专利名称：稳压二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种二极管。
背景技术：
现有的稳压二极管，主要故障表现在开路、短路和稳压值不稳定，在实际使用过程中防静电放电性能低下，金属与SiO2粘附性不太好，造成产品在后道封装过程拉力差，在生产运输过程中容易因为耐静电不够而产生早期失效，使其应用场合受到了极大限制。
实用新型内容本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种低电压、低漏电、金属层与 SiO2之间有较高粘附性、具有高防静电放电性能的稳压二极管。本实用新型包括管芯，所述管芯包括一个双面设置有电极的PN结，PN结表面裸露部分和电极之间自PN结向电极方向分别设置有一层Si3N4层和一层5102层，所述电极、Si3N4 层和SiO2层均为阶梯状结构。所述PN结双面电极均为钛、镍、银三层结构；PN结的正面自下而上依次设置有底层金属层、阻挡金属层和粘附金属层。所述底层金属层的厚度优选为500 700A ；所述阻挡金属层的厚度优选为 6900 7200A ；所述粘附金属层的厚度优选为6900 7200A。本实用新型由于采用以上结构，与现有技术相比具有低电压、低漏电、金属层与 SiO2之间有较高粘附性、高防静电放电性能的优点。
附图为本实用新型稳压二极管的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作详细说明图中1、管芯，2、PN结，3、电极，4、Si3N4层，5、Si02层，6、底层金属层，7、阻挡金属
层，8、粘附金属层。如附图所示，包括管芯，管芯包括一个双面设置有电极的PN结，PN结表面裸露部分和电极之间自PN结向电极方向分别设置有一层Si3N4层和一层S^2层，电极、Si3N4层和 SiO2层均为阶梯状结构。PN结双面电极均为钛、镍、银三层结构；PN结的正面自下而上依次设置有底层金属层、阻挡金属层和粘附金属层。底层金属层的厚度为600A ；阻挡金属层的厚度为7000A ；粘附金属层的厚度为7000A ；底层金属层是钛，阻挡金属层是钛钨合金，粘附金属
层是铁。以上所述的实施例，只是本实用新型较优选的具体实施方式
之一，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行的通常变化和替换都应该包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种稳压二极管，包括管芯，其特征在于所述管芯包括一个双面设置有电极的PN 结，PN结表面裸露部分和电极之间自PN结向电极方向分别设置有一层Si3N4层和一层S^2 层，所述电极、Si3N4层和S^2层均为阶梯状结构。
2.根据权利要求1所述的稳压二极管，其特征在于所述PN结双面电极均为钛、镍、银三层结构。
3.根据权利要求1所述的稳压二极管，其特征在于PN结的正面自下而上依次设置有底层金属层、阻挡金属层和粘附金属层。
4.根据权利要求3所述的稳压二极管，其特征在于所述底层金属层的厚度为500 700A。
5.根据权利要求3所述的稳压二极管，其特征在于所述阻挡金属层的厚度为6900 7200A。
6.根据权利要求3所述的稳压二极管，其特征在于所述粘附金属层的厚度为6900 7200A。
7.根据权利要求3所述的稳压二极管，其特征在于所述底层金属层是钛，阻挡金属层是钛钨合金，粘附金属层是钛。
专利摘要本实用新型公开了一种稳压二极管，属于半导体器件技术领域。其包括管芯，所述管芯包括一个双面设置有电极的PN结，PN结表面裸露部分和电极之间自PN结向电极方向分别设置有一层Si3N4层和一层SiO2层，所述电极、Si3N4层和SiO2层均为阶梯状结构。本实用新型由于采用以上结构，与现有技术相比具有低电压、低漏电、金属层与SiO2之间有较高粘附性、高防静电放电性能的优点。
文档编号H01L23/31GK202189794SQ20112027820
公开日2012年4月11日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日
发明者张录周, 苗本秀, 赵为涛 申请人:山东沂光电子股份有限公司