专利名称：用于在载体上安装半导体芯片的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于在特别是引线框的载体上安装半导体芯片的方法。
背景技术：
半导体器件制造商一直致力于提高其产品的性能同时降低其制造成本。半导体器件的制造中的成本密集区是对半导体芯片进行封装。如本领域技术人员认识到的，集成电路是在晶片中制作的，其随后被单片化(singulate)从而产生半导体芯片。随后可以将半导体芯片安装在诸如引线框之类的导电载体上。在安装工艺期间，半导体芯片可能受到热应力，这可能损坏半导体芯片。
包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且所述附图被合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易认识到其他实施例以及实施例的许多预期优点，因为它们通过参照下面的详细描述而变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记指代对应的类似部件。图1A-1C示意性地示出了用于将半导体芯片安装在载体上的方法的一个实施例的剖面 图2A-2B示意性地示出了用于在半导体芯片上沉积焊料(solder material)的方法的一个实施例的剖面 图3示意性地示出了焊料层的粗糙表面；
图4示意性地示出了具有几个金属层和一个焊料层的半导体芯片的一个实施例的剖面 图5示出了具有焊料层的半导体芯片的SEM (扫描电子显微镜)图像；
图6示出了使用隧道炉将半导体芯片安装在载体上的方法的一个实施例的示意 图7A-7E更详细地、示意性地示出了图6的方法的各个步骤；
图8示出了用于使用炉中的分批退火工艺将半导体芯片安装在载体上的方法的一个实施例的示意图；以及
图9示出了安装在引线框上的功率半导体芯片的一个实施例的剖面图。
具体实施例方式在下面的详细描述中参照形成本说明书的一部分的附图，其中通过说明的方式示出了其中可以实践本发明的具体实施例。在这方面，参照所描述的附图的指向使用了诸如“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“在前”、“在后”等等之类的方向术语。由于实施例的组件可以被定位在许多不同的指向中，因此所述方向术语被用于说明的目的而决不是进行限制。要理解的是，在不背离本发明的范围的情况下可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑的改变。因此，不要将下面的详细描述视为限制意义，并且本发明的范围由所附权利要求书限定。要理解的是，除非明确地另行声明，否则在这里所描述的各个示例性实施例的特征可以彼此组合。在本说明书中所采用的术语“耦合”和/或“电耦合”并不意味着意指所述元件必须直接耦合在一起；可以在“耦合”或“电耦合”的元件之间提供中间元件。下面描述包含半导体芯片的器件。半导体芯片可以具有不同类型，可以通过不同技术制造，并且可以包括例如集成的电、电光或机电电路或无源器件。所述集成电路例如可以被设计成逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、存储器电路或集成无源器件。此外，半导体芯片可以被配置成所谓的MEMS (微机电系统)，并且可以包括微机械结构，诸如桥接器、隔膜或舌结构。半导体芯片可以被配置成传感器或致动器，例如压力传感器、加速度传感器、旋转传感器、麦克风等等。此外，半导体芯片可以被配置成功率半导体芯片，诸如功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)、JFET (结型栅场效应晶体管)、功率双极型晶体管或者功率二极管。特别可以涉及具有垂直结构的半导体芯片，也就是说半导体芯片可以被制作成使得电流可以在垂直于半导体芯片的主表面的方向上流动。具有垂直结构的半导体芯片可以特别在其两个主表面上具有接触焊盘，也就是说在其顶侧和底侧上具有接触焊盘。功率半导体芯片可以特别具有垂直结构。