能最小化反馈光引起的输出变化的光学器件、光学扫描设备和图像形成设备的制作方法

专利名称：能最小化反馈光引起的输出变化的光学器件、光学扫描设备和图像形成设备的制作方法
能最小化反馈光引起的输出变化的光学器件、光学扫描设备和图像形成设备
技术领本发明总体上涉及光学器件、光学扫描设备和图像形成设备。更具体地，本发明涉及发射光的光学器件、具有该光学器件的光学扫描设备以及具有该光学扫描设备的图像形成设备。
背景技术：
诸如垂直腔面发射激光器(VCSEL)的面发射激光器是在垂直于基板的方向上发射光的半导体激光器。与边发射半导体激光器相比，面发射激光器成本低并具有高性能，且可易于以阵列方式实施。因此，日益期待面发射激光器为光学通信技术提供光源，例如，用于光学互连、光学拾波器以及诸如激光打印机的图像形成设备。面发射激光器技术的密集研发工作正在进行中，并且某些技术已经投入实际应用。近年来，已经提出了这样的面发射激光器元件，其中光学透明电介质膜形成在发射表面上，并且通过在发射表面的中心部分和周边部分之间提供反射率的差异而控制高阶横模。还提出了另一种面发射激光器元件，其中通过在这样的电介质膜中提供形状各向异性而进一步稳定偏振方向(见专利文件I至4)。通常，当发射激光的激光器元件用于光学系统时，光学系统中的透镜或玻璃表面反射的光可变为反馈光入射在激光器元件上，从而改变发射的激光量。因此，已经提出了抵制这样的反馈光的激光器元件。例如，专利文件5讨论了一种面发射激光器元件，其中谐振器由下多层镜和上多层镜形成，谐振器中偏置点的弛豫振荡频率设定为超过光学通信频率以调制面发射激光器元件发射的激光。专利文件6讨论了包括半导体基板的面发射半导体激光器。有源层设置在半导体基板之上，并且有源层之上设置的发射平面构造为相对于半导体基板在垂直方向上发射有源层中产生的激光。吸收层设置在发射平面之上，并且构造为吸收一些激光。人们还提出控制反馈光自身。例如，专利文件7讨论了用于光学传输的面发射激光器模块，其包括其上安装至少面发射激光器芯片和监测光电探测器的TO头(T0header)。该模块包括具有涂以透射比为40%或更小的膜的窗口的帽。然而，在根据专利文件5的面发射激光器元件中，驱动电路以及元件自身的结构很复杂，导致成本增加。根据专利文件6的面发射半导体激光器也具有复杂的元件结构，并且不能提供足够的效果。当根据专利文件7的面发射激光器模块应用于面发射激光器阵列时，窗口玻璃的倾斜角需要增加，使得难于加工帽，并且还导致尺寸的增加。专利文件I JP 2001-156395A专利文件2 JP 专利 No. 3955925专利文件3 JP 2007-201398A专利文件4 JP 2004-289033A专利文件5 JP 2005-252032A
专利文件6 :JP 2005-086027A专利文件7 JP 2007-103576A

发明内容
在一个方面中，本发明提供一种光学器件，其包括面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，面发射激光器阵列设置在该封装构件上；以及透明构件，保持在封装 构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括入射面，面发射激光器阵列发射的光束入射在该入射面上。透明构件的入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，由发光部分中的一个发光部分发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分中的另一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。在面发射激光器阵列的发光部分中，该一个发光部分和该另一个发光部分以最大的距离彼此分隔。在另一个方面中，本发明提供一种光学扫描设备，其包括光源，包括光学器件；偏转器，构造为偏转由光源发射的光；以及扫描光学系统，构造为将由偏转器偏转的光聚集在被扫描表面上。在另一个方面中，本发明提供一种图像形成设备，其包括图像载体以及光学扫描设备，光学扫描设备构造为用具有图像信息的光扫描图像载体。


