专利名称：有机发光二极管显示器的制作方法
技术领域：
描述的技术总体涉及一种有机发光二极管显示器，更具体地说，涉及一种具有差 异覆盖层的有机发光二极管。
背景技术：
有机发光二极管(OLED)显示器是使用有机发光二极管来显示图像的自发射显示 装置。有机发光二极管显示器与液晶显示器(LCD)的不同之处在于，有机发光二极管显示 器不需要单独的光源，并具有相对小的厚度和重量。此外，因为有机发光二极管显示器包括 高品质特性，例如低功耗、高亮度和短响应时间，所以有机发光二极管显示器作为用于便携 式电子器件的下一代显示装置而受到关注。有机发光二极管通常包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机发射层。 利用有机发光二极管，来自阳极的空穴和来自阴极的电子在有机发射层内复合，从而形成 作为电子-空穴对的激子，当激子返回至基态时，产生能量，由此发光。有机发光二极管的阳极和阴极分别形成有反射电极和半透明电极中的一者。有机 发光二极管具有这样的光学特性，从而对于发射的光的相应波长，在特定的厚度处发生最 大相长干涉。然而，所有有机发光二极管对于各个色彩像素具有相同的厚度，而反射电极和半 透明电极在光学相长干涉方面彼此存在差异。因此，不能指望对于全部色彩实现期望的色 再现性和光学效率。在该背景技术部分中公开的以上信息仅仅为了加深对所描述的技术的背景的理 解，因此，它会包含不构成在本国对于本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。
发明内容
已经做出所描述的技术以提供具有提高光学效率和色彩再现性的优点的有机发光二极管显示器。示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包 括基底主体；多个有机发光二极管，形成在所述基底主体上；差异覆盖层，覆盖所述多个 有机发光二极管，所述差异覆盖层具有不同的厚度。所述差异覆盖层包括厚度为90nm至 120nm的第一区域和厚度比所述第一区域的厚度小的第二区域。根据本发明的另一实施例，从所述多个有机发光二极管发射的光可以具有两种或 更多种色彩。根据本发明的另一实施例，所述差异覆盖层可以形成在所述多个有机发光二极管 上，使得所述差异覆盖层对于从有机发光二极管发射的光的各个色彩在厚度方面存在差异。 根据本发明的另一实施例，从有机发光二极管发射的光的波长越大，形成在该有 机发光二极管上的差异覆盖层的厚度越大。
根据本发明的另一实施例，所述多个有机发光二极管可以包括发射基于红色的光 的第一有机发光二极管、发射基于绿色的光的第二有机发光二极管和发射基于蓝色的光的 第三有机发光二极管。根据本发明的另一实施例，所述差异覆盖层可以包括形成在所述第一有机发光二 极管上的第一覆盖层、形成在所述第二有机发光二极管上的第二覆盖层和形成在所述第三 有机发光二极管上的第三覆盖层。根据本发明的另一实施例，所述差异覆盖层的第一区域对应于所述第一覆盖层， 而所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第二覆盖层和所述第三覆盖层。根据本发明的另一实施例，所述第二覆盖层和所述第三覆盖层可以具有60nm至 IOOnm的相同厚度。根据本发明的另一实施例，所述第三覆盖层可以比所述第二覆盖层薄。根据本发明的另一实施例，所述第二覆盖层的厚度可以为70nm至lOOnm，而所述 第三覆盖层的厚度可以为60nm至90nm。根据本发明的另一实施例，所述差异覆盖层的第一区域可以对应于所述第一覆盖 层和所述第二覆盖层，而所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第三覆盖层。根据本发明的另一实施例，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层可以具有相同的厚 度，而所述第三覆盖层的厚度为60nm至90nm。根据本发明的另一实施例，第一至第三覆盖层均可以由相同的材料形成。
根据本发明的另一实施例，第一至第三覆盖层中的至少一个可以由与其它覆盖层 的材料不同的材料形成。根据本发明的另一实施例，所述差异覆盖层可以使用从Si02、SiNx, SiON, ZnO2, TiO2, ZrO2, Alq3、CuPc, CBP, a_NPB、ITO、IZO和中选择的至少一种有机或无机材料形 成。根据本发明的另一实施例，所述有机发光二极管可以包括第一电极、形成在所述 第一电极上的有机发射层和形成在所述有机发射层上的第二电极，而所述差异覆盖层形成 在所述第二电极上。根据本发明的另一实施例，所述第一电极可包括反射层，而所述第二电极包括半 透明层。根据本发明的另一实施例，包封基底可以位于所述差异覆盖层上，并与所述差异 覆盖层以间距隔开，使得所述包封基底和所述基底主体以密封方式彼此组装。根据本发明的另一实施例，空气层可以形成在所述包封基底和所述差异覆盖层之 间。另一示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示 器包括主基底；发射不同色彩的光的多个有机发光二极管，形成在所述主基底上；具有不 同厚度的差异覆盖层，形成在所述多个有机发光二极管上，所述差异覆盖层的不同厚度对 应于发射的光的色彩。再一示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示 器包括主基底；多个有机发光二极管，形成在所述主基底上；差异覆盖层，形成在所述多 个有机发光二极管上，其中，形成在所述多个有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度与由所述多个有机发光二极管中的每个有机发光二极管发射的光的波长对应。根据本发明的另一实施例，所述有机发光二极管显示器可以具有提高的光学效率 和色彩再现性。本发明的附加方面和/或优点将部分地在下面的说明书中进行说明，并部分地根 据说明书将是明显的，或者可以由本发明的实施而明了。
