专利名称：用于制备mwt硅太阳能电池的方法
技术领域：
本发明涉及制备MWT (金属缠绕式)硅太阳能电池的方法。本发明也涉及相应的MWT硅太阳能电池。
背景技术：
当前制备的大部分太阳能电池均基于结晶硅。具有P型(P掺杂)硅基板的常规太阳能电池在其正面上具有η型扩散层形式的η型(η掺杂)发射器。此类常规的硅太阳能电池结构使用负极来接触电池的正面或光照面、以及背面上的正扱。众所周知，入射在半导体的ρ-η结上的合适波长的辐射充当在该半导体中产生电子-空穴对的外部能源。在ρ-η结处存在电势差，这导致空穴和电子以相反的方向横跨该结移动，从而产生能够向外部电路输送电カ的电流。大部分太阳能电池为已被金 属化的硅片形式，即具有导电的金属触点。通常，正面金属化为所谓的H图案的形式，即银网格阴极的形式，其包含细的平行指状线(收集器线)以及使指状线成直角相交的汇流条，而背面金属化是与银或银/铝汇流条或插片电连接的铝阳扱。从正面汇流条以及背面汇流条或插片收集光电流。MWT硅太阳能电池是其电池设计不同于前述段落中所述的常规硅太阳能电池的硅太阳能电池的实例。MWT硅太阳能电池是技术人员所熟知的(參见例如说明资料“Preliminary Datasheet Sunweb” 和 N 占“http://www. so丄丄andsolar. com/IManager/Content/4680/qfl7/mtl537/mi30994/mul254913665/mv2341”，所述资料能从该网站下载，以及 F. Clement 等人的“Industrially feasible multi-crystalline metalwrap tnrough (MWT) silicon solar cells exceeding 16%efTiciency，，，Solar EnergyMaterials&Solar Cells93 (2009)，第1051-1055页)。MWT硅太阳能电池代表ー种特殊类型的硅太阳能电池；它们是背面触点电池，使得它们能够比标准的硅太阳能电池进行较少的正面遮蔽。MWT硅太阳能电池的P型硅片具有在电池的正面和背面之间形成通路的小空穴。MWT硅太阳能电池具有延伸到整个正面和空穴内侧的η型发射器。η型发射器被覆盖有介电钝化层，该钝化层充当ARC (抗反射涂层)层，这对于硅太阳能电池而言是常规的。η型发射器不仅延伸到整个正面，而且还延伸到空穴的内侧，而介电钝化层不会这样，其会略过空穴内侧，并且任选地也略过空穴前边缘周围的窄边。空穴的内侧和(可能存在的)空穴前边缘周围的窄边，即未覆盖有介电钝化层的η型扩散层，具有导电性金属层(开放的空穴)形式或导电性金属塞(填充有导电性金属的空穴)形式的金属化。空穴的金属化通常由一种或两种导电性金属浆料施用并焙烧。为了避免误解，如果使用两种不同的导电性金属浆料，则不施用它们以形成双层金属化；而是将一种导电性金属浆料从空穴的正面施用至空穴并且从背面施用另ー种浆料。空穴的金属化充当发射器触点并且形成MWT硅太阳能电池的阴极背面触点。此外，MWT太阳能电池的正面具有细的导电性金属收集器线形式的正面金属化，所述收集器线以MWT硅太阳能电池的典型图案布置，例如网格状或网状图案或者细平行指状线形式。术语“用于MWT硅太阳能电池的典型图案”表示收集器线的末端与空穴的金属化重叠并且因此与之电连接。收集器线由具有烧透能力的导电性金属浆料施用。在使得如此施用的收集器线干燥之后，将它们穿过正面介电钝化层烧透，从而与硅基板的正面产生接触。本说明书和权利要求中所用的术语“具有烧透能力的金属浆料”表示以下金属浆料，该浆料在焙烧过程中蚀刻并且刺透(烧透)钝化层或ARC层，从而与硅基板的表面产生电接触。