专利名称：半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件氧化物腐蚀表面处理的新工艺，特别涉及一种半导体 器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。
背景技术：
湿化代理物是半导体器件生产过程中，为保证晶片表面氧化物或金属腐蚀前使用 的化学品，其作用是对待腐蚀的表面进行活化处理，使整个表面在腐蚀的过程中腐蚀速率 保持一致，从而避免出现局部腐蚀不干净或过腐蚀的现象，进而保证产品的均勻性和成品 率。目前，半导体器件氧化物腐蚀前使用化学品作为湿化代理物，此方法使用化学品成本 高，还需要配置腐蚀液，操作复杂。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的缺点，提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去 离子水作为湿化代理物的方法。为解决上述的技术问题，本发明采用如下的技术方案，该方案包括以下步骤a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中M 35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2 5下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。本发明的有益效果本发明采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去 离子水的德工艺要求，降低了生产成本低，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀 的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐 蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均勻性。
具体实施例方式实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中沈秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例2:a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中27秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中观秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中四秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中30秒；c)将氧化物腐蚀片出提去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中31秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中32秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动5下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中33秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动4下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中34秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动3下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。实施例1 :a)将去离子水搅拌为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后上下抖动2下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻 的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
以上所述的仅是本发明的优选实例。应当指出对于本领域的普通技术人员来说， 在本实用新型所提供的技术启示下，作为本领域的公知常识，还可以做出其它等同变型和 改进，也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求
1.一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法，其特征在于该方法 包括以下步骤a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24 35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2 5下，使氧化物腐蚀片表层附着均勻的一 层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
2.根据权利要求1所述一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方 法，其特征在于所述将氧化物腐蚀片放入去离子水中优选为观 32秒。
3.根据权利要求1所述一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方 法，其特征在于所述提氧化物腐蚀片出去离子水后抖动方向为上下抖动。
全文摘要
本发明提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒，将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀，该方法采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。
文档编号H01L21/02GK102110590SQ201010211708
公开日2011年6月29日 申请日期2010年6月26日 优先权日2010年6月26日
发明者张晓情, 徐谦刚, 李 昊, 王林, 王武汉, 王雪梅, 蒲耀川 申请人:天水天光半导体有限责任公司