发光装置制造方法

发光装置制造方法
【专利摘要】公开了一种发光装置。该发光装置包括：主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片；第一模塑组件，其具有围绕发光芯片的第一金属氧化物材料；以及第二模塑组件，其具有在第一模塑组件和发光芯片上的第二金属氧化物材料，其中发光芯片包括位于发光结构下的反射电极层，其中第一模塑组件的上表面以预定曲率从发光芯片的上表面与反射电极层的侧面之间的区域延伸，并且其中第二模塑组件的下表面包括向第一模塑组件凸出的曲面。
【专利说明】发光装置
[0001]本申请要求2012年9月13日提交的韩国专利申请第10-2012-0101820号的优先权,其全部内容通过引用结合到本文中。
【背景技术】
[0002]本发明实施例涉及发光装置和包括该发光装置的照明系统。
[0003]发光装置，例如发光二极管(LED)，是将电能转化为光的半导体装置，并作为代替传统荧光灯和辉光灯的下一代光源而被广泛应用。
[0004]由于LED通过使用半导体装置产生光，因此与通过加热钨产生光的辉光灯、或者通过激发通过高压放电产生的紫外线与荧光体物质碰撞产生光的荧光灯相比，LED可以表现低功耗。
[0005]另外，由于LED通过使用半导体装置的电势差产生光，因此，与传统光源相比，LED在寿命、响应特性和环保要求方面具有优势。
[0006]在这方面，已经进行了用LED取代传统光源的各种研究。LED被日益增多地用作照明装置的光源，该照明装置例如为室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标志牌、以及路灯。

【发明内容】

[0007]本发明实施例提供一种发光装置，其中，围绕发光芯片的、具有第一金属氧化物材料的第一模塑组件的上表面被布置得低于该发光芯片的上表面。
[0008]本发明实施例提供一种发光装置，其包括围绕发光芯片的第一模塑组件以及布置在第一模塑组件上的第二模塑组件，其中，第二模塑组件的下表面包括朝第一模塑组件的方向凸出的曲面。
[0009]本发明实施例提供一种发光装置，包括第一模塑组件，其从发光芯片的上表面和反射电极层之间的区域以预定曲率延伸。
[0010]本发明实施例提供一种发光装置，其中，第一模塑组件和第二模塑组件之间的分界面存在于发光芯片与腔的侧面之间的区域内，并且分界面的最低点形成在从发光芯片的上表面的水平线段起、对应于发光芯片的厚度的30%或更多的深度处。
[0011]本发明实施例提供一种发光装置，其包括:第一模塑组件，其具有围绕发光芯片的第一金属氧化物材料；以及第二模塑组件，其具有在第一模塑组件和发光芯片上的第二金属氧化物材料。
[0012]本发明实施例提供一种包括发光装置的照明系统，该发光装置具有改进的光提取效率。
[0013]根据本发明实施例的发光装置包括:主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片，其位于至少一个引线框架上；第一模塑组件，其围绕发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到第一模塑组件；以及第二模塑组件，其位于第一模塑组件和发光芯片上，其中第二金属氧化物材料被添加到第二模塑组件，其中，发光芯片包括:发光结构，其包括多个化合物半导体层；以及反射电极层，其位于发光结构下，其中，第一模塑组件的上表面从发光芯片的上表面和反射电极层的侧面之间的区域以预定曲率延伸，并且其中对应于第一模塑组件的上表面的第二模塑组件的下表面包括曲面，该曲面向第一模塑组件凸出。
[0014]根据本发明实施例的发光装置包括:主体，其具有腔；多个引线框架，其位于该腔内；发光芯片，其位于至少一个引线框架上；第一模塑组件，其围绕发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到第一模塑组件；以及第二模塑组件，其位于第一模塑组件和发光芯片上，其中第二金属氧化物材料添加到第二模塑组件，其中，发光芯片包括:发光结构，其包括多个化合物半导体层；以及反射电极层，其位于发光结构下，其中，第一模塑组件的上表面被配置得低于发光芯片的上表面，并且其中，第一模塑组件的上表面的最高点和腔的下表面之间的间隔与第一模塑组件的上表面的最低点和腔的下表面之间的间隔的差在发光芯片的厚度的30%至70%的范围内。
【专利附图】

【附图说明】
[0015]图1是根据第一实施例的发光装置的俯视图；
