专利名称：用于薄晶粒分离和拾取的控制与监测系统的制作方法
技术领域：
本发明 涉及在半导体装配和封装过程中半导体芯片或半导体晶粒的处理，尤其涉 及一种反馈控制系统，其用于在半导体晶粒的分离和拾取过程中实现从其上装配有半导体 晶粒的粘性带体处可控地剥离半导体晶粒。
背景技术：
通常在切割期间，包含有大量的半导体晶粒的晶圆被装配于粘性带体上，其中在 每个单独的晶粒附着于粘性带体的同时将其分离。因此，在晶粒键合和倒装芯片键合处理 以装配电子封装件中，从粘性带体处分离和拾取晶粒是一个重要的操作步骤。当晶粒的厚度降低到4密耳(mils，大约100微米)以下时，在不损坏晶粒的情形 下，从粘性带体处分离晶粒成为一个具有挑战性的任务。厚度为50-100微米的晶粒已经应 用于批量生产一段时间。厚度为30-50微米的晶粒批量生产目前处于准备中。在电子封装 设计方面用于研究和发展的实验正针对厚度为15-30微米的晶粒。因此，从切割带体处能 够可靠地分离非常薄的晶粒的装置正成为电子装配设备中关键的部件。在晶粒键合工序中，在晶粒被传送到衬底如引线框、印刷线路板(PWB)衬底或堆 叠晶粒应用中另一晶粒的表面以前，通常使用弹出和拾取工具从粘性带体处分离和拾取晶 粒。在晶粒拾取过程中，当粘性带体通过真空吸附向下固定的同时，粘性带体上指定的晶粒 和带有上推销的弹出工具对齐定位，该上推销从底部提升晶粒。然后当上推销提升到一个 大约的水平面时，在晶粒从粘性带体处被提升的同时将夹体或拾取工具正好定位在被部分 剥离的晶粒的上表面的上方。使用真空发生器，夹体提供了真空吸附，以在分离工序中固定 晶粒和从粘性带体处传送分离后的晶粒至键合衬底上。为了便于晶粒从其上装配有晶粒的粘性带体处分离，存在几种形式的晶粒分离和 拾取工具。传统的工具包括针类型的弹出器销结构，其是一种用于从粘性带体处分离小晶 粒的传统结构。图1是带有针类型的弹出器销102的传统的晶粒分离和拾取工具100的示 意图。该工具100的晶粒分离部分具有弹出器，该弹出器包含有弹出器块104、弹出器销102 和弹出器盖106。该工具100的拾取部分具有设置在晶粒110上方的夹体108，该晶粒110 位于粘性带体112上，该粘性带体112和弹出器盖106的上平台表面107相接触。弹出器 块104的垂直移动通过马达机构所驱动。弹出器销102设置在弹出器块104的上部并随着 弹出器块104移动。对于尺寸小，如2x2mm2的晶粒，设置在待分离晶粒110的中央的单个 弹出器销102足以分离晶粒110。多个弹出器销102较适合于较大的晶粒，弹出器销102均 勻地分布以获得均勻作用于晶粒110的上推力，以致于减小由于弹出器销102的收缩效应 (pinching effect)。弹出器块104和弹出器销102设置在弹出器盖106的内部。真空通 道114被弹出器盖106所封闭，以便于向粘性带体112提供真空吸附而有助于晶粒110的 剥离，以沿着背离夹体108的方向拉动粘性带体112。当晶粒的厚度降低到小于100微米时，晶粒变得更加缺少硬度。为了分离晶粒，通 过弹出器销的上推动作和粘性带体上的真空吸附，剥离能量被施加于正被分离的晶粒以便于克服晶粒和粘性带体之间的临界界面间粘着强度。由于弹出器销的收缩效应和晶粒的 弯曲，晶粒的形变可能形成。当所施加的剥离能量达到临界界面间的粘着强度时，晶粒可 能从粘性带体处分离。可是，当晶粒形变的处理同样也达到晶粒的临界强度时，晶粒将会 破坏或碎裂。晶粒的临界强度取决于晶粒的不同特性，例如晶粒的材质、晶圆细化(wafer thinning)、晶粒表面的图案和晶粒的切割质量。对于使用弹出器销的传统晶粒拾取而言， 收缩效应和弯曲形变受到弹出器销的数量、布置和几何结构的影响。而且，对于较大尺寸的 晶粒而言，设置在晶粒外缘的弹出器销阻止了分离朝向晶粒中心的扩散。因此，使用弹出器 销的传统晶粒拾取工具可能不适合于从粘性带体上分离薄的晶粒。