一种压片通气排及打线机的制作方法

文档序号:6962315阅读:124来源:国知局
专利名称:一种压片通气排及打线机的制作方法
技术领域
本实用新型涉及芯片打线(wire bond)过程中所使用的部件及装置,尤其涉及一 种压片通气排和安装有该压片通气排的打线机。
背景技术
MOSFET系列产品的芯片表面铝层较薄,传统打线的铝丝工艺生产效率比较低,而 且生产时容易出现弹坑现象。如通过自动打线机(铜丝打线)打线则可以提供生产效率, 但铜丝烧球时容易被氧化,这将较大程度地影响打线的质量。

实用新型内容本实用新型的第一个目的是为了解决铜丝烧球时易被氧化的问题,提供一种压片 通气排。本实用新型采用的技术方案为一种压片通气排,包括顶板和底板,所述顶板包括 顶板本体和设置在顶板本体上的可将气体导向顶板本体下方的气嘴;所述底板包括底板本 体,所述底板本体上设置有多个贯通底板本体的气孔;所述底板本体位于顶板本体的下方, 并且安装在所述顶板本体上;所述顶板本体和底板本体在所述气孔的四周密封连接。3.本实用新型的另一个目的是提供一种能够有效防止铜丝烧球时被氧化的打线 机。本实用新型采用的技术方案为一种打线机,在所述打线机的轨道上安装有两块 上述压片通气排,两块压片通气排分别位于打线机的打线头的两侧;所述压片通气排的底 板朝向所述轨道,所述压片通气排的气嘴上均安装有用于运输氮气和氢气混合气体的气 管,所述气管与所述打线机的气体供应装置连通。本实用新型的有益效果为通过轨道上加入氢和氮气保护后,产品从一开始进入 轨道后产品就被保护,烧球后通过气体保护,烧球焊点就可以减小功率和压力,而产品也不 会出现虚焊,弹坑等不良现象。另外,铜丝的导电性能比铝丝好,拉线时可以采用具有较小 线径的引线,这样可以减小焊点尺寸,进一步减小出现弹坑的几率。

图1为本实用新型所述压片通气排的立体结构示意图;图2为图1所示压片通气排的顶板的俯视图;图3为图1所示压片通气排的底板的仰视图;图4为本实用新型所述打线的局部结构示意图。
具体实施方式
如图1、2和3所示,本实用新型所述压片通气排10包括顶板11和安装在顶板底 面上的底板12,其中,所述顶板11包括顶板本体111和设置在顶板本体上的可将气体导向顶板下方的气嘴112 ;所述底板12包括底板本体121,所述底板本体121上设置有多个贯通 底板本体的气孔122。所述顶板本体111和底板本体121在气孔122的四周密封连接,使得 经气嘴112进入的气体可以完全通过气孔122排出。所述顶板本体111可以由塑料制成,而所述底板本体121可由金属制成。如图4所示,本实用新型所述的打线机,其轨道20上安装有两块本实用新型所述 的压片通气排10,轨道20上安装有打线用的基板50,所述基板50位于打线头(图4中未 示出)的下方,而两块压片通气排10则分别位于打线头的两侧。所述压片通气排10的气 嘴112上均安装有用于运输氮气和氢气混合气体的气管30。所述压片通气排10可以保证 产品在轨道上排片时不会出现歪斜和上翘的问题。另外,混合气体由顶板11的气嘴注入, 并由底板12上的气孔122导入轨道内,以此来保护产品;其中,氮气的主要作用是将轨道上 的空气排出,以此来保护产品不受氧化;氢气的主要作用是利用其还原特性,在铜丝烧球后 进行还原,使其不被氧化。本实用新型所述打线机在其它部分并未进行改进设计,因此不作 具体说明。综上所述仅为本实用新型较佳的实施例,并非用来限定本实用新型的实施范围。 即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰,皆应属于本实用新型的技 术范畴。
权利要求一种压片通气排,其特征在于包括顶板和底板,所述顶板包括顶板本体和设置在顶板本体上的可将气体导向顶板本体下方的气嘴;所述底板包括底板本体,所述底板本体上设置有多个贯通底板本体的气孔;所述底板本体位于顶板本体的下方,并且安装在所述顶板本体上;所述顶板本体和底板本体在所述气孔的四周密封连接。
2.一种打线机,其特征在于在所述打线机的轨道上安装有两块权利要求1所述的压 片通气排,两块压片通气排分别位于打线机的打线头的两侧;所述压片通气排的底板朝向 所述轨道,所述压片通气排的气嘴上均安装有用于运输氮气和氢气混合气体的气管,所述 气管与所述打线机的气体供应装置连通。
专利摘要本实用新型公开了一种压片通气排及打线机,属于芯片打线领域,该压片通气排包括顶板和底板,顶板包括顶板本体和设置在顶板本体上的可将气体导向顶板本体下方的气嘴;底板包括底板本体,底板本体上设置有多个贯通底板本体的气孔;底板本体位于顶板本体的下方,并且安装在顶板本体上;所述顶板本体和底板本体在所述气孔的四周密封连接。该打线机在其轨道上安装两块上述压片通气排,以向轨道内导入氢气和氮气混合气体,以此来保护产品。
文档编号H01L21/60GK201623012SQ201020104170
公开日2010年11月3日 申请日期2010年1月29日 优先权日2010年1月29日
发明者王勇 申请人:深圳市三浦半导体有限公司
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