专利名称：半导体器件的制造方法以及半导体器件的树脂密封用模具的制作方法
技术领域：
本发明涉及具备具有芯片焊盘的框架、搭载在具有芯片焊盘的框架上的IC芯片、 搭载在具有芯片焊盘的框架上的功率芯片、配置在芯片焊盘背面上的用于确保绝缘性的树 脂片、和密封整体的模塑树脂的半导体器件以及该半导体器件的树脂密封用模具。
背景技术：
半导体器件通过经由在框架上将功率芯片以及IC芯片进行芯片焊接，然后在将 功率芯片以及IC芯片和框架进行引线接合之后，将整体进行树脂模塑的工序等形成。引线接合以如下的方式进行。功率芯片和框架用采用了铝线的引线接合法连接。同样地，IC芯片和框架用采用 了金线的引线接合法连接。由于半导体器件因处理大电流而从功率芯片产生热，因此必须 有高散热性，同时必须满足高绝缘性。例如，如专利文献1所记载的那样，为了确保高绝缘性，在芯片焊盘背面配置具有 一定厚度以上的绝缘层、且形成该绝缘层的树脂的导热性比模塑树脂的导热系数高的、具 有第1面和第2面的树脂片，并用模塑树脂将整体密封。如果不能确保芯片焊盘、和配置在芯片焊盘背面的树脂片的密接性，就不会实现 高散热性和高绝缘性。于是，在以往技术中，在传递模塑成型的树脂模塑的工序中，通过利 用配置在树脂密封用模具上的固定销的加压，将芯片焊盘向树脂片按压的程序，确保实现 芯片焊盘和树脂片的密接性。专利文献1 特开2005-123495号公报(第5页-第7页，图3_图6)在处理大电流的半导体器件中，在如以往那样用固定销将芯片焊盘向树脂片按压 的程序中，存在将固定销加压的装置大型化的问题。另外，由于芯片焊盘的厚度变厚，刚性变大，因此存在为了通过固定销使芯片焊盘 密接在树脂片上，而必须有将固定销加压的大型的装置的问题。
发明内容
本发明是解决上述问题的发明，其目的在于提供在处理大电流，并具有配置在框 架的芯片焊盘背面的树脂片的半导体器件中，可以既能够确保较高的绝缘性，又能够有效 地将在功率芯片上产生的热散发到外部的半导体器件以及该半导体器件的树脂密封用模具。本发明的半导体器件，是具备半导体芯片，在表面上搭载所述半导体芯片的芯片 焊盘，以一个面密接在所述芯片焊盘的背面上的方式设置的绝缘性的树脂片，以所述树脂 片的另一个面露出的方式从树脂注入口注入树脂，从而将所述半导体芯片、所述芯片焊盘以及所述树脂片模塑的模塑树脂，并且在所述模塑树脂的与所述树脂片的露出面相反一侧 的面上，具有沿着与所述树脂注入口垂直，并且与所述树脂片平行的方向延伸的槽的半导 体器件。另外，本发明的半导体器件的树脂密封用模具，由具有内腔的上部模具和下部模 具构成，在所述下部模具的内部底面上配置了绝缘性的树脂片，在所述树脂片的上面配置 在表面上搭载了半导体芯片的芯片焊盘，然后通过向所述内腔内注入模塑树脂进行树脂密 封，具备用于从所述树脂密封用模具的侧方向所述内腔内注入所述模塑树脂的树脂注入 口，并在所述上部模具的内部上面具有沿着垂直于所述树脂注入口的方向延伸的凸部。按照本发明的半导体器件以及该半导体器件的树脂密封用模具，由于在注入树脂 时对芯片焊盘的整体加压，因此可以确保芯片焊盘与树脂片的高密接性及高绝缘性，而且 可以降低半导体器件的成本。
面图。面图。面图。
图1是展示本发明的半导体器件的实施方式1的立体图。 图2是图1的II-II剖面图。 图3是图1的仰视图。
图4是展示采用了本实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制造工序的剖 图5是展示采用了本实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制造工序的剖 图6是展示采用了本实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制造工序的剖图 7是展示本发明的半导体器件的实施方式1的另一例的剖面图
图6〗是展示本发明的半导体器件的实施方式2的平面图。
图9是展示本发明的半导体器件的实施方式3的剖面图。
图10是展示本发明的半导体器件的实施方式4的剖面图。
图11是展示本发明的半导体器件的实施方式5的剖面图。
标号说明
