专利名称：晶体硅太阳能电池片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种有关太阳能电池片栅 线设计的晶体硅太阳能电池片。
背景技术：
目前大多数的晶体硅太阳电池正面的栅线多为对称均勻性的分布设计，随着扩散 方阻的不断提高，方阻在片内的均勻性会逐渐变差，这就使得片内各区域所需的栅线密度
存在差异。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种可以改善目前对称均勻性栅线设计与 扩散方阻不均勻之间的不匹配导致的电池转换效率损失问题的晶体硅太阳能电池片。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种晶体硅太阳能电池片，在 太阳能电池片的正表面刻有栅线，所述的栅线为不均勻分布，太阳能电池片分为两个区域， 中心区域和包围中心区域的外围区域，从中心区域至外围区域，栅线的密度逐渐增大。所述的太阳能电池片分为三个区域，中心区域、外围区域具有包围中心区域的第 一区域和包围第一区域的第二区域，中心区域内的栅线为等距分布，第一区域内的栅线为 等距分布，第二区域内的栅线为等距分布，三个区域间的栅线为不等距分布，且密度逐渐变 大。所述的太阳能电池片分为两个区域，中心区域和包围中心区域的外围区域，中心 区域内的栅线为径向的等距分布，外围区域的栅线为向外发散状，且栅线的间距逐渐增大。所述的中心区域内栅线的间距为2. 5mm，第一区域内栅线的间距为2. 75mm，第二 区域内栅线的间距为3. 2mm。所述的中心区域内栅线的间距为2mm。本实用新型的有益效果是，非均勻性栅线的设计，能够改善对称均勻性栅线设计 与扩散方阻不均勻之间的不匹配导致的电池转换效率损失问题，从而提高电池转换效率。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的实施例一的示意图。图2是本实用新型的实施例二的示意图。图中1.栅线，2.中心区域，3.外围区域，3-1.第一区域，3-2.第二区域。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0015]如图1和图2所示的晶体硅太阳能电池片，在太阳能电池片的正表面刻有栅线1， 栅线1为不均勻分布，太阳能电池片分为两个区域，中心区域2和包围中心区域2的外围区 域3，从中心区域2至外围区域3，栅线1的密度逐渐增大。可以使晶体硅太阳电池的转换 效率将提高0. 以上，太阳能电池片上的栅线1的分布方法为实施例一 .如图1所示，整个电池片中心区域2、外围区域3具有包围中心区域2的第一 区域3-1和包围第一区域3-1的第二区域3-2，中心区域2内的栅线1为等距分布，第一区 域3-1内的栅线1为等距分布，第二区域3-2内的栅线1为等距分布，三个区域间的栅线 1为不等距分布，且密度逐渐变大，由内到外三个区域栅线的间距分别为2. 5mm,2. 75mm和 3. 2mm，栅线在整个电池片片内呈现不均勻分布。二.如附图2所示，整个电池片内分了两个区域，中心区域2和包围中心区域的外 围区域3，中心区域2内的栅线1为径向的等距分布，外围区域3的栅线1为向外发散状，且 栅线1的间距逐渐增大，中心区域2内的栅线间距为2mm，外围区域3内的栅线由内到外呈 现发散状，栅线间距逐渐变大。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术 性范围。
权利要求一种晶体硅太阳能电池片，在太阳能电池片的正表面刻有栅线(1)，其特征在于所述的栅线(1)为不均匀分布，太阳能电池片分为两个区域，中心区域(2)和包围中心区域(2)的外围区域(3)，从中心区域(2)至外围区域(3)，栅线(1)的密度逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片，其特征在于所述的太阳能电池片分 为三个区域，中心区域(2)、外围区域(3)具有包围中心区域(2)的第一区域(3-1)和包围 第一区域(3-1)的第二区域(3-2)，中心区域(2)内的栅线(1)为等距分布，第一区域(3-1) 内的栅线(1)为等距分布，第二区域(3-2)内的栅线(1)为等距分布，三个区域间的栅线 (1)为不等距分布，且密度逐渐变大。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片，其特征在于所述的太阳能电池片分 为两个区域，中心区域⑵和包围中心区域的外围区域(3)，中心区域(2)内的栅线(1)为 径向的等距分布，外围区域(3)的栅线(1)为向外发散状，且栅线(1)的间距逐渐增大。
4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片，其特征在于所述的中心区域(2)内 栅线(1)的间距为2. 5mm，第一区域(3_1)内栅线(1)的间距为2. 75mm，第二区域(3_2)内 栅线(1)的间距为3. 2mm。
5.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池片，其特征在于所述的中心区域(2)内 栅线(1)的间距为2mm。
专利摘要本实用新型涉及有关栅线设计的晶体硅太阳能电池片，其正表面刻有栅线，栅线不均匀分布，晶体硅太阳能电池片，在太阳能电池片的正表面刻有栅线，所述的栅线为不均匀分布，太阳能电池片分为两个区域，中心区域和包围中心区域的外围区域，从中心区域至外围区域，栅线的密度逐渐增大。本实用新型非均匀性栅线的设计，能够改善对称均匀性栅线设计与扩散方阻不均匀之间的不匹配导致的电池转换效率损失问题，从而提高电池转换效率。
文档编号H01L31/0224GK201732795SQ20102027310
公开日2011年2月2日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者孙振华 申请人:常州天合光能有限公司