共模扼流圈及高频电子器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种共模扼流圈及高频电子器件，提供的共模扼流圈能够减小正常模式信号的损耗，并提高高频带中共模噪声的去除能力。该共模扼流圈包括初级线圈(L1)和次级线圈(L2)，初级线圈(L1)包括线圈图案(L1a)和与该线圈图案(L1a)串联连接的线圈图案(L2a)，次级线圈(L2)包括线圈图案(L2a)和与该线圈图案(L2a)串联连接的线圈图案(L2b)。线圈图案(L1a、L2a)在一个平面上作为平行线路同轴地卷绕成环状，线圈图案(L1b、L2b)在所述一个平面上与线圈图案(L1a、L2a)相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状。
【专利说明】共模扼流圈及高频电子器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及共模扼流圈及具备该线圈的高频电子器件。
【背景技术】
[0002]一直以来，USB (Universal Serial Bus:通用串行总线)、HDMI (High Definit1nMultimedia Interface:高清多媒体接口 )等高速接口使用由一对信号线路传输相位相差180°的信号的差动传输方式。由于差动传输方式利用平衡线路使福射噪声、外来噪声相互抵消，因此不易受这些噪声的影响。然而，在高速接口用的信号线路中，实际上会因信号线路的不对称性而产生共模噪声电流。因此，使用用于抑制这种共模噪声的共模扼流圈。
[0003]共模扼流圈通常如专利文献1、2所记载的那样，采用具有同向卷绕的2个线圈(初级线圈、次级线圈)的小型层叠式芯片元器件的结构。初级线圈和次级线圈在层叠坯体的内部沿着层叠方向对称地并排设置。
[0004]然而，这样的共模扼流圈由于初级线圈和次级线圈在层叠方向上重叠配置，因此由于制造工艺上的问题(线圈的位置偏差、层叠偏差等)、或结构上的问题(当安装到印刷布线板上时，各线圈与印刷布线板的接地之间的耦合量不相同)，对称性会被破坏。若初级线圈和次级线圈的对称性破坏，则会导致去除共模噪声的能力下降。
[0005]另一方面，现有的共模扼流圈多使用磁性体作为层叠坯体，但由于磁性体具有较大的频率特性，因此特别是高频带中正常模式信号的损耗容易变大。而且，在初级线圈和次级线圈之间无法得到足够的耦合值的情况下，正常模式信号的损耗也容易变大。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本专利特开2003-068528号公报
[0009]专利文献2:日本专利特开2008-098625号公报实用新型内容
[0010]实用新型所要解决的技术问题
[0011]本实用新型的目的在于提供一种正常模式信号的损耗较小、且高频带中共模噪声的去除能力较高的共模扼流圈及高频电子器件。
[0012]解决技术问题所采用的技术方案
[0013]本实用新型的第一方式的共模扼流圈具备初级线圈和次级线圈，其特征在于，
[0014]所述初级线圈包括第Ia线圈图案、和与该第Ia线圈图案串联连接的第Ib线圈图案，
[0015]所述次级线圈包括第2a线圈图案、和与该第2a线圈图案串联连接的第2b线圈图案，
[0016]所述第Ia线圈图案和所述第2a线圈图案在一个平面上作为平行线路同轴地卷绕成环状，
[0017]所述第Ib线圈图案和所述第2b线圈图案在所述一个平面上与所述第Ia线圈图案及所述第2a线圈图案相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状，
[0018]所述第Ia线圈图案、所述第Ib线圈图案、所述第2a线圈图案、及所述第2b线圈图案通过将分别设置在多个基材层上的线圈图案进行层间连接而构成为层叠式线圈，
[0019]所述第Ia线圈图案和所述第Ib线圈图案在所述基材层的最上层串联连接，所述第2a线圈图案和所述第2b线圈图案在所述基材层的最上层串联连接，
[0020]所述初级线圈和所述次级线圈各自的端部与仅配置在所述基材层的最下层即安装面上的输入输出电极相连接。
[0021]本实用新型的第二方式的高频电子器件的特征在于，具备所述第一方式的共模扼流圈。
[0022]在所述共模扼流圈中，第Ia线圈图案和第2a线圈图案在一个平面上作为平行线路同轴地卷绕成环状，第Ib线圈图案和第2b线圈图案在所述一个平面上与第Ia线圈图案及第2a线圈图案相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状，因此对称性不易被破坏。S卩，制造工艺中不易发生线圈图案的位置偏差、层叠偏差，而且在安装到印刷基板上时各线圈与接地之间的耦合量也不易产生偏差。另外，通过采用这种结构，能够提高初级线圈和次级线圈之间的耦合度，在共模下能够得到较大的电感值，从而增大阻抗。另一方面，由于正常模式下的电感值可以视作很小，因此，其阻抗可以视作很小。因而，正常模式信号的损耗较小，提高了高频带中共模噪声的去除能力。