[0016]图2是沿图1的A-A线的截面图；
[0017]图3是图2的局部放大图；
[0018]图4是沿图1的B-B线的截面图；
[0019]图5是示出根据第二实施例的发光装置的侧截面图；
[0020]图6是示出根据第三实施例的发光装置的侧截面图；
[0021]图7是示出根据第四实施例的发光装置的侧截面图；
[0022]图8是示出根据第五实施例的发光装置的侧截面图；
[0023]图9是示出根据第六实施例的发光装置的侧截面图；
[0024]图10是示出根据第七实施例的发光装置的侧截面图；
[0025]图11至图13是示出根据第八实施例的发光装置的侧截面图；
[0026]图14是示出根据实施例的发光装置的发光芯片的示例的图；
[0027]图15是说明根据实施例和比较示例的具有模塑组件的发光装置的光通量和照度的表格；
[0028]图16是图解根据实施例和比较示例的具有模塑组件的发光装置的方向特性的图；
[0029]图17是图解根据实施例的发光装置的方向角的曲线图；
[0030]图18是示出具有根据实施例的发光装置的显示设备的立体图；
[0031]图19是示出根据实施例的显示设备的截面图；以及
[0032]图20是示出具有根据实施例的发光装置的照明装置的分解立体图。
【具体实施方式】
[0033]在对实施例的描述中，应当理解，当基板、框架、片、层、或图案被称为在另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案“上”时，其可以是“直接地”或“间接地”在也可以存在的另一基板、另一框架、另一片、另一层、或另一图案上。相比之下，当一个部分被称为“直接地”在另一部分“上”时，不存在中间层。这样的层的位置已经在附图中进行了描述。出于说明的目的，附图中示出的元件的尺寸可能被夸大，并且元件的尺寸并不绝对地反映真实的尺寸。
[0034]在下文中，参照附图和对实施例的描述，本领域技术人员将清楚地理解实施例。出于方便或清楚的目的，附图中示出的每一层的厚度和尺寸可能被夸大、省略、或示意性画出。另外，元件的尺寸并不绝对反应实际的尺寸。在所有附图中将对相同的元件采用相同的附图标记。
[0035]在下文中，将参照附图描述根据实施例的发光装置。
[0036]图1示出根据第一实施例的发光装置的俯视图，图2示出沿图1的A-A线得到的截面图，以及图3是沿图1的B-B线得到的截面图。
[0037]参照图1至图3，发光装置10包括具有腔IlA的主体11、多个引线框架13和14、第一模塑组件15、第二模塑组件17和发光芯片19。
[0038]主体11包括绝缘材料或导电材料。主体11可以包括树脂材料(例如PPA(聚邻苯二甲酰胺))、S1、金属材料、PSG (感光玻璃)、A1203、以及PCB (印刷电路板)中的至少一种。例如，主体11可以由树脂材料(例如PPA)、环氧树脂或硅形成。第一模塑组件15和第二模塑组件17可以由相同的材料形成，例如硅，但本发明实施例不限于此。
[0039]当在俯视图中观看时，主体11可以被形成为多边形(例如三角形、矩形、或五边形)、圆形、或具有弯曲边缘的形状的结构。
[0040]主体11可以包括多个侧面。例如，主体11可以包括四个侧面I至4。侧面I至4中的至少一个可以相对于主体11的下表面垂直或者倾斜。作为一个示例，对第一至第四侧面I至4进行描述，其中，第一侧面I和第二侧面2彼此相反，第三侧面3和第四侧面4与第一侧面I和第二侧面2毗邻并且彼此相反。第一侧面I和第二侧面2的宽度或长度可以与第三侧面3和第四侧面4的宽度或长度相等或不同，但本发明实施例不限于此。
[0041]主体11可以包括打开的上部和具有杯子形状或凹陷形状的腔11A。引线框架13和14可以通过腔IIA的底部露出，腔IlA可以具有内侧面IA至4A。腔IlA的内侧面IA至4A分别与侧面I至4相对应。
[0042]腔IlA的内侧面IA至4A中的至少一个可以相对于主体11的引线框架13和14的上表面垂直或倾斜，但本发明实施例不限于此。
[0043]第一引线框架13从腔IlA的中心区域向第三内侧面3A的下方延伸。第二引线框架14与第一引线框架13相对应，并且向腔IlA内的第四内侧面4A的下方延伸。
[0044]第一引线框架13和第二引线框架14可以包括槽和/或孔，并且可以具有在水平面上对齐的上表面和下表面。例如，第一引线框架13和第二引线框架14的上表面可以在同一水平面上对齐。