1弯曲框架Ia芯片焊盘
Ib阶梯部Ic端子
2模塑树脂3树脂片
4金属箔5功率芯片
6铝线7IC芯片
8金线10 槽
11固定销孔痕迹12树脂注入口
20模具21上模具
22下模具23凸部
24内腔100半导体器件
具体实施例方式实施方式1图1是展示本发明的半导体器件的实施方式1的立体图，图2是图1的II-II剖 面图，图3是图1的仰视图，图4、图5以及图6是展示采用了本实施方式1的树脂密封用模 具的半导体器件的制造工序的剖面图，图7是展示本发明的半导体器件的实施方式1的另 一例的剖面图。如图1所示，半导体器件100由树脂模塑封装结构构成，包括在两侧设置多个金属 制的弯曲框架1的模塑树脂2。模塑树脂2最好由环氧树脂构成。如图2所示，半导体器件100包括弯曲框架1。在弯曲框架1上载置有像逻辑芯片 那样的IC芯片7。另外，弯曲框架1包括芯片焊盘部Ia和阶梯部lb，在芯片焊盘部Ia之 上搭载有像IGBT和FWDiode那样的功率芯片5。功率芯片5以及IC芯片7和弯曲框架1之间，例如，用由金或铝构成的接合线6、 8连接在一起，由IC芯片7控制功率芯片5的动作。功率芯片5和IC芯片7根据半导体器 件100的功能设置多个。模塑树脂2，例如，包括在背面安装了由铜构成的金属箔4的绝缘性的树脂片3，并 具备如图1所示那样沿着弯曲框架1的多个端子Ic排列的方向延伸的槽10，如图3所示， 金属箔4从模塑树脂2的背面露出。槽10的延伸方向，如后述，设为与传递模塑成型时的 模塑树脂2的树脂注入口垂直的方向。在树脂片3方面最好采用含有填充剂的环氧树脂。填充剂设为由从Si02、Al203、 AlN、Si3N4、以及BN中选择的一个或多个构成。树脂片3的导热系数比模塑树脂2的导热系 数大。再者，如图7所示，也可以不用金属箔4而只用树脂片3。弯曲框架1以芯片焊盘Ia的背面与树脂片3的上面直接相接的方式用模塑树脂2 掩埋固定。这样，在半导体器件100中，由于在芯片焊盘Ia的背面和树脂片3的上面之间 没有夹着模塑树脂2等，芯片焊盘Ia和树脂片3直接相接触，因此从芯片焊盘Ia到树脂片 3的导热性变好。因此，可以提高安装在芯片焊盘Ia的上面上的功率芯片5的散热特性。其次，参照图4以及图5说明以下采用了树脂密封用模具20的半导体器件100的 制造方法。工序1 如图4(a)所示，例如，准备由铜构成的弯曲框架1。接着，用焊锡或银膏等 分别在弯曲框架1上的一方上固定IC芯片7，在弯曲框架1的芯片焊盘Ia之上固定功率芯 片5。工序2 如图4(b)所示，用铝的接合线将功率芯片5相互之间、功率芯片5和弯曲 框架1、弯曲框架1相互之间连接在一起(铝引线接合工序)。再者，接合线6也可以采用 以铝为主要成分的合金或其他的金属。工序3:如图4(c)所示，用金的接合线8将IC芯片7和框架1连接在一起(金引 线接合工序)。再者，接合线8也可以采用以金为主要成分的合金或其他的金属。在图4的说明中，IC芯片7和功率芯片5经由框架连接在一起，但也可以将IC芯 片7和功率芯片5直接连接在一起。进而，还可以代替接合线6、8而用金属板连接。工序4 如图4(d)所示，准备树脂密封用模具20。树脂密封用模具20以分成具有 内腔24的上部模具21和下部模具22的方式构成。另外，具有用于从树脂密封用模具20的侧方向内腔24内注入树脂的树脂注入口 12。在上部模具21的内部上面，以沿着与树脂 注入口 12(参照图5(f))垂直的方向(与纸面垂直的方向)延伸的方式设有用于形成槽 10(参照图1以及图2)的凸部23。接着，准备在背面安装了金属箔4的绝缘性的树脂片3，并配置在树脂密封用模具 20的内部的规定的位置上。这时，以树脂片3所包括的金属箔4的背面与下部模具22的内 部底面相接的方式配置树脂片3。工序5 如图5(e)所示，将安装了功率芯片5等的弯曲框架1配置在树脂密封用 模具20内部的规定的位置上。这时，以弯曲框架1的芯片焊盘Ia的背面与树脂片3的上 面相接的方式配置弯曲框架1。再者，在工序5中，说明了在下部模具22上首先配置树脂片3，接着在树脂片3上 配置安装了功率芯片5等的弯曲框架1的情况，但也可以预先将安装了功率芯片5等的弯 曲框架1临时固定在树脂片3之上，之后，将树脂片3配置在下部模具22上。