举例来说，功率MOSFET的源极电极和栅极电极可以位于一个主表面上，同时功率MOSFET的漏极电极可以被设置在另一个主表面上。不需要从例如Si、SiC、SiGe、GaAs的具体半导体材料制造半导体芯片，并且半导体芯片另外可以包含并非半导体的无机和/或有机材料。半导体芯片可以具有接触焊盘(或者电极或接触元件)，其允许与包括在半导体芯片中的集成电路进行电接触。所述接触焊盘可以包括被施加到半导体芯片的半导体材料上的一个或更多金属层。所述金属层可以被制造成具有任何所期望的几何形状以及任何所期望的材料成分。所述金属层例如可以具有覆盖区域的层的形式。例如铝、钛、钨、金、银、铜、钯、钼、镍、铬或镍钒的任何所期望的金属或金属合金可以被用作所述材料。所述金属层不需要是均匀的或者从仅仅一种材料制造的，也就是说包含在所述金属层中的各种材料成分和浓度都是可能的。所述接触焊盘可以位于半导体芯片的活性主表面上，或者位于半导体芯片的其他表面上。可以将焊料沉积在半导体芯片上。例如AuSn、AgSn、CuSn、Sn、AgIn、In或CuIn可以被用作焊料。焊料表面可以具有一定粗糙度。可以将半导体芯片放置在载体上。可以将半导体芯片按压在载体上，使得先前被沉积在半导体芯片上的焊料变形并且在半导体芯片与载体之间产生闭形接合。所述载体可以具有任何形状、尺寸和材料。在所述器件的制作期间可以将载体彼此连接。所述载体还可以由单件制成。可以通过连接装置将载体彼此连接，其目的是在制作过程中将一些载体分离。可以通过机械锯削、激光束、切割、冲压、铣削、蚀刻或者任何其他适当方法来实施载体分离。所述载体可以是导电的。它们可以完全由金属或金属合金制作，特别是铜、铜合金、铁镍、铝、铝合金、钢、不锈钢或者其他适当材料。所述载体可以例如是引线框或者引线框的一部分。此外，所述载体可以镀有导电材料，例如铜、银、铁镍或镍磷。在一个实施例中，所述载体是复合基板，例如DCB (直接铜结合)，其是在其顶表面和底表面上具有铜层的陶瓷基、板。下面描述的器件可以包括可以具有任何形状和尺寸的外部接触焊盘(或外部接触元件)。所述外部接触焊盘可以从所述器件的外部可接近，因而可以允许与半导体芯片进行电接触。此外，外部接触焊盘可以是导热的，并且可以充当吸热器以用于耗散由半导体芯片生成的热量。所述外部接触焊盘可以由任何所期望的导电材料组成，诸如铜、铝或金之类的金属、金属合金或者导电有机材料。可以在外部接触焊盘上沉积诸如焊球或焊点(solderbump)之类的焊料。可以用封装材料覆盖半导体芯片或半导体芯片的至少部分，所述封装材料可以是电绝缘的并且可以形成封装体。所述封装材料可以是任何适当的硬质塑料、热塑或热固材 料或者层压材料(预浸材料)，并且可以包含填料。可以采用各种技术来利用封装材料封装半导体芯片，例如压缩模塑、注射模塑、粉末模塑、液体模塑或层压。可以使用热量和/或压力来施加所述封装材料。图1A-1C示意性地示出了一种用于将半导体芯片安装在载体上的方法。图IA不意性地不出了半导体芯片10,其具有第一主表面11和与第一主表面11相对的第二主表面12。在半导体芯片10的第一主表面11上沉积一层焊料13。该层焊料13，特别是该层的背对半导体芯片10的第一主表面11的表面14，可以具有至少Iym的粗糙度。图IB示意性地示出了其上放置半导体芯片10的载体15，其中半导体芯片10的第一主表面11面向载体15。利用力F将半导体芯片10按压在载体15上,使得对于第一主表面11的每mm2的表面积施加至少I牛顿的压力。图IC示意性地示出了将焊料13加热到温度T以便将半导体芯片10牢固地附着到载体15上。图2A-2B示意性地示出了一种用于在半导体芯片上沉积焊料的方法。图2A示意性地示出了半导体芯片10的剖面，其中其第一主表面11面向上并且其第二主表面12面向下。允许与包括在半导体芯片10中的集成电路进行电接触的接触焊盘可以位于第一主表面11上。所述接触焊盘可以是半导体材料中的掺杂区段。根据一个实施例，图2A中示出的半导体芯片10仍是半导体晶片的一部分。根据另一个实施例，半导体芯片10已经被从半导体晶片中单片化。