图2表明了一种被配置来从其上装配有薄晶粒12的粘性带体18处分离薄晶粒12 的晶粒分离和拾取工具10。晶粒12通过多个垂直方向上移动的支撑板14所支撑，该移动 支撑板14设置在弹出器盖16的内部。每个移动支撑板14具有四边形的接触表面，并邻接 于其他类似的移动支撑板14设置。该移动支撑板14包含有中央移动支撑板和位于该中央 移动支撑板相对两侧的外部移动支撑板，它们一起形成连续、平整的四边形接触表面，以支 撑粘性带体18上的晶粒12。每个移动支撑板14可相对于其他的移动支撑板朝向和背离晶 粒12移动。该工具10是有用的薄晶粒拾取装置，因为它提供了支撑并减少了源自推靠于 晶粒12上的尖锐凸伸的收缩效应。
在晶粒12的初始分离期间，在晶粒12正从粘性带体18处分离的同时，向晶粒12 所提供的最大支撑避免了晶粒12的实质性形变。和键合头相连的夹体20设置在晶粒12 的上方。夹体20接触晶粒12，并通过来自夹体的真空吸附将晶粒12朝向夹体拽拉。所以， 在晶粒12被分离的同时，夹体20通过真空吸附将晶粒12固定定位。在晶粒12被分离之 后，夹体20被完全提升以将晶粒从粘性带体18处分开，并将分离后的晶粒12传送离开粘 性带体。为了实现最优的晶粒分离处理和防止晶粒12碎裂，提供一种估计晶粒12由于移 动支撑板14的凸伸移动所经受的剥离能量以便于该剥离能量不会超越晶粒12的临界强度 的控制系统是令人期望的。这对于处理缺少硬度并因此更容易碎裂的薄晶粒尤其有用。
发明内容
因此，本发明的目的在于通过提供一种实时的监测和控制系统，以用于薄的半导 体芯片从粘性带体处分离。于是，本发明提供一种用于从粘性带体处分离晶粒的方法，该晶粒装配在粘性带 体上，该方法包含有以下步骤使用支撑表面支撑晶粒和粘性带体相接触的第一侧面的内 部和外部；使用夹体接触晶粒的和第一侧面相对的第二侧面的内部和外部；在支撑表面仅 仅支撑晶粒的内部的同时，从晶粒的外部撤去支撑，以便于晶粒的第二侧面的外部弯曲离 开夹体；施加来自夹体的真空吸附以朝向夹体吸引晶粒的外部，并监测真空吸附压力直到 达到表明晶粒的外部正与夹体接触的临界压力；其后在夹体使用真空吸附固定晶粒的同时 提升夹体，以将晶粒从粘性带体处完全脱离。参阅后附的描述本发明实施例的附图，随后来详细描述本发明是很方便的。附图 和相关的描述不能理解成是对本发明的限制，本发明的特点限定在权利要求书中。
参考根据本发明较佳实施例所述的具体实施方式
，结合附图很容易理解本发明， 其中。图1是带有针类型的弹出器销的传统的晶粒分离和拾取工具的示意图。图2表明了被配置来分离薄晶粒的晶粒分离和拾取工具。图3A至3C所示为使用图2中晶粒分离和拾取工具的晶粒拾取流程示意图。图4A至4D所示为使用图2中晶粒分离和拾取工具的晶粒分离工序的预剥离阶 段。图5A至5D所示为在预剥离阶段之后后续的晶粒分离阶段，在此期间晶粒仍然没 有完全被分离。图6所示为根据本发明较佳实施例所述的、与图2的晶粒分离和拾取工具相连的 反馈系统的示意图。图7A至图7C所示为表明包含有本发明较佳实施例所述的反馈系统的夹体中真空 吸附孔洞和真空通道的典型布置的示意图。图8所示为表明本发明较佳实施例所述的反馈系统的操作顺序的流程示意图。
具体实施例方式在此本发明较佳实施例将结合附图进行描述。图3A至3C所示为使用图2中晶粒分离和拾取工具10的晶粒12的拾取流程示意 图。晶粒12已经对齐定位至弹出器盖16的中央，夹体20已经移动以接触晶粒12的表面。 真空吸附被施加于弹出器盖16和夹体20的内部，以固定支撑有晶粒12的粘性带体18。所 有的移动支撑板14被移动到预剥离水平面，H，如图3A所示，其中初始晶粒分离发生在晶粒 12的端缘。移动支撑板14包含有中央板体C和设置在该中央板体相对侧的至少一对外部 板体L2、R2，它们相互相邻设置以形成连续的表面而支撑晶粒12的内部和外部。