同样真实的是，具有较差烧透能力或不具有烧透能力的金属浆料的表现是相反的；它不会烧透钝化层或ARC层并且不会在焙烧时与硅基板产生电接触。为了避免误解，在此背景下术语“无电接触”不应理解为绝对的；而是应指介于焙烧金属浆料和硅表面之间的接触电阻率超过I Ω 而就电接触而言，介于焙烧金属浆料和硅表面之间的接触电阻率在I-IOmΩ · cm2的范围内。接触电阻率能通过TLM (传输长度法)測量。为此，可使用以下样本制备及测量程序将具有ARC层或钝化层(例如，75nm厚的SiNx层)的硅片丝网印刷在该层上，其中银浆要以平行线的图案(例如，127 μ m宽和6 μ m厚的线，其中线之间的间距为2. 2mm)测试，并且随后用达到例如800°C的峰值温度的硅片进行焙烧。将焙烧后的硅片用激光切割成IOmmX28mm长的条，其中平行的线不相互接触，并包含至少6条线。然后对这些条在20°C 下和暗处进行常规TLM测量。可使用得自GP Solar的装置GP 4-Test Pro进行TLM测量。正如常规硅太阳能电池的背面一祥，MWT硅太阳能电池的背面也具有铝阳极形式的背面金属化。该铝阳极与导电性金属收集器背面触点电接触，从而铝阳极以及导电性金属收集器背面触点在任何情况下均与空穴的金属化电绝缘。从MWT硅太阳能电池的阴极背面触点和阳极导电性金属收集器背面触点收集光电流。与常规硅太阳能电池的制造类似，MWT硅太阳能电池的制造从硅片形式的P型硅基板开始。通常，硅片的厚度在例如140-220 μ m的范围内，并且面积在例如150_400cm2的范围内。通常通过激光钻孔来施用在硅片的正面和背面之间形成通路的小空穴。如此制备的空穴的直径为例如30-250 μ m,并且它们均匀分布在硅片上。它们的数量在例如每个硅片10-100个的范围内。随后通过磷(P)等的热扩散形成反向导电型的η型扩散层。通常将三氯氧化磷(POCl3)用作气态磷扩散源，其它液体源为磷酸等。在硅基板的整个正面(包括空穴的内側)形成η型扩散层。形成ρ-η结，其中P型掺杂剂的浓度等于η型掺杂剂的浓度。具有靠近光照面的Ρ-η结的电池具有介于O. 05 μ m和O. 5 μ m之间的结深度。在形成了该扩散层之后，通过用某种酸例如氢氟酸进行蚀刻而将多余的表面玻璃从表面的其余部分上除去。通常，随后在正面η型扩散层上形成例如Ti0x、Si0x、Ti0x/Si0x、SiNx的介电层或具体地讲SiNx/SiOx的介电堆栈，然而会略过空穴的内侧，并且任选地也略过空穴正面边缘周围的窄边。例如，可使用如氢存在下的等离子CVD (化学气相沉积)或溅射等方法进行介电层的沉积。介电层同时充当MWT硅太阳能电池正面的ARC层和钝化层。正如具有P型基板的常规太阳能电池结构一祥，MWT硅太阳能电池通常在其正面上具有负极，并且在其背面上具有正扱。负正面电极呈细的导电性收集器线的形式，所述收集器线按MWT硅太阳能电池的典型图案布置。通常通过在电池正面的ARC层上丝网印刷、干燥和焙烧正面导电性金属浆料(形成导电性金属浆料的正面电极)来施用细的导电性收集器线，从而使收集器线的末端与空穴的金属化重叠以与之产生电连接。通常在带式炉中焙烧1-5分钟，从而使硅片达到700-900°C范围内的峰值温度。如前述段落中已经提到的一祥，空穴具有金属化。为此，通过以导电性金属层(开放的空穴)形式或导电性金属塞(填充有导电性金属的空穴)形式向空穴施用导电性金属浆料而使空穴自身金属化。金属化可仅覆盖空穴的内侧或者也覆盖空穴边缘周围的窄边，从而窄边可存在于空穴的正面边缘上、空穴的背面边缘上、或同时存在于它们两者之上。可由一种单ー的导电性金属浆料来施用金属化。也可由两种不同的导电性金属浆料来施用金属化，即可将一种导电性金属浆料施用至空穴的正面，并且将另ー种施用至其背面。