[0023]实用新型效果
[0024]根据本实用新型，能够得到一种正常模式信号的损耗较小、且高频带中共模噪声的去除能力较高的共模扼流圈。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1是表示一实施例的共模扼流圈的等效电路图。
[0026]图2⑷和图2(B)是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，其中图2(A)表示最底层，图2(B)表示倒数第I层。
[0027]图3⑷和图3(B)是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，其中图3⑷表示倒数第2层，图3 (B)表示倒数第3层。
[0028]图4是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，示出了倒数第4层(最上层)。
[0029]图5是所述共模扼流圈的制造工艺的说明图，在层叠体的长边方向中央部截取剖面。
[0030]图6是示意性地表示所述共模扼流圈的层叠结构的说明图。
[0031]图7是表示所述共模扼流圈中产生的线间电容的说明图。
[0032]图8是表示所述共模扼流圈的特性的曲线图。
[0033]图9是表示所述共模扼流圈的特性的史密斯圆图。
【具体实施方式】
[0034]下面，参照附图，对本实用新型所涉及的共模扼流圈及高频电子器件的实施例进行说明。另外，各图中，对公共的元器件、部分标注相同标号，并省略重复说明。
[0035]一实施例的共模扼流圈10如作为等效电路的图1所示，具备彼此通过电磁场耦合的初级线圈LI和次级线圈L2。初级线圈LI包括线圈图案Lla和与该线圈图案Lla串联连接的线圈图案Llb，次级线圈L2包括线圈图案L2a和与该线圈图案L2a串联连接的线圈图案 L2b。
[0036]线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b如图2 (B)、图3 (A)、图3 (B)、图4所示，分别设置为跨过基材层15?18这4层，并通过通孔导体进行层间连接，由此形成层叠式线圈的结构。详细而言，线圈图案Lla和线圈图案L2a在各基材层15?18的面上的区域Xl中作为平行线路同轴地卷绕成环状(平面双股)，线圈图案Llb和线圈图案L2b在各基材层15?18的面上的区域X2中和线圈图案Lla、L2a相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状(平面双股)。即，线圈图案Lla、L2a的卷绕轴沿着层叠方向延伸，且基本重合。线圈图案Llb、L2b的卷绕轴沿着层叠方向延伸，且基本重合。
[0037]关于层间连接，最上层的线圈图案Lla、L2a的各端部21a、22a与第三层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体31a、32a连接，最上层的线圈图案Lib、L2b的各端部21b、22b与第三层的线圈图案Lib、L2b的各端部通过通孔导体31b、32b连接。并且，第三层的线圈图案Lla、L2a的各端部23a、24a与第二层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体33a、34a连接，第三层的线圈图案Lib、L2b的各端部23b、24b与第二层的线圈图案Lib、L2b的各端部通过通孔导体33b、34b连接。
[0038]并且，第二层的线圈图案Lla、L2a的各端部25a、26a与第一层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体35a、36a连接，第二层的线圈图案Lib、L2b的各端部25b、26b与第一层的线圈图案Lib、L2b的各端部通过通孔导体35b、36b连接。并且，第一层的线圈图案Lla、L2a的各端部27a、28a与最底层(基材层15的背面侧)的高电位侧输入电极Pl及低电位侧输入电极P2分别通过通孔导体37a、38a连接，第一层的线圈图案Llb、L2b的各端部27b,28b与最底层(基材层15的背面侧)的高电位侧输出电极P3及低电位侧输出电极P4分别通过通孔导体37b、38b连接。电极P1、P2为平衡输入端子，电极P3、P4为平衡输出端子。
[0039]而且，如图4所不，在最上层即基材层18上,线圈图案Lla和线圈图案Llb串联连接，线圈图案L2a和线圈图案L2b串联连接。另外，形成在各基材层15?18上的线圈图案Lla、L2a、Lib、L2b配置为在俯视时不与形成在与其上下相邻的基材层上的线圈图案重叠。
[0040]形成在区域Xl中的线圈图案Lla及线圈图案L2a所构成的环形图案、与形成在区域X2中的线圈图案Llb及线圈图案L2b所构成的环形图案以沿着长边方向分隔开基材层15?18的线a为中心大致呈线对称。
