专利名称：包括补偿元件的放大器部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及放大器部件，尤其涉及位于芯片外壳(chip housing)内具有补偿元件的高频放大器部件，其用于例如在移动无线电基站中对无线电和电视信号进行传输的通信技术中、为了科学目的的计算机测量技术中，以便产生较大的高频功率。
背景技术：
放大器部件基本上由功率晶体管组成，其取决于应用场合应当例如以若干倍频程运行。在这种情况下，晶体管的功率相对越高，连接的负载电阻就越低。在具有例如从100W 到例如1000W的晶体管功率的情况下，负载电阻被设置在从几欧姆向下至低于一欧姆的范围内。该负载电阻必须经由匹配网络传递至阻抗通常为50欧姆的系统。限制该匹配网络的带宽的寄生电容形成在放大器部件的输出处。该寄生电容可以通过必须提供电感特性的补偿元件被补偿。这种补偿元件通常由集成到放大器部件中的小并联电感形成。从US 4，107，728中可知提供两个偶极晶体管的放大器部件，这两个偶极晶体管以“推挽”(push-pull)结构被布置，其中晶体管冲模(transistor die)或晶体管芯片(半导体元件)容纳在普通芯片外壳(半导体放大器的外壳)中。在这种情况下，寄生输出电容形成在集电器表面与参考地面之间，其中两个发射器也连接至参考地面。为了补偿该寄生输出电容，在芯片外壳中形成将两个集电器表面彼此连接的并联电感。并联电感自身由薄的金属带形成。US 4，107，728的缺点在于，为了实现这种集成的并联电感，需要相对大且昂贵的芯片外壳形状。此外，并联电感在与将晶体管冲模连接至集电器的连接插头的接合线平行的位置延伸，从而形成耦合。由耦合而导致的互感对补偿特性具有不利的影响，使得匹配网络的带宽最终被减小。而且，实现为印刷导体的这种并联电感不能直接应用于凸缘，而是需要额外的绝缘层。在使用偶极晶体管或DMOS晶体管(扩散金属氧化物半导体(diffused metal oxide semiconductor))的情况下，实际上必须存在通常由陶瓷或基板形成的这种绝缘层，然而，在使用其它类型的晶体管的情况下，不需要这种绝缘层，因此这种绝缘层必须额外应用于该并联电感。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种放大器部件，利用该放大器部件，可以在针对该放大器部件不需要特定且昂贵的芯片外壳形状的情况下补偿寄生输出电容。此外，根据本发明的放大器部件应当以如下方式被设计并联电感与将晶体管冲模连接至输出插头的接合线之间的耦合得以避免。而且，结果，放大器部件的输出电容应当以最佳方式被补偿，使得匹配网络可以以最大的带宽运行。最终，如果可能的话，不需要在放大器部件内应用额外的绝缘层。该目的通过具有权利要求1的特征的放大器部件而实现。从属权利要求提供本发明的进一步有利的发展。
在这种情况下，补偿元件用于补偿放大器部件的寄生输出电容，并且提供电感特性。放大器部件自身包括至少两个放大器元件，其中根据本发明的补偿元件通过连接焊片 (connecting lug)在芯片外壳外部形成在连接至放大器元件的两个连接插头之间。因为补偿元件被布置在芯片外壳外部，因此不需要使用特定且昂贵的芯片外壳。 此外，放大器外壳内的单独部件组的布置由于放大器部件的补偿元件的缺少而得以简化。 因为补偿元件被布置在外部，从而远离将晶体管冲模连接至连接插头的接合线，因此耦合被额外减少。此外，不需要额外的绝缘层来应用于放大器部件内的形成为印刷导体带的补偿元件。这意味着寄生输出电容能够被可靠地补偿，并且匹配网络的带宽可以显著增加，并且同时用于放大器部件的成本得以减少。本发明的进一步优点在于，芯片外壳的连接插头和形成为连接焊片的补偿元件在一个部分中具体实现。这意味着补偿元件可以在用于芯片外壳的制造工艺中直接被添加， 并且不需要额外的焊接工艺。因此，可以保证每个单独的补偿元件的电感幅度总是相同。