自适应配方选择器的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种用于处理晶圆的方法，包括：通过处理系统接收第一组图案化晶圆以及相关联的离子能量数据，每个所述图案化晶圆具有位于其上的第一图案化软掩模层以及多个附加层；从所述第一组图案化晶圆中选择第一图案化晶圆；使用所述离子能量数据建立用于所选择的图案化晶圆的第一离子能量相关处理工序；确定所述第一离子能量相关处理工序是否包括第一离子能量控制蚀刻工序；当所述第一离子能量相关处理工序包括所述第一离子能量控制蚀刻工序时，执行所述第一离子能量控制蚀刻工序，其中在使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一离子能量控制蚀刻工序时，形成第二组图案化晶圆；以及当所述第一离子能量相关处理工序不包括所述第一离子能量控制蚀刻工序时，执行至少一个校正动作，所述方法还包括：确定所述第一离子能量控制蚀刻工序是否包括第一离子能量优化蚀刻制程；当所述第一离子能量控制蚀刻工序包括所述第一离子能量优化蚀刻制程时，执行所述第一离子能量优化蚀刻制程，其中所述第一离子能量优化蚀刻制程使用第一蚀刻子系统，所述第一蚀刻子系统具有配置于其中的第一离子能量控制处理室和耦接至其的第一多输入/多输出控制器；以及当所述第一离子能量控制蚀刻工序不包括所述第一离子能量优化蚀刻制程时，执行第一校正动作。2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一离子能量优化蚀刻制程包括：从所述第一组图案化晶圆中选择图案化晶圆；将所选择的图案化晶圆放置在所述第一离子能量控制处理室中的第一晶圆保持器上；在所述第一离子能量控制处理室中形成第一离子能量优化等离子体；使用所述第一离子能量优化等离子体处理该所选择的图案化晶圆；以及在处理该所选择的图案化晶圆的同时，获得第一离子能量传感器数据，其中第一离子能量传感器被耦接到所述第一离子能量控制处理室并且被配置为获得所述第一离子能量传感器数据。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：确定所述第一离子能量控制蚀刻工序是否包括第二离子能量优化蚀刻制程；当所述第一离子能量控制蚀刻工序包括所述第二离子能量优化蚀刻制程时，执行所述第二离子能量优化蚀刻制程，其中所述第二离子能量优化蚀刻制程使用第二蚀刻子系统，所述第二蚀刻子系统具有配置于其中的第二离子能量控制处理室和耦接至其的第二多输入/多输出控制器；以及当所述离子能量控制蚀刻工序不包括所述第二离子能量优化蚀刻制程时，执行第一确认制程。4.根据权利要求3所述的方法，其中执行所述第二离子能量优化蚀刻制程包括：从第一组蚀刻的图案化晶圆中选择蚀刻的图案化晶圆；将所选择的蚀刻的图案化晶圆放置在所述第二离子能量控制处理室中的第二晶圆保持器上；在所述第二离子能量控制处理室中形成第二离子能量优化等离子体；使用所述第二离子能量优化等离子体处理该所选择的蚀刻的图案化晶圆；以及在处理该所选择的蚀刻的图案化晶圆的同时，获得第二离子能量传感器数据，其中第二离子能量传感器被耦接到所述第二离子能量控制处理室并且被配置为获得所述第二离子能量传感器数据。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：确定所述第一离子能量相关处理工序是否包括第二离子能量控制蚀刻工序；当所述第一离子能量相关处理工序包括所述第二离子能量控制蚀刻 工序时，执行所述第二离子能量控制蚀刻工序，其中当使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一离子能量控制蚀刻工序和所述第二离子能量控制蚀刻工序时，形成第三组图案化晶圆；以及当所述第一离子能量相关处理工序不包括所述第二离子能量控制蚀刻工序时，执行确认制程。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：确定所述第二离子能量控制蚀刻工序是否包括新第一离子能量优化蚀刻制程；当所述第二离子能量控制蚀刻工序包括所述新第一离子能量优化蚀刻制程时，执行所述新第一离子能量优化蚀刻制程，其中所述新第一离子能量优化蚀刻制程使用新第一蚀刻子系统，所述新第一蚀刻子系统具有配置于其中的新第一离子能量控制处理室和耦接至其的新第一多输入/多输出控制器；以及当所述第二离子能量控制蚀刻工序不包括所述新第一离子能量优化蚀刻制程时，执行新第一确认制程。