[0041]另外，在第一层即基材层15上，形成有静电保护电路，该静电保护电路包含有由多对放电电极41a、41b、42a、42b构成的放电间隙El?E4。放电间隙El?E4的间隙约为5ym0该静电保护电路如图2(B)所示，在俯视时，配置为包围线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b，且通过通孔导体39与接地电极GND1、GND2 (参照图2 (A))连接。
[0042]这里，参照图5来说明初级线圈LI和次级线圈L2采用层叠式线圈结构的制造工艺。基材层15?18由电介质形成,在通过特性方面,介电常数ε为3?10左右的低介电常数的材料能够减小线圈L1、L2的线间电容，因此是优选的。另外，基材层15?18也可以是磁性体，在这种情况下，使用低损耗的材料、例如六方晶系的铁氧体为佳。也可以在树脂中混入锰类铁氧体来构成。
[0043]首先，在硅基板11上，以例如Cu为原材料，利用薄膜工艺来形成将成为第四层的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b。即，通过镀敷、蒸镀、溅射等形成金属膜，并用光刻法将该金属膜图案形成为规定形状。然后在其上涂布环氧树脂来形成基材层18。在该基材层18中形成用于填充通孔导体31a、32a、31b、32b的通孔。
[0044]并且在基材层18上，以Cu为原材料，利用薄膜工艺来形成将成为第三层的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b。然后在其上涂布环氧树脂来形成基材层17。在该基材层17中形成用于填充通孔导体33a、34a、33b、34b的通孔。并且在基材层17上，以Cu为原材料，利用薄膜工艺来形成将成为第二层的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b。然后在其上涂布环氧树脂来形成基材层16。在该基材层16中形成用于填充通孔导体35a、36a、35b、36b的通孔。
[0045]并且在基材层16上，以Cu为原材料，利用薄膜工艺来形成将成为第一层的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b。同时在基材层16上利用薄膜工艺形成放电电极41a、41b、42a、42b。并在其上涂布环氧树脂来形成基材层15。在该基材层15中形成用于填充通孔导体37a、38a、37b、38b的通孔。并且在基材层15上，利用薄膜工艺形成输入电极P1、P2、输出电极P3、P4、以及接地电极GND1、GND2。
[0046]由环氧树脂形成的基材层15?18的厚度为10 μ m,由Cu形成的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b、电极 Pl ?P4、GND1、GND2、放电电极 41a、41b、42a、42b 的厚度为 4 μ m。但是原材料的种类和厚度并不限于此。
[0047]在所述共模扼流圈10中，线圈图案Lla、L2a在各基材层15?18上作为平行线路同轴地卷绕成环状，线圈图案Llb、L2b在各基材层15?18上与线圈图案Lla、L2a相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状，因此对称性不易被破坏。即，制造工艺中不易发生线圈图案的位置偏差、层叠偏差，而且在安装到印刷基板上时各线圈L1、L2与接地之间的耦合量不易产生偏差。通过采用这种结构，能够提高初级线圈LI和次级线圈L2之间的耦合度，在共模下能够得到较大的电感值，从而增大阻抗。另一方面，由于正常模式下的电感值可以视作很小，因此，其阻抗也可以视作很小。因而，正常模式信号的损耗较小，提高了高频带中共模噪声的去除能力。
[0048]特性数据如图8和图9所示。图8中，曲线A表示正常模式信号的通过特性，该通过特性一直延伸到3GHz (以及3GHz以上的5GHz附近)而无衰减。曲线B表示正常模式信号的反射特性，曲线C表示共模噪声的通过(衰减)特性，曲线D表示叠加在正常模式信号上的共模噪声的通过特性。由这些特性数据可知，共模扼流圈10在10MHz?3GHz的高频带中表现出优异的特性。
[0049]另外，共模信号的阻抗特性如图9的曲线A所示，正常模式信号的阻抗特性如图9的曲线B所示，共模噪声的阻抗特性如图9的曲线C所示。曲线B、C几乎重合。由图9可知，在较宽的高频带中，正常模式信号的输入阻抗和输出阻抗是固定的，且能够与传输线的特性阻抗相匹配。
[0050]对于层叠式线圈来说，各层的线圈图案之间所产生的寄生电容会形成并联谐振电路，从而会给通过特性带来不好的影响。即，图8所示的正常模式信号的通过特性(曲线A)会在高频带被截止。本实施例中，如图7所示，在上下相邻的基材层上形成的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b配置为在俯视时互不重叠。因此，线圈图案之间产生的寄生电容变小，能够避免通带中产生谐振点。另外，由于在初级线圈LI与次级线圈L2之间形成了分散的电容，因此，能够使正常模式信号的插入损耗特性(参照图8的曲线A)中的截止频率较大幅度地向高频侧移动。
