专利名称：用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器及其制备方法
技术领域：
本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器及其制备方法。
背景技术：
随着社会和经济的高速发展，人类对能源的需求日益增长。光伏发电将会在未来可再生能源领域占有重要的组成部分。目前光伏产业进一步发展的最大制约因素在于其发电成本高于常规能源，因此开发高效、低价、长寿命太阳电池就成为了世界各国研究的热点。其中提高电池效率的途径之一是如何进一步提高太阳光的充分利用，这就涉及到先进光管理设计的研究。实现光管理设计的方法之一是采用陷光-捕获技术。在传统的硅太阳电池中，陷光效应是借助于表面织构使以较大的角度散射从而提高有效光程。近年来在薄膜电池中实现有陷光效应的新方法是利用金属纳米结构来支持一种金属和介质表面传导电子激发的表面等离子体。这种技术能使光聚集并折叠到半导体薄膜层中，从而利用金属纳米颗粒中的局域表面等离子体以及金属/半导体界面的表面等离子激元效应提高光的吸收。实现光管理设计的另一种途径是采用上转换发光材料。由于太阳电池材料禁带宽度的限制，使得太阳电池只能吸收太阳光谱中的可见光部分。如何能够将太阳光谱中的近红外光谱区充分利用起来，成为宽光谱高效电池关注的一个方向。目前，对于近红外光谱利用的一个研究热点就是上转换发光材料。上转换发光材料能吸收低能量的红外光并转换为高能量的可见光，增加太阳电池对光的吸收，从而提高电池效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，以进一步提闻电池效率。本发明采用的技术方案如下
用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，所述上转换器由纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀分散于衬底上形成。本发明还提供了一种所述上转换器的制备方法
1)先在衬底上制备金属薄膜，然后将上转换材料涂敷于金属薄膜上；在真空或惰性气氛中于200-300°C退火，即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。或者
2)先在衬底上涂敷上转换材料，然后在上转换材料表面沉积金属薄膜，在真空或惰性气氛中于200-300°C退火后，即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。其中，通过真空蒸发法或溅射法制备或沉积金属薄膜。
所述的上转换发光材料为稀土离子掺杂的氧化物、卤化物或硫化物。上转换发光材料涂层的厚度为0. 1-0. 5mm。所述的金属薄膜为Ag或Au的薄膜,金属薄膜厚度为10_30nm。所述的衬底为玻璃或陶瓷。为了最大限度地利用太阳光，本发明采用具有纳米结构的金属颗粒与上转换发光材料组合的方法。在退火条件下，金属薄膜在表面张力作用下聚集，形成直径约50-100nm 的球形金属纳米颗粒阵列，部分更小尺寸的金属颗粒通过扩散作用，附着在上转换材料的表面，形成纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒的充分混合。由于纳米金属颗粒的局域表面等离子体激元效应，使得上转换发光材料能更多地吸收入射进来的红外光，从而发出更多的可见光，从而提闻电池效率。本发明相对于现有技术，有以下优点
本发明利用纳米金属颗粒的表面等离子体激元效应，增强上转换发光材料对红外光的吸收，从而发出更多的可见光，有利于提高电池效率。
图I为典型的具有上转换器的太阳电池结构；其中I为硅基太阳电池；2为上转换器，作用为吸收未被电池吸收的红外区域的光，转换为能被电池吸收的可见光；3为背反射层，可以为玻璃态物质或金属氧化物的透明薄膜，其作用是反射上转换器发出的光，使光重新进入电池从而增加电池的吸收。图2、3为退火前上转换器的结构示意图，3为金属薄膜，4为上转换材料颗粒，5为衬底；图2中上转换发光材料层涂覆于金属膜上；图3中金属膜沉积于上转发光换材料层上。图4为本发明新型上转换器的结构示意图，3为纳米金属颗粒阵列分布于上转换材料的纳米金属颗粒；4为上转换发光材料颗粒；5为衬底。图5、6分别为不含有纳米金属颗粒的上转换发光材料和实施例1、2具有银增强结构的上转换发光材料的光致发光光谱对比。
具体实施例方式以下以具体实施例来说明本发明的技术方案，但本发明的保护范围不限于此 实施例I
首先，利用真空蒸发技术在玻璃衬底上沉积一金属Ag薄膜，厚度约为20nm ;其次，将上转换发光材料NaYF4:18%Yb3+，2%Er3+涂敷于Ag膜表面，形成厚度约为0. 25mm的薄膜；然后在氮气气氛中加热到250°C进行退火。利用金属Ag薄膜表面张力聚集作用，金属薄膜形成直径约50-100nm的球形金属纳米颗粒阵列，部分更小尺寸的金属颗粒通过扩散作用，附着在上转发光换材料的表面。由于纳米金属颗粒的局域表面等离子体激元效应，使得上转换发光材料能更多地吸收入射进来的红外光，从而发出较强的可见光，增加电池对光的吸收。实施例2
首先，在玻璃衬底表面涂覆一层上转换发光材料薄膜NaYF4:18%Yb3+，2%Er3+,厚度约为
0.25mm ;随后，利用真空蒸发技术在上转换材料上沉积一金属Ag薄膜，厚度为20nm ;然后在氮气气氛中加热到250°C进行退火获得用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器。
权利要求
1.用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器由纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀分散于衬底上形成。
2.如权利要求I所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器通过下法获得先在衬底上制备金属薄膜，然后将上转换发光材料涂敷于金属薄膜上；在真空或惰性气氛中于200-300°C退火即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。
3.如权利要求I所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于，所述上转换器通过下法获得先在衬底上涂敷上转换发光材料，然后在上转换发光材料表面沉积金属薄膜，在真空或惰性气氛中于200-300°C退火后，即得纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀混合的等离子体激元增强上转换器。
4.如权利要求2或3所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，其特征在于， 通过真空蒸发法或溅射法制备或沉积金属薄膜。
5.权利要求I所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，先在衬底上制备金属薄膜，然后将上转发光换材料涂敷于金属薄膜上；或者先在衬底上涂敷上转换发光材料，然后在上转换发光材料表面沉积金属薄膜；之后在真空或惰性气氛中于200-300°C退火即可。
6.如权利要求5所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的上转换发光材料为稀土离子掺杂的氧化物、卤化物或硫化物。
7.如权利要求5或6所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法， 其特征在于，上转换发光材料涂层的厚度为0. 1-0. 5mm。
8.如权利要求7所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的金属薄膜为Ag或Au的薄膜,金属薄膜厚度为10-30nm。
9.如权利要求8所述的用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器的制备方法，其特征在于，所述的衬底为玻璃或陶瓷。
全文摘要
本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器及其制备方法。用于太阳电池的等离子体激元增强上转换器，所述上转换器由纳米金属颗粒与上转换发光材料颗粒均匀分散于衬底上形成。本发明利用纳米金属颗粒的表面等离子体激元效应，增强上转换材料对光的吸收，从而发出更多的可见光，增加电池对光的吸收，进而提高电池效率。
文档编号H01L31/0232GK102544177SQ20121007930
公开日2012年7月4日 申请日期2012年3月23日 优先权日2011年3月30日
发明者卢景霄, 焦岳超, 陈永生 申请人:郑州大学