工序6:如图5(f)所示，在下部模具22上安装固定上部模具21。这时，以形成槽 10的凸部23不会压住线和功率芯片5、IC芯片7的方式配置。接着，通过传递模塑成型法，例如，从设在树脂密封用模具20上的树脂注入口 12， 将由环氧树脂构成的模塑树脂2填充在树脂密封用模具20的内腔24内。如图6 (a)所示，从树脂注入口 12注入的模塑树脂2，向图中箭头的方向流动，因此 从靠近树脂注入口 12 —侧顺次填充内腔24内。进而，当向树脂密封用模具20内的树脂填充进行时，如图6(b)所示，模塑树脂2 由于沿着与树脂注入口 12垂直的方向延伸的凸部23而改变其流动的方向。如图中箭头所 示，是图中向下的流动，即，是向将芯片焊盘Ia向树脂片3按压的方向的流动。其结果，芯 片焊盘Ia被有选择地向树脂片3加压，因此能够可靠地确保芯片焊盘Ia和树脂片3的良 好的密接性。另一方面，如果在上部模具21上没有凸部23，则模塑树脂2的流动是从注入口平 行地流动，因此得不到有选择地、可靠地将芯片焊盘Ia向树脂片3按压的模塑树脂2的流 动，其结果，芯片焊盘Ia和树脂片3的密接的程度有可能不够。与此相对，根据本实施方式1，如所述，由于可以有选择地、可靠地将芯片焊盘Ia 向树脂片3按压，因此假设在树脂密封用模具20的内腔24内设置树脂片3、弯曲框架1时， 在芯片焊盘Ia和树脂片3之间因尺寸公差的关系等而出现些许的间隙，也具有可靠地使芯 片焊盘Ia和树脂片3密接的效果。工序7 如图5(g)所示，在从树脂密封用模具20取出整体后，进行用于使模塑树 脂2完全硬化的二次硬化、连接杆等框架多余部分的切断等。进而，通过进行弯曲框架(外 部端子)1的成型，完成图1所示的半导体器件100。功率芯片、IC芯片可以是单个也可以是多个，铝线和金线不是特定材料的线，例 如，也可以是由以铝或金为主要成分的合金、铜等铝和金以外的金属构成的线。实施方式2图8是展示本发明的半导体器件的实施方式2的平面图。在本实施方式2的半导 体器件中，槽10的位置在模塑树脂2的上方与树脂片3的面投影区域重合，并且配置在与 配置槽10的模塑树脂2的上面的中央相比，更靠近树脂注入口 12的位置上。另外，如果参照展示采用了实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制造工序的图4 6，说明本 实施方式的半导体器件的树脂密封用模具，就是该树脂密封用模具20将凸部23的配置部 位，设在与配置在下部模具22的内部底面上的树脂片3的面投影区域重合，并且比上部模 具21的内部上面的中央更靠近树脂注入口 12的位置。根据本实施方式2，在传递模塑成型时，由于模塑树脂2有效地产生了将芯片焊盘 Ia向树脂片3按压的加压力，因此具有更可靠地使芯片焊盘Ia和树脂片3之间密接的效^ ο实施方式3图9是展示本发明的半导体器件的实施方式3的剖面图。在本实施方式3的半导 体器件中，槽10是模塑树脂2的开口部的宽度比槽10的底部的宽度大的锥形，其角度最好 是相对于与弯曲框架1垂直的方向呈15° 45°倾斜的角度。另外，如果参照展示采用了 实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制造工序的图4 6，说明本实施方式的半导 体器件的树脂密封用模具，就是该树脂密封用模具20将凸部23的形状形成为根部的宽度 比前端部的宽度大的锥形。根据本实施方式3，在传递模塑成型时，由于模塑树脂2将芯片焊盘Ia向树脂片3 按压的加压力在较大的范围内有效地起作用，因此具有更可靠地使芯片焊盘Ia和树脂片3 之间密接的效果。实施方式4图10是展示本发明的半导体器件的实施方式4的剖面图。在本实施方式4的半 导体器件中，槽10的底部成R形状。另外，如果参照展示采用了实施方式1的树脂密封用 模具的半导体器件的制造工序的图4 6，说明本实施方式的半导体器件的树脂密封用模 具，就是该树脂密封用模具20将凸部23的前端部设为R形状。根据本实施方式4，可以减少传递模塑成型时所使用的树脂密封用模具20的用于 形成槽的凸部因模塑树脂2的流动而损耗的情况，延长模具零件的寿命，使制造装置变得便宜。