在晶粒分 离期间，每对外部板体L1R1、L2R2朝向或背离晶粒12独立地移动一段朝向晶粒12所支撑的预剥离水平面H的子区间增量(incremental sub—intervals)。在所有的移动支撑板14移动至预剥离水平面之后，通过从最外侧一对板体朝向 中央板体C 一次一对地相对于中央板体C连续地降低每对外部板体，支撑从晶粒12的外部 逐渐地撤去。这在图3B和图3C中得到了阐述，其中设置在两端的最外侧板体Rl和Ll向下 移动到位于弹出器盖16表面下方的水平面L。接下来，如图3C所示，相邻于板体Rl和Ll 的一对最外侧板体R2和L2的后续降低得以继续，直到所有的板体14向下移动离开粘性带 体18。最后，当大部分粘性带体18已经从晶粒12隔开时，晶粒12从粘性带体18处分离。图4A至4D所示为使用图2中晶粒分离和拾取工具10的晶粒分离工序的预剥离 阶段。所有的移动支撑板14相对于弹出器盖16被移动到预剥离水平面H，如图4B所示，在 夹体20和弹出器盖16中施加有真空吸附。晶粒12位于弹出器盖16上，其内部和外部被 移动支撑板14支撑于晶粒12和粘性带体18相接触的第一侧面上。在通过真空吸附朝向 夹体20拉动晶粒12的同时，夹体20支撑和接触晶粒12的与该第一侧面相对的第二侧面 的内部和外部。悬臂间距Aa (cantilever gap)沿着晶粒12没有被支撑的第一侧面延伸，如图4A所示。悬臂间距Aa和晶粒12与合并的移动支撑板14相应的边缘之间的距离相匹配， 其中悬臂距离Aa是在0.3mm和0.8mm之间的变化范围内。具体的悬臂距离Δ a能够根据 晶粒12的临界强度和厚度得以计算。当施加于晶粒12的剥离能量高于晶粒12和粘着带体18之间的临界界面间粘着 强度并且晶粒12的形变小于晶粒12的临界强度时，晶粒12将会从粘着带体18处分离。晶 粒12的剥离使得晶粒12的第二表面能够通过来自夹体20的真空吸附而得以与晶粒12接 触固定，如图4B所示。另一方面，当施加于晶粒12的剥离能量低于临界界面间粘着强度并 且晶粒12的形变高于晶粒12的临界强度时，晶粒12将会碎裂，如图4C所示。这表明预剥 离水平面H太高。因此为了避免晶粒12的碎裂，将所有的移动支撑板14移动到一个较低 的预剥离水平面H是重要的。为了提高晶粒12上所施加的剥离能量，间距Aa可能得以增加。结构优化以获 得合适的Δ a值是基于剥离能量和间距Δ a之间的关系，剥离能量藉此随着Δ a值的增长 而增长。间距Aa、晶粒的厚度和晶粒的临界界面间粘着强度均相关。因此，当Aa值被 优化而甚至更高的预剥离水平面被需要时，通过将预剥离水平面H分割成小于H的子区间 (sub-intervals)以便于确定当所有的移动支撑板14向上移动至每个子区间时是否存在 晶粒分离的方式，将晶粒分离。根据本发明较佳实施例所述，将智能的反馈系统合并至夹体20使得使用者能够 检查是否达到临界压力(threshold pressure)，这将表示在每个子区间和/或预剥离水平 面H处晶粒12是否已经被分离。真空通道30应该设置在夹体20的表面上和临近于晶粒 12的端缘，以监测晶粒12是否已经从粘性带体18处分离。当晶粒12被弯曲和没有从粘性 带体18处分离时夹体20处的真空或气流，和晶粒12被分离和没有弯曲时相比是不同的。 因此，监测真空气流向将会公开晶粒12的状态。图4D所示表明当剥离能量施加于晶粒12时晶粒12的弯曲是小于临界界面间粘 着强度和晶粒12中的形变小于临界晶粒强度。这可能是因为粘性带体18是由呈现时间依 赖性行为(time-d印endent behaviour)的材料制成。所以，在施加于晶粒18的剥离能量可 以克服晶粒12的临界界面间粘着强度以前，可能需要一些时延。在这个阶段，有必要确定 晶粒12是否已经分离，否则临界晶粒强度可能被超出，这可能使晶粒12承压并使其碎裂。 