专利名称：一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法
技术领域：
本发明涉及微波技术领域，特别涉及一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法。
背景技术：
微波技术发展到今天，武器装备中电子信息系统的微波信号功率已越来越大，频带也已越来越宽。目前，大功率宽带微波信号的主要测试手段还是对其进行功率衰减后再测试各种性能参数，而现在采用的大功率衰减部件主要是宽带大功率衰减器，因此，它在大功率宽频带测试领域应用非常广泛。平坦度指标是衡量宽带大功率衰减器性能的主要参数之一，而且也是影响整个大功率宽频带测试系统测试准确度的关键因素之一。目前宽带大功率衰减器的平坦度补偿主要采用在衰减器的串联电阻上粘贴介质或涂导电胶的方法，都需要在衰减器生产流程之后增加额外的工艺步骤，生产成本高，效率低。
发明内容
本发明提出一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，解决了现有技术中宽带大功率衰减器的平坦度补偿需要额外加工步骤、效率低、成本高的问题。本发明的技术方案是这样实现的:一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，包括以下步骤:步骤1，先制作网版；步骤2，丝印高方阻，在串联电阻和并联电阻位置处都丝印高方阻；步骤3，丝印低方阻，且只丝印串联电阻部分，覆盖在高方阻上面；步骤4，丝印金带线，微波输入金带线和微波输出金带线分别与串联电阻连接，接地金带线与并联电阻连接；步骤5，进行烧结操作；步骤6，激光调阻；步骤7，在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉，且丝印保护玻璃釉的面积大于串联电阻部分和并联电阻部分；步骤8，再次进行烧结操作。可选地，所述激光调阻的具体步骤为，采用激光在所述串联电阻和所述并联电阻位置处打孔，进而调节所述微波输入金带线和所述微波输出金带线之间、以及所述微波输入金带线和所述接地金带线之间的电阻值。可选地，在所述步骤2和步骤3中，减少所述串联电阻和所述并联电阻的个数。可选地，在所述步骤2、步骤3和步骤6中，减小所述串联电阻和所述并联电阻的阻值。可选地，在所述步骤2、步骤3和步骤4中，减小所述串联电阻在信号传输方向的长度，并且使所述并联电阻与所述串联电阻在信号传输方向上的长度一致。可选地，在所述步骤4中，增大连接到所述串联电阻两端的所述微波输入金带线和所述微波输出金带线的宽度。本发明的有益效果是:利用宽带大功率衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标，不仅设计简单，而且可以简化生产流程，降低生产成本，提高生产效率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为根据本发明制造方法得到的宽带大功率衰减片电路图；图2为本发明高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法的流程图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。现有的宽带大功率衰减器的平坦度补偿，主要采用在衰减器的串联电阻上粘贴介质或涂导电胶。本发明公开了一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，利用衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标，通过调整自身效应电容的容值，就可以应用常用的分布式参数电路结构来实现高平坦度指标宽带大功率衰减器的衰减电路，并可应用厚膜加工工艺直接生产出满足工程应用要求的衰减片，这样，不仅设计简单，而且可以简化生产流程,降低生产成本,提高生产效率。如图1所示，根据本发明制造方法得到的宽带大功率衰减片包括:微波输入金带线1、微波输出金带线2、接地金带线3、串联电阻4和并联电阻5。