通过结合附图的实施例的以下描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得 明显和更易于理解，在附图中图1是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；图2是在图1中示出的有机发光二极管显示器的放大布局图；图3是沿图2的III-III线截取的有机发光二极管显示器的剖视图；图4是根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；图5是根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；图6是根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；图7至图9是示出根据示例的有机发光二极管显示器的色彩的光学效率的曲线 图。
具体实施例方式现在将详细描述本发明的示例性实施例，本发明的示例示出在附图中，其中，相同 的标号始终表示相同的元件。下面将通过参照附图来描述实施例，以解释本发明。此外，对于其它示例性实施例，通过对相同的构成元件使用相同的标号参照相关 附图为第一示例性实施例中的构成元件给出了详细描述，而在其它示例性实施例中，仅描 述了与涉及第一示例性实施例的构成元件不同的构成元件。为了清楚地描述本发明的方面，省略了与描述无关的部分，在整个说明书中，相同 的标号表示相同的元件。此外，因为为了解释方便起见，任意地示出了在附图中示出的相应结构组件的尺 寸和厚度，所以本发明的方面不必局限于所示出的。在附图中，为了清楚和解释方便起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理 解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在 另一元件上，或者也可以存在中间元件。现在将参照图1描述根据示例性实施例的有机发光二极管显示器。如图1所示， 有机发光二极管显示器101包括显示基底110和以密封方式组装到显示基底110的包封基 底 210。显示基底110包括基底主体111、驱动电路DC、多个有机发光二极管70和差异覆 盖层410。基底主体111可以使用基于玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘基底形成。然而，基底 主体111不限于此，并可以使用基于不锈钢或其它金属的金属基底形成。此外，将基底主体 111分为彼此以间距隔开的多个像素区域和位于多个像素区域外围处的非像素区域。
驱动电路DC形成在基底主体111上。驱动电路DC包括薄膜晶体管10和20 (在 图2中示出)，并驱动有机发光二极管70。S卩，有机发光二极管70根据从驱动电路DC传输 的驱动信号来发光，从而显示图像。驱动电路DC的具体结构示出在图2和图3中，但驱动电路DC不限于在图2和图 3中示出的结构。驱动电路DC的结构可以以不同方式修改，只要这些修改可以由本领域技 术人员容易地做出。多个有机发光二极管70分别形成在多个像素区域处，从而根据从驱动电路DC传 输的驱动信号来发光。有机发光二极管70包括作为阳极的第一电极710、作为阴极的第二 电极730以及设置在第一电极710和第二电极730之间的有机发射层720。然而，有机发光 二极管70的结构不限于此。即，第一电极710可以用作阴极，而第二电极730可以用作阳极。第一电极710、有机发射层720和第二电极730顺序地沉积在像素区域处的基底主 体111上。第一电极710形成有反射层，第二电极730形成有半透明层。因此，有机发射层 720产生的光在穿过第二电极730的同时发射到外部。即，有机发光二极管显示器101具有 前部发射结构。反射层和半透明层通过使用镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、 铝(Al)和它们的合金中的至少一种来形成。反射层和半透明层的反射率根据其厚度来确 定。半透明层通常具有200nm或更小的厚度。半透明层的厚度越小，透光率越大，而半透明 层的厚度越大，其透光率越小。此外，第一电极710还可以包括透明导电层。即，第一电极710可以是具有反射 层和透明导电层的多层结构。透明导电层可以通过使用诸如氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌 (IZO)、氧化锌(SiO)和氧化铟αη2ο3)的材料来形成。透明导电层具有相对高的逸出功，并 设置在反射层和有机发射层720之间。此外，第一电极710可以是具有顺序地沉积的透明 导电层、反射层和透明导电层的三层结构。此外，有机发射层720还可以是具有发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层 (HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一些或全部层的多层结构。