[0045]第一引线框架13可以被布置在主体11的第三侧面3的下方，或者从第三侧面3向外突出。第二引线框架14可以被布置在主体11的第四侧面4的下方，或者从第四侧面4向外突出。
[0046]第一引线框架13和第二引线框架14的厚度可以在0.15mm至0.8mm的范围内，或者优选地在0.5_至0.4_的范围内。例如，第一引线框架13和第二引线框架14可以包括T1、Cu、N1、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag和P中的至少一种金属材料,并且可以被形成为单个金属层或多个金属层。第一引线框架13的厚度可以与第二引线框架14的厚度相同，但本发明实施例不限于此。
[0047]发光芯片19被布置在第一引线框架13上并且暴露在腔IlA内，利用粘合组件18粘合到第一引线框架13上。粘合组件18包括导电材料。发光芯片19通过导线23连接到第二引线框架14。
[0048]发光芯片19可以选择性地发射紫外波段至可见波段范围内的光。例如，可以选择红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片和黄绿色LED芯片之一作为发光芯片19。发光芯片19可以包括II1-V族化合物半导体和I1-VI族化合物半导体中的至少一种。可以在腔IlA内布置一个或多个发光芯片19，但本发明实施例不限于此。发光芯片可以是垂直式芯片，其包括分别在纵向上布置的阳极电极和阴极电极；倒装式芯片，其包括在一个方向上布置的阳极电极和阴极电极；或者横向式芯片，其包括彼此毗邻的极电极和阴极电极。另外，发光芯片19可以具有0.5mmX0.5mm至1.5mmX 1.5mm范围内，或者优选地，0.5mmX0.5mm至1_X Imm范围内的水平和竖直长度，但本发明实施例不限于此。发光芯片19的厚度可以在100 μ m至300 μ m的范围内。
[0049]可以在引线框架13和14中的至少一个上布置保护芯片，例如稳压二极管、晶闸管、或者TVS (瞬时电压抑制)，但本发明实施例不限于此。
[0050]第一模塑组件15被布置在发光芯片19周围,来与发光芯片19的所有侧面SI至S4接触。第一模塑组件15包括通过将第一金属氧化物材料5加入硅材料而得到的材料。第一金属氧化物材料5是高折射率的材料，并且包括Ti02。加入第一模塑组件15的第一金属氧化物材料5的量可以在5wt%至15wt%的范围内，或者优选地在10wt%至15wt%的范围内。作为另一个例子，加 入的第一金属氧化物材料5可以在1(^七％至12.5wt%的范围内。第一模塑组件15的硅材料的折射率在1.51至1.55的范围内。可以使用对引线框架13和主体11具有良好粘合强度的娃材料。从发光芯片19产生的光大部分沿向上方向发出，而从发光芯片19产生的光的40%或更少沿侧向发出。可以使用第一模塑组件15来反射沿发光芯片19的侧向发出的光，并且根据光发射特性，发光芯片19产生的大部分的光可以通过上表面发出。
[0051]第一模塑组件15执行反射层的功能，其通过第一金属氧化物材料5反射从发光芯片19发出的70%或更多的光。由于第一模塑组件15用作反射层，因此可以有效地反射从发光芯片19沿侧向发出的光。由于第一模塑组件15粘合到发光芯片19的侧面SI至S4，因此，当考虑从发光芯片19发出的光的方向特性时，第一轴向X-X (其为水平方向)上的光束分布与第二轴向Y-Y (其为竖直方向)上的光束分布基本相同。
[0052]参看图2和图3，第一模塑组件15的上表面包括曲面。该曲面形成于腔IlA的内侧面IA和2A与发光芯片19的侧面SI和S2的最高点之间。发光芯片19的最高点低于从发光芯片19的上表面水平延伸的线，并且发光芯片19的最低点形成于腔IlA的内侧面IA和2A与发光芯片19的侧面SI和S2之间。曲面的曲率可以在0.05mm至0.1mm的范围内。该曲率可以随硅材料的粘度、杂质(例如添加的金属氧化物材料)、以及内侧面Al和A2与发光芯片19的侧面SI和S2之间的间隔而变化。
[0053]第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的分界面具有凹陷的曲面形状。凹陷的曲面的最低点可以比发光芯片19的上表面低，并且可以在发光芯片19的厚度Tl的30%至70%范围内的厚度处形成。