在施用了一种或两种导电性金属浆料之后，对浆料进行干燥和焙烧以形成发射器触点以及分别形成MWT硅太阳能电池的阴极背面触点。通常在带式炉中焙烧1-5分钟，从而使硅片达到700-900で范围内的峰值温度。焙烧后的空穴的金属化与细的正面导电性收集器线的末端电连接。此外，在P型硅基板的背面，通常通过丝网印刷来施用背面银或银/铝浆和铝浆，并依次干燥，从而避免与空穴的金属化发生任何接触。换句话讲，施用背面金属浆料，从而确保它们在焙烧之前以及之后与空穴的金属化保持电绝缘。将背面银或银/铝浆施用到背面上作为阳极背面收集器触点，其可呈汇流条、插片或平均分布的触点形式。随后在与银或银/铝背面收集器触点轻微重叠的裸区中施用背面铝浆。在某些情况下，在施用了背面铝浆之后施用背面银或银/铝浆。然后通常在带式炉中焙烧1-5分钟，从而使硅片达到 700-900で范围内的峰值温度。正面阴极、空穴的金属化和背面阳极能依次焙烧或共同焙
Jyti ο一般将背面铝浆丝网印刷在硅片背面并对其进行干燥。在高于铝熔点的温度下焙烧娃片以在娃片的背表面形成招-娃熔体。这样形成的P+层一般称为BSF (背表面场)层。背面铝浆通过焙烧从干燥状态转化为铝背面阳极，而背面银或银/铝浆在焙烧时变成阳极银或银/铝背面收集器触点。通常，将背面铝浆和背面银或银/铝浆共同焙烧，然而依次焙烧也是可能的。在焙烧期间，背面铝与背面银或银/铝之间的边界呈合金状态，并且是电连接的。铝电极占据背面阳极的大部分面积；如所提及的那样，银或银/铝背面收集器触点仅占据背面阳极的一小部分面积。此外，作为细的收集器线施用的正面导电性金属浆料在焙烧过程中烧透ARC层，从而能够电接触正面η型发射器。发明概述本发明涉及用于制造MWT硅太阳能电池的方法。同时，该方法是ー种用于制造MWT硅太阳能电池的阴极背面触点的方法。该方法包括以下步骤(I)提供P型硅片，其具有(i)在硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到空穴的整个正面和内侧的η型发射器，(2)将导电性金属浆料施用至硅片的空穴以至少为空穴的内侧提供金属化，(3)对施用的导电性金属浆料进行干燥，以及(4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使硅片达到700_900°C的峰值温度，其中导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力并且包含(a)至少ー种选自银、铜和镍的粒状导电金属，以及(b)有机载体。因此，本发明也涉及如此制备的MWT硅太阳能电池，并且分别涉及如此制备的其阴极背面触点。发明详述已发现，使用本发明的方法可制备出具有改善的电效率的MWT硅太阳能电池。焙烧过的导电性金属浆料牢牢粘附至空穴，即硅片空穴内侧的η型发射器表面。良好的粘附カ对于MWT硅太阳能电池的较长使用寿命很重要。
不受理论的束缚，据信在进行本发明的方法的步骤(3)和(4)时，至多具有较差烧透能力的导电性金属浆料不会损坏或不会显著地损坏η型发射器。重要的是避免或減少η性发射器的损坏以避免转轨特征。在本发明方法的步骤(I)中，提供了ー种P型硅片，其具有(i)在硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到空穴的整个正面和内侧的η型发射器。硅片为如常规用于硅太阳能电池制备的单晶或多晶硅片；它具有P-型区域、η-型区域和ρ-η结。通常，硅片在其正面上具有例如TiOx、SiOx, Ti0x/Si0x、SiNx的ARC层或具体地讲SiNjSiOx的介电堆栈。