当有机发射 层720包括全部的层时，空穴注入层(HIL)设置在作为阳极的第一电极710上，并顺序地被 重叠有空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。此外，当需要时， 有机发射层720可以包括其它层。多个有机发光二极管70各自发射两种色彩的光或更多种色彩的光中的任何一 种。对于示出的示例性实施例，多个有机发光二极管70包括发射基于红色的光的第一有机 发光二极管71、发射基于绿色的光的第二有机发光二极管72和发射基于蓝色的光的第三 有机发光二极管73。然而，示出的示例性实施例不必限于此。即，有机发光二极管70可以 发射不同色彩的光。图1的虚线箭头表示光的行进方向，参考字母R、G和B表示从有机发光二极管70 发射的光的色彩的英文首字母。即，R表示红光，G表示绿光，B表示蓝光。此外，示例性实施例的有机发光二极管70不限于上述结构。可以修改有机发光二 极管70的结构，只要本领域技术人员容易做出这些修改。
差异覆盖层410形成在有机发光二极管70的第二电极730上，从而差异覆盖层 410覆盖多个有机发光二极管70。差异覆盖层410基本上具有保护有机发光二极管70的 作用，并同时用于使有机发光二极管70产生的光有效地发射到外部。此外，差异覆盖层410具有不同的厚度，从而差异覆盖层410具有厚度tll、tl2和 tl3。即，差异覆盖层410具有对于从多个有机发光二极管70发射的各个色彩的光而不同 的厚度til、tl2和tl3。差异覆盖层410包括形成在第一有机发光二极管71上的第一覆 盖层411、形成在第二有机发光二极管72上的第二覆盖层412和形成在第三有机发光二极 管73上的第三覆盖层413。第一覆盖层411具有最大的厚度tll，第三覆盖层413具有最 小的厚度tl3。第二覆盖层412的厚度tl2小于第一覆盖层411的厚度tll，但大于第三覆 盖层413的厚度tl3。具体而言，第一覆盖层411的厚度tll为90nm至120nm。第二覆盖层412的厚度 为tl2为70nm至lOOnm。第三覆盖层413的厚度tl3为60nm至90nm。即，从有机发光二 极管70发射的光的波长越大，形成在相关的有机发光二极管70上差异覆盖层410越厚。第一覆盖层411、第二覆盖层412和第三覆盖层413均由相同的材料形成。差异覆 盖层 410 使用 SiO2, SiNx, SiON, ZnO2, TiO2, ZrO2, Alq3、CuPc, CBP、a_NPB、ITO、IZO 和 ZiO2 中的至少一种有机或无机材料形成。如上所述，有机发光二极管显示器101包括形成在有机发光二极管70上的差异覆 盖层410，从而可以根据从有机发光二极管70发射的光的相应波长引发最大相长干涉。当 第一覆盖层411、第二覆盖层412和第三覆盖层413偏离预定的厚度tll、tl2和tl3时，从 第一有机发光二极管71、第二有机发光二极管72和第三有机发光二极管73发射的光的相 长干涉被削弱，由此使有机发光二极管显示器101的总体光学特性劣化。即，第一覆盖层 411、第二覆盖层412和第三覆盖层413具有最佳的厚度tll、tl2和tl3，从而对于相关的 有机发光二极管70引发最大光学干涉校正。因此，有机发光二极管显示器101可以通过差异覆盖层410使相应色彩的光学效 率最大化。此外，因为对于相应的色彩使得光学效率最大化，所以改善了有机发光二极管显 示器101的总体色彩再现性。显示基底110还包括像素限定层190。像素限定层190具有暴露有机发光二极管 70的第一电极710的开口。S卩，像素限定层190与基底主体111的非像素区域对应，像素限 定层190的开口与基底主体111的像素区域对应。包封基底210以密封的方式组装到显示基底110，从而保护有机发光二极管70和 驱动电路DC。具体而言，密封剂(未示出)沿包封基底210的边缘形成，由此将基底主体 111和包封基底210彼此密封。包封基底210可以使用基于玻璃、石英、陶瓷或塑料的透明 绝缘基底形成。包封基底210位于有机发光二极管70上方，同时与有机发光二极管70以一定间 距隔开。空气层300形成在差异覆盖层410和包封基底210之间。利用上述结构，有机发光二极管显示器101具有有效改善的光学效率和色彩再现 性。现在将参照图2和图3详细描述有机发光二极管显示器101的内部结构。图2是 基于显示基底Iio的像素结构的布局图，图3是沿图2的III-III线截取的显示基底110和包封基底210的剖视图。图2和图3示出了具有2Tr-lCap结构的有源矩阵(AM)有机发光二极管显示器 101，其中，2Tr-lCap结构在每个像素处具有两个薄膜晶体管(TFT) 10和20以及一个电容器 80，但示例性实施例不限于此。即，有机发光二极管显示器101可以在每个像素处具有三个 或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器以及带有单独布线的各种其它结构。这里，像 素是指最小图像显示单元，并设置在每个像素区域处。有机发光二极管显示器101通过多 个像素显示图像。如图2和图3所示，显示基底110包括形成在每个像素处的开关薄膜晶体管10、驱 动薄膜晶体管20、电容器80和有机发光二极管70。这里，驱动电路DC是指具有开关薄膜 晶体管10、驱动薄膜晶体管20和电容器80的结构。显示基底110还包括沿一个方向布置 的栅极线151以及以绝缘方式与栅极线151交叉的数据线171和共电源线172。