专利名称：一种绕线电感磁芯及绕线电感的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件领域，具体涉及绕线电感磁芯及绕线电感。
背景技术：
通常，制造绕线电感元件等电子元器件，其尺寸大小需要遵循特定的标准。因此，如果要改变屏蔽型电感的耐饱和特性，往往是采用改变绕线电感磁芯的尺寸来实现，这样需要调整绕线电感磁芯和磁环之间所占空间的比例，较为不便。
发明内容为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种绕线电感磁芯及绕线电感，以在不增加磁芯上摆或磁芯下摆厚度的情况下增强电感的耐饱和特性。一种绕线电感磁芯，包括磁芯上摆、磁芯下摆和连接所述磁芯上摆和磁芯下摆的磁芯柱，所述磁芯上摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯上摆侧面是曲面，和/或所述磁芯下摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯下摆侧面是曲面。优选地，所述磁芯柱的横截面是矩形、圆形或椭圆形。一种绕线电感，采用所述绕线电感磁芯，以及设置在所述绕线电感磁芯周围的防止绕线电感磁芯漏磁的磁环。优选地，所述磁环的与磁芯上摆侧面相对的内侧面是磁环上曲面，且所述磁环上曲面与磁芯上摆侧面之间的正对间隔处处相同。优选地，所述磁环的与磁芯下摆侧面相对的内侧面是磁环下曲面，且所述磁环下曲面与磁芯下摆侧面之间的正对间隔处处相同。优选地，所述磁环包括至少两个在所述绕线电感磁芯外围的子磁环，或者所述磁环是一体结构。本实用新型的有益效果是由于磁芯下摆侧面或磁芯下摆侧面是曲面，这样可以在保持整个绕线电感的体积不变、以及磁芯上摆或磁芯下摆的厚度一定的情况下，增加绕线电感的耐饱和度。
图I是本实用新型的一种实施例的绕线电感的正视结构示意图；图2是本实用新型的一种实施例的绕线电感电芯的正视结构示意图；图3是本实用新型的一种实施例的绕线电感电芯的俯视结构示意图；图4是本实用新型的一种实施例的绕线电感的正视结构示意图；图5是本实用新型的一种实施例的绕线电感的俯视结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图，对本实用新型的具体实施例作进一步详细说明。[0017]如图I至3所示，一种实施例的绕线电感的正视结构示意图，绕线电感磁芯、以及设置在绕线电感磁芯周围的防止绕线电感磁芯漏磁的磁环，磁环包括第一子磁环400和第二子磁环500，绕线电感磁芯包括磁芯上摆100、磁芯下摆200、以及连接磁芯上摆100和磁芯下摆200的磁芯柱300，磁芯上摆100的与磁芯柱300方向相同的至少一个磁芯上摆侧面第一磁芯上摆侧面101、第二磁芯上摆侧面102是曲面，相应地，与第一磁芯上摆侧面101相正对的 子磁环500的上内侧面502也可以是曲面，与第二磁芯上摆侧面102相正对的子磁环400的上内侧面402也可以是曲面；同样，与磁芯柱300方向相同的至少一个磁芯下摆侧面第一磁芯下摆侧面201、第二磁芯下摆侧面202可以是曲面，相对应的，与第一磁芯下摆侧面201相正对的子磁环500的下内侧面501可以是曲面，与第二磁芯下摆侧面202相正对的子磁环400的下内侧面401可以是曲面。通常，磁芯上摆100磁芯下摆200的与磁环相对的侧边是非曲边结构(矩形结构)的磁通S=L*H，其中L是磁芯上摆100 (磁芯下摆200)的矩形的长度，H为该磁芯上摆100(磁芯下摆200)的厚度；当磁芯上摆100 (磁芯下摆200)的侧面是曲线结构是，其磁通S= f L*H，而/ L大于磁芯上摆100 (磁芯下摆200)侧面是矩形结构时的长度，即提高了磁芯边缘的有效周长，从而提高了磁芯上摆100 (磁芯下摆200)的磁通面积，进而磁芯曲边的结构耐电流更好。此屏蔽性功率绕线电感器件，绕线电感磁芯和磁环组合后，当整体外形尺寸一致，绕线电感磁芯和磁环的气隙相同，普通非曲面磁芯结构和曲面磁芯结构的磁芯的气隙、磁环的磁场强度基本，所以对于磁通面积越大的结构，耐饱和能力越好。除了由第一子磁环400和第二子磁环500构成的磁环以外，磁环可以是一体结构，同样可以起到屏蔽绕线磁芯的漏磁作用。该磁芯作为功率电感绕线骨架，通过改变线径和绕线圈数调整功率电感的电感量。如图4和5所示，另外为了使各处相正对的磁环500 (400)与磁芯上摆100或磁芯下摆200之间的间隙(气隙)相同，若某处磁芯上摆100或磁芯下摆200向磁环凸出，则该处的磁环向内凹陷，从而使磁环与磁芯上摆或磁芯下摆相配合。
权利要求1.一种绕线电感磁芯，包括磁芯上摆、磁芯下摆和连接所述磁芯上摆和磁芯下摆的磁芯柱，其特征是所述磁芯上摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯上摆侧面是曲面，和/或所述磁芯下摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯下摆侧面是曲面。
2.如权利要求I所述的绕线电感磁芯，其特征是所述磁芯柱的横截面是矩形、圆形或椭圆形。
3.—种绕线电感，其特征是采用如权利要求I或2 的所述绕线电感磁芯，以及设置在所述绕线电感磁芯周围的防止绕线电感磁芯漏磁的磁环。
4.如权利要求3所述的绕线电感，其特征是所述磁环的与磁芯上摆侧面相对的内侧面是磁环上曲面，且所述磁环上曲面与磁芯上摆侧面之间的正对间隔处处相同。
5.如权利要求3所述的绕线电感，其特征是所述磁环的与磁芯下摆侧面相对的内侧面是磁环下曲面，且所述磁环下曲面与磁芯下摆侧面之间的正对间隔处处相同。
6.如权利要求3所述的绕线电感，其特征是所述磁环包括至少两个在所述绕线电感磁芯外围的子磁环，或者所述磁环是一体结构。
专利摘要本实用新型公开了一种绕线电感磁芯，包括磁芯上摆、磁芯下摆和连接所述磁芯上摆和磁芯下摆的磁芯柱，所述磁芯上摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯上摆侧面是曲面，和/或所述磁芯下摆的与所述磁芯柱方向相同的至少一个磁芯下摆侧面是曲面。由于磁芯下摆侧面或磁芯下摆侧面是曲面，这样可以在保持整个绕线电感的体积不变、以及磁芯上摆或磁芯下摆的厚度一定的情况下，增加绕线电感的耐饱和度。本实用新型还提供了一种绕线电感。
文档编号H01F17/06GK202720997SQ20122033969
公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月13日 优先权日2012年7月13日
发明者吴锦超, 杨亚冰, 侯勤田 申请人:深圳顺络电子股份有限公司