电接触元件及电气部件用插座的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种与半导体装置(以下，称为“1C封装”)等电气部件电连接的电接触元件以及配设有该电接触元件的电气部件用插座。
【背景技术】
[0002]以往，在与IC封装等电气部件电连接的电接触元件中存在触销，该触销设置于配置在外部的导通测试电路上的作为电气部件用插座的IC插座。通过将IC封装收纳于IC插座，而将IC封装的连接端子与导通测试电路的电极经由触销进行电连接，在该状态下加热而进行老化试验。
[0003]这里，作为IC封装的连接端子，由主成分是锡(Sn)，不包含铅(Pb)的所谓无铅焊料形成，但与这样的IC封装的连接端子电连接的触销，在将金(Au)镀(添加极微量的Co)层形成为最表层，将镍(Ni)形成为基底层的情况下，产生如下的问题。
[0004]S卩，当进行老化试验，则包含于IC封装的连接端子的Sn融入扩散到触销的Au而形成Au-Sn合金，IC封装的连接端子会粘贴于触销。然后，在老化试验结束后，当从触销剥离IC封装的连接端子，贝Ij因Au-Sn合金的脆性而在Au-Sn的层间引起断裂，触销的Au的一部分会被剥夺到IC封装的连接端子侧，因此由于重复进行老化试验，触销的Au被基本剥夺尽而暴露基底层的Ni。因此，包含于IC封装的连接端子的Sn在触销的材料中不再扩散，附着到触销的Sn氧化而易于构成绝缘体。因此，随着试验次数增多，在触销与IC封装的连接端子之间电阻值急剧地上升而变得无法进行电连接，有可能在老化试验中将良品的封装错误地判断为不良。
[0005]因此，在以往的触销中已知有如下结构:在基底层的Ni的外侧重叠地形成钯(Pd)镀层，并且进一步在其外侧将与Pd镀层相比Sn的扩散速度慢的银(Ag)镀层形成为最表层，在触销与IC封装的连接端子粘贴的情况下，在形成于该界面的极薄的Ag-Sn合金层间使它们断裂，而将触销的Ag被夺走的量抑制在最小(例如，参照专利文献I)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:国际公开第2007/034921号公报
[0009]发明要解决的课题
[0010]但是，IC封装所要求的使用温度环境，例如在配设于机动车的发动机室内的控制单元使用IC封装的情况等那样，存在高温化的倾向，与此相伴，老化试验中的试验温度也需要变高(例如，150°c以上)。
[0011]然而，在上述以往的触销中，当使老化试验的试验温度变高，则因促进合金形成等理由，触销中的Ag镀层及Pd镀层的减少速度上升，而使基底层的暴露提前。因此，有可能直到触销与IC封装的连接端子之间的电阻值急剧上升为止的试验次数会减少，IC插座的寿命降低。
【发明内容】
[0012]因此，针对上述的问题，本发明要解决的课题在于提供一种电接触元件及电气部件用插座，该电气部件用插座配设了该电接触元件，在提高了老化试验的试验温度的情况下，抑制直到产生电阻值的急剧上升为止的试验次数的减少的情况。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]为了解决上述课题，本发明的电接触元件，其构成为对基材层叠有多层，该多层构成为包含:第I层，该第I层由通过加热，锡融入而扩散的材料中，锡的扩散速度比钯慢的材料形成；以及第2层，该第2层在第I层中与基材相反的相反侧，由锡的扩散速度比第I层慢的材料形成。
[0015]在这种电触元件中，第I层也可以由以钯和镍为主成分的Pd-Ni合金形成，或者由以钯和钴为主成分的Pd-Co合金形成。
[0016]在由Pd-Ni合金形成第I层的情况下，在Pd-Ni合金中，钯的重量比率也可以高于镍的重量比率。在该情况下，也可以是，钯的重量比率是60?90重量％，镍的重量比率是
10?40重量％。
[0017]在由Pd-Co合金形成第I层的情况下，在Pd-Co合金中，钯的重量比率也可以高于钴的重量比率。
[0018]并且，第2层也可以由银或以银为主成分的Ag合金形成。也可以在该Ag合金中添加镍、铜、铁或者铺中的任意一个。