7.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述新第一离子能量优化蚀刻制程包括：从第二组图案化晶圆中选择第二图案化晶圆；将所选择的第二图案化晶圆放置在所述第二离子能量控制处理室中的第二晶圆保持器上；在所述第二离子能量控制处理室中形成第二离子能量优化等离子体；使用所述第二离子能量优化等离子体处理该所选择的第二图案化晶圆；以及在处理该所选择的第二图案化晶圆的同时，获得第二离子能量传感器数据，其中第二离子能量传感器被耦接到所述第二离子能量控制处理室并且被配置为获得所述第二离子能量传感器数据。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：确定所述第二离子能量控制蚀刻工序是否包括新第二离子能量优化蚀刻制程；当所述第二离子能量控制蚀刻工序包括所述新第二离子能量优化蚀 刻制程时，执行所述新第二离子能量优化蚀刻制程，其中所述新第二离子能量优化蚀刻制程使用新第二蚀刻子系统，所述新第二蚀刻子系统具有配置于其中的新第二离子能量控制处理室以及耦接至其的新第二多输入/多输出控制器；以及当所述第二离子能量控制蚀刻工序不包括所述新第二离子能量优化蚀刻制程时，执行新第二确认制程。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行所述第二离子能量优化蚀刻制程包括：从第一组蚀刻的第二图案化晶圆中选择蚀刻的第二图案化晶圆；将所选择的蚀刻的第二图案化晶圆放置在所述新第二离子能量控制处理室中的新第二晶圆保持器上；在所述新第二离子能量控制处理室中形成新第二离子能量优化等离子体；使用所述新第二离子能量优化等离子体处理该所选择的第二蚀刻的图案化晶圆；以及在处理该所选择的第二蚀刻的图案化晶圆的同时，获得新第二离子能量传感器数据，其中新第二离子能量传感器被耦接到所述新第二离子能量控制处理室并且被配置为获得所述新第二离子能量传感器数据。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：确定所述第一离子能量相关处理工序是否包括第二离子能量控制蚀刻工序和第三离子能量控制蚀刻工序；当所述第一离子能量相关处理工序包括所述第二离子能量控制蚀刻工序和所述第三离子能量控制蚀刻工序时，执行所述第二离子能量控制蚀刻工序和所述第三离子能量控制蚀刻工序，其中在使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一离子能量控制蚀刻工序、所述第二离子能量控制蚀刻工序以及所述第三离子能量控制蚀刻工序时，形成第四组图案化晶圆；以及当所述第一离子能量相关处理工序不包括所述第二离子能量控制蚀刻工序和所述第三离子能量控制蚀刻工序时，执行确认制程。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：确定所述第二离子能量控制蚀刻工序是否包括新第一离子能量优化 蚀刻制程；当所述第二离子能量控制蚀刻工序包括所述新第一离子能量优化蚀刻制程时，执行所述新第一离子能量优化蚀刻制程，其中所述新第一离子能量优化蚀刻制程使用新第一蚀刻子系统，所述新第一蚀刻子系统具有配置于其中的新离子能量控制处理室以及耦接至其的新第一多输入/多输出控制器；以及当所述第二离子能量控制蚀刻工序不包括所述第一离子能量优化蚀刻制程时，执行新第一确认制程。12.根据权利要求10所述的方法，还包括：确定所述第三离子能量控制蚀刻工序是否包括新第一离子能量优化蚀刻制程；当所述第三离子能量控制蚀刻工序包括所述新第一离子能量优化蚀刻制程时，执行所述新第一离子能量优化蚀刻制程，其中所述新第一离子能量优化蚀刻制程使用新第一蚀刻子系统，所述新第一蚀刻子系统具有配置于其中的新离子能量控制处理室以及耦接至其的新第一多输入/多输出控制器；以及当所述第二离子能量控制蚀刻工序不包括所述第一离子能量优化蚀刻制程时，执行新第一确认制程。13.