[0054]第一模塑组件15覆盖发光芯片19的所有侧面，以便反射沿发光芯片19的侧面方向发出的光。由于第一模塑组件15的凹陷的曲面，第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的接触区域可以被增大，并且可以反射以任何其他方向从发光芯片19的表面再次入射的光。因此，由于凹陷的曲面，可以提高光提取效率。另外，第一模塑组件15的凹陷的曲面可以执行接收穿透第二模塑组件17的水分的例如坝的功能。因此，由于第一模塑组件15的凹陷曲面的深度，可以改进粘合强度、光提取效率、以及水分穿透限制效果。
[0055]由于第一模塑组件15的上表面与发光芯片19的接触点形成在与发光芯片19的上表面相同的高度，因此第一模塑组件15、发光芯片19、和第二模塑组件17可以在发光芯片19的边缘区域处互相粘合。这样，可以提高发光芯片19的边缘区域处的粘合强度。
[0056]第一模塑组件15的上表面R2的深度，即曲面的最低点，与腔IlA的内侧面4A和发光芯片19的侧面间隔开，并且被形成在从发光芯片19的上表面的延长线起预定深度Yl处。例如，最低点深度Yl可以被形成在发光芯片19的厚度Tl的30%至70%范围内的位置，即距离发光芯片19的上表面的深度0.3T1 ^ Xl ^ 0.7T1，优选地，0.4T1 ^ Xl ^ 0.6T1。第一模塑组件15的最小厚度Xl是曲面的最低点和引线框架13的上表面之间的间隔，例如，其可以形成于O <X1 ^ 0.7T1的范围内，其中Tl在ΙΟΟμπι至300μπι的范围内。第一模塑组件15的最小厚度Xl或者最低点的位置可以通过第一金属氧化物材料5的含量和材料、以及发光芯片19和腔IlA的内侧面IA和2Α之间的间隔而确定，并且当第一模塑组件15的上表面的最低点的位置更低时，由于曲率或厚度Xl超出该范围，因此可能降低光提取效率或者水分穿透限制效果和粘合强度效果。
[0057]第一模塑组件15在发光芯片19的侧面反射从发光芯片19侧向发出的光，以便可以提高光轴方向上的光提取效率。
[0058]如图2和图4所示，第一模塑组件15被布置在除了发光芯片19的第一区域Al之外的第二至第四区域Α2至Α4中。第二区域Α2存在于发光芯片19的两个侧面SI和S2与第一内侧面IA和第二内侧面2Α之间。
[0059]参看图3和图4，第三区域A3和第四区域Α4可以是发光芯片19的侧面S3和S4与腔IlA的第三内侧面3Α和第四内侧面4Α之间的区域。被布置在第四区域Α4内的第一模塑组件15的上表面R2可以具有与其它区域的上表面的曲率不同的曲率，但本发明实施例不限于此。
[0060]如图3所示，发光芯片19包括位于具有多个化合物半导体层的发光结构下的反射电极层19Α。第一模塑组件15的上表面R2可以以预定曲率从发光芯片19的上表面与反射电极层19Α的侧面之间的区域延伸。例如，第一模塑组件15的上表面R2可以将发光芯片19的上表面延伸至腔IlA的内侧面IA和2Α。
[0061]第一模塑组件15的上表面与发光芯片19的接触点的高度(Χ1+Υ1)可以等于或大于第一模塑组件的上表面与腔IlA的内侧面IA至4Α的接触点的高度。
[0062]此处，第一模塑组件15的上表面R2可以具有0.05mm至Imm范围内的曲率。第二模塑组件17的与第一模塑组件15的上表面R2相对应的下表面的曲率可以等于第一模塑组件15的上表面R2的曲率。
[0063]反射电极层19A被布置在15μπι或更小的间隔内。这样，第一模塑组件15有效地反射被反射电极层19A和活性层反射的光。此处，为了光提取效率，第一模塑组件15的上表面被布置在反射电极层19A的上方，以便提高反射电极层19A反射的光的提取效率。
[0064]第二模塑组件17与发光芯片19和第一模塑组件15的上表面R2接触。由于第一模塑组件15的上表面R2被形成为曲面，因此可以增加第一模塑组件15与第二模塑组件17的接触面积，从而可以增加第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的粘合强度。第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的分界面以曲面R2的曲率形成，并且分界面的最低点是第一模塑组件15的上表面的最低点。
[0065]第二模塑组件17可以由与第一模塑组件15具有良好粘合性的材料形成。例如，第二模塑组件17可以由与第一模塑组件15相同的材料形成。第二模塑组件17的上表面可以以凹陷的曲率形成并且其曲率可以大于第一模塑组件15的上表面的曲率。
