专利名称：一种新型晶圆升降顶针结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及PECVD设备中晶圆传送领域，具体为通过设计一种独特的顶针结构完成该顶针在加热盘升降孔内的顺利升降。
背景技术：
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的原理是利用低温等离子体作为能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。在成膜过程中，为了使真空机械手与加热盘进行晶圆传送，需要晶圆在加热盘上顺利升降，而晶圆的顺利升降需要靠顶针的升降带动完成。顶针置于加热盘上的升降孔中，在成膜过程中，由于腔体内的高温作用，加热盘上的升降孔孔径会变小，因此顶针与加热盘的升降孔产生的摩擦力大，使得顶针升降不顺畅，加热盘与真空机械手传输晶圆的稳定性差。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种独特的顶针结构，以减少顶针与升降孔的摩擦力，从而完成该顶针在加热盘升降孔中的顺利升降，进而带动晶圆在加热盘上的顺利升降。本实用新型采用的技术方案是一种新型晶圆升降顶针结构由端头和顶杆构成，顶杆的外表面制成竹节状台阶结构。上述的新型晶圆升降顶针结构端头和顶杆为一体结构。上述的新型晶圆升降顶针结构所述的顶杆的外表面制成竹节状台阶结构，每一台阶的直径相同或不同。本实用新型的原理如下当PECVD设备需要进行晶圆在加热盘与真空机械手传输时，需要将晶圆从加热盘表面升起，而此时由于高温作用，加热盘升降孔会变小，由于将顶针的顶杆外表面制成竹节状不同直径，减少了顶针与加热盘升降孔的接触面积，有效的减少了摩擦力，使得顶针在加热盘的升降孔内升降顺畅，实现晶圆在加热盘表面的顺利升降。本实用新型的有益效果是①通过将顶杆的外表面制成竹节状台阶结构，每相邻段台阶的直径不同，因此顶杆的外表面并不完全与升降孔壁接触，因而减少了顶针与加热盘升降孔的接触面积，也就减少了摩擦，使得顶针在加热盘升降孔中升降顺畅，实现晶圆在加热盘表面的顺利升降。②成本低。只需将顶针的外表面加工成所需要的竹节状台阶，即可以起到减少与加热盘内孔摩擦力的作用。③稳定性高。由于摩擦力减小，使得顶针稳定升降，也即带动晶圆稳定升降，提高了加热盘与真空机械手传输晶圆的稳定性。
图1是本实用新型的结构示意图。图2是本实用新型与加热盘的连接示意图。图3是本实用新型与加热盘的连接剖视图。
具体实施方式
如图1所示，一种新型晶圆升降顶针结构由端头(1)和顶杆(2)构成，顶杆(2)的外表面制成竹节状台阶结构。上述的新型晶圆升降顶针结构端头(1)和顶杆(2)为一体结构。上述的新型晶圆升降顶针结构所述的顶杆(2)的外表面制成竹节状台阶结构， 每一台阶的直径相同或不同。如图2和图3所示，操作时，将本实用新型置于加热盘(3)上的升降孔(4)内，在 PECVD工艺时，当需要进行晶圆在加热盘与真空机械手传输时，通过顶针在加热盘升降内孔中的升降，实现晶圆的升降。
权利要求1.一种新型晶圆升降顶针结构，其特征在于由端头(1)和顶杆(2)构成，顶杆(2)的外表面制成竹节状台阶结构。
2.如权利要求1所述的新型晶圆升降顶针结构，其特征在于端头(1)和顶杆(2)为一体结构。
3.如权利要求1或2所述的新型晶圆升降顶针结构，其特征在于所述的顶杆(2)的外表面制成竹节状台阶结构，每一台阶的直径相同或不同。
专利摘要本实用新型涉及一种新型晶圆升降顶针结构。采用的技术方案是由端头和顶杆构成，顶杆的外表面制成竹节状台阶结构。端头和顶杆为一体结构。所述的顶杆的外表面制成竹节状台阶结构，每一台阶的直径相同或不同。本实用新型减少了顶针与加热盘升降内孔的接触面积，也就减少了摩擦，使得顶针在加热盘升降内孔中升降顺畅，实现晶圆在加热盘表面的顺利升降，提高了加热盘与真空机械手传输晶圆的稳定性。
文档编号H01L21/673GK202307840SQ201120442520
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者凌复华, 李忠然 申请人:沈阳拓荆科技有限公司