着向晶圆W 的外方去而紫外线的透射率提高的滤光片63。例如，既可以只配置滤光片63，也可以是在 上述实施例的遮光板62的狭缝61局部上具有滤光片63的构成。(6)如图11所示，也可以利用时间控制器64调节各二极管11的功率放大器13的 开-关切换的时间，使保护带PT的整个区域的累计光量为恒定。即，调节成与旋转周向速 度较慢的中心侧相比，随着向晶圆W的外方去，二极管11的点亮时间变长。(7)也可以构成为将二极管11配置成随着从晶圆W的中心朝向外方去其排列间隔 缩窄。即，如图12所示，在旋转周向速度快的外方，通过缩窄二极管11的排列间隔，使呈放 射状扩展的紫外线的光斑形状叠合而增加紫外线的强度。此外，也可以构成为各二极管11能借助与每个二极管11连结的驱动器或各自的 驱动机构等沿着引导件、沿半径方向移动。采用该构成，能任意改变二极管彼此间的间隔， 并且在晶圆W的尺寸改变了的情况下也有效地发挥作用。(8)在上述各实施例装置中，以将二极管11排列成一维阵列状而构成的紫外线照 射单元12为例进行了说明，但是也可以像以下那样构成。即，在上述各实施例中，也可以如 图13所示地以扇形排列二极管11而构成紫外线照射单元12。(9)在上述各实施例装置中，只在晶圆W的上方配置二极管11，但也可以像以下那 样构成。即，如图14所示，也可以是配置从晶圆W的边缘方向照射紫外线的二极管Ila的 构成。例如，也可以构成为，在将晶圆W连同对准台7 —起收纳在腔室内，一边吹扫氮一边 照射紫外线的情况下，以与位于晶圆W最外周侧的二极管11大致相同的输出，从二极管Ila 朝向晶圆边缘照射紫外线。
在不吹扫氮而紫外线照射单元12以大气开放状态照射紫外线的情况下，因为大 气中的氧妨碍粘接剂的固化，所以调节为使光强度高于晶圆W表面地照射紫外线。采用该构成，使所有的粘接剂均勻地固化，能降低其粘接力。所以，在后工序的保 护带剥离处理时，能够消除因晶圆边缘部分的粘接剂未固化而产生的破损、残留在晶圆边 缘的粘接剂的残渣。本发明在不脱离其思想或本质的前提下能够以其他的具体方式来实施，所以，作 为发明的范围，并不是以上的说明，而应该参照权利要求书。
权利要求
一种紫外线照射装置，是用于对粘贴在半导体晶圆表面上的紫外线固化型的保护带照射紫外线的紫外线照射装置，上述装置包括保持台，其用于载置保持已粘贴有上述保护带的半导体晶圆；驱动机构，其用于驱动上述保持台旋转；，多个紫外线发光二极管，它们至少沿上述半导体晶圆的半径方向排列；在一边使载置保持了带有上述保护带的半导体晶圆的保持台旋转一边从紫外线发光二极管朝向保护带表面照射紫外线时，使该保护带的紫外线的照射区域的累计光量为恒定。
2.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，控制供给电压，以使得随着朝向上述半导体晶圆的外方去，来自紫外线发光二极管的 紫外线的强度变强。
3.根据权利要求2所述的紫外线照射装置，上述装置还包括 放大器，其用于增强对上述紫外线发光二极管的供给电压，控制部，其用于控制上述放大器。
4.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，随着朝向上述半导体晶圆的外方去，从保护带表面到紫外线发光二极管的高度变低。
5.根据权利要求4所述的紫外线照射装置，上述装置还包括 传感器，其用于测量多个上述紫外线发光二极管的照度；升降驱动机构，其用于改变每个上述紫外线发光二极管的高度； 高度控制部，其基于上述传感器的检测结果，使升降驱动机构动作来调节各紫外线发 光二极管的高度，以使得保护带表面的每单位面积的累计光量为恒定。
6.根据权利要求5所述的紫外线照射装置，上述装置还包括驱动机构，其用于使传感器在上述紫外线发光二极管的紫外线照射位置和非照射位置 之间移动。
7.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，随着朝向上述半导体晶圆的外方去，紫外线发光二极管的排列间隔缩窄。
8.根据权利要求7所述的紫外线照射装置，上述装置还包括 驱动机构，其使多个上述紫外线发光二极管各自水平移动；控制部，其通过控制上述驱动机构来调节紫外线发光二极管的排列间隔。
9.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，上述装置还包括点亮控制部，其控制各紫外线发光二极管的间歇点亮时间，以使得随着向上述半导体 晶圆的外方去，紫外线发光二极管的点亮时间变长。
10.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，上述装置还包括遮光板，其介于上述半导体晶圆和紫外线发光二极管之间，形成有从半导体晶圆的中 心朝向外方扩展的扇形的狭缝。
11.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，上述装置还包括滤光片，其介于上述半导体晶圆和紫外线发光二极管之间，随着朝向半导体晶圆的外 方去，紫外线的透射率变高。
12.根据权利要求1所述的紫外线照射装置，上述装置还包括 辅助用紫外线发光二极管，其用于照射上述保护带的周缘部。
全文摘要
本发明涉及一种紫外线照射装置。在对载置保持在保持台上的带有保护带的晶圆表面照射紫外线之前，使照度传感器移动到与呈阵列状地配置有多个紫外线发光二极管的紫外线照射单元相对的测量位置，测量相当于保护带表面的位置的照度，调节各二极管的输出，使得根据该测量结果和保持台的转速求得的各二极管的紫外线照射位置的累计光量为恒定。
文档编号H01L21/00GK101901745SQ20101018703
公开日2010年12月1日 申请日期2010年5月26日 优先权日2009年5月26日
发明者入江胜, 山本雅之 申请人:日东电工株式会社