晶粒拾取的时延由本实施例的反馈系统自动地包括，以避免当施加于晶粒的剥离能量小于 临界界面间粘着强度时过早地拾取晶粒。现在描述本实施例的反馈系统的工作原理。由于晶粒12的中心区域被移动支撑 板14的连续上表面所支撑，所以真空或吸附气流中的差异是基于晶粒12的端缘是否弯曲 和是否与夹体20中的真空吸附孔洞22相隔开。接下来，这样与晶粒12是否已经从粘性带 体18处分离相一致。晶粒的弯曲程度和监测作为弯曲结果的真空或吸附气流之间存在几 何关系。为了建立可靠的几何关系，晶粒的弯曲硬度应该被保持为足够低。晶粒的弯曲硬 度与晶粒的厚度成正比，在本发明较佳实施例中，晶粒12厚度的上限较合适地等于或小于 75微米(3密耳)。考虑的另一个参数是夹体20中真空吸附孔洞22的布置，其描述如下。图5A至5D所示为在预剥离阶段之后后续的晶粒分离阶段，在此期间晶粒12仍然 没有完全被分离。在使用本实施例的反馈系统的晶粒分离期间，真空或气流监测可能在从 最外侧一对板体到中央板体C连续降低移动支撑板14的过程中被更多地应用。
图5A所示为在预剥离阶段，晶粒12的大部分没有被分离。图5B所示为第一 对最外侧移动支撑板Ll和Rl已向下移动到低于其他支撑板表面的水平面L，悬臂长度 (cantilever length)从Aa±曾力口到Δ a+χ，其中χ为支撑板14的宽度。这引起晶粒12的 与第一侧面相对的第二侧面的外部弯曲背离夹体20，与此同时移动支撑板14仅仅支撑晶 粒12的内部。结果，由于在预剥离阶段晶粒12没有从粘性带体18处分离，晶粒12将会碎 裂。如果在预剥离阶段晶粒12已经分离，如图5C所示，向下移动支撑板Ll和Rl离开粘性 带体18将不会导致晶粒12碎裂。所以，在向下移动任一其他支撑板14至低于其他支撑板 的表面的水平面以前，使用本发明较佳实施例的反馈系统确定晶粒12的未支撑区域是否 已经自粘 性带体18处分离是有必要的。移动支撑板14的宽度χ的优选值在不使晶粒12碎裂的情形下分离晶粒是有用 的。宽度X随着晶粒的厚度而变化，并且，使用本实施例的真空或气流传感器28能够实现 优化。图5D所示为当一对端部的移动支撑板Ll和Rl向下移动时被分离晶粒12的未被支 撑的区域。如果在移动支撑板Ll和Rl向下移动期间晶粒12没有被分离，那么使用者能够 保证当移动支撑板14的宽度χ得以优化时晶粒12不会碎裂。所以，反馈系统能够被如此 设计以便于在向下移动另一支撑板14以前，真空或气流检测传感器将会确定在前一个步 骤中是否已经发生任一的晶粒分离。当后续的成对的移动支撑板14被降低到水平面L时， 这个反馈系统防止晶粒避免遭受碎裂。图6所示为根据本发明较佳实施例所述的、与图2的晶粒分离和拾取工具10相连 的反馈系统的示意图。该反馈系统包含有真空发生器26或内联的真空源、包括气流检测 传感器28的真空或气流检测设备。真空发生器26在夹体20内产生真空吸附或气流。夹 体20具有夹体柄部(collet shaft)21，其延伸离开夹体20的表面，在该夹体柄部21内部 设置有真空通道30。真空或气流传感器28连接至真空通道30和夹体连接管道32，从而包 含于在晶粒分离过程中从夹体20穿越真空通道30的气流通路中。另外，夹体20包含有真 空吸附孔洞22，其设置在夹体20的表面，并引向真空通道30。夹体20的所述表面和晶粒 12相接触。真空吸附孔洞22和真空通道30的布置通过本发明较佳实施例的期望的反馈系 统能得以确定。通过检测真空通道30中的真空或气流，使用者可以或者在预剥离阶段或者在每 个后续的端部成对的移动支撑板14降低时确定晶粒12未被支撑的区域是否已经被分离。 当晶粒12从粘性带体18处分离时，随着晶粒12和夹体20相接触，该晶粒12顺应夹体20 的表面，真空压力较高。当晶粒12仍然贴附于粘性带体18时，晶粒12将会弯曲而真空压力 将会较低。因此，反馈系统为从粘性带体18处分离晶粒提供了闭环反馈控制。