一个像素由作为边界的栅极线151及数据线171和共电源线172限定，但不限于 此。有机发光二极管70包括第一电极710、形成在第一电极710上的有机发射层720 和形成在有机发射层720上的第二电极730。来自第一电极710和第二电极730的空穴和 电子注入到有机发射层720中。当作为复合的空穴和电子的激子从激发态降至基态时，发 生光发射。电容器80具有由层间绝缘层160隔开的一对电容器板158和178。这里，层间绝 缘层160用作电介质。电容由在电容器80处充入的电荷及电容器板158和178的电压来确定。开关薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开 关漏电极174。驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176 和驱动漏电极177。开关薄膜晶体管10作为用于选择将被激发的像素的开关。开关栅电极152连接 到栅极线151。开关源电极173连接到数据线171。开关漏电极174与开关源电极173以 间距隔开，并连接到一个电容器板158。驱动薄膜晶体管20将用于驱动选定像素内的有机发光二极管70的有机发射层 720的功率施加到像素电极710。驱动栅电极155连接到电容器板158，电容器板158与开 关漏电极174连接。驱动源电极176和其它电容器板178各自连接到共电源线172。驱动 漏电极177通过接触孔连接到有机发光二极管70的像素电极710。利用以上结构，开关薄膜晶体管10通过施加到栅极线151的栅极电压来操作，并 将施加到数据线171的数据电压传输到驱动薄膜晶体管20。与从共电源线172施加到驱动 薄膜晶体管20的共电压和从开关薄膜晶体管10传输的数据电压的差值对应的电压存储在 电容器80处，与存储在电容器80处的电压对应的电流通过驱动薄膜晶体管20流到有机发 光二极管70，从而有机发光二极管70发光。有机发光二极管70产生的光在穿过差异覆盖层410的同时发射到外部。差异覆 盖层410具有差异结构，从而能够对于光的各个波长引发最大相长干涉。因此，有机发光二 极管显示器101可以有效地提高光学效率和色彩再现性。现在将参照图4描述另一示例性实施例。如图4所示，有机发光二极管显示器102包括具有不同的第一覆盖层421、第二覆盖层422和第三覆盖层423的差异覆盖层420，从 而至少一个层使用与其它层的材料不同的材料形成。例如，第一覆盖层421、第二覆盖层 422和第三覆盖层423可以均由不同的材料形成。即，第一覆盖层421、第二覆盖层422和 第三覆盖层423可以各自使用具有适合于透射穿过其的光的波长的折射率和特性的材料 形成。图4的参考符号t21、t22和t23表示相应的覆盖层421、422和423的厚度。利用以上结构，有机发光二极管显示器可以更有效地提高光学效率和色彩再现 性。现在将参照图5描述又一示例性实施例。如图5所示，有机发光二极管显示器103 具有差异覆盖层430，差异覆盖层430包括具有最大厚度t31的第一覆盖层431及具有比第 一覆盖层431的厚度小的厚度t32的第二覆盖层432和第三覆盖层433。具体地说，第一 覆盖层431的厚度为t31为90nm至120nm。第二覆盖层432和第三覆盖层433的厚度t32 为 60nm 至 lOOnm。在图1所示的示例性实施例中，在覆盖层410形成有三个不同厚度尺寸til、tl2 和tl3或更多的情况下，使得光学效率和色彩再现性最大化，但是制造工艺变得复杂。在图 5所示的示例性实施例中，差异覆盖层430的厚度t31和t32依赖于有机发光二极管70的 相长干涉。具体地说，根据发射基于红色的光的第一有机发光二极管71和发射基于蓝色的 光的第三有机发光二极管73，差异覆盖层430具有两个不同的厚度尺寸t31和t32。在图 5所示的示例性实施例中，形成在第二有机发光二极管72上的差异覆盖层430(即，第二覆 盖层43 与形成在第三有机发光二极管73上的差异覆盖层(即，第三覆盖层43 具有相 同的厚度。利用以上结构，图5所示的有机发光二极管显示器103可以提高光学效率和色彩 再现性，同时简化制造工艺。现在将参照图6描述另一示例性实施例。如图6所示，有机发光二极管显示器104 具有差异覆盖层440，差异覆盖层440包括各自具有最大厚度t41的第一覆盖层441和第 二覆盖层442及具有比第一覆盖层441和第二覆盖层442的厚度小的厚度t42的第三覆盖 层443。具体地说，第一覆盖层441和第二覆盖层442的厚度t41为90nm至120nm。第三 覆盖层443的厚度t42为60nm至90nm。至于图1所示的示例性实施例，在差异覆盖层410具有三个厚度尺寸til、tl2和 tl3或更多的情况下，使得光学效率和色彩再现性最大化，但是制造工艺变得复杂。因此， 使用图6所示的示例性实施例，建立差异覆盖层440的厚度t41和t42，从而很好地适合于 有机发光二极管70中的一些有机发光二极管，其中，更有效地进行依照厚度控制的相长干 涉。具体地说，差异覆盖层440的两个厚度尺寸t41和t42适合于发射基于红色的光的第一 有机发光二极管71和发射基于蓝色的光的第三有机发光二极管73。在图6所示的示例性 实施例中，形成在第二有机发光二极管72上的差异覆盖层440(即，第二覆盖层44 与形 成在第一有机发光二极管71上的差异覆盖层440(即，第一覆盖层441)具有相同的厚度。利用以上结构，图6所示的有机发光二极管显示器104可以提高光学效率和色彩 再现性，同时简化制造工艺。