导电薄膜和包括其的电子器件的制作方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2014-0064011的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。
技术领域
[0003] 公开导电薄膜和包括其的电子器件。
【背景技术】
[0004]例如平板显示器如液晶显示器化CD)或发光二极管（LED)、触摸屏面板、太阳能电 池、透明晶体管等的电子器件包括导电薄膜，所述导电薄膜可为透明的。用于导电薄膜的 材料可具有，例如，在可见光区域中大于或等于约80%的光透射率和小于或等于约100微 欧姆-厘米（yQ*cm)的比电阻。对于导电薄膜目前可使用的氧化物材料包括氧化铜锡 (ITO)、氧化锡（Sn〇2)、氧化锋狂nO)等。ITO具有差的柔性并且由于铜的有限储量而可成本 较高。因此，期望替代性材料的开发。此外，氧化锡和氧化锋具有低的导电性和差的柔性。
[0005] 为了开发作为下一代电子器件正在引起关注的柔性电子器件（例如能弯曲的或 者能折叠的电子器件），需要用于具有高的透明性和优异的导电性的柔性且稳定的透明电 极的材料的开发。
【发明内容】
[0006] 一种实施方式提供具有高的导电性和优异的光透射率的柔性导电薄膜。
[0007] 另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。
[0008] 在一种实施方式中，导电薄膜包括：由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化 合物：
[0009] 化学式1
[0010] MeChz
[0011] 其中Me为Ru、Os、Re、化、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或Au,和Ch为硫、砸、蹄、或其组合。
[0012] 所述导电薄膜在小于或等于50皿的厚度下对于具有550皿波长的光可具有大于 或等于约80 %的透射率。
[0013] 由化学式1表示的化合物可为二蹄化物化合物。
[0014] 由化学式1表示的化合物可包括PdTe2、AgTe2、IrTe2、PtTe2、AuTe2、或其组合。
[0015] 在一种实施方式中，所述导电薄膜不包括表面氧化物层。
[0016] 所述导电薄膜可为单晶的。
[0017] 所述导电薄膜可具有大于或等于约10, 000西口子/厘米（s/cm)的电导率。
[0018] 所述化合物可显示小于或等于约30欧姆/平方（〇/□)的（例如在25°C的溫度 下）对于具有550nm波长的光的吸收系数（a)与电阻率值（P)的乘积。
[0019] 所述层状晶体结构可属于六方晶系并且具有空间群P3mil(空间群号164)。
[0020] 所述导电薄膜可包括多个包含所述化合物的纳米片，并且所述纳米片可彼此接触 W提供电连接。
[0021] 所述导电薄膜可包括包含所述化合物的连续的膜。所述连续的膜可通过气相沉积 形成。
[0022] 另一实施方式提供电子器件，其包括导电薄膜，所述导电薄膜包括由化学式1表 示并且具有层状晶体结构的化合物：
[0023] 化学式1
[0024] MeChz
[00巧]其中Me为脚、〇3、1?6、化、打、？(1、？1、〇1、4旨、或者411，和〇1为硫、砸、蹄、或其组合。
[0026] 所述电子器件可为平板显示器、触摸屏面板、太阳能电池、电子视窗（e-window)、 电致变色镜、热镜、透明晶体管、或者柔性显示器。
[0027] 在一种实施方式中，作为金属二硫属化物的由化学式1表示的化合物可具与氧化 铜锡（ITO)的电导率相当或者远比其大的电导率，并且同时可呈现出增强的在可见光区域 中的光透射率。此外，所述金属二硫属化物为能剥落的层状材料并且可制备为具有增强的 柔性的薄膜。此外，所述金属二硫属化物具有改善的氧化稳定性并且因此可提供基本上不 具有表面氧化物层的薄膜。
[0028] 还公开制备导电薄膜的方法，所述方法包括：提供由化学式1表示并且具有层状 晶体结构的化合物：
[0029] 化学式1
[0030] MeChz
[0031] 其中Me为脚、〇3、1?6、化、打、？(1、？1、〇1、4旨、或者411，和〇1为硫、砸、蹄、或其组合； 和将由化学式1表示的化合物剥落W制备所述导电薄膜。
【附图说明】
[0032] 通过参照附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方式，本公开内容的W上和 其它方面、优点和特征将变得更明晰，其中：
