专利名称：一种顶发射有机电致发光二极管及其制备方法
技术领域：
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光二极管。本发明还涉及该顶发射有机电致发光二极管的制备方法。
背景技术：
有机电致发光(Organic Light Emission Diode,简称0LED) 二极管,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，并且OLED器件可制作成柔性结构，可进行折叠弯曲，是一种极具潜力的平板显示技术和平面光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是最近十几年相当热门的研究领域。有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光二极管是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。众所周知，OLED近年来之所以发展如此迅猛，在于其在平板显示方面的巨大潜力。作为一种新兴的平板显示技术，在很多方面已经超过了现在市场上流行的液晶显示技术，例如宽视角、高亮度、低功耗、高响应速度、低成本、色彩鲜艳等，但是OLED —般使用了高反射率的金属作为阴极层材料，而高反射率阴极层却给在显示器件上的应用带来阻碍。作为显示器件，高对比度是人们长期的追求，对屏幕对比度的要求更高，因为在太阳光下，如果显示器的反射率高，其显示的内容将无法看清。
发明内容
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本发明的目的在于提供一种高对比度的顶发射有机电致发光二极管。一种顶发射有机电致发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入层以及阴极层；其中，所述阴极层包括第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层，且所述第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层依次层叠在所述第一电子注入层表面。上述顶发射有机电致发光二极管中，各功能层的材质及厚度如下衬底材料为聚合物薄膜，如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺、环烯烃共聚物或者聚碳酸酯；阳极层的材质为银、铝或者金；阳极层的厚度为18 25nm ；空穴注入层的材质选用4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺；空穴注入层的厚度为30nm ；空穴传输层的材质选用N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' -二胺；空穴传输层的厚度为40nm ；发光层的材质选用4，4' -N, N- 二咔唑基-联苯掺杂双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱组成的掺杂混合物；发光层的厚度为20nm;电子传输层的材质选用8-轻基喹啉-招；电子传输层的厚度为30nm ；第一电子注入层的材质选用氟化锂或氟化铯；第一电子注入层的厚度0.5 Inm ；阴极层中，第一金属层的材质为铝或银；所述第一金属层的厚度为4 IOnm ;介质层为电子输入材料(如，8-羟基喹啉铝、4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉、1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉锂或3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑)掺杂锂、铝、铯或银，且锂、铝、铯或银的掺杂质量百分比为9 50%;所述介质层的厚度为60 IOOnm ；第二电子注入层为氟化锂或氟化铯；所述第二电子注入层的厚度为0. 5 Inm ;第二金属层的材质为铝、银、铝银合金或镁银合金；所述第二金属层的厚度为80 150nm。本发明还提供一种上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，其包括以下步骤步骤S1、清洗、干燥衬底；步骤S2、利用真空镀膜的方法，在所述衬底表面蒸镀一层阳极层；步骤S3、利用真空镀膜的方法，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；
步骤S4、在所述电子注入层的表面依次层叠蒸镀第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层；且第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层构成阴极层； 上述制备工艺完成后，得到顶发射有机电致发光二极管。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的结构采用薄层金属层/介质层/电子注入层/金属层结构，其中，薄层金属层起到半透半反射的作用，外部环境产生的光一部分在薄层金属层表面发射，一部分透过薄层金属层，通过介质层，电子注入层的传输后，在底部的金属层表面反射，反射回来的光与在薄层金属层反射的光的相位正好相反，因此存在一个干涉相消的结果，从而能够降低环境对光线的反射，提高顶发射有机电致发光二极管作为显示的对比度。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，由于顶发射有机电致发光二极管采用了掺杂的高导电性介质层，该介质层能够起到很好的电子传输效果，因此，顶发射有机电致发光二极管的工作电压并没有随其厚度的增加而明显变化，有利于该高对度的有机电致发光二极管的推广应用。另，本发明提供的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，采用磁控溅射、真空镀膜工艺，操作简单，易于控制制作过程。
图1为本发明顶发射有机电致发光二极管的结构示意图；图2为本发明顶发射有机电致发光二极管的制备工艺流程图3为实施例1、实施例1和对比例I的有机电致发光二极管的反射率曲线图。