图2B不意性地不出了沉积在半导体芯片10的第一主表面11上的一层焊料13。所述焊料13覆盖位于半导体芯片10的第一主表面11上的接触焊盘，并且特别可以覆盖整个第一主表面11。焊料13的表面14具有一定的最小粗糙度。例如，表面14可以具有至少Ιμπι或1.5μηι或2μηι的粗糙度。焊料13可以包含任何适当材料,例如Sn、AuSn > AgSn >CuSn、AgIn、In或Culn。如果半导体芯片10在焊料13的沉积期间仍然处于晶片结合中，贝Ij在沉积焊料13之后从半导体晶片中将半导体芯片10单片化。在一个实施例中，通过使用溅射工艺来沉积焊料13。在这种情况下，沉积速率被设定到获得所沉积的焊料13的所期望的表面粗糙度的这种值。在一个实施例中，通过电化学沉积工艺来沉积焊料13。为此，将包含焊料颗粒的溶液施加到半导体芯片10上，并且在半导体芯片10与参考电极之间施加适当的电压，使得焊料颗粒沉积在半导体芯片10的第一主表面11上。此外，溶液包含还在第一主表面11上沉积的添加剂。焊料层13不在沉积有添加剂的位置处生长，这导致焊料层13的粗糙表面。在一个实施例中，半导体芯片10的第一主表面11具有一定的表面粗糙度，这例如可以通过蚀刻步骤产生。随后被沉积在第一主表面11上的该层焊料13具有与第一主表面11相同或类似的粗糙度。图3示出了由焊料13制成的所述层的表面粗糙度的理想化模型。在该模型中，该层的表面14具有平均高度为h并且平均峰峰距离为d的尖峰16。表面14的粗糙度的波长可以大约是平均尖峰高度h。所述波长还可以显著小于第一主表面11的尺度。平均尖峰高度h可以处在从I μ m到5 μ m的范围内，并且特别处在从I μ m到2 μ m的范围内。平均峰峰距离d可以处在从2 μ m到10 μ m的范围内，并且特别处在从3 μ m到5 μ m的范围内。特别地，当第一主表面11具有高达IOmm2的尺寸时，针对平均尖峰高度h和平均峰峰距离d的这些值是有效的。对于更大的表面积，可以对表面粗糙度的参数进行适配。在一个实施 例中，由焊料13制成的所述层的表面粗糙度由平均尖峰高度h表征。在一个实施例中，由焊料13制成的所述层的表面粗糙度由平均尖峰高度h和平均峰峰距离d表征。在一个实施例中，被施加到半导体芯片10的焊料13具有一定的延展性。延展性是一种机械属性，其描述固体材料在不断裂的情况下可以塑性变形的程度。对延展性的度量是屈服应力或屈服强度。屈服应力是屈服点下的应力。在实践中，屈服应力被选择成使其导致O. 002的永久应变。屈服强度被定义为实际是发生材料的原始尺度的O. 2%的永久变形时的应力水平的屈服应力，并且被定义为材料在其永久变形之前可以耐受应力的应力水平。在一个实施例中，沉积在半导体芯片10上的焊料13的屈服应力具有处在从IOMpa到200Mpa的范围内的屈服应力。在一个实施例中，沉积在半导体芯片10上的焊料13的屈服强度具有处在从IOMpa到200Mpa的范围内的屈服强度。焊料13可以如图2B中所示的那样被直接沉积到半导体芯片10的半导体材料上。图4示意性地示出了一个实施例，其中在半导体芯片10的半导体材料与所述焊料13层之间设置一个或更多金属层。在图4中，在将焊料13施加到金属层22之前，在半导体芯片10的第一主表面11上沉积金属层20、21和22。可以通过真空沉积方法(诸如溅射)或者其他适当的物理或化学沉积方法来沉积金属层20-22。每一个所述金属层20-22可以具有处在从50nm到300nm的范围内的厚度,但是还可以更薄或更厚。招、钛、鹤、金、银、铜、钯、钼、镍、铬、镍钒或者其他适当的金属或金属合金可以被用作金属层20-22的材料。在一个实施例中，在金属层20与21和/或金属层21与22之间设置一个或更多附加金属层。金属层20可以用来与半导体芯片10进行电接触。金属层21的功能可以是扩散屏障的功能，其保护半导体芯片10的半导体材料在焊接工艺期间免受焊料13的影响。金属层22可以充当粘附层，其使得焊料13能够粘附到半导体芯片10上。根据一个实施例,半导体芯片10具有垂直结构，因而在两个主表面11和12上都具有接触焊盘或电极。