如果真空或 气流出现在某个特定的临界水平时，其意味着晶粒已经被分离。如果晶粒仍然没有被分离， 需要更多的时间来用于晶粒分离的处理。所以，这种智能的反馈系统将会确保在相对于中 央板体C降低下一个相邻的成对的外部板体以前达到临界压力。以这种方式，反馈系统优 化了拾取薄晶粒所花费的时间。例如，较少粘着的粘性带体18将会需要较短的拾取时间。图7A至图7C所示为表明包含有本发明较佳实施例所述的反馈系统的夹体20中 真空吸附孔洞22和真空通道30的典型布置的示意图。晶粒的分离从晶粒的端缘开始，并 受到间距Aa和1的限制。夹体20中真空吸附孔洞22和真空通道30的数量和布置同样 也影响晶粒的分离。夹体表面上真空吸附孔洞和真空通道的一种布置形式请参见图7A中夹体20的侧视剖视示意图和图7B中夹体20的仰视示意图所述。在夹体20靠近其边缘的 外部提供有真空吸附孔洞22和真空通道30，以便于真空吸附孔洞22较合适地靠近晶粒12 的外部或四个边缘设置。以这种方式，监测晶粒12的外部和相应夹体20的外部之间的接 触是可能的。真空吸附孔洞22的直径，可与真空通道的宽度Ab相一致，其较佳地在0. 3mm 到Imm的范围之内。从真空吸附孔洞22或真空通道30的中心到晶粒12的边缘之间的距 离Δ c较佳地在0. 6mm到2mm的范围之内。夹体20中互连的真空通道30的俯视图也请参 见图7C所示。图8所示为表明本发明较佳实施例所述的反馈系统的操作顺序的流程示意图。该 反馈操作包含有使用内置于图2中晶粒分离和拾取工具10中的真空或气流传感器观分 离薄晶粒12的智能顺序。在步骤a中，在晶粒12对齐定位在弹出器盖16的表面上之后， 真空吸附被施加于夹体20和弹出器盖16上(步骤b和C)。分离晶粒12的操作可包括将所 有的移动支撑板14移动至预剥离水平面H或者朝向H移动至增量的子区间(步骤d)。当支撑板14位于预剥离水平面H或者位于各个增量的子区间时，在检测临界压力 是否达到以从粘性带体18处分离晶粒12前提供一个时延来实现真空或气流检测延迟(步 骤e)而便于剥离能量作用于晶粒12上之后，完成真空或气流传感器检测(步骤f)。如果 真空传感器观检测到晶粒上的真空吸附，那么晶粒已经在预剥离水平面上完成分离(步骤 f和g)。更多的支撑板14可以降低到下一个子空间水平面上(步骤d)或者真空时延可以 被增加以实现施加到晶粒上的剥离能量用来足够克服晶粒和粘性带体18之间的临界界面 间的粘着强度而将晶粒12分离。在避免晶粒碎裂的同时，检测工序被重复直到中央板体C 端部的所有支撑板14被降低。然后将晶粒12完全从粘性带体18处分离，并由夹体20拾 取(步骤I)。对于所有支撑板14每次向上移动至子区间或者端部成对的支撑板14向下移动而 言，真空或气流传感器观被激活以确定晶粒12是否已经从粘性带体18处分离。当晶粒12 已经被分离和关闭真空吸附孔洞22时，晶粒12的外部被拽拉到夹体20的表面上。在这个 阶段，真空吸附或气流出现超越了特定的临界水平。当需要更多的时间来分离晶粒12时， 在激活真空或气流传感器来确定晶粒12是否被分离以前时延被提供。于是，步骤e和f以 及步骤i和j将被重复。这种智能的反馈系统将会优化拾取薄晶粒的时间。例如，对于较 少粘着的粘性带体，较短的时间被需要来拾取晶粒。值得欣赏的是，在晶粒分离和拾取过程中，使用连续的移动支撑部件的、包含有根 据本发明较佳实施例所述的智能反馈系统的晶粒分离和拾取工具，在减小了晶粒碎裂发生 的情形下实现薄晶粒的分离。一种实时的监控系统被提供，其监测和控制施加于薄晶粒上 的压力，以便于在使晶粒不发生碎裂的情形下晶粒分离的产量可以提高。这通过优化间距 Aa和移动支撑板的宽度χ而得以实现，以便于在预剥离阶段和将成对的端部板体向下移 动直到所有的移动支撑板已被向下移动的后续阶段，实现晶粒的快速分离。本反馈系统同 样也包含有拾取晶粒的自动时延周期，以实现剥离能量作用于晶粒12上以致于克服临界 界面间粘着强度。本实施例的智能反馈系统预估和监测晶粒分离处理，确保所施加的剥离能量不超 过晶粒的临界强度，以降低晶粒碎裂的风险，尤其是当晶粒薄且因此缺少硬度时。另外，在 晶粒分离工具中容置反馈系统通过智能的反馈控制，实现了自动晶粒分离时间的优化。