具体实施例方式本发明提供的一种顶发射有机电致发光二极管，如图1所示，包括依次层叠的衬底101、阳极层102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、电子传输层106、第一电子注入层107及阴极层108 ;其中，所述阴极层108还包括第一金属层1081、介质层1082、第二电子注入层1083以及第二金属层1084,且所述第一金属层1081、介质层1082、第二电子注入层1083以及第二金属层1084依次层叠在所述第一电子注入层107表面。上述顶发射有机电致发光二极管中，各功能层的材质及厚度如下衬底材料为聚合物薄膜，如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PI)、环烯烃共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC);鉴于该顶发射有机电致发光二极管为顶发射型，故其衬底材料的聚合物薄膜表面必须经过平整加硬处理，使表面硬度高达2H-3H (铅笔硬度)；阳极层的材质为银、铝或者金；阳极层的厚度为18 250nm ；空穴注入层的材质选用4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺(m-MTDATA);空穴注入层的厚度为30nm ；空穴传输层的材质选用N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' -二胺(NPB);空穴传输层的厚度为40nm ；发光层的材质选用4，4' -N, N- 二咔唑基-联苯(CBP)掺杂双(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱(FIrPic)组成的掺杂混合物；双(4,6- 二氟苯基吡啶-N，C2 ‘)吡啶甲酰合铱的掺杂质量百分比为8%，即FirPic为客体材料或掺杂材料，CBP为主体材料；发光层的厚度为2 0nm;电子传输层的材质选用8-轻基喹啉-招(Alq3);电子传输层的厚度为30nm ；第一电子注入层的材质选用氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);第一电子注入层的厚度为 0. 5-lnm ；在阴极层中第一金属层的材质为铝(Al)或银(Ag);所述第一金属层的厚度为4 IOnm ；介质层为电子输入材料(如，括8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(BPhen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8_羟基喹啉锂(Liq)或3_ (联苯_4_基)_5_ (4_叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ))掺杂掺杂材料(如，锂(Li)、铝(Al)、铯(Cs)或银(Ag))，且掺杂材料的掺杂质量百分比为9 50%，即电子传输材料与掺杂材料的质量比为10 :1 1:1 ;介质层的厚度为60 IOOnm ;第二电子注入层为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);第二电子注入层的厚度为0. 5 Inm ；第二金属层的材质为铝(Al)、银(Ag)、铝银合金(Al-Ag)或镁银合金(Ag-Mg);第二金属层的厚度为80 150nm。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的结构采用薄层金属层/介质层/电子注入层/金属层结构，其中，薄层金属层起到半透半反射的作用，外部环境产生的光一部分在薄层金属层表面发射，一部分透过薄层金属层，通过介质层，电子注入层的传输后，在底部的金属层表面反射，反射回来的光与在薄层金属层反射的光的相位正好相反，因此存在一个干涉相消的结果，从而能够降低环境对光线的反射，提高顶发射有机电致发光二极管作为显示的对比度。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，由于顶发射有机电致发光二极管采用了掺杂的高导电性介质层，该介质层能够起到很好的电子传输效果，因此，顶发射有机电致发光二极管的工作电压并没有随其厚度的增加而明显变化，有利于该高对度的有机电致发光二极管的推广应用。上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，如图2所示，其包括以下步骤S1、将衬底(如，聚合物薄膜)放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，用去离子水清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理，然后在用氮气吹干，备用；其中，聚合物薄膜选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亚胺(PD、环烯烃共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC)；S2、利用真空镀膜的方法，在洗净的衬底表面蒸镀一层阳极层；S3、用真空镀膜的方法，在阳极层表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；S4、在所述电子注入层的表面依次层叠蒸镀第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层；且第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层构成阴极层；上述制备工艺完才成后，得到顶发射有机电致发光二极管。上述步骤S2中，还包括对所述阳极层的表面处理步骤