如果存在此类ARC层，则它会略过空 穴的内侧，并且任选地也略过空穴边缘周围的窄边。此类硅片是技术人员所熟知的；为简明起见，明确地对“发明技术背景”部分进行參考。硅片可能已具有正面导电性金属收集器线和/或具有背面金属化，即与银或银/铝背面收集器触点电连接的铝背面阳极，如“发明技术背景”部分中所述。在本发明方法的步骤(2)中，将不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含(a)至少ー种选自银、铜和镍的粒状导电金属以及(b)有机载体的导电性金属浆料施用至硅片的空穴，以便为至少空穴的内侧提供金属化。在本发明方法的ー个特定实施方案中，导电性金属浆料包含(C)至少ー种玻璃料作为组分，所述玻璃料选自(i)无铅玻璃料，其具有550-61TC范围内的软化点温度并且包含11-33重量%(wt. %)的SiO2, >0-7重量% (具体地讲，5-6重量%)的Al2O3和2-10重量％的B2O3，以及(ii)含铅玻璃料，其具有在571-636 °C范围内的软化点温度，并且包含53-57重量％的Pb0、25-29重量％的Si02、2_6重量％的Al2O3和6-9重量％的B203。在说明书及权利要求书中，使用了术语“软化点温度”。它是指在ΙΟΚ/min的加热速率下通过差热分析(DTA)测得的玻璃化转变温度。导电性金属浆料包含至少ー种选自银、铜和镍的粒状导电金属。优选地，粒状导电金属为银。粒状银可由银或银与一种或多种其它金属例如铜的合金构成。就银合金而言，银含量为例如99. 7重量％至低于100重量％。粒状导电金属或银可未涂覆有或至少部分涂覆有表面活性剤。表面活性剂可选自但不限于硬脂酸、棕榈酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蘧酸、亚油酸以及它们的盐，例如铵盐、钠盐或钾盐。粒状导电金属或银的平均粒度在例如O. 5-5 μ m范围内。粒状导电金属或银可按以下比例存在于导电性金属浆料中所述比例按总导电性金属浆料组合物计为50-92重量％，或者在一个实施方案中为65-84重量％。在本说明书及权利要求书中使用术语“平均粒度”。该术语是指借助激光散射測定的平均粒度(平均粒径，d50)。本说明书和权利要求书中关于平均粒度所作的所有陈述均涉及如存在于导电性金属浆料组合物中的相关材料的平均粒度。可将小部分的选自银、铜和镍的导电金属替换为一种或多种其它粒状金属。按导电性金属浆料中包含的粒状金属的总重量计，此类其它粒状金属的比例为例如0-10重量％。导电性金属浆料包含有机载体。可将许多种惰性的粘稠材料用作有机载体。有机载体可为粒状成分(粒状金属、玻璃料、进ー步任选存在的无机粒状成分)能够以足够的稳定度分散于其中的载体。有机载体的特性，具体地讲流变性，可使得它们向导电性金属浆料组合物提供良好的施用特性，包括不溶性固体的稳定分散、适合施用的粘度和触变性、浆料固体的合适的可润湿性、良好的干燥速率、以及良好的焙烧特性。用于导电性金属浆料中的有机载体可为非水惰性液体。有机载体可为有机溶剂或有机溶剂混合物；在ー个实施方案中，有机载体可为有机聚合物溶于有机溶剂中形成的溶液。在一个实施方案中，用于该目的的聚合物可为こ基纤维素。可単独使用或以组合方式使用的聚合物的其它实例包括こ基羟こ基纤维素、木松香、酚醛树脂和低级醇的聚(甲基)丙烯酸酷。合适的有机溶剂的实例包括醇酯和萜烯例如α-或β-萜品醇或它们与其它溶剂例如煤油、邻苯ニ甲酸ニ丁酷、ニ甘醇丁基醚、ニ甘醇丁基こ酸醚、己ニ醇和高沸点醇的混合物。此外，用于在本发明方法的步骤(2)中施用导电性金属浆料之后促进迅速硬化的挥发性有机溶剂能够被包括在有机载体中。可配制这些溶剂和其它溶剂的各种组合以达到期望的粘度和挥发性要求。导电性金属浆料中的有机载体含量可取决于施用浆料的方法和所用的有机载体的种类，并且其能变化。在一个实施方案中，其按总导电性金属浆料组合物计可为10-45重量％,或者在一个实施方案中，其可在12-35重量％的范围内。该数目10-45重量％包括一