此处描述的本发明在所具体描述 的内容基础上很容易产生变化、修正和/或补 充，可以理解的是所有这些变化、修正和/或补充都包括在本发明的上述描述的精神和范 围内。
权利要求
1.一种用于从粘性带体处分离晶粒的方法，该晶粒装配在粘性带体上，该方法包含有 以下步骤使用支撑表面支撑晶粒和粘性带体相接触的第一侧面的内部和外部；使用夹体接触晶粒的和第一侧面相对的第二侧面的内部和外部；在支撑表面仅仅支撑晶粒的内部的同时，从晶粒的外部撤去支撑，以便于晶粒的第二 侧面的外部弯曲离开夹体；施加来自夹体的真空吸附以朝向夹体吸引晶粒的外部，并监测真空吸附压力直到达到 表明晶粒的外部正与夹体接触的临界压力；其后在夹体使用真空吸附固定晶粒的同时提升夹体，以将晶粒从粘性带体处完全脱离。
2.如权利要求1所述的方法，该方法还包含有以下步骤从晶粒的第一侧面施加真空吸附至粘性带体，以沿着背离夹体的方向拽拉粘性带体。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该支撑表面包含有中央板体和至少一对外部板体， 该外部板体设置在中央板体的相对侧，中央板体和外部板体相互相邻设置，以便于形成连 续的表面而支撑晶粒。
4.如权利要求3所述的方法，其中，该支撑表面包含有至少两对外部板体，从晶粒的外 部撤去支撑的步骤还包含有以下步骤从最外侧的一对板体朝向中央板体一次一对地相对于中央板体连续地降低每对外部 板体。
5.如权利要求4所述的方法，该方法还包含有以下步骤在相对于中央板体降低相邻的下一对外部板体以前，提供闭环反馈控制以确认达到临 界压力。
6.如权利要求5所述的方法，其中，每对外部板体独立地朝向或者背离晶粒移动一段 朝向预剥离水平面的子区间增量，在晶粒分离期间晶粒的第一侧面在该预剥离水平面处被 支撑。
7.如权利要求5所述的方法，该方法还包含有以下步骤在检测是否达到临界压力以前提供时延，以留出晶粒从粘性带体处分离的时间。
8.如权利要求5所述的方法，其中，闭环反馈控制是使用包含有真空检测设备的真空 发生器来提供的。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该支撑表面起初支撑晶粒的整个第一侧面，除了沿 着晶粒的第一侧面延伸的、未被支撑的悬臂间距。
10.如权利要求9所述的方法，其中，悬臂间距是在0.3mm至0. 8mm之间的范围内。
11.如权利要求1所述的方法，其中，晶粒的厚度等于或小于75微米。
12.如权利要求1所述的方法，其中，在夹体的外部靠近边缘处提供有真空吸附孔洞， 以监测晶粒的外部和夹体的外部之间的接触。
全文摘要
本发明公开了一种用于从粘性带体处分离晶粒的方法，该晶粒装配在粘性带体上，该方法包含有以下步骤使用支撑表面支撑晶粒和粘性带体相接触的第一侧面的内部和外部；使用夹体接触晶粒的和第一侧面相对的第二侧面的内部和外部；在支撑表面仅仅支撑晶粒的内部的同时，从晶粒的外部撤去支撑，以便于晶粒的第二侧面的外部弯曲离开夹体；施加来自夹体的真空吸附以朝向夹体吸引晶粒的外部，并监测真空吸附压力直到达到表明晶粒的外部正与夹体接触的临界压力；其后在夹体使用真空吸附固定晶粒的同时提升夹体，以将晶粒从粘性带体处完全脱离。
文档编号H01L21/02GK102148142SQ20111003086
公开日2011年8月10日 申请日期2011年1月28日 优先权日2010年2月5日
发明者叶少萍, 庄智明, 陈文炜, 黄国威 申请人:先进自动器材有限公司