[0066]第二模塑组件17与第一模塑组件15的上表面R2和发光芯片19的上表面接触。第二金属氧化物材料7被加入到第二模塑组件17的硅材料。第一金属氧化物材料5和第二金属氧化物材料7可以具有相互不同的折射系数。例如，第一金属氧化物材料5的折射系数可以大于第二金属氧化物材料7的折射系数。
[0067]第二金属氧化物材料7可以作为具有高曲率的材料而被添加到第二模塑组件17内，并且可以包括与添加到第一模塑组件15的第一金属氧化物材料5不同类型的材料。例如，第二金属氧化物材料7包括Si02。 [0068]作为另一个例子，第一金属氧化物材料5可以包括至少一种反射系数为0.7或更小的材料，例如Al2O3或MgO。第二金属氧化物材料7可以包括至少一种反射系数为2.0或更大的材料，例如Ta2O5或Zr02。另外，任何其他材料可以组成第一金属氧化物材料5和第二金属氧化物材料7,但本发明实施例不限于此。第一金属氧化物材料5和第二金属材料7由基于金属氧化物的材料形成，包括金属氧化物物质、金属氧化物粉末、金属氧化物颗粒、或者金属氧化物颜料。
[0069]添加到第二模塑组件17的第二金属氧化物材料7的量可以在5wt%至15wt%的范围内，优选地，在1(^七％至15wt%的范围内。作为另一个例子，添加的第二金属氧化物材料7的量可以在10wt%至12.5wt%的范围内。第二模塑组件17是通过将第二金属氧化物材料7添加到硅材料而得到的树脂层，并且用作扩散层。第二模塑组件17允许通过第一模塑组件15从发光芯片19竖直向上发出的光以均匀分布扩散。添加到第一模塑组件15的第一金属氧化物材料5的含量可以大于添加到第二模塑组件17内的第二金属氧化物材料7的含量。
[0070]第一模塑组件15的硅材料的折射率在1.51至1.55的范围内。可以使用具有与第二模塑组件17和主体11之间的较好的粘合强度的材料作为第一模塑组件15的材料。当第一模塑组件15和第二模塑组件17由相同的材料形成时，可以防止在第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的分界面上出现气泡或分界面去粘合。
[0071]第二模塑组件17的最小厚度Zl等于发光芯片19的上表面和第二模塑组件17之间的间隔，并且可以被设置在发光芯片19的厚度Tl的一至三倍的范围内。例如，第二模塑组件17的最小厚度Zl可以在150 μ m至260 μ m的范围内。这样，腔IlA的深度Dl可以在300 μ m至500 μ m的范围内，但本发明实施例不限于此。第二模塑组件17的最小厚度Zl可以被形成为大于发光芯片19的厚度Tl，以便可以改进第二模塑组件17内的光的颜色混合。例如，可以改进来自蓝色和黄色发光芯片的蓝色和黄色光的混合以便可以提供白色发光装置。
[0072]第二模塑组件17的厚度可以被设置为大于第一模塑组件15的最小厚度XI。
[0073]作为另一个例子，第一模塑组件15和第二模塑组件17可以由彼此不同的硅材料形成。例如，第一模塑组件15和第二模塑组件17的材料之间的折射率差可以在0.070至0.090的范围内。例如，第二模塑组件17的硅材料的折射率可以比第一模塑组件15的硅材料的折射率大，其在1.32至1.48的范围内。
[0074]另外，第一金属氧化物材料5的折射率可以比第二金属氧化物材料7的折射率大。第二金属氧化物材料7可以由具有0.5或更大的折射率的材料形成。
[0075]可以向第二模塑组件17添加突光体6。突光体6是一种转换在发光芯片19上发出的光的波长的材料。例如，荧光体6可以从由下述组中选择:YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、和氮氧化物。荧光体6可以包括红色荧光体、黄色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体中的至少一种，但本发明实施例不限于此。
[0076]第二模塑组件17的上表面17A可以形成碟形、凹陷形状、或凸起形状，但本发明实施例不限于此。第二模塑组件17的上表面可以是发光表面。可以在第二模塑组件17的上表面上布置光学透镜。光学透镜可以包括凸透镜、凹透镜、和具有镜面反射表面的凸透镜，但本发明实施例不限于此。
[0077]同时，添加到第二模塑组件17中的第二金属氧化物材料7的最大密度可以在发光芯片19的侧面和腔IlA的内侧面IA至4A之间的区域处。第二金属氧化物材料7在毗邻第一模塑组件15和第二模塑组件17之间的分界面的区域内的密度可以大于在任何其他区域内的密度。
[0078]图5示出根据本发明第二实施例的发光装置的截面图。在下面对第二实施例的描述中，将通过引用结合对第一实施例的描述。
