专利名称：氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片的制作方法
技术领域：
本发明涉一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，功率达到100W，并可使用于SMT领域，使客户端实现高速贴片，加速制程。
背景技术：
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率， 如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。，多数负载片是采用的手工焊接或者回流焊工艺把负载片焊接到客户的产品上，再把引线焊接到负载片的焊盘上，此工艺的负载片背导层都是一个整体，焊接到客户的产品上后，整个背面与产品完全吻合，散热性能较好。目前有些客户采用了 SMT贴片工艺，这样负载片背导层就需要留出缝隙，贴片完成后，背导层不能完全有产品接触，散热能力会变差。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种能够承受100W 的功率，尺寸为6. 35*6. 35*lmm，性能能够达到3G使用要求的氮化铝陶瓷基板贴片式负载片。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其包括一 6. 35*6. 35*lmm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的两端接地与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。上述技术方案具有如下有益效果该结构的氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片具有良好的VSWR性能，在6. 35*6. 35*lmm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，适合于 SMT贴片式生产工艺使用，可以使用于SMT领域进行机械化生产，从而加速制程，改变了原来的手工焊接方式，提高客户的生产效率。使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本发明的具体实施方式
由以下实施例及其附图详细给出。
图1为本发明实施例的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
如图1所示，该氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片包括一 6. 35*6. 35*lmm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有分离的背导层6，氮化铝基板1的正面印刷有电阻 3及导线2，导线2连接电阻3形成负载电路，负载电路的两端接地7与背导层通过银浆电连接，从而使负载电路接地导通。背导层及导线2由导电银浆印刷而成，电阻3由电阻浆料印刷而成。电阻3上印刷有玻璃保护膜4。导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5。该结构的 氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片具有良好的VSWR性能，在 6. 35*6. 35*lmm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，适合于SMT贴片式生产工艺使用，可以使用于SMT领域进行机械化生产，从而加速制程，改变了原来的手工焊接方式，提高客户的生产效率。使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广。据检测该氮化铝陶瓷基板负载片能承受的功率非常稳定，能够完全达到通信期间吸收所需要功率的要求，以上对本发明实施例所提供的一种氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其特征在于其包括一 6. 35*6. 35*lmm 的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的两边接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
2.根据权利要求1所述氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其特征在于所述背导层不是一个整体，其需要有两端接地浆料导通连接。
3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其特征在于所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其特征在于所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。
全文摘要
本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片，其包括一6.35*6.35*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片具有良好的VSWR性能，在6.35*6.35*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到100W，同时其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。
文档编号H01P1/22GK102324607SQ20111025583
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月1日 优先权日2011年9月1日
发明者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司