实施方式5图11是展示本发明的半导体器件的实施方式5的剖面图。在本实施方式5的半 导体器件中，在槽10的底部具有一个或多个插入了直径小于槽10的宽度的固定销的固定 销孔痕迹11。另外，如果参照展示采用了实施方式1的树脂密封用模具的半导体器件的制 造工序的图4 6，说明本实施方式的半导体器件的树脂密封用模具，就是该树脂密封用模 具20在凸部23的前端部具备一个或多个直径小于前端部的宽度的固定销，在模塑树脂注 入时由固定销按压芯片焊盘。根据本实施方式5，通过在传递模塑成型时使用固定销，具有更可靠地使芯片焊盘 Ia和树脂片3之间密接的效果。
权利要求
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤将半导体芯片搭载在芯片焊盘的表面；在所述芯片焊盘的背面设置绝缘性的树脂片，使得树脂片的一个面与所述芯片焊盘的背面密接；在与所述树脂片的面投影区域重合、并且比所述树脂片的中央更靠近用于从侧方注入树脂的树脂注入口的位置，以沿着垂直于所述树脂注入口且与所述树脂片平行的方向延伸的方式配置凸部；从所述树脂注入口注入树脂，以所述树脂片的另一个面露出的方式将所述半导体芯片、所述芯片焊盘、以及所述树脂片模塑成型，其中，所述树脂的流动由于所述凸部而改变为向下的流动，即，改变为将所述芯片焊盘向所述树脂片按压的方向的流动。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凸部被形成为所述 凸部的根部的宽度比所述凸部的前端部的宽度大的锥形。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凸部的前端部是R形状。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述凸部的前端部具 有直径小于所述前端部的宽度的固定销。
5.一种半导体器件的树脂密封用模具，由具有内腔的上部模具和下部模具构成，在所述下部模具的内部底面上配置绝缘性的树脂片，在所述树脂片的上面配置在表面 上搭载了半导体芯片的芯片焊盘，然后通过向所述内腔内注入模塑树脂进行树脂密封，其 特征在于，具备用于从所述树脂密封用模具的侧方向所述内腔内注入所述模塑树脂的树脂注入口，在所述上部模具的内部上面具有沿着垂直于所述树脂注入口且与所述树脂片平行的 方向延伸的凸部，其中，所述树脂的流动由于所述凸部而改变为向下的流动，即，改变为将 所述芯片焊盘向所述树脂片按压的方向的流动；并且，所述凸部的配置部位是与所述树脂片的面投影区域重合、并且比配置所述凸部的所述 上部模具的内部上面的中央更靠近所述树脂注入口的位置。
6.如权利要求5所述的半导体器件的树脂密封用模具，其特征在于，所述凸部被形成 为所述凸部的根部的宽度比所述凸部的前端部的宽度大的锥形。
7.如权利要求5所述的半导体器件的树脂密封用模具，其特征在于，所述凸部的前端 部是R形状。
8.如权利要求5所述的半导体器件的树脂密封用模具，其特征在于，在所述凸部的前 端部具有直径小于所述前端部的宽度的固定销。
全文摘要
提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的树脂密封用模具。具备功率芯片(5)、IC芯片(7)、具有在表面上搭载功率芯片(5)的芯片焊盘(1a)以及IC芯片(7)的搭载部的弯曲框架(1)、以一个面密接在芯片焊盘(1a)的背面上的方式设置的树脂片(3)、以树脂片(3)的另一个面露出的方式将功率芯片(5)、IC芯片(7)、芯片焊盘(1a)以及树脂片(3)模塑的模塑树脂(2)，在模塑树脂(2)的与树脂片(3)的露出面相反一侧的面上，具有沿着与模塑树脂(2)的树脂注入口垂直，并且与所述树脂片平行的方向延伸的槽(10)。
文档编号H01L23/31GK101980357SQ201010284439
公开日2011年2月23日 申请日期2006年12月7日 优先权日2005年12月12日
发明者中川信也, 尾崎弘幸, 川藤寿, 林建一 申请人:三菱电机株式会社