现在将参照图7和图8描述与图2所示的实施例有关的本发明的各个方面的示例。对具有厚度不同的差异覆盖层410的有机发光二极管显示器101进行测试，以测量其 对于各个色彩的光学效率。图7是示出当形成在发射基于红色的色彩的有机发光二极管71上的差异覆盖层 410厚度不同时的光学效率的曲线图。如图7所示，当差异覆盖层410的厚度为90nm至 120nm时，发射基于红色的光的有机发光二极管71展现出最高的光学效率。图8是示出当形成在发射基于绿色的色彩的有机发光二极管72上的差异覆盖层 410厚度不同时的光学效率的曲线图。如图8所示，当差异覆盖层410的厚度为70nm至 IOOnm时，发射基于绿色的光的有机发光二极管72展现出最高的光学效率。图9是示出当形成在发射基于蓝色的色彩的有机发光二极管73上的差异覆盖层 410厚度不同时的光学效率的曲线图。如图9所示，当差异覆盖层410的厚度为60nm至 90nm时，发射基于蓝色的光的有机发光二极管73展现出最高的光学效率。从示例可以得知，根据图1所示的实施例的有机发光二极管显示器101通过差异 覆盖层410使得各个色彩的光学效率最大化。此外，因为各个色彩的光学效率被最大化，所 以提高了有机发光二极管显示器101的总体色彩再现性。虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但本领域技术人员应当明白，在不 脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在这些实施例中做出改变，本发明的范围由权利 要求及其等同物限定。
权利要求
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括基底主体；多个有机发光二极管，形成在所述基底主体上；不同厚度的差异覆盖层，覆盖所述多个有机发光二极管，其中，所述差异覆盖层包括厚度为90nm至120nm的第一区域和厚度比所述第一区域的厚度小的第二区域。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，从所述多个有机发光二极管 发射的光具有两种或两种以上色彩。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述差异覆盖层形成在所述 多个有机发光二极管上，使得所述差异覆盖层对于从有机发光二极管发射的光的各个色彩 在厚度方面存在差异。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，从有机发光二极管发射的光 的波长越大，形成在该有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度越大。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个有机发光二极管包 括发射基于红色的光的第一有机发光二极管、发射基于绿色的光的第二有机发光二极管和 发射基于蓝色的光的第三有机发光二极管。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述差异覆盖层包括形成在 所述第一有机发光二极管上的第一覆盖层、形成在所述第二有机发光二极管上的第二覆盖 层和形成在所述第三有机发光二极管上的第三覆盖层。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述差异覆盖层的第一区域 对应于所述第一覆盖层，所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第二覆盖层和所述第三覆 盖层ο
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二覆盖层和所述第三 覆盖层具有60nm至IOOnm的相同厚度。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三覆盖层的厚度小于 所述第二覆盖层的厚度。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二覆盖层的厚度为 70nm至lOOnm，所述第三覆盖层的厚度为60nm至90nm。
11.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述差异覆盖层的第一区域 对应于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层，所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第三覆 盖层ο
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一覆盖层和所述第 二覆盖层具有相同的厚度，所述第三覆盖层的厚度为60nm至90nm。
13.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一覆盖层至所述第三 覆盖层均由相同的材料形成。
14.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一覆盖层至所述第三 覆盖层中的至少一个由与其它覆盖层的材料不同的材料形成。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述差异覆盖层使用从由 SiO2, SiNx, SiON, ZnO2, TiO2, ZrO2, Alq3、CuPc, CBP、a_NPB、ITO、IZO 和 ZiO2 组成的组中选择的至少一种有机或无机材料形成。
