专利名称：大功率整晶圆igbt陶瓷封装外壳的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种陶瓷封装外壳，特别涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳。属于电力半导体器件技术领域。
背景技术：
绝缘栅双极晶体管一一IGBT，随着应用领域的不断拓展，近年来取得了快速发展，已成为当前电力电子器件的主流产品，千安级以上的大功率IGBT已成为轻型直流输电、轨道交通、新能源等大功率变流领域的首选。IGBT常被封装成两种结构，一种是采用芯片焊接和引线超声键合的塑料模块结构，这种结构的优点是工艺简单，缺点是只能实现单面散热，在高压大电流条件下可靠性变差。另一种是采用平板压接式封装的陶瓷模块，这种结构的优点是能够双面散热，清除了焊接热疲劳，提高了可靠性，在大功率领域应用上有明显优势，缺点是每个部件必须有很好的一致性，因此对工艺的要求极高。IGBT芯片常被制成独立的方片单元，对陶瓷模块来说，需要在外壳电极上雕刻一些凸出的矩形电极群来封装每个芯片单元。要完全消除电极群的机械应力、焊接高温形变等诸多因素的影响，保证整个电极群表面具有很高的平整度，从而满足IGBT芯片压接式封装的要求，这将对陶瓷外壳生产的工艺控制、成品率提出考验。随着IGBT芯片制造技术的提高，目前已研制成功一种在一个整晶圆芯片上刻蚀多个独立的IGBT器件单元，相应地需要一种新型封装外壳来实现整晶圆IGBT的封装。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种适合整晶圆IGBT封装的新型陶瓷外壳，能够实现IGBT所有芯片单元的门极连接和引出。本发明的目的是这样实现的一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，它包括陶瓷底座、过渡电极和上盖，所述陶瓷底座包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰、瓷环和阳极密封圈，在所述阳极密封圈内同心焊接有阳极电极，在所述瓷环的壳壁上穿接有门极引线管，在所述门极引线管的内、外端分别焊接有门极内插片和门极外插片，所述上盖盖置于陶瓷底座上，上盖包含有阴极电极和阴极法兰，所述阴极法兰同心焊接在阴极电极的外缘上；所述过渡电极置于阳极电极上，在所述过渡电极上设置有门极针定位孔、门极环定位槽和芯片定位孔。与现有技术相比，本发明的有益效果是
本发明不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了 20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。
图I为本发明的结构示意图。图2为本发明的过渡电极的结构示意图。其中
陶瓷底座I 过渡电极2 上盖3 阳极法兰1-1 瓷环1-2 阳极密封圈1-3 阳极电极1-4 门极引线管1-5 门极外插片1-6 门极内插片1-7 门极针定位孔2-1 门极环定位槽2-2 芯片定位孔2-3 阴极电极3-1 阴极法兰3-2。
具体实施例方式参见图1，本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，主要由陶瓷底座I、过渡电极2和上盖3组成，其中陶瓷底座I包含有阳极法兰1-1、瓷环1-2、阳极密封圈1-3、阳极电极1-4、门极引线管1-5、门极外插片1-6和门极内插片1-7，阳极密封圈1-3焊接在瓷环1-2的下端面，阳极法兰1-1焊接在瓷环1-2的上端面，所述阳极法兰1-1、瓷环1-2和阳极密封圈1-3自上至下叠合同心焊接，所述阳极电极1-4同心焊接在阳极密封圈1-3中，门极引线管1-5穿接于瓷环1-2壳壁上，门极内插片1-7与处于瓷环1-2内的门极引线管1-5 一端垂直焊接，门极外插片1-6水平焊接于瓷环1-2外的门极引线管1-5 —端；所述上盖3盖置于陶瓷底座I上，上盖3包含有阴极电极3-1和阴极法兰3-2，所述阴极法兰3-2同心焊接在阴极电极3-1的外缘上；所述过渡电极2置于阳极电极1-4上，在所述过渡电极2上设置有门极针定位孔2-1、门极环定位槽2-2和芯片定位孔2-3，其中门极针定位孔2-1和门极环定位槽2-2根据需要封装的芯片进行设计。通过门极针定位孔2-1、门极环定位槽2-2、门极内插片1-7、门极引线管1_5和门极外插片1-6的设计，可以实现整晶圆IGBT芯片门极的连接与引出。
权利要求
1.一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座(I)、过渡电极(2)和上盖(3)，所述陶瓷底座(I)包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰(1-1)、瓷环(1-2)和阳极密封圈(1-3)，在所述阳极密封圈(1-3)内同心焊接有阳极电极(1-4)，在所述瓷环(1-2)的壳壁上穿接有门极引线管(1-5)，在所述门极引线管(1-5)的内、外端分别焊接有门极内插片(1-7)和门极外插片(1-6)，所述上盖(3)盖置于陶瓷底座(I)上，上盖(3)包含有阴极电极(3-1)和阴极法兰(3-2)，所述阴极法兰(3-2)同心焊接在阴极电极(3-1)的外缘上；所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上，在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极环定位槽(2-2 )和芯片定位孔(2-3 )。
全文摘要
本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座(1)、过渡电极(2)和上盖(3)，所述上盖(3)盖置于陶瓷底座(1)上，所述过渡电极(2)置于阳极电极(1-4)上，在所述过渡电极(2)上设置有门极针定位孔(2-1)、门极环定位槽(2-2)和芯片定位孔(2-3)。本发明不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。
文档编号H01L23/48GK102768997SQ20121026353
公开日2012年11月7日 申请日期2012年7月28日 优先权日2012年7月28日
发明者徐宏伟, 陈国贤, 陈蓓璐 申请人:江阴市赛英电子有限公司