图4中所示的半导体芯片10具有位于与第一主表面11相对的第二主表面12上的接触焊盘24和25。接触焊盘24和25可以包括一个或更多金属层。半导体芯片10例如可以是功率半导体芯片，诸如功率晶体管、功率二极管或IGBT0在功率MOSFET的情况下，位于第一主表面11上的接触焊盘是漏极电极，并且接触焊盘24和25分别是源极电极和栅极电极。图5示出了作为图4中所示的实施例的示例的半导体芯片10的SBK扫描电子显微镜)图像。在半导体芯片10的第一主表面11上沉积下面的层金属层20,金属层21,金属层22，以及具有粗糙表面14的一层焊料13。图6示出了一种用于在载体15上安装半导体芯片10的方法的示意图。图6示出了捡取单个半导体芯片10并且将半导体芯片10放置在载体15上的管芯结合器30。将载体15定位在传送器31上。传送器31例如由步进电动机驱动，并且在图6中所示的方向X上与半导体芯片10 —起移动载体1 5。在把半导体芯片10放置在载体15上之后，载体15和半导体芯片10穿过隧道炉32。在图6中还示出了隧道炉32的温度分布。还可以使用不同于图6中所示的隧道分布的温度分布。隧道炉32的温度分布例如可以包括具有上升温度的部分以及具有下降温度的后续部分。图7A-7E更详细地、示意性地示出了图6的方法的步骤。图7A示意性地示出了管芯结合器30，其在加载位置处捡取半导体芯片10并且把半导体芯片10移动到结合位置。管芯结合器30通过半导体芯片10的第二主表面12保持半导体芯片10，使得半导体芯片10的第一主表面11并且因而使得焊料13层面向载体15。在图7A的实施例中，焊料13被直接附着到半导体芯片10上。还可以规定将一个或更多金属层设置在半导体芯片10与焊料13之间，例如如图4或5中所示出的那样。载体15可以由导电材料制成，诸如金属或金属合金，例如铜、铜合金、铁镍或其他适当材料。载体15可以是引线框或者引线框的一部分，诸如管芯焊盘。此外，载体15可以涂覆有导电材料，例如铜、银、铁镍或镍磷。载体15具有表面33，在该表面33上放置半导体芯片10。在一个实施例中，载体15是复合基板，例如包括陶瓷基板以及设置在所述陶瓷基板的顶表面和底表面上的铜层的DCB。图7B示意性地示出了管芯结合器30，其将半导体芯片10放置在载体15的表面33上。管芯结合器30将力F施加到半导体芯片10上，使得将半导体芯片10按压在载体15上。力F可以被施加达至少10ms。还有可能施加力F达更长得多的时间。由于图7B中所示出的工艺步骤不涉及温度步骤，因此管芯附着时间可以相对短。力F导致焊料13上的压力，所述压力是第一主表面11的每mm2的表面积至少I牛顿。还可以规定生成更高的压力，例如第一主表面11的每mm2的表面积从3到100牛顿的范围内的压力。在一个实施例中，压力可以高于2或3或5或10牛顿每mm2。由于焊料13的粗糙表面14，当半导体芯片10被放置在载体15上时，仅仅表面14的一些点(即图3中所示的尖峰16)与载体15接触。由管芯结合器30施加在焊料13上的压力高到足以使焊料13局部变形并且在半导体芯片10与载体15之间产生机械连接。特别地，焊料13上的压力导致焊料13的与载体15接触的部分穿透到载体15的表面33中的沟槽中，所述沟槽是由于载体15的制造所导致的。因而，焊料13的表面14适配于载体15的表面33的形状。这便于机械结合，特别是半导体芯片10与载体15的闭形接合。半导体芯片10与载体15之间的机械连接确保当步进电动机向前移动传送器31时，半导体芯片10关于载体15没有位置偏移。图7C示意性地示出了从半导体芯片10释放管芯结合器30，随后将载体15与半导体芯片10 —起引入到隧道炉32中的位置X1 (还参见图6中的温度分布)。在位置X1处，将焊料13暴露于温度T1，所述温度T1低于焊料13的熔融温度Tnrelt (在图6中指示了焊料13的熔融温度Tmelt)。温度T1导致焊料13与载体15之间的界面处的固态扩散，并且导致形成金属间相34。焊料13与载体15之间的界面处的金属间相34具有高于焊料13的熔融