如果芯片外壳的连接插头提供弯曲边缘，则本发明的进一步优点可以实现。因此， 补偿元件可以以如下方式被弯曲优选为45°到135°，特别优选为90°的角度形成在补偿元件与芯片外壳的连接插头之间。这实现了耦合的进一步减少。此外，有利的是，形成为连接焊片的补偿元件可以在中断点或窄口处与芯片外壳的连接插头分离。结果，相同的放大器部件还可以用于如下应用中这种补偿元件会与缺点相关联。而且，有利的是，形成为连接焊片的补偿元件可以以不同的方式具体实现，以便以简单的方式补偿不同幅度的寄生输出电容，而不必在每种情况下改变芯片设计。本发明的进一步优点在于，两个放大器元件为功率晶体管，优选为LDMOS晶体管 (横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide semiconductor))，其以所谓的推挽结构被布置。在这种情况下，相同幅度的电源电压被供应给两个功率晶体管的漏极接头，使得在不具有用于直接电压去耦合的额外电容器的情况下，补偿元件可以串联布置在两个漏极接头之间，从而避免进一步不期望的共振。
以下参照附图通过示例的方式描述本发明的各种示例性实施例。相同的主题提供相同的附图标记。附图中相应的图如下图1示出根据本发明的具有补偿元件的放大器部件的等效电路图；图2示出根据本发明的具有补偿元件的打开的放大器部件的平面图；图3示出根据本发明的放大器部件的补偿元件的中断点的细节图；图4示出第一示例性实施例的处于准备装配条件下的补偿元件的前视图；图5示出第二示例性实施例的处于准备装配条件下的补偿元件的前视图；图6示出第三示例性实施例的处于准备装配条件下的补偿元件的前视图；图7示出第四示例性实施例的处于准备装配条件下的补偿元件的前视图；图8示出具有根据本发明的处于装配条件下的补偿元件的放大器部件的侧面图；图9示出具有根据本发明的处于装配条件下的补偿元件的放大器部件的又一示例性实施例的侧面图。
具体实施例方式图1示出根据本发明的具有补偿元件2的放大器部件1的电路图(等效电路图)。 放大器部件1被构建为关于轴12镜像对称。放大器部件1提供至少两个放大器元件3” ；32，这两个放大器元件优选以反相方式被控制并且以推挽结构被布置。放大器元件3”32也可以被称之为晶体管冲模3^3”在这种情况下，放大器部件1被密封在芯片外壳(其未示出)中。放大器元件3^ 优选提供至少一个功率晶体管，该功率晶体管优选为场效应晶体管，尤其为LDMOS晶体管(横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide semiconductor))。因此，第一输入连接触头l优选连接至第一放大器元件S1的栅极。第二接头S1优选连接至第一放大器元件S1的漏极，并且第三接头G1优选连接至第一放大器元件3工的源极。此外，第一输入连接触头42优选连接至第二放大器元件\的栅极。第二接头\优选连接至第二放大器元件\的漏极，并且第三接头4优选连接至第二放大器元件\的源极。放大器元件3”32优选以推挽结构被布置，使得第一放大器元件S1的第三接头G1被连接至第二放大器元件\的第三接头化。两个接头G1A2都额外连接至参考地面。第一放大器元件S1的第二接头S1经由节点T1连接至电容器S1的第一接头。该电容器S1的第二接头连接至参考地面。此外，放大器元件\的第二接头\经由节点72连接至电容器&的第一接头。电容器&的第二接头连接至参考地面。两个电容器S1A2都由形成在放大器元件3i、\的漏表面和源表面之间的寄生输出电容S1A2形成。如果这些寄生输出电容器S1A2不被补偿，则匹配网络(其未示出)的带宽显著减少。节点T1进一步连接至电感％的第一接头。电感％的第二接头连接至节点Il115节点Il1连接至芯片外壳(其未示出)的连接触头IO115与关于通路12镜像对称结构相对应， 节点72连接至电感92的第一接头。电感92的第二接头连接至节点112。节点Il2连接至芯片外壳(其未示出)的连接触头102。