[0079]参看图5，发光装置IOA包括具有腔IlA的主体11、引线框架13、第一模塑组件15、第二模塑组件27、荧光体层16和发光芯片19。
[0080]荧光体层16被布置在发光芯片19上。可以通过将上述荧光体添加到透明树脂层而形成荧光体层16，并且其厚度在40 μ m至70 μ m范围内。如果荧光体层16的厚度过小，则降低光的混合色，从而可能发出具有蓝色的白光。如果荧光体层16的厚度过大，则可能降低光提取效率。
[0081]作为第一模塑组件15的上表面的曲面的最高点位于比荧光体层16的下表面低的位置，并且该曲面的最低点位于比发光芯片19的上表面低的位置。第一模塑组件15的曲面可以是第一模塑组件15和第二模塑组件27之间的分界面。
[0082]第二模塑组件27与第一模塑组件15以及荧光体层16的上表面和侧面接触。第二模塑组件27不与发光芯片19的表面接触，以便可以降低由发光芯片19产生的热的影响。第一模塑组件15和第二模塑组件27之间的分界面的曲率和深度可以与在第一实施例中描述的相同，因此，参考第一实施例中的描述。
[0083]第二金属氧化物材料7可以添加到第二模塑组件27，并且可以不向第二模塑组件27添加任何特定荧光体。第二模塑组件27再传播由荧光体层16传播的光，以便可以有效地传播和发射光。[0084]第二模塑组件27的上表面27A可以被形成为低于主体11的上表面。可以在第二模塑组件27上设置用于光通量控制的光学透镜，但本发明实施例不限于此。
[0085]图6示出根据第三实施例的发光装置的侧截面图。在下面对第三实施例的描述中，将通过弓I用结合第一实施例的描述。
[0086]参看图6，发光装置IOB包括引线框架13、主体11、第一模塑组件15、第二模塑组件17、荧光体层16、保护芯片29以及发光芯片19。
[0087]保护芯片29可以被布置在第一模塑组件15下方。保护芯片29和发光芯片19可以被布置在同一引线框架13或者彼此不同的引线框架上。例如，保护芯片29可以被布置在图1中的第一引线框架13或第二引线框架14上。可以使用粘合组件28将保护芯片29粘合到第一引线框架13上，但可以改变该电连接方案。
[0088]第一模塑组件15作为反射层布置在发光芯片19的周围，并且用作发光芯片19和保护芯片29之间的屏障。这样，虽然发光芯片19毗邻或远离保护芯片29，几乎没有任何由保护芯片29造成的光损失。
[0089]图7示出根据第四实施例的发光装置的侧截面图。在下面对第四实施例的描述中，将通过弓I用结合第一实施例的描述。
[0090]参看图7，发光装置30包括引线框架33、第一模塑组件31、第二模塑组件37、荧光体层36、以及发光芯片19。
[0091]第一模塑组件31被布置在引线框架33上。引线框架33形成腔31A并执行如图2中所示的主体的功能。第一模塑组件31可以由添加有第一金属氧化物材料5的硅材料形成，并且可以通过在模具中注入并硬化液体材料而形成。添加到第一模塑组件31的第一金属氧化物材料5的量可以在5wt%至15wt%的范围内，优选地,在10wt%至15wt%的范围内。第一模塑组件31对于从反射发光芯片19发射的光的峰值波长的反射性是70%或更大，并且可以是相对于引线框架33的上表面垂直或倾斜的。
[0092]第一模塑组件31的内侧部分31C被布置在腔31A下方。第一模塑组件31的外侧部分31B可以具有预定曲率和比内侧部分31C更陡的倾斜表面。第一模塑组件31的外侧部分31B的上表面具有与第二模塑组件17的上表面相同的高度，但本发明实施例不限于此。
[0093]第一模塑组件31包括围绕发光芯片19的内侧部分31C，内侧部分31C被形成在低于发光芯片19的高度。内侧部分31C的上表面R3包括凹陷的曲面。第一模塑组件31的内侧部分31C可以被形成在低于荧光体层36的下表面的高度。
[0094]在第一模塑组件31的上表面的最低点和引线框架13的上表面之间的间隔X4可以在发光芯片19的厚度的30%至70%的范围内。
[0095]另外，第一模塑组件31的上表面的最低点(其深度为Y4)可以位于从发光芯片19的上表面的水平延长线至发光芯片19的厚度的30%至70%的范围内的深度。此处，第一模塑组件35的上表面的内侧部分31C的曲率大于外侧部分31B的曲率，但本发明实施例不限于此。
[0096]图8示出根据第五实施例的发光装置的侧截面图。在下面对第五实施例的描述中，将通过弓I用结合第一实施例的描述。