种或多种有机溶剂、ー种或多种可能的有机聚合物和ー种或多种可能的有机添加剤。导电性金属浆料中的有机溶剂含量按总导电性金属浆料组合物计可在5-25重量％的范围内，或在一个实施方案中在10-20重量％的范围内。ー种或多种有机聚合物可按以下比例存在于有机载体中所述比例基于总导电性金属浆料组合物计，在0-20重量％的范围内，或在一个实施方案中在5-10重量％的范围内。在本发明方法的ー个特定实施方案中，导电性金属浆料包含至少ー种玻璃料，所述玻璃料选自(i)无铅玻璃料，其具有在550-611°C范围内的软化点温度，并且包含11-33重量％的Si02、>0-7重量％ (具体地讲，5-6重量％)的Al2O3和2-10重量％的B2O3,以及
(ii)含铅玻璃料，其具有在571-636°C范围内的软化点温度，并且包含53-57重量％的PbO、25-29重量％的Si02、2-6重量％的Al2O3和6-9重量％的B203。对于⑴型无铅玻璃料，Si02、Al203和B2O3的重量百分比总和不为100重量％，其余的重量％具体由ー种或多种其它氧化物构成，例如碱金属氧化物如Na20、碱土金属氧化物如MgO以及金属氧化物如Bi203、TiO2和ZnO。(i)型无铅玻璃料可包含40-73重量％ (具体地讲，48-73重量％)的Bi203。Bi203、SiO2, Al2O3和B2O3的重量百分比总和可为100重量％或不为100重量％。在总和不为100重量％的情况下，其余的重量％可具体由ー种或多种其它氧化物构成，例如碱金属氧化物如Na20、碱土金属氧化物如MgO以及金属氧化物如TiO2和ZnO。对于(ii)型含铅玻璃料，PbO、SiO2, Al2O3和B2O3的重量百分比总和可为100重量％或不为100重量％。在总和不为100重量％的情况下,其余的重量％可具体由ー种或多种其它氧化物构成，例如碱金属氧化物如Na20、碱土金属氧化物如MgO以及金属氧化物如TiO2 和 ZnO0如果导电性金属浆料包含⑴型无铅玻璃料以及(ii)型含铅玻璃料，则两种玻璃料之间的比率可为任何值，或换句话讲在>0至无限大的范围内。优选地，在本发明方法的特定实施方案中所用的导电性金属浆料不包含除(i)型和/或(ii)型玻璃料之外的任何其它玻璃料。选自⑴和/或(ii)的ー种或多种玻璃料充当无机的基料。玻璃料的平均粒度在例如O. 5-4 μ m的范围内。在本发明方法的特定实施方案中所用的导电性金属浆料中，选自
(i)和/或(ii)的玻璃料的总含量为例如O. 25-8重量％，或在一个实施方案中为O. 8-3. 5
重量％。玻璃料的制备是熟知的，并包括例如将玻璃的组分熔融在一起，具体地讲以组分氧化物的形式，然后将此类熔融组合物注入水中以形成玻璃料。如本领域所熟知，可加热到例如1050-1250°C范围内的峰值温度并持续的时间通常为O. 5-1. 5小时，使得熔体变为完全液态且均相的。可将玻璃在球磨机中用水或惰性的低粘度低沸点的有机液体进行研磨，以减小玻璃料的粒度并且获得其尺寸基本上均匀的玻璃料。然后可将其沉淀在水或所述有机液体中以分离出细料，并且可除去包含细料的上清液。也可使用其它分类方法。、