两个电感％和92都由印刷导体带和/或接合线形成，其将放大器元件3^ 的第二接头5^ 连接至芯片外壳(其未示出)的连接触头IOp IO20另一电感2将这两个节点Il1和Il2连接在一起，因此将芯片外壳(其未示出)的连接触头IO1和IO2连接在一起。该电感2被形成为并联电感，并且用于补偿寄生电容Si、 S2的操作频率。也被称之为补偿元件2的该电感2，被设计为在芯片外壳外部位于这两个连接触头IO1和IO2之间的连接焊片2，如将在下面更详细地说明的那样。功率晶体管的两个漏极接头优选经由补偿元件2彼此连接。在这种情况下，补偿元件2提供电感特性。作为补偿元件2安装在放大器部件1的外部的措施的结果，所需要的芯片表面可以减小。因此，不需要特定的芯片外壳形状。此外，可以避免芯片外壳内的补偿元件2与接合线和/或其它印刷导体带之间的耦合。这对于匹配网络的可获得带宽具有有利的影响。 总地来说，开发成本可以减少，并且同时可以实现减少的生产成本。作为放大器元件3^ 以推挽结构被布置，并且在每种情况下放大器元件3^ 的第二接头5^0 以相同电源电压操作的事实的结果，不需要串联连接另一电容到补偿元件 2用于直接电压去耦合，从而避免了额外的不期望的共振。为了视觉清楚起见，图1中未示出优选连接至放大器元件3^ 的栅极的第一接头4p42处的电源电压以及优选连接至放大器元件3i、\的漏极的第二接头5^ 处的电源电压。图2示出根据本发明的具有补偿元件2的打开的放大器部件1的平面图。如图1 中已示出的，放大器部件1被构建为沿轴12精确镜像对称。放大器部件1被附接到优选位于凸缘20上的矩形基底元件，其中凸缘20的拐角为圆形。凸缘20的两个缺口四沿纵轴 21形成，该纵轴21通过凸缘20的中心，并且在中点处与轴12正交。凸缘20经由诸如螺钉连接(其未示出)之类的固定设备附接到冷却元件(其未示出)。绝缘层23形成在凸缘20上。该绝缘层23以环状形成，其中也可以考虑其它形状。 绝缘层23包括陶瓷或基板。至少两个输入连接触头t和42在一端与纵轴21平行地布置在该绝缘层23上。输入连接触头1和42的一部分投影到凸缘20的基底表面之外。输入连接触头I和42被设计成矩形或T形，其中这两者优选以相同的方式形成，以便减少制造成本并保证对称特性。与输入连接触头^和42平行地，连接触头IO1和IO2被布置在凸缘 20的相对侧上。连接触头IO1和IO2优选提供相同的基底表面，并且输入连接触头I和42 也形成在绝缘层23上。矩形晶体管冲模3p32或晶体管芯片S1J2被布置为直接在凸缘20上与连接触头 IO1和IO2平行。在这种情况下，晶体管冲模3^ 通过焊接或胶接连接至凸缘。为了通过设置在芯片外壳外部的补偿元件2实现寄生电容S1A2的最佳补偿，应当考虑将晶体管冲模 3^ 布置为尽可能接近芯片外壳的连接触头IO1和102。这一方面确保接合线％、92尽可能短，从而确保低电感，另一方面确保与并联电感不耦合。因为两个放大器元件或晶体管冲模
分别直接连接至凸缘20，因此可以保证最佳的热传递。输入连接触头I经由至少一条接合线21连接至晶体管冲模S1，从而优选连接至放大器元件S1的栅极。经由至少另一条接合线％，连接触头IO1连接至晶体管冲模31;从而优选连接至放大器元件S1的漏极。放大器元件S1的源极经由晶体管冲模S1的下侧直接连接至凸缘20或经由焊接或胶接连接至凸缘20，从而连接至参考地面。相同情况应用于放大器元件；32。输入连接触头42经由至少一条接合线242连接至晶体管冲模；32，从而优选连接至放大器元件\的栅极。经由至少另一条接合线92，连接触头IO2连接至晶体管冲模；32，从而优选连接至放大器元件\的漏极。放大器元件\的源极经由晶体管冲模\的下侧直接连接至凸缘20或经由焊接或胶接连接至凸缘20，从而连接至参考地面和放大器元件S1的源极。作为优选使用LDMOS晶体管的事实的结果，晶体管冲模3^ 可以相应地直接形成在凸缘20上或者经由焊接或胶接形成在凸缘20上。