图I示出根据本发明实施例的激光打印机；图2示出了图I的激光打印机的光学扫描设备；图3示出了图2的光学扫描设备的光源单元；图4是图3的光源单元的光学器件的平面图；图5是沿着图4的A-A’线剖取的截面图；图6是已经去除盖玻璃和帽的光学器件的平面图；图7是光学器件的封装构件的平面图；图8是沿着图7的A-A’线剖取的截面图；图9是光学器件中激光器芯片的平面图；图10示出了激光器芯片中的多个发光部分的布置；图11是激光器芯片的发光部分的平面图；图12是沿着图11的A-A’线剖取的截面图；图13示出了制造激光器芯片的工艺中的步骤；图14示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；图15示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；图16示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；图17是掩模M的平面图；图18示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；图19是图18的平面图；图20示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；
图21示出了制造激光器芯片的工艺中的另一个步骤；图22是不出谐振波长和反射率之间关系的图；图23示出了谐振器内的入射角；图24是不出谐振波长和反射率之间关系的图；图25是示出谐振器上的入射角和反射率之 间关系的图； 图26是示出光束发散角的图；图27示出了根据本发明实施例的玻璃板的倾斜角和发光部分发射的光的轨道之间的关系；图28不出了根据相关技术玻璃板的倾斜角和发光部分发射的光的轨道之间的关系;图29是示出异常输出波形的图；图30是不出下降率(droop ratio)的图；图31是示出根据本发明实施例的光学器件发光部分的下降率的图；图32是示出根据相关技术的光学器件发光部分的下降率的图；图33示出了根据本发明另一个实施例的光学器件；图34是沿着图33的A-A’线剖取的截面图；图35示出了根据本发明实施例用于光学通信的光学器件510C ；图36示出了根据本发明另一个实施例用于光学通信的光学器件510D ；图37A是根据本发明另一个实施例的光学器件510F的平面图；图37B是沿着图37A的A_A’剖取的截面图；以及图38示出了根据本发明实施例的彩色打印机。
具体实施例方式图I示出了根据本发明实施例的激光打印机1000。激光打印机1000包括光学扫描设备1010 ;感光鼓1030 ;充电单元1031 ;显影辊1032 ;转印充电器1033 ;中和单元1034 ；清洁单元1035 ;墨粉盒1036 ;供纸辊1037 ;供纸盘1038 ;定位辊对1039 ;定影辊1041 ;排纸辊1042 ;排纸盘1043 ;通信控制单元1050 ;以及用于集中控制上述单元的打印机控制单元1060。这些单元设置在打印机外壳1044内。例如，通信控制单元1050构造为通过网络以上位设备(例如，个人计算机)控制双向通信。感光鼓1030是其表面上形成感光层的圆柱部件。感光鼓1030构造为在图I中箭头所示的方向上旋转。充电单元1031、显影辊1032、转印充电器1033、中和单元1034和清洁单元1035以对应于激光打印机1000中图像形成工艺步骤的顺序设置在感光鼓1030周围。具体而言，充电单元1031均匀地为感光鼓1030的表面充电。感光鼓1030的充电表面用光学扫描设备1010发射的光束扫描。该光束由从上位设备提供的图像信息调制。结果，对应于图像信息的潜像形成在感光鼓1030表面上。随着感光鼓1030的旋转，潜像在显影辊1032的方向上传输。稍后详细描述光学扫描设备1010的结构。墨粉盒1036存储提供给显影辊1032的墨粉。显影辊1032使得墨粉附着到感光鼓1030的表面上的潜像，以便显影(即使其可见)图像信息。