图2为本发明高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法的流程图，包括以下步骤:步骤1，先制作网版；步骤2，丝印高方阻，在图1所示的串联电阻4和并联电阻5位置处都丝印高方阻；步骤3，丝印低方阻，且只丝印串联电阻4部分，覆盖在高方阻上面，这样可以保证串联电阻4和并联电阻5的连接和过渡良好，避免出现腰鼓状，还可以提升功率容量；步骤4，丝印金带线，微波输入金带线I和微波输出金带线2分别与串联电阻4连接，接地金带线3与并联电阻5连接；步骤5，进行烧结操作；步骤6，激光调阻，具体地，采用激光在图1所示串联电阻4和并联电阻5位置处打孔，进而调节微波输入金带线I和微波输出金带线2之间、以及微波输入金带线I和接地金带线3之间的电阻值；步骤7，在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉，为了更好的保护电阻，丝印保护玻璃釉的面积需大于串联电阻部分和并联电阻部分，且只需略大于串联电阻部分和并联电阻部分即可；步骤8，再次进行烧结操作。经过上述工艺步骤，就可以直接生产出满足工程应用要求的衰减片，在DC 40GHz宽频带内可实现高平坦度指标的宽带大功率衰减器，节约了加工步骤，提高了效率。在上述步骤2和步骤3中，减少串联电阻4和并联电阻5的个数，能够增大衰减器自身效应电容；或者，在上述步骤2、步骤3和步骤6中，减小串联电阻4和并联电阻5的阻值，也能够增大衰减器自身效应电容；或者，在上述步骤2、步骤3和步骤4中，减小串联电阻4在信号传输方向的长度，并且使并联电阻5与串联电阻4在信号传输方向上的长度一致，能够增大衰减器自身效应电容；再或者，在上述步骤4中，增大连接到串联电阻4两端的微波输入金带线I和微波输出金带线2的宽度，能够增大衰减器自身效应电容。根据宽带大功率衰减器悬置微带衰减片电路结构的特点，本发明的制造方法通过在多个大于3dB衰减的子衰减器上构建自身效应电容的方式补偿高频衰减。根据公式Ω =1/(j ω C)，因为自身效应电容的存在而补偿了高频段衰减量，也就实现了宽频带范围内衰减量的均衡，从而实现了宽带大功率衰减器的高平坦度指标，简化了生产流程，降低了生产成本，提高了生产效率。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤I，先制作网版； 步骤2，丝印高方阻，在串联电阻和并联电阻位置处都丝印高方阻； 步骤3，丝印低方阻，且只丝印串联电阻部分，覆盖在高方阻上面； 步骤4，丝印金带线，微波输入金带线和微波输出金带线分别与串联电阻连接，接地金带线与并联电阻连接； 步骤5，进行烧结操作； 步骤6，激光调阻； 步骤7，在串联电阻部分和并联电阻部分丝印保护玻璃釉，且丝印保护玻璃釉的面积大于串联电阻部分和并联电阻部分； 步骤8，再次进行烧结操作。
2.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，所述激光调阻的具体步骤为采用激光在所述串联电阻和所述并联电阻位置处打孔，进而调节所述微波输入金带线和所述微波输出金带线之间、以及所述微波输入金带线和所述接地金带线之间的电阻值。
3.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，在所述步骤2和步骤3中，减少所述串联电阻和所述并联电阻的个数。
4.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，在所述步骤2、步骤3和步骤6中，减小所述串联电阻和所述并联电阻的阻值。
5.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，在所述步骤2、步骤3和步骤4中，减小所述串联电阻在信号传输方向的长度，并且使所述并联电阻与所述串联电阻在信号传输方向上的长度一致。
6.如权利要求1所述的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，其特征在于，在所述步骤4中，增大连接到所述串联电阻两端的所述微波输入金带线和所述微波输出金带线的宽度。
全文摘要
本发明提出一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法，解决了现有技术中宽带大功率衰减器的平坦度补偿需要额外加工步骤、效率低、成本高的问题。本发明的一种高平坦度指标宽带大功率衰减器的制造方法利用衰减器自身的电容效应来提高平坦度指标，不仅设计简单，而且可以简化生产流程，降低生产成本，提高生产效率。
文档编号H01P11/00GK103199329SQ201310097490
公开日2013年7月10日 申请日期2013年3月25日 优先权日2013年3月25日
发明者张猛, 文春华, 姜万顺, 马子腾 申请人:中国电子科技集团公司第四十一研究所