所述阳极层制备完毕后，需将其置于等离子处理仪中进行等离子处理；这样，经过等离子处理的阳极层，能够降低空穴的注入势垒。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，采用磁控溅射、蒸镀工艺，操作简单，易于控制制作过程。下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。实施例1本实施例1的顶发射有机电致发光二极管结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/ (Ag/Al: Alq3/CsF/Ag)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为18nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为30nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的第一电子注入层MgF2。然后在第一电子注入层MgF2表面依次层叠蒸镀厚度为4nm的第一金属层(材质为Ag)、厚度为60nm的介质层(该介质层米用Al惨杂Alq3，惨杂质星比为1. 2)、厚度为0. 5nm的第二电子注入层(材质为CsF)以及厚度为80nm的第二金属层(材质为Ag)。实施例2本实施例2的顶发射有机电致发光二极管结构为PC/Al/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/ (Al/L1: Bphen/LiF/Al)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PC薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PC薄膜表面沉积厚度为20nm的Al作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理5分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后在第一电子注入层LiF表面依次层叠蒸镀厚度为6nm的第一金属层(材质为Al)、厚度为80nm的介质层(该介质层采用Li掺杂的Bphen，掺杂质量比为1: 10)、厚度为Inm的第二电子注入层(材质为LiF)以及厚度为IOOnm的第二金属层(材质为Al)。实施例3本实施例3的顶发射有机电致发光二极管结构为PI/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/ (Al/Cs: TPBi/CsF/Al-Ag)。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PI薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PI薄膜表面沉积厚度为25nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后在第一电子注入层LiF表面依次层叠蒸镀厚度为8nm的第一金属层(材质为Ag)、厚度为75nm的介质层(该介质层采用Cs掺杂的TPBi，掺杂质量比为1: 6)、厚度为Inm的第二电子注入层(材质为CsF)以及厚度为150nm的第二金属层(材质为Al-Ag)。实施例4本实施例4的顶发射有机电致发光二极管结构为PES/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/CsF/ (Ag/Ag: PBD/CsF/Ag)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PES薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PES薄膜表面沉积厚度为22nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。
处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层CsF。然后在第一电子注入层CsF表面依次层叠蒸镀厚度为IOnm的第一金属层(材质为Ag)、厚度为65nm的介质层(该介质层采用Ag掺杂的PBD，掺杂质量比为1:1)、厚度为Im的第二电子注入层(材质为CsF)以及厚度为120nm的第二金属层(材质为Ag)。实施例5本实施例5的顶发射有机电致发光二极管结构为COC/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/ (Al/Cs: TAZ/CsF/Mg-Ag)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将环烯烃共聚物(COC)薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在COC薄膜表面沉积厚度为150nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层CsF。然后在第一电子注入层CsF表面依次层叠蒸镀厚度为nm的第一金属层(材质为Al)、厚度为60nm的介质层(该介质层采用Cs掺杂的TAZ，掺杂质量比为1: 5)、厚度为Inm的第二电子注入层(材质为CsF)以及厚度为IOOnm的第二金属层(材质为Mg-Ag)。实施例6本实施例6的顶发射有机电致发光二极管结构为PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/ (Al/L1: Liq/LiF/Al)。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PEN薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PEN薄膜表面沉积厚度为25nm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为40nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为Inm的电子注入层LiF。然后在第一电子注入层LiF表面依次层叠蒸镀厚度为6nm的第一金属层(材质为Ag)、厚度为1OOnm的介质层(该介质层米用Li惨杂的Liq，惨杂质星比为1. 4)、厚度为Inm的第二电子注入层(材质为LiF)以及厚度为120nm的第二金属层(材质为Al)。对比例1本对比例1的有机电致发光二极管结构为PET/Ag/m-MTDATA/NPB/(FIrPic: CBP) /Alq3/LiF/Ag。该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下将PET薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。在真空蒸镀系统中，在PET薄膜表面沉积厚度为ISnm的Ag作为阳极层，然后将阳极层用氧等离子处理2分钟。