显影的图像(可称为〃墨粉图像〃)随着 感光鼓1030的旋转而在转印充电器1033的方向上传输。供纸盘1038存储大量的记录纸1040。供纸辊1037从供纸盘1038取出记录纸1040之一且将记录纸1040输送到定位辊对1039。定位辊对1039首先保持记录纸1040，然后根据感光鼓1030的旋转将其送入感光鼓1030和转印充电器1033之间的间隙。转印充电器1033提供有电压，其极性与墨粉的极性相反，从而感光鼓1030的表面上的墨粉可电性地吸引向记录纸1040。在墨粉图像转移到记录纸1040上后，记录纸1040传输到定影辊1041。定影辊1041施加热量和压力到记录纸1040上，从而将墨粉图像熔化在记录纸1040上。然后，记录纸1040通过排纸辊1042传输到排纸盘1043。其后，感光鼓1030的表面由中和单元1034中和。保留在感光鼓1030的表面上的墨粉由清洁单元1035去除，然后感光鼓1030的清洗表面返回到与充电单元1031相对的位置。图2不出了光学扫描设备1010。光学扫描设备1010包括偏转器侧扫描透镜Ila ；图像侧扫描透镜Ilb ;多角镜(polygon mirror) 13 ;光源单元14 ;柱面透镜17 ;反射镜18 ；以及扫描控制单元(未示出)。这些单元设置在光学外壳30内。在本发明中，从光源单元14发射光的方向称为Z轴方向，并且垂直于Z轴方向的平面中彼此垂直的方向称为"X轴〃方向和"Y轴〃方向。图3不出了光源单兀14,其包括激光器模块500和光学模块600。激光器模块500具有印刷电路板(PCB) 580，其上安装光学器件510和用于控制光学器件510的激光器控制单兀(未不出)。光学模块600包括第一光学模块部分610和第二光学模块部分630。第一光学模块部分610具有半反射镜(half mirror) 611 ;聚焦透镜612 ;以及光接收元件613。第二光学模块部分630具有耦合透镜631和开口板632。第一光学模块部分610设置在光学器件510的+Z侧，使半反射镜611定位在光学器件510发射光的光路上。入射在半反射镜611上的一些光在-Y方向上反射且通过聚焦透镜612被光接收元件613接收。光接收元件613将表示接收光量的信号(光电转换信号)输出到激光器模块500上的激光器控制单元。第二光学模块部分630设置在第一光学模块部分610的+Z侧，使耦合透镜631定位在已经通过半反射镜611的光的光路上。耦合透镜631构造为使已经通过半反射镜611的光形成平行光。开口板632具有在光从光源单元14发射前使已经通过耦合透镜631的光成形的开口。返回来参考图2，柱面透镜17构造为在多角镜13的偏转/反射表面附近通过反射镜18收集光源单兀14发射的光。光学器件510和多角镜13之间的光路上设置的光学系统可称为〃预偏转光学系统(pre-deflector optical system)"。根据本实施例,预偏转光学系统包括稱合透镜631、开口板632、柱面透镜17和反射镜18。多角镜13包括减小高度的正六棱柱，其侧面形成六个偏转/反射表面。多角镜13由旋转机构(未示出)以恒定的角速度在图2箭头所示的方向上旋转。因此，由柱面透镜17在多角镜13的偏转/反射表面附近收集的光由多角镜13以恒定的角速度偏转。偏转器侧扫描透镜Ila设置在多角镜13偏转的光的光路上。图像侧扫描透镜Ilb设置在已经通过偏转器侧扫描透镜Ila的光的光路上。已经通过图像侧扫描透镜Ilb的光照射感光鼓1030的表面，在其上形成光斑。该光斑随着多角镜13的旋转而在感光鼓1030的纵向方向上运动，因此在主扫描方向上扫描感光鼓1030的表面。感光鼓1030的旋转方向称为”次扫描方向"。多角镜13和感光鼓1030之间的光路上设置的光学系统可称为扫描光学系统。根据本实施例，扫描光学系统包括偏转器侧扫描透镜IIa和图像侧扫描透镜lib。至少一个折叠式反射镜可设置在偏转器侧扫描透镜Ila和图像侧扫描透镜Ilb之间的光路上或图像侧扫描透镜Ilb和感光鼓1030之间的光路上。图4是光学器件510的平面图。