LDMOS晶体管的源极相应地以导电方式直接连接至凸缘20。因此，不需要如US4，107，728中所示的位于晶体管冲模与凸缘之间的绝缘层，因为这个原因，制造成本可以进一步减少。如果补偿元件2形成在芯片外壳中， 则必须首先在凸缘20上创建这种绝缘层，这再次增加生产成本。然而，如果补偿元件2根据本发明被布置在芯片外壳的外部，则相比之下可以使得芯片设计简单。两个连接触头IO1和IO2经由形成为连接焊片2的补偿元件2彼此连接。在这种情况下，连接焊片2被设计为弓形。T形凹口沈被设置在连接焊片2与连接触头IO1和IO2 之间。弓形连接焊片2的至少一个拐角在该示例性实施例中成斜角。优选地，连接焊片2 以及芯片外壳的至少两个连接触头IO1和IO2形成在一片中。这对于连接焊片2以及两个连接触头IO1和IO2的制造工艺具有有利的影响。这些可以优选以单冲压工艺制造。因此，形成为连接焊片2的补偿元件2提供可再现价值。如果形成为连接焊片2的补偿元件2被具体实现为独立的部件，则它将必须借助于进一步焊接工艺连接至连接触头IO1和102。这必须在将放大器部件1安装到整个电路中之后实施，其中寄生电容S1和&的补偿然后会以不同的质量发生。除了增加的生产成本之外，放大器部件1不会提供与其它放大器部件精确相同的性能。这意味着匹配网络(其未示出)的带宽大幅度改变。作为补偿元件2与连接触头IO1UO2-起的一片实施例的结果，放大器部件1可以与形成为连接焊片2的补偿元件2 —起自动布置在印刷电路板上，并且例如利用回流技术被焊接。此外，弯曲边缘27优选形成在芯片外壳的至少两个连接触头IO1和IO2的下三分之一处。弯曲边缘27在图2中以虚线示出。该弯曲边缘27优选通过冲压工艺形成。作为弯曲边缘27的结果，连接焊片2可以非常简单地在相对于芯片外壳的连接触头IO1和IO2 的从例如45°到例如135°的角度范围内定位。优选地，连接焊片2在相对于芯片外壳的连接触头IO1UO2* 90°的角度处定位。该定位可以在一个额外的装配步骤中非常简单地实现。作为连接焊片2优选定位在相对于芯片外壳的连接触头IO1UO2* 90°的角度处的事实的结果，放大器部件1可以以节省空间的方式集成到印刷电路板(其未示出)上。另外的部件可以直接位于连接触头IO1和IO2上。此外，磁耦合在连接焊片2与接合线％、92 之间的90°的角度处被进一步最小化。因此，寄生电容S1A2可以很好地被补偿，从而增加匹配网络的带宽。作为弯曲边缘形成在连接触头IO1UO2的下三分之一处的事实的结果，补偿元件2被设置为与晶体管冲模3”32更加接近。此外，优选提供中断点28，在该中断点观处连接焊片2可以与芯片外壳的连接触头IO1UO2分离。如下面将说明的，该中断点观形成在芯片外壳的连接触头IO1UO2与连接焊片2之间的窄口处。通过将形成为连接焊片2的补偿元件2分离，放大器部件1还可以在如下应用中使用作为这种并联电感2的结果，连接触头IO1UO2之间的连接会不利。这使得放大器部件1以通用方式有用，其中用于各种放大器部件1的存储的成本可以节省。图2清楚地示出一旦补偿元件2被布置在放大器部件1的外部，放大器部件1内的空间需求就可以显著减少。结果，可以实现显著较短的接合线长度，从而可以实现从放大器元件3^ 到连接触头IO1UO2W减少的寄生串联电感U215除了减少的磁耦合之外，这还减少了放大器部件1的成本，并且这意味着放大器部件1可以以非常通用的方式使用。图3再次示出连接焊片2与连接触头IO1UO2如何分离的可能性。为了这个目的， 假设为例如矩形形状的小槽口 30优选分别形成在连接触头IO1UO2与连接焊片2之间的过渡或窄口处。诸如小刀或剪刀之类的切割工具可以应用于这些槽口 30。连接焊片2沿其可以与连接触头IO1UO2分离的中断点观以虚线示出。该中断点22还可以被设计为穿孔的，使得连接焊片可以在不使用切割工具的情况下通过沿中断点观弯曲若干次而分离。类似地，可以通过进一步的冲压工艺来将连接焊片2分离。