专利名称：一种散热型led2835双晶封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED的封装结构，具体涉及一种具有良好散热性的LED2835双晶封装结构。
背景技术：
贴片LED光源在照明领域具有广泛的应用，考虑到生产工艺、成本、光学性能等技术要求，越来越多的设计采用贴片封装方式的LED光源，LED双晶结构是近年来为了降低成本和提高光通量，而采取的一种封装方式。贴片型LED双晶光源同其他所有封装方式的LED光源一样，都需要解决光效、可靠性和成本三者的问题光效是光通量与其消耗特定电能功率的比值；可靠性往往由光源散 热性能决定；而成本主要体现在原材料选择方面，此三者发生相互制衡。在不同的需求下可能需要突出某方面的优化效果。增加镀银层的厚度(传统的镀银层厚度为80-100mil)，可以有效的提高LED芯片的取光效率。比如，在成本和可靠性保持的情况下，实现高光通量，这样的议题在大量LED光源生产中显得尤其重要。作为商品，实现其成本下的性能控制，是一种必然的诉求。所以，如何在维持较好的成本和可靠性的同时，采用LED双晶光源实现高光通量，是这类贴片LED封装结构设计的一个必然需求。目前市场上贴片LED双晶的封装方式均为对称型结构，取光效率不高，散热能力弱。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种散热型LED2835双晶封装结构，通过对现有的双晶封装结构的改进，有效的增加芯片的直通电流以提高光通量，同时，采用水平和垂直双重散热方式，提高贴片LED双晶的可靠性和散热能力，进而达到解决背景技术提到的技术问题的目的。为了解决上述技术问题，本实用新型的一种散热型LED2835双晶封装结构，包括第一发光芯片、第二发光芯片、承载第一发光芯片和第二发光芯片的支架、以及包覆所述发光芯片和部分支架的封装体。所述支架上设有金属热沉、镀银层以及PPA隔层，所述金属热沉和镀银层的结构相配合，且金属热沉置于镀银层之下，所述PPA隔层将该金属热沉以及镀银层隔成四部分第一热沉、第二热沉、第三热沉和第四热沉，以及第一镀银层、第二镀银层、第三镀银层和第四镀银层，在PPA隔层配合下，所述第一镀银层形成放置第一发光芯片的第一杯碗，第二镀银层形成放置第二发光芯片的第二杯碗，第一镀银层和第三镀银层通过导线分别连接第一发光芯片的正电极和负电极，第二镀银层和第四镀银层通过导线分别连接第二发光芯片的正电极和负电极；所述第一杯碗固定放置第一发光芯片，所述第二杯碗固定放置第二发光芯片。进一步的，所述镀银层的厚度范围为120-150 mil。进一步的，所述镀银层采用化学电镀法将其制成镜面光亮状，使发光芯片光线充分反射，提高了整个封装结构的光效。进一步的，所述PPA隔层使用PPA-TA112材料制成。其中，PPA-TA112材料制成的PPA隔层将充分隔离两发光芯片之间的光线互相吸收，从而提高了整个封装的出光效率。进一步的，所述支架的内部采用PPA-TA112材料制成。该PPA-TA112材料制成的塑料隔层的高度范围为O. 08-0. 10mm。进一步的，所述第一热沉和第二热沉的面积大于第三热沉或第四热沉的面积的2倍。进一步的,所述第一发光芯片和第二发光芯片的内侧相距的范围为O. 35-0. 50mm。进一步的，所述第一发光芯片和第二发光芯片分别距离第一热沉和第二热沉的边缘 O. 05-0. 10mnin所述第一发光芯片和第二发光芯片的传热方式采用水平和垂直散热方式。本实用新型通过采用上述结构，具有以下优点I.镜面镀银层将源自LED芯片(第一发光芯片和第二发光芯片)的光线充分反射，且将传统的镀银层厚度(80-100mil)增大至120-150 mil，提高了整个封装的取光效；2.放置LED芯片的金属热沉部分的面积的增大将LED芯片的热量由垂直和水平导出，利于整个LED芯片的散热，提升了可靠性，从而实现了高光通量、高可靠性的LED封装的技术优化；3.第一发光芯片和第二发光芯片的距离和位置的控制可以有效的提高取光效率；4. PPA隔层将充分隔离两发光芯片，防止两发光芯片之间的光线互相吸收，从而提高了整个封装的出光效率，且使用PPA-TA112材料，比传统的PPA-T114材料更耐温；5.本实用新型通过增加热沉的面积，有效的提高了 LED芯片的直通电流，可以将LED的直通电流提高到lOOma，实现低成本、高光通量。