导电性金属浆料可包括一种或多种有机添加剤，例如表面活性剤、增稠剂、流变改性剂和稳定剂。有机添加剂可为有机载体的一部分。然而，也可在制备导电性金属浆料时単独加入一种或多种有机添加剤。一种或多种有机添加剂可按一下的总比例存在于导电性金属浆料中按总导电性金属浆料组合物计，所述总比例为例如0-10重量％。在本发明方法中所用的导电性金属浆料为粘稠的组合物，其可通过将粒状金属和玻璃料与有机载体机械地混合而制备。在一个实施方案中，可使用动カ混合制造方法，其为ー种等同于传统棍磨的分散技术；也能使用棍磨或其它混合技术。导电性金属浆料可原样使用，或者可通过加入一种或多种附加的有机溶剂进行稀释；因此，可減少导电性金属浆料中所有其它成分的重量百分比。当通过使用Brookfield HBT粘度计和#14锭子的效用杯以IOrpm的锭子速度并且在25°C下测量时，导电性金属浆料的施用粘度可为20-350Pa · S。将导电性金属浆料施用至硅片的空穴以至少为空穴的内侧提供金属化，即，形成至少空穴内侧的金属化。可采用导电性金属层(开放的空穴)的形式或导电性金属塞(填充有导电性金属的空穴)的形式施用导电性金属浆料。导电性金属浆料施用的方法可为印刷，例如丝网印刷。可从空穴的正面和/或背面来施用。施用导电性金属浆料以用金属化覆盖至少空穴的内侧；即可施用导电性金属浆料，从而仅覆盖空穴的内侧或者也覆盖空穴边缘周围的窄边，从而窄边可存在于空穴正面边缘的周围、空穴背面边缘的周围、或它们两者的周围。可施用附加的第二导电性金属浆料而非本发明方法的步骤(2)中所施用的导电性金属浆料；在此类情况下，通过从空穴的正面施用一种导电性金属浆料并且从其背面施用另ー种而形成空穴的金属化，其中由本发明方法的步骤(2)中所用的不具有烧透能力或具有较差烧透能力的导电性金属浆料施用空穴内侧的金属化。在本发明方法的步骤(3)中，对步骤(2)中施用的导电性金属浆料干燥例如1-100分钟，使硅片达到100-300°C范围内的峰值温度。干燥可利用例如带式、旋转式或静止式干燥机，具体地讲IR (红外线)带式干燥机而进行。在本发明方法的步骤(4)中，将干燥的导电性金属浆料焙烧以形成空穴金属化成品。这些金属化充当MWT硅太阳能电池的发射器触点和阴极背面触点。步骤(4)的焙烧可进行例如1-5分钟,从而使娃片达到700-900°C范围内的峰值温度。可利用例如单区段或多区段带式炉，具体地讲多区段IR带式炉进行焙烧。可在惰性气氛中或在氧气的存在下例如在空气的存在下进行焙烧。在焙烧期间，可除去(即烧尽和/或碳化，具体地讲烧尽)包括非挥发性有机材料的有机物质和在干燥期间未蒸发的有机部分。在焙烧期间除去的有机物质包括ー种或多种有机溶剂、任选存在的ー种或多种有机聚合物以及任选存在的ー种或多种有机添加剤。至少对于本发明方法的特定实施方案，在焙烧过程中还存在一种エ艺，即，玻璃料与粒状导电金属的烧结。焙烧可作为所谓的共同焙烧与细的导电性金属收集器线形式的正面金属化(所述收集器线按MWT硅太阳能电池的典型图案布置)和/或从背面铝浆施用的铝背面阳极和/或从背面银或银/铝浆施用的银或银/铝背面收集器触点一起进行。以下实施例示出了银浆烧透能力的測定。这些实施例还示出了如何测试焙烧过的银浆和P型硅基板表面之间的粘附力，从而利用常规的样本P型硅片进行粘附カ测试，因为无法测试焙烧过的银浆和MWT硅太阳能电池晶片空穴内侧之间的粘附力。
实施例
(I)制诰测试样本:(I)实施例银浆1-3 银浆1-3的组成在表I中列出。浆料由银粉(平均粒度2 μ m)、有机载体(聚合物树脂和有机溶剤)和玻璃料(平均粒度8 μ m)组成。表2提供了所利用的玻璃料类型的组成数据。表I
权利要求
