专利名称：一种大功率led的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED (发光二极管)，尤其涉及一种大功率LED。
背景技术：
由于LED具有耗电量小、寿命长、响应快、体积小、无污染等优势，已经成为半导体 照明的新一代光源，由于其对于节能减排具有举足轻重的作用，因此在国内外受到极大的 关注，目前已经应用于显示、照明等多个工业领域。大功率LED通常是指0.5W以上、亮度较大的LED，大多数用于汽车照明、景观照明、 液晶电视及室内照明等多种场合。大功率LED的基座包括一个杯体，LED芯片设置在杯体内，且置于杯体底部，LED芯 片上覆盖荧光层，杯体用于容置LED芯片的底面为平面，内壁为四个倾斜面，这些倾斜面上 通常还设置用于提高通光量的反射层。然而，一方面，由于这种杯体的倾斜面都为直面，且 底面和内壁形成钝角，LED芯片发射的光经倾斜面的反射时，反射角度较小，因此并不能形 成很好的光散射效果，多个大功率LED组合在一起形成LED阵列时，这些LED同时发光可能 造成光斑黄图、发光不均勻等现象；另一方面，由于LED芯片通常都与基座上的电极通过金 线连接，金线有时会遮挡光线，也会对LED产品发光的均勻性带来一定的影响。
实用新型内容本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种改善发光均勻性的大功率LED。为解决上述技术问题，本实用新型提供一种大功率LED，包括基座，所述基座具有 用于容置LED芯片的杯体，所述杯体的底面上设有两个用于引出电极的极片，所述LED芯片 设置在所述两个极片上方，且LED芯片底部的两端分别与所述两个极片极性连接；所述杯 体的内壁面为内凹的曲面，且所述杯体的底面与内壁面之间曲面过渡。进一步地，所述杯体的内壁面还覆盖反射层。优选地，所述基座为圆形基座，所述杯体为圆形杯体。优选地，所述杯体内还填充荧光层，所述荧光层覆盖在所述LED芯片上的厚度为 所述杯体深度的5 % 15 %。本实用新型的有益效果是本实用新型通过对LED的封装结构进行改进，改善了 LED发光的散射效果，提高了发光均勻性，避免产生光圈。 进一步地，本实用新型在LED芯片上覆盖较薄的荧光层，进一步提高了 LED的发光 效率。
图1为本实用新型一种实施例的大功率LED剖视图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式
结合附图对本实用新型作进一步详细说明。请参考图1，本实施方式的大功率LED包括基座1，基座1上具有用于容置LED芯 片2的杯体，杯体包括底面和内壁面。基座1的轮廓形状根据需要可以设置成圆形或方形， 相应地，杯体的轮廓形状也根据基座1的形状设计成圆形或方形，对于圆形杯体，底面为圆 形面，内壁面为环形。杯体的底面上设有两个分别用于引出LED芯片2的正、负电极的极片5，LED芯片 2设置在两个极片5的上方，且LED芯片2底部的两端分别与两个极片5极性连接，再通过 两个极片5连接至露出基座1的两个引脚3。这两个极片5与LED芯片2底部的连接方式 取代了现有技术中LED芯片2通过金线与极片5相连的方式，因此避免了金线遮挡光线的 问题，从而使LED发出的光更加均勻。杯体的内壁面为内凹的曲面，且底面与内壁面之间曲面过渡，本实施方式采用这 种结构后，与现有技术中内壁面为直面、且内壁面与底面之间为钝角的结构相比，有效增加 了内壁面以及底面与内壁面之间部分的光反射角度，能够将LED芯片2发射的光经过一次 反射后更加发散地反射出去，能够得到均勻、一致的光斑，避免出现光圈。进一步地，杯体的内壁面还可以覆盖反射层，用于增强光反射效果，避免光能损耗。对于大功率白光LED，LED芯片2上方还覆盖硅胶与荧光粉相混合形成的荧光层 4，用于在LED芯片2的激发作用下使LED产生白光，通常情况下，应当尽可能地减薄荧光层 4的厚度，例如选择荧光层4覆盖在LED芯片2上的厚度为杯体深度的5% 15%，例如取 10%，该结构能够进一步提高LED的发光效率，避免光损耗。以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定 本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员 来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属 于本实用新型的保护范围。
权利要求一种大功率LED，包括基座，所述基座具有用于容置LED芯片的杯体，其特征在于，所述杯体的底面上设有两个用于引出电极的极片，所述LED芯片设置在所述两个极片上方，且LED芯片底部的两端分别与所述两个极片极性连接；所述杯体的内壁面为内凹的曲面，且所述杯体的底面与内壁面之间曲面过渡。
2.如权利要求1所述的大功率LED，其特征在于，所述杯体的内壁面还覆盖反射层。
3.如权利要求2所述的大功率LED，其特征在于，所述基座为圆形基座，所述杯体为圆 形杯体。
4.如权利要求1至3中任一项所述的大功率LED，其特征在于，所述杯体内还填充荧光 层，所述荧光层覆盖在所述LED芯片上的厚度为所述杯体深度的5% 15%。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率LED，包括基座，所述基座具有用于容置LED芯片的杯体，所述杯体的底面上设有两个用于引出电极的极片，所述LED芯片设置在所述两个极片上方，且LED芯片底部的两端分别与所述两个极片极性连接；所述杯体的内壁面为内凹的曲面，且所述杯体的底面与内壁面之间曲面过渡。本实用新型显著改善了LED发光的散射效果，提高了发光均匀性，避免产生光圈。
文档编号H01L33/48GK201673928SQ20102018317
公开日2010年12月15日 申请日期2010年5月7日 优先权日2010年5月7日
发明者魏巍 申请人:深圳市晶鼎源光电科技有限公司