如图所示，光学器件510包括激光器芯片100、其上保持激光器芯片100的封装构件200、盖玻璃300、帽310和环320。图5示出了沿着图4的A-A’剖取的截面图。图6是安装在封装构件200上的激光器芯片100的平面图。激光器芯片100通过连接线连接到封装构件200，这在图5和6中没有示出。封装构件200是称为陶瓷无引线芯片载体(ceramic leadless chipcarrier, CLCC)的平面封装，其具有在+Z侧被壁包封的空间区域121 (见图5或8)。封装构件200具有多层结构，包括陶瓷基板201和多个金属引线203，如图7和图8所示，图8 是沿着图7的A-A’线剖取的截面图。金属引线203从中心延伸，并且分别连接到封装构件200的侧面上设置的各金属架207。金属膜205设置在空间区域中底表面上的中心。金属膜205可称为〃管芯贴附区域"，金属膜205提供公用电极，其中位于空间区域121的四个角的八个金属引线203连接到金属膜205。例如，激光器芯片100可采用AuSn焊料贴装到实质上在空间区域121的底表面的中心的金属膜205。因此，激光器芯片100保持在由壁围绕的空间区域121的底表面上。图9是激光器芯片100的平面图，示出了 32个发光部分160和32个电极焊盘170的二维布置，电极焊盘170以对应的方式设置在发光部分160周围。电极焊盘170采用引线180电连接到对应的发光部分160。电极焊盘170通过引线键合而连接到对应的金属引线 203。图10是32个发光部分160的布置平面图，其中在所有发光部分160于X轴方向上延伸的虚拟线上的正交投影中，发光部分160在以规则的间隔dl设置。间隔dl是指在正交投影中两个相邻发光部分160的中心之间的距离。根据本实施例，发光部分160包括VCSEL，其具有780nm波带的振荡波长。因此，激光器芯片100是所谓的面发射激光器阵列
-H-* I I
心/T 图11是发光部分160的平面图。图12是沿着图11的A-A’线剖取的截面图。如图所示，发光部分160包括基板101 ;缓冲层102 ;下半导体分布布拉格反射器(distributedBragg reflector, DBR) 103 ;下间隔层104 ;有源层105 ;上间隔层106 ;上半导体DBR107 ；接触层109 ；p侧电极113 ；n侧电极114 ;以及波模滤波器115。基板101包括n-GaAs单晶基板。缓冲层102包括n_GaAs，并且堆叠在基板101的+Z侧。下半导体DBR 103堆叠在缓冲层102的+Z侧。下半导体DBR 103包括40. 5对n-AlAs的低折射系数层和Ii-Ala3Gaa7As的高折射系数层。为了减小电阻，在相邻的折射系数层之间提供厚度为20nm的成分渐变层，其中从一种成分到另一种成分逐渐变化。每个折射系数层具有X/4的光学厚度(包括相邻成分渐变层的一半)，其中\是振荡波长。当光学厚度为X/4时，该层的实际厚度D为D=X/4n (其中n是该层介质的折射系数)。下间隔层104堆叠在下半导体DBR 103的+Z侧，并且包括非掺杂的(Al。. Aatl 9)a5InQ.5P。有源层105堆叠在下间隔层104的+Z侦彳，并且包括GalnAsP/GalnP的三重量子阱结构。量子阱层包括其中引入As的GaInP混合晶体，以便获得780nm波带的振荡波长。量子阱层具有0. 7%的压应变。势垒层提供有0. 6%的拉应变，以便增加其带隙，并且实现高载流子限定功能，同时形成用于量子阱层的应变补偿结构。上间隔层106堆叠在有源层105的+Z侧，并且包括非掺杂的(AlaiGaa9) 0.5In0.5P。包括下间隔层104、有源层105和上间隔层106的部分可称为腔体结构，其光学厚度设定为对应于单一波长。有源层105设置在腔体结构的中心，对应于电场的驻波分布的波腹(anti-node)，从而可获得受激发射的高可能性。上半导体DBR 107堆叠在上间隔层106的+Z侦彳，并且包括25对P-Ala9GaaiAs的低折射系数层和P-Ala3Gaa7As的高折射系数层。为了降低电阻，成分渐变层提供在相邻的折射系数层之间，其中成分从一个成分逐渐变化到另一个成分。