图I是本实用新型的实施例的金属热沉层的俯视图(不含芯片)；图2是本实用新型的实施例的俯视图(含芯片)；图3是本实用新型的实施例的剖视图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。作为一个优选的实施例，如图I-图3所示，本实用新型的一种散热型LED2835双晶封装结构，包括第一发光芯片I、第二发光芯片2、承载第一发光芯片I和第二发光芯片2的支架3、以及包覆上述发光芯片和部分支架的封装体。所述支架3上设有金属热沉5、镀银层6以及PPA隔层7，所述金属热沉5和镀银层6的结构相配合，且金属热沉5置于镀银层6之下，所述PPA隔层7将该金属热沉5以及镀银层6隔成四部分第一热沉51、第二热沉52、第三热沉53和第四热沉54，以及第一镀银层61、第二镀银层62、第三镀银层63和第四镀银层64，在PPA隔层7配合下，所述第一镀银层61形成放置第一发光芯片I的第一杯碗，第二镀银层62形成放置第二发光芯片2的第二杯碗，第一镀银层61和第三镀银层63通过导线12分别连接第一发光芯片I的正电极和负电极，第二镀银层62和第四镀银层64通过导线12分别连接第二发光芯片2的正电极和负电极。图3是从第一发光芯片I处剖开的剖视图，第一杯碗固定放置第一发光芯片，第一发光芯片I下设有第一镀银层61,第一发光芯片I的正电极和负电极分别与第一镀银层61和第三镀银层63连接。第一镀银层61和第三镀银层63之下分别设有第一热沉51和第三热沉53。对于第二发光芯片2处剖开的结构跟图3所示的结构相同，这里不再赘述。其中，镀银层6的厚度范围为120-150 mil，其采用镜面亮银，使发光芯片光线充分反射，提高了整个封装结构的光效。PPA隔层7使用PPA-TA112材料制成，主要用于固定并隔离第一发光芯片I和第二发光芯片2。该PPA隔层7为十字型，则将置于芯片之下的金属热沉5和镀银层6也分别分 割成四部分。PPA-TA112材料制成的PPA隔层7将充分隔离两发光芯片之间的光线互相吸收，从而提高了整个封装的出光效率，且PPA-TA112材料比传统的PPA-TA114更耐温。支架3的内部采用PPA-TA112材料制成，其高度范围为O. 08-0. 10mm。第一发光芯片I和第二发光芯片2的内侧相距的范围为O. 35-0. 50mm。第一发光芯片I和第二发光芯片2分别距离第一热沉51和第二热沉52的边缘
O.05-0. IOmm0第一发光芯片I和第二发光芯片2的传热方式采用水平和垂直散热方式。通过采用上述封装结构，可以将LED的单颗直通电流提高到lOOma，所以实现低成本，高光通量，高稳定性的LED封装工艺。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于包括第一发光芯片、第二发光芯片、承载第一发光芯片和第二发光芯片的支架、以及包覆所述发光芯片和部分支架的封装体； 所述支架上设有金属热沉、镀银层以及PPA隔层，所述金属热沉和镀银层的结构相配合，且金属热沉置于镀银层之下，所述PPA隔层将该金属热沉以及镀银层隔成四部分第一热沉、第二热沉、第三热沉和第四热沉，以及第一镀银层、第二镀银层、第三镀银层和第四镀银层； 所述第一镀银层形成放置第一发光芯片的第一杯碗，第二镀银层形成放置第二发光芯片的第二杯碗，第一镀银层和第三镀银层通过导线分别连接第一发光芯片的正电极和负电极，第二镀银层和第四镀银层通过导线分别连接第二发光芯片的正电极和负电极。
2.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述镀银层的厚度范围为120-150 mil。
3.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述镀银层是镜面光亮状的镀银层。
4.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述PPA隔层使用PPA-TAl 12材料制成。
5.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述支架的内部采用PPA-TAl 12高耐温塑料制成。
6.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构,其特征在于所述第一热沉和第二热沉的面积大于第三热沉或第四热沉的面积的2倍。
7.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述第一发光芯片和第二发光芯片的内侧相距的范围为O. 35-0. 50mm。
8.根据权利要求I所述的一种散热型LED2835双晶封装结构，其特征在于所述第一发光芯片和第二发光芯片分别距离第一热沉和第二热沉的边缘O. 05-0. 10mm。
专利摘要本实用新型涉及LED的封装结构。一种散热型LED2835双晶封装结构，包括第一发光芯片、第二发光芯片、承载第一发光芯片和第二发光芯片的支架、以及包覆发光芯片和部分支架的封装体。支架设有金属热沉、镀银层以及PPA隔层，金属热沉和镀银层的结构相配合，且金属热沉置于镀银层之下，PPA隔层将该金属热沉以及镀银层隔成四部分第一热沉、第二热沉、第三热沉和第四热沉，以及第一镀银层、第二镀银层、第三镀银层和第四镀银层。第一镀银层形成放置第一发光芯片的第一杯碗，第二镀银层形成放置第二发光芯片的第二杯碗，第一镀银层和第三镀银层通过导线分别连接第一发光芯片的正电极和负电极，第二镀银层和第四镀银层通过导线分别连接第二发光芯片的正电极和负电极。
文档编号H01L33/64GK202721192SQ20122030993
公开日2013年2月6日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日
发明者郑剑飞 申请人:厦门多彩光电子科技有限公司