这具有以下优点放大器部件1还可以在不需要额外的补偿元件2的应用中使用。图4示出沿处于准备装配条件下的放大器部件1的纵轴21的前视图。形成为连接焊片2的补偿元件2通过朝向芯片外壳40的护套的方向近似90°在弯曲边缘27处与连接触头IO1UO2的一部分一起向上弯曲。放大器部件1如何形成在用作基底表面并用于连接至参考地面的凸缘20上是明显的。以环状形成的绝缘层23被示出为点区域。连接触头IO1UO2和连接焊片2的弯曲部分被示出在绝缘层23上方。放大器部件1的芯片外壳40的护套由虚线示出。很明显，连接焊片2高于芯片外壳40的护套。在一个示例性实施例(其未示出)中，连接焊片2可以低于芯片外壳40的护套。 图4中的连接焊片提供与图2和图3相同的弓形实施例。为了视觉清楚起见，图4中未示出图3的中断点观。在图4的情况下，还可以在窄口处将连接焊片2与连接触头IO1和IO2 分离。为了利用补偿元件2补偿这种幅度的寄生电容S1A2，连接焊片2的形状可以被适配是必须的，这是因为连接焊片2的形状直接决定校正元件2的电感。图5再次示出沿处于准备装配条件下的放大器部件1的纵轴21的前视图。形成为连接焊片2的补偿元件2通过芯片外壳40的护套的方向90°在弯曲边缘27处与连接触头IO1UO2的一部分一起向上弯曲。放大器部件1如何形成在凸缘20上是明显的，其用作基底表面并用于参考地面连接。以环状形成的绝缘层23被示出为在凸缘20上的点区域。 可以看出连接触头IO1UO2和连接焊片2的弯曲部分在绝缘层23上方。放大器部件1的芯片外壳40的护套由虚线示出。与图2、图3和图4中已知的连接焊片2相比，连接焊片2提供圆形拐角。图5中形成为连接焊片2的补偿元件2也可以在冲压工艺中制造。为了视觉清楚起见，图5中未示出图3的中断点观。图5中，还可以利用已知方法将连接焊片2与连接触头IO1和IO2分离。图6也示出沿处于准备装配条件下的放大器部件1的纵轴21的前视图，其中补偿元件2提供又一实施例。形成为连接焊片2的补偿元件2通过朝向芯片外壳40的护套的方向90°在弯曲边缘27处与连接触头IO1UO2的一部分一起向上弯曲。放大器部件1如何形成在凸缘20上是明显的，其用作基底表面并用于参考地面连接。以环状形成在凸缘20 上的绝缘层23被示出为点区域。可以看出连接触头IO1UO2和连接焊片2的弯曲部分在绝缘层23上方。放大器部件1的芯片外壳40的护套由虚线示出。与图2、图3、图4和图5 的连接焊片2相比，连接焊片2提供了强烈弯曲的形状。在这种情况下，连接焊片2可以形成半圆形，其中半径可以以补偿元件2投影到远离芯片外壳40的护套之外或不投影到远离芯片外壳40的护套之外的方式选择。图6中形成为连接焊片2的补偿元件2也可以在冲压工艺中制造。为了视觉清楚起见，图6中未示出图3的中断点观。图6中，还可以利用已知方法将连接焊片2与连接触头IO1和IO2分离。图7也示出沿处于准备装配条件下的放大器部件1的纵轴21的前视图，其中补偿元件2提供另一实施例。形成为连接焊片2的补偿元件2通过朝向芯片外壳40的护套的方向90°在弯曲边缘27处与连接触头IO1UO2的一部分一起向上弯曲。放大器部件1如何形成在凸缘20上是明显的，其用作基底表面并用于参考地面连接。以环状形成在凸缘20 上的绝缘层23被示出为点区域。可以看出连接触头IO1UO2和连接焊片2的弯曲部分在绝缘层23上方。放大器部件1的芯片外壳40的护套由虚线示出。与图2、图3、图4、图5和图6的已知连接焊片2相比，连接焊片2提供了曲折的实施例。连接焊片包括基本上以行方向彼此设置的三个U形段，其中拐角在每种情况下为矩形。作为这种曲折实施例的结果， 补偿元件2的电感被增加。因此，甚至相对较大的寄生电容S1A2也可以以可靠的方式被补