1.用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤 (1)提供P型硅片，其具有α)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的η型发射器， (2)将导电性金属浆料施用至所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化， (3)对施用的导电性金属浆料进行干燥，以及 (4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使所述硅片达到700-900°C的峰值温度， 其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含(a)至少ー种选自银、铜和镍的粒状导电金属以及(b)有机载体。
2.权利要求I的方法，其中所述P型硅片在其正面上具有ARC层，所述层略过所述空穴的内侧。
3.权利要求I或2的方法，其中基于总导电性金属浆料组合物计，所述有机载体的含量为10-45重量％。
4.权利要求I或2的方法，其中所述导电金属按50-92重量％的比例存在于所述导电性金属浆料中。
5.前述任一项权利要求的方法，其中所述导电金属为银。
6.前述任一项权利要求的方法，其中所述导电性金属衆料包含(c)至少ー种玻璃料作为组分，所述玻璃料选自(i)无铅玻璃料，其具有在550-61TC范围内的软化点温度并且包含11-33重量%的SiO2、>0-7重量%的Al2O3和2-10重量%的B2O3,以及(ii)含铅玻璃料，其具有在571-636°C范围内的软化点温度并且包含53-57重量％的PbO、25-29重量％的SiO2,2-6 重量 ％ 的 Al2O3 和 6-9 重量 ％ 的 B203。
7.权利要求6的方法，其中一种或多种无铅玻璃料包含40-73重量％的Bi203。
8.权利要求6或7的方法，其中在所述导电性金属浆料中，选自类型⑴和(ii)的玻璃料总含量为O. 25-8重量％。
9.前述任一项权利要求的方法，其中施用所述导电性金属浆料作为导电性金属层或作为导电性金属塞。
10.前述任一项权利要求的方法，其中所述导电性金属浆料通过印刷来施用。
11.前述任一项权利要求的方法，其中焙烧作为共同焙烧与选自如下的至少ー种金属浆料一起进行(I)已施用至所述正面以形成细的导电性金属收集器线形式的正面金属化的导电性金属浆料，所述收集器线按MWT硅太阳能电池的典型图案来布置，(2)已施用至所述背面以形成铝背面阳极的背面铝浆，以及(3)已施用至所述背面以形成银或银/铝背面收集器触点的背面银或银/铝浆。
12.由前述任一项权利要求的方法制备的MWT娃太阳能电池。
全文摘要
本发明提供了用于制备MWT硅太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供p型硅片，其具有(i)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的n型发射器，(2)将导电性金属浆料施用至所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化，(3)将施用的导电性金属浆料干燥，以及(4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使所述硅片达到700-900℃的峰值温度，其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，以及(b)有机载体。
文档编号H01B1/22GK102725852SQ201080055578
公开日2012年10月10日 申请日期2010年12月8日 优先权日2009年12月15日
发明者A·G·普林斯, G·劳迪辛奥, K·W·杭, R·J·S·杨 申请人:E·I·内穆尔杜邦公司