[0033] 图1为相对强度（任意单位）对衍射角（两倍0即2 0，度（° ))的图并且为由 实施例1制备的PdT^多晶烧结体的X-射线衍射谱；
[0034] 图2为相对强度（任意单位）对衍射角（两倍0即20，度（° ))的图并且为由 实施例1制备的PtT^多晶烧结体的X-射线衍射谱；
[0035] 图3A和3B显示实施例3中的通过PtTez多晶烧结体的机械剥落获得的剥落样品 的透射电子显微镜分析的结果；
[0036] 图4A-4C显示实施例3的通过由PtTez多晶烧结体机械剥落而获得的剥落样品的 能量色散X-射线光谱分析的结果，其中图4A为扫描电子显微镜（SEM)图像，图4B为对于 图4A中的位置1，计数对能量（千电子伏，keV)的图，和图4C为对于图4A中的位置2,计 数对能量（千电子伏，keV)的图；
[0037] 图5A和5B为实施例4的通过由PdTez多晶烧结体机械剥落而获得的剥落样品的 透射电子显微镜图像，其中图5B为图5A中所示的表面的放大图，表明不存在氧化物层；
[0038] 图6A-6E显示对比例1中的通过由TiTez多晶烧结体机械剥落而获得的剥落样品 的透射电子显微镜分析和能量色散X-射线光谱分析的结果，其中图6B-6D为图6A的指示 的部分的放大图，表明在下层中存在多晶层；和
[0039] 图7为包括导电薄膜的有机发光二极管器件的一种实施方式的横截面图。
【具体实施方式】
[0040] 参照W下示例性实施方式W及附于此的图，本公开内容的优点和特性W及其实现 方法将变得明晰。然而，本公开内容可W许多不同的形式体现并且不被解释为限于本文中 所阐述的实施方式；相反，提供运些实施方式使得本公开内容将向本领域技术人员充分地 传达本发明的范围。因此，在一些实施方式中，为了清楚起见，没有对公知的工艺和技术进 行详细说明。如果未另外定义，说明书中的所有术语（包括技术和科学术语）可如本领域 技术人员通常理解地那样定义。常用字典中定义的术语不可理想化或者扩大化地解释，除 非清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，词"包括"和变型例如"包含"或"含有"将被理 解为暗示包含所述要素，但是不是排除任何其它要素。因此，在用于本说明书中时，术语"包 括"和/或"包含"、或"含有"和/或"含"表明存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元 件和/或部件（组分），但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操 作、元件、部件（组分）、和/或其集合。
[0041] 此外，单数包括复数，除非另外提及。因此，单数形式"一个（种）（a,an)"和"该 (所述）"意图包括复数形式（包括"至少一个（种）"），除非上下文清楚地另外指明。
[0042] 在附图中，为了清楚起见，放大层、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标 记表示相同的元件。
[0043] 将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基底被称作"在"另外的元件"上"时，其 可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作"直接在"另 外的元件"上"时，不存在中间元件。
[0044] 本文中所使用的术语仅用于描述【具体实施方式】的目的，且不意图为限制性的。 "或"意味着"和/或"。如本文中使用的，术语"和/或"包括相关列举项目的一个或多个的 任意和全部组合。
[0045] 此外，在本文中可使用相对术语例如"下部"或"底部"和"上部"或"顶部"来描 述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所示的方位W外，相对术语 还意图涵盖器件的不同方位。例如，如果将图之一中的器件翻转，描述为在其它元件的"下 部"侧上的元件则将定向在其它元件的"上部"侧上。因此，取决于图的具体方位，示例性术 语"下部"可涵盖"下部"和"上部"两种方位。类似地，如果将图之一中的器件翻转，描述为 "在"其它元件"下面"或"之下"的元件则将定向"在"其它元件"上方"。因此，示例性术语 "在...下面"或"在...之下"可涵盖在...上方和在...下面两种方位。
[0046] 如本文中使用的"约"或"大约"包括所述值并且意味着在如由本领域普通技术人 员考虑到所讨论的测量W及与具体量的测量有关的误差（即，测量系统的限制）而确定的