每个折射系数层具有入/4的光学厚度(包括相邻成分倾斜层的一半)。在上半导体DBR 107中的低折射系数层之一中，插入厚度为33nm的p-AlAs的选择氧化层108。具体而言，选择氧化层108插设在对应于电 场的驻波分布中从有源层105的第三波节(node)的位置。接触层109堆叠在上半导体DBR107的+Z侧，并且包括p-GaAs。基板101上堆叠的半导体层可称为〃堆叠体〃。波模滤波器115包括第一和第二波模滤波器115A和115B。波模滤波器115设置在接触层109的+Z侧的发射区域190的一部分中，其设在发射区域190的中心部分之外。波模滤波器115包括透明电介质膜，其构造为与中心部分的反射率相比降低发射区域设置波模滤波器115的部分的反射率。简要描述制造激光器芯片的方法。(I)通过晶体生长法制备堆叠体，例如，金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)(见图13)。在MOCVD的情况下，III族材料可包括三甲基铝(TMA)、三甲基镓(TMG)或三甲基铟(TMI)，并且V族材料可包括磷化氢(PH3)或砷化氢(AsH3)。p型掺杂剂材料可包括四溴化碳(CBr4)或二甲基锌(DMZn)。n型掺杂剂材料可包括硒化氢(H2Se)。(2)每个边长为25 Pm的正方形抗蚀剂图案形成在堆叠体的表面上。(3)采用包含Cl2气体的ECR蚀刻工艺，并且采用该抗蚀剂图案为光掩模，形成正方形柱子形状的台结构(其可简称为"台")，其中蚀刻的底部位于下间隔层104内。(4)去除光掩模(见图14)。(5)堆叠体在存在水蒸气的情况下进行热处理，以便从台的周边在选择氧化层108中选择性地氧化Al (铝)，留下台中心处没有被氧化且由Al氧化层108a围绕的区域108b(见图15)。因此，形成氧化限制结构，其限制用于发光部分的驱动电流到台的中心部分的通道。也就是，非氧化区域108b形成电流通道区域(电流注入区域)。这样，形成了宽度约为
4ym的正方形的电流通道区域。(6)通过化学气相沉积(CVD)，SiN的保护层111形成(见图16)到入/4的光学厚度。具体而言，实际膜厚度(=入/4n)可为约105nm,如果SiN的折射系数n为I. 86,并且振荡波长\为780nm。(7)制备蚀刻掩模M，用于在形成激光发射表面的台上部上形成p侧电极接触窗口。例如，如图17所示，掩模M构造为防止相对于平行于所希望的偏振方向P(在所示的示例中为X轴方向)的方向跨过在台之上的中心部分而彼此相对的第一和第二小区域Ml和M2、台的周围区域、台的侧面以及台的上表面上的周边区域的蚀刻。(8)通过BHF蚀刻保护层111，因此打开用于p侧电极接触的窗口。(9)去除掩模M (见图18和19)。保护层111留在第一小区域Ml中的部分形成第一波模滤波器115A，并且保护层111留在第二小区域M2中的部分形成第二波模滤波器115B。第一波模滤波器115A和第二波模滤波器115B之间的区域具有形状各向异性。(10)每个边的尺寸为10 的正方形形状的抗蚀剂图案形成在台上部形成发射区域190的区域中，并且沉积p侧电极材料。p侧电极材料可包括Cr/AuZn/Au或Ti/Pt/Au的多层膜。(11)剥离发射区域190中沉积的电极材料，因此形成P侧电极113 (见图20)。p侧电极113围绕的区域形成发射区域190。根据本实施例，第一和第二波模滤波器115A和115B包括SiN的透明电介质膜，具有\ /4的光学厚度，分别存在于发射区域190的第一和第二小区域Ml和M2中。因此，发射区域190的第一和第二小区域Ml和M2的反射率低于发射区域190的中心部分的反射率。(12)在基板101的后表面研磨到预定的厚度(例如在IOOiim的量级)后，形成n侧电极114 (见图21)。n侧电极114可包括AuGe/Ni/Au的多层膜。(13)p侧电极113和n侧电极114之间通过退火提供欧姆接触，因此能使台发光。(14)基板切成单独的激光器芯片。在各种后续工艺后，获得激光器芯片100。返回来参考图5，盖玻璃300在其两侧涂有抗反射膜，并且具有99%或更高的透射t匕。帽310可由科瓦铁镍钴合金(kovar)制造。盖玻璃300以相对于激光器芯片100的发射表面的角度采用低熔点玻璃连接到帽310。环320可由科瓦铁镍钴合金制造，通过用于缝焊目的的铜焊固定在封装构件200的+Z侧。具有盖玻璃300的帽310通过缝焊经由环320固定到封装构件200。缝焊可涉及重量为500g在90A电流下的应用。已经知晓法布里-拍罗(Fabry-Perot)谐振器的透射比T可由下面的表达式表示