图7中形成为连接焊片2的补偿元件2也可以在冲压工艺中制造。为了视觉清楚起见，图7中未示出图3的中断点。图7中，还可以利用已知方法将连接焊片2与连接触头 IO1* IO2分离。在另一实施例(其未示出)中，以曲折形状设计的连接焊片2的拐角为圆形。图8示出具有根据本发明的处于装配条件下的补偿元件2的放大器部件1沿轴12 的横截面图。在这种情况下，冷却元件52提供矩形凹口。印刷电路板50附接到除矩形凹口以外的冷却元件52。与根据本发明的补偿元件2 —起形成在凸缘20上的放大器部件1以如下方式被布置在冷却元件的凹口中补偿元件2经由凸缘20的缺口 29，例如借助于螺钉连接(其未示出)刚性连接至冷却元件52。为了这个目的，冷却元件52提供相应的钻孔。凸缘20与冷却元件52之间的连接必须以使得热电阻尽可能小的方式具体实现， 以便将在推挽结构中产生且在操作期间不可忽略的废热从芯片外壳40中安全地去除。除了良好的导热性之外，凸缘20与冷却元件52之间的过渡也必须提供非常好的导电性，这是因为放大器元件S1J2的第三接头6p62通过凸缘20连接到参考地面。LDMOS晶体管的源极优选经由凸缘20连接至参考地面。此外，示出将放大器部件1连接至印刷电路板50的输入连接触头I。在具有输入连接触头I的连接位置处，印刷电路板50提供接触表面(其未示出)，在该表面上，优选提供类似浆糊的黏度的焊接介质51借助于分配器单元被施加。在焊接工艺中，输入连接触头 I以实现低欧姆电接触的方式连接至印刷电路板50。图8还示出输入连接触头I如何经由接合线M1分别连接至放大器元件S1或晶体管冲模在这种情况下，放大器元件S1或晶体管冲模S1仍然经由接合线％连接至连接触头IO115如在前附图所示，作为连接焊片2提供的补偿元件2形成在连接触头IO1上。该补偿元件2在芯片外壳40的护套方向上在弯曲边缘27 (其在图8中未示出)处以如下方式被弯曲近似90°的角度形成在连接触头IO1与作为连接焊片2提供的补偿元件2之间。 一般来说，补偿元件2还可以以不同角度弯曲。在这种情况下，可以考虑从45°到135°范围的角度。然而，在接合线％、92与设计为连接焊片2的补偿元件2之间的磁耦合在90° 的角度下最小。连接触头IO1连接至印刷电路板50。为了这个目的，印刷电路板50在与连接触头 IO1的连接位置处提供接触表面(其未示出)，其中优选提供类似浆糊的黏度的焊接介质51 借助于分配器单元被施加于该连接触头IO115连接触头IO1在焊接工艺中以实现低欧姆电接触的方式被连接至印刷电路板50。还示出在其上形成输入连接触头I和连接触头IO1的绝缘层23。放大器元件S1 或晶体管冲模S1分别直接设置在凸缘20上。芯片外壳40的护套被示出为虚线。印刷电路板50可以与放大器部件1 一起自动安装。在制造工艺的开始时，优选仅仅插入螺钉连接， 以便实现凸缘20与冷却元件52之间提高的热传递和提高的电接触。如果螺钉连接在制造工艺的结束时被附接，则这会导致在焊接接合点处的机械应力。凸缘可以为金板，以便实现最低欧姆接触。为了实现输入连接触头4p42与连接触头IO1UO2以及印刷电路50之间的永久刚性，这里不应当使用金板接触。与输入连接触头42、接合线92、242、放大器元件\或晶体管冲模\和连接触头IO2精确相同的要素应用于第二侧(其未示出)。
在又一示例性实施例中，图9示出具有根据本发明的处于装配条件下的补偿元件 2的放大器部件1沿轴12的侧面图。放大器部件1的结构和功能已经在前面附图的描述中详细说明，现在参考这些附图。图9与图8的区别在于图9的连接触头IO1提供凹槽实施例60，其开口面对朝向芯片外壳40的方向。这里，凹槽实施例60提供被设置在例如一毫米以下直至至少一毫米范围内的深度。凹槽实施例60可以通过冲压工艺形成在连接触头IO1 中，其中较大的连接强度在焊接工艺中实现。该凹槽实施例60也存在与连接触头IO2 (其未示出)中。此外，输入连接触头4工和42还可以被提供有这种凹槽实施例60。本发明不限于所提出的示例性实施例。所描述和/或所示出的所有元件根据需要可以在本发明的框架内彼此结合。例如，也可以使用偶极晶体管。
权利要求