16.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个有机发光二极管中 的每个有机发光二极管包括第一电极、形成在所述第一电极上的有机发射层和形成在所述 有机发射层上的第二电极，所述差异覆盖层形成在所述第二电极上。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极包括反射层， 所述第二电极包括半透明层。
18.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包 括包封基底，所述包封基底位于所述差异覆盖层上方，并与所述差异覆盖层以间距隔开，使 得所述包封基底和所述基底主体以密封方式彼此组装。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包 括形成在所述包封基底和所述差异覆盖层之间的空气层。
20.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括主基底；发射不同色彩的光的多个有机发光二极管，形成在所述主基底上；具有不同厚度的差异覆盖层，形成在所述多个有机发光二极管上，所述差异覆盖层的 不同厚度对应于发射的光的色彩。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示器，其中，差异覆盖层的形成在发射 基于红色的光的有机发光二极管上的厚度大于差异覆盖层的形成在发射基于绿色的光的 有机发光二极管上的厚度，差异覆盖层的形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管上的 厚度大于差异覆盖层的形成在发射基于蓝色的光的有机发光二极管上的厚度。
22.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示器，其中，形成在发射基于红色的光 的有机发光二极管上的差异覆盖层的材料与形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管 上的差异覆盖层的材料不同，形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层 的材料与形成在发射基于蓝色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层的材料不同。
23.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示器，其中，形成在发射基于红色的光 的有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度大于形成在发射基于绿色的光的有机发光二极 管上的差异覆盖层的厚度，形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层的 厚度与形成在发射基于蓝色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度相同。
24.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示器，形成在发射基于红色的光的有机 发光二极管上的差异覆盖层的厚度与形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管上的差 异覆盖层的厚度相同，形成在发射基于绿色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度 大于形成在发射基于蓝色的光的有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度。
25.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括主基底；多个有机发光二极管，形成在所述主基底上；差异覆盖层，形成在所述多个有机发光二极管上，其中，形成在所述多个有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度与由所述多个有机发光 二极管中的每个有机发光二极管发射的光的波长对应。
26.根据权利要求25所述的有机发光二极管显示器，其中，形成在所述多个有机发光二极管的发射第一色彩的光的一部分上的差异覆盖层的厚度与形成在所述多个有机发光 二极管的发射与所述第一色彩的光不同的第二色彩的光的另一部分上的差异覆盖层的厚 度不同。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括基底主体；多个有机发光二极管，形成在所述基底主体上；差异覆盖层，覆盖所述多个有机发光二极管，所述差异覆盖层具有多个厚度。所述差异覆盖层包括厚度为90nm至120nm的第一区域和厚度比所述第一区域的厚度小的第二区域。
文档编号H01L27/32GK102044555SQ20101025356
公开日2011年5月4日 申请日期2010年8月12日 优先权日2009年10月9日
发明者丁憙星, 朴顺龙 申请人:三星移动显示器株式会社