[0019]并且，第2层也可以由银或以银为主成分的Ag合金形成。或者，也可以通过对第I层电镀而形成第2层。
[0020]并且，也可以是，还构成为包含基底层，该基底层包含镍，且形成在基材与第I层之间，通过对基底层电镀而形成第I层。
[0021]另一方面，本发明的电气部件用插座具有:插座主体，该插座主体收纳有电气部件，该电气部件具有包含锡的连接端子；以及所述电接触元件，该电接触元件设置于插座主体且与所收纳的电气部件的连接端子接触。
[0022]发明效果
[0023]根据本发明的电接触元件和电气部件用插座，能够在提高了老化试验的试验温度的情况下，抑制直到产生电阻值的急剧上升为止的试验次数减少的情况。因此，当与以往的设置了电接触元件的电气部件用插座相比，能够延长电气部件用插座的寿命。
【附图说明】
[0024]图1是从正面观察本发明的实施方式的电气部件用插座(IC插座)的情况的局部剖视图。
[0025]图2是同IC插座的俯视图。
[0026]图3是配设于同IC插座的触销的局部放大图。
[0027]图4是从侧面观察同IC插座的情况的局部剖视图。
[0028]图5是表示本发明的实施方式的触销的第I动作状态的说明图。
[0029]图6是表示本发明的实施方式的触销的第2动作状态的说明图。
[0030]图7是表示触销的接触部的说明图。
[0031]图8表示老化试验后的触销中的第I接触部，图8 (A)是表示第I接触部的侧视图，图8(B)是关于以往的触销的剖视图，图8(C)是关于本发明的实施方式的触销的剖视图。
[0032]图9是表示老化试验中的触销的相当于第I接触部的部分中的电阻值的变化的图表，图9(A)关于以往的触销进行了图示，图9(B)关于本发明的实施方式的触销进行了图不O
[0033]符号说明
[0034]10IC 封装
[0035]12IC 插座
[0036]14插座主体
[0037]30连接端子
[0038]32触销
[0039]42第I接触部
[0040]46第2接触部[0041 ]62基材
[0042]64基底层
[0043]66表层
[0044]68第 I 层
[0045]70第2层
【具体实施方式】
[0046]以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。图1?图8是表示本发明的电接触元件和电气部件用插座的实施方式的图。
[0047]在图1中，装配有作为电气部件的IC封装10的作为电气部件用插座的IC插座12具有插座主体14和盖16。
[0048]盖16以能够上下移动的方式组装于插座主体14。详细而言，在插座主体14形成有盖导向部18，在盖16形成有以能够滑动的方式与该盖导向部18卡合的导向槽20，盖16被插座主体14的盖导向部18引导而上下移动。另外，插座主体14和盖16由绝缘性的树脂材料形成。
[0049]盖16以将配设在插座主体14与盖16之间的螺旋弹簧22压缩规定量的方式组装于插座主体14，盖16利用螺旋弹簧22而被始终朝向插座主体14的上方施力，利用止挡构件24定位盖16的上方位置。另外，在图4中的左右方向上至少配置一对螺旋弹簧22。
[0050]止挡构件24由形成于盖16的四角的爪26和与这些爪26卡合的插座主体14的爪28构成。这里，盖16侧的爪26以能够在形成于插座主体14的槽29内滑动的方式卡合，当盖16向图4中的下方下压，则爪26沿着插座主体14的爪28的斜面28a被弹性地展开而越过插座主体14的爪28，然后与插座主体14的爪28卡合。由此，将盖16组装于插座主体14。
[0051]在插座主体14安装有多个触销32，触销32作为电接触元件，将包含主成分是锡(Sn)且不含有铅(Pb)的所谓无铅焊料而形成的IC封装10的连接端子30与外部的导通测试电路(省略图示)连接。
[0052]触销32在其基部34处通过压入等而固定到插座主体14，利用形成于插座主体14的肋36以不与相邻的其他触销32接触的方式分隔触销32。并且，如图1和图5所示，触销32具有从基部34向插座主体14的下方突出的连接臂38，该