温度Tmglt的溶融温度。图7D示意性地示出了处于隧道炉32中的位置X2处的半导体芯片10和载体15。在位置X2处，焊料13被暴露于高于焊料13的熔融温度Tnrelt的温度T2，这导致剩余的焊料13熔融。然而金属间相34不会在温度T2下熔融，因而在该工艺步骤期间将半导体芯片10保持就位。温度T2可以比焊料13的熔融温度Tmelt高10-20°C，即温度T2可以处在从Tmelt+10°C到Tmelt+20°C的范围内。温度T2特别可以高于Tmelt+20°C。例如，如果锡被用作熔融温度Tmelt为232°C的焊料13，则温度T2可以约为250°C。图7E示意性地示出了处于隧道炉32中的位置X3处的半导体芯片10和载体15。 在位置X3处，焊料13被暴露于温度T3,该温度T3高于焊料13的熔融温度Tmelt。所有低熔点焊料13在这一阶段都已完全转化，即它已完全变成金属间相35。由金属间相35产生的半导体芯片10与载体15之间的金属接合能够耐受高温，是高度机械稳定的并且表现出高的导电性和导热性。半导体芯片10和载体15在隧道炉32中暴露于图6的温度分布的时间可以高于10s，并且特别高于60s。可以规定隧道炉32中的温度低于1'1^+1001或1'1^+501或Tmelt+30°C或Tmelt+25°C或Tmelt+20°C，其中Tmelt是所用焊料13的熔融温度。隧道炉32中的温度例如可以低于800°C或700°C或600°C或500°C或400°C或300°C。由于将半导体芯片10结合到载体15所必需的低温，向半导体芯片10和载体15的系统中引发仅仅很小的应力，这导致可靠性提高。此外，所述低温导致载体15的仅仅很小的热膨胀，因而确保半导体芯片10的精确定位和对准。此外，由于焊料13不必高度富含有金，因此生产成本得以减小。在这里所描述的方法还允许无引线芯片安装。图8示出了用于将半导体芯片10安装在载体15上的另一种方法的示意图。与图6的方法类似，管芯结合器30捡取单个半导体芯片10并且通过施加力F将半导体芯片10结合到载体15上，如上面关于图7A-7B所描述的那样。此后，不把载体15和半导体芯片10穿过隧道炉32，而是将它们放置在储匣(magazine) 36中。也可以将另外的附着有半导体芯片10的载体15放置在储匣36中。随后把储匣36以及可能另外的储匣36放置在炉37中，其中对在半导体芯片10与载体15之间的界面处的焊料13施加如图6中所示的温度分布。图9示意性地示出了一个实施例，其中载体15是引线框的管芯焊盘。半导体芯片10通过其第一主表面11附着到载体15的表面33上，如图7E中所示出的那样。在该实施例中，半导体芯片10是功率M0SFET，其源极电极24和栅极电极25位于其第二主表面12上。所述引线框还包括引线或焊盘38和39。源极电极24和栅极电极25分别借助于结合线40和41或者任何其他适当的耦合装置(诸如金属夹或金属层)电耦合到引线或焊盘38和39。所述引线或焊盘38和39可以具有外部接触元件的功能。此外，半导体芯片10可以覆盖有封装材料。虽然可能关于几种实现方式的仅仅一种公开了本发明的实施例的特定特征或方面，但是可以将这样的特征或方面与其他实现方式的一个或更多其他特征或方面相组合，如对于任何给定或特定应用可能期望并且有利的那样。此外，就在详细描述或权利要求书中使用术语“包括”、“具有”、“带有”或它们的其他变型来说，这样的术语意图是以与术语“包含”类似的方式包含性的。此外应当理解的是，本发明的实施例可以被实施在分立电路、部分集成电路或完全集成电路或者编程装置中。此外，术语“示例性”仅仅意味着作为示例，而不是最佳的或最优的。还要认识到在这里所描述的特征和/或元素是出于简单及易于理解的目的而以相对于彼此的特定尺度示出的，并且实际的尺度可能与在这里所示出的尺度有很大不同。 尽管在这里示出并描述了具体的实施例，但是本领域普通技术人员将认识到，在不背离本发明的范围的情况下，可以用多种替换和/或等效实现方式来替代所示出并描述的具体实施例。本申请意图涵盖在这里所讨论的具体实施例的任何适配或变型。因此，意图是本发明仅由权利要求书及其等效表述限制。权利要求