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用第一离子能量控制多输入/多输出模型来创建用于所述第一离子能量控制蚀刻工序的第一模拟数据，其中所述第一离子能量控制多输入/多输出包括第一数量的第一控制变量、第二数量的第一操纵变量以及第三数量的第一干扰变量，其中第一数量、第二数量和第三数量为大于一的整数；在所述第一离子能量控制蚀刻工序期间获得第一离子能量传感器数据，其中第一离子能量传感器被耦接到第一离子能量控制处理室；通过将所述第一模拟数据与所述第一离子能量传感器数据进行比较来建立第一差异数据；当所述第一差异数据小于或等于第一阈值数据时，验证所述第一离子能量控制蚀刻工序；以及当所述第一差异数据大于所述第一阈值数据时，存储所述第一模拟数 据和/或所述第一离子能量传感器数据。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：使用所述第一差异数据确定用于所述第一离子能量控制蚀刻工序的风险数据；当所述风险数据小于第一风险限制时，将所述第一离子能量控制蚀刻工序识别为经验证的工序；以及当所述风险数据不小于所述第一风险限制时，将所述第一离子能量控制蚀刻工序识别为未经验证的工序。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一离子能量控制蚀刻工序包括离子能量优化硬掩模蚀刻制程和离子能量优化宽度控制蚀刻制程。16.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一离子能量优化等离子体包括：在所述第一离子能量控制处理室中建立第一室压力，其中所述第一室压力在12mT至18mT的范围内；对所述第一晶圆保持器建立第一边缘温度和第一中心温度持续第一时间，在所述第一时间期间，所述第一中心温度在12摄氏度至20摄氏度之间，所述第一边缘温度在8摄氏度至12摄氏度之间；在所述第一晶圆保持器中使用双背面气体系统建立第一边缘背面压力和第一中心背面压力，所述第一中心背面压力在15托至25托之间，所述第一边缘背面压力在27托至33托之间；在所述第一时间期间将第一处理气体提供到所述第一离子能量控制处理室中，其中所述第一处理气体包含CF4和CHF3，CF4流率在60sccm至100sccm之间变化并且第一CHF3流率在40sccm至60sccm之间变化，其中在所述第一离子能量控制处理室中的气体压力室被配置为将所述第一处理气体提供到处理区(249，349)的一个或更多个区域；使用耦接到所述第一离子能量控制处理室中的两个上电极的第一功率分配器，将第一射频功率提供到所述第一离子能量控制处理室中的中心区并且将第二射频功率提供到所述第一离子能量控制处理室中的边缘区，其中第一射频源被耦接到所述第一功率分配器，在所述第一时间期间，所述第一射频源在0.1MHz至200MHz的频率范围内操作，所述第一射频功率在450瓦至550瓦的范围内并且所述第二射频功率在10瓦至100瓦 的范围内；以及使用RF生成器和阻抗匹配网络将低射频功率提供到所述第一晶圆保持器中的下电极，在所述第一时间期间，所述RF生成器在0.1MHz至200MHZ的第一频率范围内操作，所述低射频功率在450瓦至550瓦的范围内并且所述低射频功率在90瓦至110瓦的范围内。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组图案化晶圆包括pFET结构、nFET结构、三栅结构以及FinFET结构。18.一种使用离子能量控制处理室来处理晶圆的方法，所述方法包括：将离子能量传感器晶圆放置在所述离子能量控制处理室中的晶圆保持器上；将一个或更多个测试芯片可拆装地耦接到所述离子能量传感器晶圆的上表面；在所述离子能量控制处理室中执行离子能量优化蚀刻制程；在所述离子能量优化蚀刻制程期间测量离子能量数据和处理数据；以及在已经执行了所述离子能量优化蚀刻制程之后，移除至少一个所述测试芯片。19.根据权利要求18所述的方法，还包括：获得用于一个或更多个所述测试芯片的测量数据；确定所述测量数据与参考数据之间的差异数据；当所述差异数据小于或等于离子能量优化相关阈值时，将用于离子能量优化蚀刻制程的处理配方识别为经验证的离子能量优化处理配方；以及当所述差异数据大于所述离子能量优化相关阈值时，将用于离子能量优化蚀刻制程的处理配方识别为未经验证的离子能量优化处理配方。