权利要求
1.一种光学器件，包括 面发射激光器阵列，具有多个发光部分； 封装构件，所述面发射激光器阵列设置在所述封装构件上；以及透明构件，保持在所述封装构件上，并且设置在所述面发射激光器阵列发射的光束的光路上， 所述透明构件包括入射面，由所述面发射激光器阵列发射的光束入射在所述入射面上， 其中所述透明构件的所述入射面相对于所述面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，所述发光部分中的一个发光部分发射的光经由所述透明构件的反射以第二倾斜角入射在所述发光部分中的另一个发光部分上，所述第一倾斜角小于所述第二倾斜角，其中在所述面发射激光器阵列的所述发光部分中，所述一个发光部分和所述另一个发光部分以最大的距离彼此分隔。
2.根据权利要求I所述的光学器件，其中所述面发射激光器阵列的所述发光部分的每一个都包括具有有源层的腔体结构， 其中所述入射面相对于所述发射表面的所述第一倾斜角等于或大于(e LD+^0) /2，其中Q U)是对应于发射光的远场图案的2 O或更大的光束发散角，以及Wtl是当由所述透明构件反射的光入射在所述腔体结构上时使所述腔体结构相对于由所述腔体结构的折射系数及其长度确定的谐振波长的光的反射率为99%或更大的临界入射角。
3.根据权利要求2所述的光学器件，其中所述光束发散角eM对应于所述远场图案的3o或更大。
4.根据权利要求2所述的光学器件，其中相对于以所述临界入射角Wtl入射在所述腔体结构上的光的谐振波长比由所述腔体结构的折射系数及其长度确定的谐振波长短2nm或更大。
5.根据权利要求I所述的光学器件，其中所述面发射激光器阵列的发光部分的每一个都包括发射区域，其中所述发射区域包括用透明电介质膜覆盖的反射率较低的区域。
6.根据权利要求5所述的光学器件，其中所述发射区域包括反射率较高的区域，所述反射率较高的区域的反射率高于所述反射率较低的区域的反射率， 其中从所述光学器件发射光的方向上看时，所述反射率较高的区域具有形状各向异性。
7.根据权利要求I所述的光学器件，其中所述透明构件包括透明树脂模塑构件， 其中所述面发射激光器阵列包含在所述透明树脂模塑构件内。
8.根据权利要求I所述的光学器件，其中所述透明构件包括光纤。
9.根据权利要求8所述的光学器件，其中所述光纤包括端面，所述端面的平面垂直于所述光纤的纵向方向， 其中所述面发射激光器元件的发射表面的法线相对于所述光纤的纵向方向倾斜。
10.根据权利要求8所述的光学器件,其中所述光纤包括相对于所述光纤的纵向方向倾斜的端面， 其中所述面发射激光器元件的所述发射表面的法线平行于所述光纤的纵向方向。
11.一种光学扫描设备，包括 光源，包括根据权利要求I所述的光学器件； 偏转器，构造为偏转由所述光源发射的光；以及 扫描光学系统，构造为将由所述偏转器偏转的光聚集在被扫描表面上。
12.—种图像形成设备，包括 图像载体；以及 根据权利要求11所述的光学扫描设备，构造为用具有图像信息的光扫描所述图像载体。
13.根据权利要求12所述的图像形成设备，其中所述图像信息包括多色图像信息。
全文摘要
一种光学器件，包括面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
文档编号H01S5/183GK102668280SQ201080057439
公开日2012年9月12日 申请日期2010年12月15日 优先权日2009年12月21日
发明者佐藤俊一, 安达一彦, 石井稔浩, 菅原悟 申请人:株式会社理光