1.一种放大器部件(1)，具有外壳GO)和至少两个放大器元件(3^ ),其中，寄生电容(S1A2)形成在每个放大器元件(3^ )的至少两个接头(5^ 和S1A2)之间，并且其中该寄生电容(S1A2)通过电感补偿元件(2)被补偿，其特征在于，所述补偿元件( 通过连接焊片( 在所述外壳GO)外部形成在两个连接触头(10” IO2)之间。
2.根据权利要求1所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片( 的形状决定所述补偿元件O)的电感。
3.根据权利要求1或2所述的放大器部件， 其特征在于，所述外壳GO)的至少两个连接触头(IO1UO2)提供弯曲边缘07)。
4.根据权利要求3所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片( 在所述弯曲边缘(XT)上相对于所述外壳GO)的连接触头(IO1UO2) 形成从45°到135°角度范围内的角度，优选近似90°的角度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片⑵和所述外壳GO)的两个连接触头(IO1UO2)形成在一片中。
6.根据权利要求5所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片⑵和所述连接触头(IO1UO2)在冲压工艺中一起制造。
7.根据权利要求5或6所述的放大器部件， 其特征在于，提供中断点( )，在该中断点08)处，所述连接焊片(2)能够与所述外壳G0)的连接触头(IO1UO2)分离。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片( 被设计成弓形。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片O)以曲线方式被设计。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接焊片( 被设计成曲折形状。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述连接触头(IO1UO2)提供凹槽设计(60)，以便在焊接工艺中实现高连接强度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的放大器部件，其特征在于，所述放大器元件(3^ )被布置为接近所述外壳GO)的连接触头(IO1UO2K
13.根据权利要求12所述的放大器部件， 其特征在于，所述放大器元件(3p32)直接连接至凸缘00)。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，两个放大器元件(3^ )以反相方式被控制并且以推挽结构被布置。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的放大器部件， 其特征在于，所述放大器元件(3^ )为晶体管冲模(3i、32)，并且每个晶体管冲模以、32)提供至少一个功率晶体管，优选LDMOS晶体管。
16.根据权利要求15所述的放大器部件， 其特征在于，两个功率晶体管的两个漏极接头(5i、52)经由所述补偿元件( 彼此连接。
全文摘要
本发明涉及一种放大器部件(1)，其包括芯片外壳(40)和至少两个放大器元件(31、32)。寄生电容(81、82)形成在每个放大器元件(31、32)的至少两个接头(51、52和61、62)之间，所述寄生电容(81、82)通过电感补偿元件(2)被补偿。所述补偿元件(2)通过所述芯片外壳(40)外部的连接焊片(2)形成在两个连接触头(101、102)之间。
文档编号H01L23/64GK102349233SQ201080011517
公开日2012年2月8日 申请日期2010年11月30日 优先权日2009年12月28日
发明者贝恩哈德·凯恩斯 申请人:罗德施瓦兹两合股份有限公司