[0097]参看图8，第一发光装置40包括引线框架13、主体41、第一模塑组件45、第二模塑组件47、第三模塑组件44、荧光体层36和发光芯片19。[0098]第三模塑组件44被布置在第一模塑组件45和第二模塑组件47之间，并且可以由包括第一金属氧化物材料5和第二金属氧化物材料7中的至少一个的硅形成。第三模塑组件44的一部分被布置在比发光芯片19的上表面高的位置，并且可以添加第二金属氧化物材料7作为扩散剂。第二金属氧化物材料7以10wt%或更少地添加，以便第二金属氧化物材料7用作扩散层并且可以降低第三模塑组件44对光通量或照度的影响。
[0099]在第一模塑组件45的上表面上的第三模塑组件41具有预定曲率，并且与第一模塑组件45的上表面接触。第三模塑组件44的上表面可以被布置在荧光体层36的上表面的延长线下。第三模塑组件44的厚度Y3可以在40μπι至70μπι的范围内。
[0100]第二模塑组件47可以形成于第三模塑组件44和荧光体层36上，并且不与发光芯片19的表面接触。这样，可以降低由发光芯片19传输的热导致的膨胀。
[0101]图9是根据本发明第六实施例的发光装置的侧截面图。在下面对第六实施例的描述中，将通过引用结合第一实施例的描述。
[0102]参看图9，发光装置50包括引线框架13、主体51、第一模塑组件55、第二模塑组件57、荧光体层56、以及发光芯片19。
[0103]突光体层56从发光芯片19的上表面延伸到第一模塑组件55的上表面。突光体层56覆盖发光芯片19的上表面和第一模塑组件55的上表面R2。
[0104]突光体层56包括内侧部分56Α和外侧部分56Β。突光体层56的外侧部分56Β可以与第一模塑组件55的上表面R2接触，以便可以防止荧光体层56的内侧部分56Α的脱离。
[0105]荧光体层56的外侧部分56Β的上表面R7可以具有凹陷的曲面并且可以与第二模塑组件57接触。
[0106]第一金属氧化物材料5被添加到第一模塑组件55，以便第一模塑组件55用作反射层，并且第二金属氧化物材料7被添加到第二模塑组件57，以便第二模塑组件用作扩散层。
[0107]图10示出根据本发明第七实施例的发光装置的侧截面图。在下面对第七实施例的描述中，将通过引用结合第一实施例的描述。
[0108]参看图10，发光装置60包括引线框架13、主体61、第一模塑组件65、第二模塑组件67、突光体层66、以及发光芯片19。
[0109]突光体层包括布置在发光芯片19的上表面上的上部66Α以及布置在发光芯片19的侧面SI和S2上的侧部66Β。荧光体层66粘合到发光芯片19的上表面和侧面SI和S2，以便从发光芯片19向侧面SI和S2发射的光的一部分可以被突光体层66进行波长转换并且被第一模塑组件65反射。荧光体层66的厚度可以在40 μ m至70 μ m的范围内，但本发明实施例不限于此。
[0110]第一金属氧化物材料5被添加到第一模塑组件65以便第一模塑组件65用作反射层，第二金属氧化物材料7被添加到第二模塑元件67以便第二模塑组件57用作扩散层。
[0111]第一模塑组件65的上表面是弯曲的并且与第二模塑组件67接触。第一模塑组件65的上表面的最高点可以位于低于发光芯片19的上表面(例如化合物半导体层)的延长线的位置。这样，可以最大程度地诱导发光芯片19侧向发出的光，以便荧光体层66可以执行波长转换。
[0112]图11至图13示出根据本发明第八实施例的发光装置的视图。
[0113]参考图11至图13，发光装置包括具有腔81A的主体81、多个引线框架83和84、第一模塑组件85、突光体层86、第二模塑组件87、以及发光芯片89。
[0114]主体81的腔81A具有这样的结构:毗邻主体81的第三侧面3的第三内侧面3A的宽度D3与毗邻主体81的第四侧面4的第四内侧面4A的宽度D2不同。例如，第四内侧面4A的宽度D2大于第三内侧面3A的宽度D3。此处，主体81的第三内侧面3A和第四内侧面4A的宽度D2和D3等于主体81的上表面处的宽度并且可以为最大宽度。
[0115]主体81邻近第一侧面1，并且包括:第一内侧面1A，其从第三内侧面3A延伸；第五内侧面1B，其连接在第一内侧面IA和第三内侧面3A之间；第二内侧面2A，其毗邻主体的第二侧面2并且从第一内侧面IA延伸；以及第六内侧面3B，其连接在第二内侧面2A和第三内侧面3A之间。第一内侧面IA和第二内侧面2A可以被形成为彼此平行，并且第五内侧面IB和第六内侧面3B的延长线相交。该延长线之间的内角可以是钝角，并且例如是90度以上但小于180度的角。腔81A具有关于X-X轴的非对称结构，X-X轴穿透彼此相对的第一内侧面IA和第二内侧面2A的中心以及发光芯片89。