[0051]此外，图7中，线圈图案的厚度为4 μ m，线宽为10 μ m，线间间隙为20 μ m，上下层的间隙(基材层的厚度)为ΙΟμπ?。
[0052]另外，由于放电电极41a、41b、42a、42b配置成将线圈图案Lla、L2a、Lib、L2b包围起来，因此，即使在共模扼流圈10的周围配置其它电子元器件，各线圈L1、L2的线圈值也不易发生变动。
[0053]所述共模扼流圈10适用于差动传输方式的平行线路。特别是在具有USB、HDMI这样的高速接口用平衡线路(高速差动传输线)的高频电子器件中，可将其用作为抑制共模噪声的滤波器。
[0054](其它实施例)
[0055]另外，本实用新型所涉及的共模扼流圈及高频电子器件并不限于所述实施例，在其要旨范围内可以作种种变更。
[0056]特别是构成初级线圈和次级线圈的线圈图案的细微结构和上下层间的连接方式等是任意的。
[0057]工业上的实用性
[0058]如上所述，本实用新型对于共模扼流圈及高频电子器件是有用的，特别是在正常模式信号的损耗较小、且高频带中共模噪声的去除能力较高这一点上十分优异。
[0059]标号说明
[0060]10 共模扼流圈
[0061]15?18 基材层
[0062]41a、41b、42a、42b 放电电极
[0063]LI 初级线圈
[0064]L2 次级线圈
[0065]Lla、L2a、Lib、L2b 线圈图案
【权利要求】
1.一种共模扼流圈，具备初级线圈和次级线圈，其特征在于， 所述初级线圈包括第Ia线圈图案、和与该第Ia线圈图案串联连接的第Ib线圈图案， 所述次级线圈包括第2a线圈图案、和与该第2a线圈图案串联连接的第2b线圈图案， 所述第Ia线圈图案和所述第2a线圈图案在一个平面上作为平行线路同轴地卷绕成环状， 所述第Ib线圈图案和所述第2b线圈图案在所述一个平面上与所述第Ia线圈图案及所述第2a线圈图案相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状， 所述第Ia线圈图案、所述第Ib线圈图案、所述第2a线圈图案、及所述第2b线圈图案通过将分别设置在多个基材层上的线圈图案进行层间连接而构成为层叠式线圈， 所述第Ia线圈图案和所述第Ib线圈图案在所述基材层的最上层串联连接，所述第2a线圈图案和所述第2b线圈图案在所述基材层的最上层串联连接， 所述初级线圈和所述次级线圈各自的端部与仅配置在所述基材层的最下层即安装面上的输入输出电极相连接。
2.如权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于， 由所述第Ia线圈图案及所述第2a线圈图案构成的第一环形图案、和由所述第Ib线圈图案及所述第2b线圈图案构成的第二环形图案形成为大致线对称。
3.如权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述基材层由电介质构成。
4.如权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述基材层由介电常数ε为3?10的电介质构成。
5.如权利要求1至4的任一项所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述层叠式线圈的各基材层上形成的线圈图案在俯视时与形成在与其上下相邻的基材层上的线圈图案不重叠。
6.如权利要求1至4的任一项所述的共模扼流圈，其特征在于， 还具有包括一对放电电极的静电保护电路。
7.如权利要求5所述的共模扼流圈，其特征在于， 还具有包括一对放电电极的静电保护电路。
8.如权利要求6所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述静电保护电路在俯视时配置成将所述初级线圈和所述次级线圈包围起来。
9.如权利要求7所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述静电保护电路在俯视时配置成将所述初级线圈和所述次级线圈包围起来。
10.如权利要求6所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述静电保护电路通过薄膜工艺形成。
11.如权利要求7至9的任一项所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述静电保护电路通过薄膜工艺形成。
12.如权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于， 所述初级线圈和所述次级线圈通过薄膜工艺形成。
13.—种高频电子器件，其特征在于， 包括权利要求1至12的任一项所述的共模扼流圈。
【文档编号】H01F17/00GK204045316SQ201290000944
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2012年10月31日 优先权日:2011年11月4日
【发明者】加藤登 申请人:株式会社村田制作所