1.一种方法，包括 提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少Iym的粗糖度； 将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体，其中以第一主表面的每_2的表面积至少I牛顿的压力将半导体芯片按压在所述载体上；以及对焊料施加热量。
2.权利要求I的方法，其中所述载体是引线框。
3.权利要求I的方法，其中所述半导体芯片是功率半导体芯片。
4.权利要求I的方法，其中对焊料施加热量包括施加热量使得焊料的温度低于600。。。
5.权利要求I的方法，其中施加热量包括对焊料施加热量达至少10分钟。
6.权利要求I的方法，其中被用来将半导体芯片按压在载体上的压力高到足以超出与所述载体直接接触的所述焊料的部分的屈服点。
7.权利要求I的方法，其中将半导体芯片按压在载体上以产生半导体芯片与载体的闭形接合。
8.权利要求I的方法，其中对半导体芯片施加第一主表面的每mm2的表面积至少I牛顿的压力达至少10ms。
9.权利要求I的方法，其中对焊料施加热量发生在已将半导体芯片按压在载体上之后。
10.权利要求I的方法，还包括在把半导体芯片放置在载体上之后通过步进电动机向前移动所述载体。
11.权利要求I的方法,其中焊料的屈服应力处在IOMpa与200Mpa之间的范围内。
12.权利要求I的方法，其中焊料的屈服强度处在IOMpa与200Mpa之间的范围内。
13.权利要求I的方法，其中对焊料施加热量包括把焊料加热到低于所述焊料的熔融温度的第一温度。
14.权利要求13的方法，其中对焊料施加热量还包括把焊料加热到高于所述焊料的熔融温度的第二温度。
15.权利要求14的方法,其中第二温度低于600°C。
16.权利要求14的方法，其中第二温度低于焊料的熔融温度加上50°C。
17.权利要求14的方法，其中在把焊料加热到第一温度的步骤之后执行把焊料加热到第二温度的步骤。
18.一种方法，包括 提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少Iym的粗糙度并且所述焊料具有处在IOMpa与200Mpa之间的范围内的屈服强度； 将半导体芯片放置在引线框上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述引线框，其中以第一主表面的每_2的表面积至少I牛顿的压力将半导体芯片按压在所述引线框上；以及 在把半导体芯片放置在引线框上之后对焊料施加热量。
19.权利要求18的方法，其中将半导体芯片按压在引线框上以产生半导体芯片与引线框的闭形接合。
20.—种方法,包括 提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少Iym的粗糖度； 将半导体芯片按压在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体，以产生半导体芯片与载体的闭形接合；以及 对焊料施加热量。
21.权利要求20的方法，其中对焊料施加热量发生在产生半导体芯片与载体的闭形接合之后。
22.权利要求20的方法，其中对焊料施加热量包括对焊料施加第一温度，所述第一温度低于所述焊料的熔融温度。
23.权利要求22的方法，其中对焊料施加热量还包括对焊料施加第二温度，所述第二温度高于所述焊料的熔融温度。
全文摘要
本发明涉及用于在载体上安装半导体芯片的方法。一种方法包括提供具有第一主表面和沉积在第一主表面上的焊料层的半导体芯片，其中所述焊料层具有至少1μm的粗糙度。将半导体芯片放置在载体上，其中半导体芯片的第一主表面面向所述载体。以第一主表面的每mm2的表面积至少1牛顿的压力将半导体芯片按压在所述载体上，并且对焊料施加热量。
文档编号H01L21/58GK102637610SQ20121002973
公开日2012年8月15日 申请日期2012年2月10日 优先权日2011年2月10日
发明者A.海因里希, K.勒斯尔, O.艾兴格 申请人:英飞凌科技股份有限公司