处理完毕后，继续在阳极层表面依次蒸镀厚度为30nm的空穴注入层m-MTDATA、厚度为50nm的空穴传输层NPB、厚度为20nm的发光层FIrPic: CBP (其中，FIrPic为客体材料，CBP为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为8% )、厚度为40nm的电子传输层Alq3、厚度为0. 5nm的电子注入层LiF。然后是蒸镀厚度为80nm的阴极层,材质为Ag。将实施例1至6制得的顶发射有机电致发光二极管与对比例I制得的有机电致发光二极管进行反射率测试，结果如表I所示。从表I中可以看出，本发明的阴极采用了薄层金属层/介质层/电子注入层/金属层的结构，具有较低的反射率，明显低于对比例I所采用的单层金属电极，因此，在用于显示的时候，可以降低有机电致发光二极管对外部物体的光反射，显著地提高了显示对比度。表I中还包括了实施例1至6与对比例I制作的有机电致发光二极管的启动电压对比。本发明提供的有机电致发光二极管，其厚度比对比例I要厚60nm以上，但是由于本发明采用了掺杂的介质层，提高了介质层的导电性，因此启动电压并没有因为器件厚度增加而明显提高，这对该高对度发光器件的应用无疑是非常有利的。表I
权利要求
1.一种顶发射有机电致发光二极管,该顶发射有机电致发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入层及阴极层；其特征在于，所述阴极层包括第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层，且所述第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层依次层叠在所述第一电子注入层表面。
2.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述第一金属层的材质为铝或银；所述第一金属层的厚度为4 10nm。
3.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述介质层为电子输入材料掺杂锂、铝、铯或银；所述介质层的厚度为60 lOOnm。
4.根据权利要求3所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述电子输入材料为8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉锂或3-(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑。
5.根据权利要求4或5所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述介质层中，所述锂、铝、铯或银的掺杂质量百分比为9 50%。
6.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述第二电子注入层为氟化锂或氟化铯；所述第二电子注入层的厚度为O. 5 lnm。
7.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述第二金属层的材质为铝、银、铝银合金或镁银合金；所述第二金属层的厚度为80 150nm。
8.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、透明聚酰亚胺、环烯烃共聚物或者聚碳酸酯； 所述阳极层的材质为银或铝； 所述空穴注入层的材质为4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺； 所述空穴传输层的材质为N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，Γ -联苯_4，4' _ 二胺， 所述发光层的材质为4，4' -N，N-二咔唑基-联苯掺杂双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2‘)吡啶甲酰合铱组成的掺杂混合物； 所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉-铝； 所述第一电子注入层的材质为氟化锂或氟化铯。
9.根据权利要求1或8所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述阳极层的厚度为18 25nm ;所述空穴注入层的厚度为30nm ;所述空穴传输层的厚度为40nm ;所述发光层的厚度为20nm ;所述电子传输层的厚度为30nm ;所述第一电子注入层的厚度O. 5 Inm0
10.一种顶发射有机电致发光二极管的制备方法，包括如下步骤 步骤SI，清洗、干燥衬底； 步骤S2，在所述衬底的表面蒸镀一层阳极层； 步骤S3，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；步骤S4，在所述电子注入层的表面依次层叠蒸镀第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层；且第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层构成阴极层；上述制`备工艺完后，制得所述顶发射有机电致发光二极管。
全文摘要
本发明属于光电子器件领域，其公开了一种顶发射有机电致发光二极管及其制备方法；该顶发射有机电致发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第一电子注入层及阴极层；其中，阴极层包括依次层叠的第一金属层、介质层、第二电子注入层以及第二金属层。本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层的结构采用金属层/介质层/电子注入层/金属层结构，这种结构能够降低环境对光线的反射，提高顶发射有机电致发光二极管作为显示的对比度。
文档编号H01L51/50GK103050635SQ20111031495
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月17日 优先权日2011年10月17日
发明者周明杰, 王平, 冯小明, 钟铁涛 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司