[0116]第五内侧面IB和第六内侧面3B的宽度朝向第四内侧面4A变窄，以便可以减少第一轴X-X和第二轴Y-Y之间的光学方向角，其中，第一轴X-X穿透第四内侧面3A和发光芯片89之间的区域、以及第三内侧面3A和发光芯片89之间的区域，而第二轴Y-Y垂直于第一轴 X-X。
[0117]另外，用于保护发光芯片89的保护芯片98被布置在主体11内以便可以降低光损失。
[0118]保护芯片98被布置在主体81内的第二引线框架84上的外部区域，而不是第一延伸侧面1B，并且通过诸如导线99或图案的连接组件连接到第一引线框架83。发光芯片89被布置在第一引线框架83上并且通过导线93连接到第二引线框架84。
[0119]另外，如图13所示，第一模塑组件85围绕发光芯片89布置，并且可以由具有第一金属氧化物材料5的硅形成以作为反射层。第二模塑组件87可以作为扩散层形成于第一模塑组件85和具有第二金属氧化物材料87的硅的发光芯片89上。第一模塑组件85的上表面R2是凹陷的曲面，并且与第二模塑组件87的下表面接触。这已经在第一实施例中进行了详细描述。
[0120]第一模塑组件85作为反射层围绕发光芯片89布置。从发光装置80发出的光的光学方向角的分布在第一轴X-X和第二轴Y-Y的方向几乎相等，并且第一轴X-X和第二轴Y-Y的方向之间的方向角差是2度或更小。
[0121]图15和图16是说明本发明实施例以及比较示例的光通量和照度的表格。此处，硅材料A具有1.52至1.54范围内的折射系数，硅材料B具有1.40至1.42范围内的折射系数，第一模塑组件由硅材料A形成，并且第二模塑组件将硅A与硅B进行比较。
[0122]如图15中所示，情况I和情况5是纯模塑情况，其中SiO2和TiO2没有被添加到第一模塑组件和第二模塑组件的硅材料A和B中；情况2至情况4是TiO2没有添加到第一模塑组件的硅材料A而SiO2以7.5%、10.0%和12.5%添加到第二模塑组件的硅材料A的情况。情况6至情况8是TiO2没有添加到第一模塑组件的硅材料B而SiO2以7.5%、10.0%和
12.5%添加到第二模塑组件的硅材料B的情况。
[0123]在情况9和情况16中，TiO2被添加到第一模塑组件的硅材料A中。在情况9和情况13中，SiO2没有被添加到第二模塑组件的硅材料A中。在情况10至情况12中，SiO2以7.5%、10.0%和12.5%被添加到第二模塑组件的硅材料A中。在情况14至情况16中，SiO2以7.5%、10.0%和12.5%被添加到第一模塑组件的硅材料B中。在情况9至情况16中，TiO2以10wt%或更少被添加到第一模塑组件的硅材料A中。
[0124]如同在情况I至情况16中的情况10至情况12，当相同的硅材料被添加到第一模塑组件和第二模塑组件中，TiO2以及SiO2被添加到第二模塑组件中，光通量(Im)和照度(Lux)高于没有向第一模塑组件和第二模塑组件添加任何金属氧化物材料的情况下的光通量(Im)和照度(Lux)。另外，情况11示出比在任何其他情况下更优的光通量(Im)和照度(Lux)特性。这样，通过第一模塑组件和第二模塑组件，发光装置的光通量(Im)和照度(Lux)得以改进，其中，第一模塑组件反射围绕发光芯片的光，第二模塑组件传输发光芯片上的光。另外，第一模塑组件和第二模塑组件之间的粘合强度通过形成相同材料的第一模塑组件和第二模塑组件得以改进，以便可以解决由于在第一模塑组件和第二模塑组件之间的分界面的分离而导致的问题。
[0125]另外，如在情况I至16中的情况14至16中，当相互不同的硅材料被添加到第一模塑组件和第二模塑组件时，TiO2被添加到第一模塑组件，而SiO2被添加到第二模塑组件，光通量和照度高于没有向第一模塑组件和第二模塑组件添加任何金属氧化物材料的情况下的光通量和照度。这样，通过第一模塑组件和第二模塑组件，发光装置的光通量(Im)和照度(Lux)得以改进，其中，第一模塑组件反射围绕发光芯片89的光，第二模塑组件传输发光芯片89上的光。
[0126]参看图16中的方向角的分布，在情况10至12中，第一轴向X_X和第二轴向Y_Y上的方向角几乎彼此相等。这样，当第一模塑组件和第二模塑组件的硅材料相同并且金属氧化物材料彼此不同时，虽然方向角分布在一个方向上减少了，但可以得到几乎相同的方向角分布。
[0127]图17示出情况10至12的方向角的分布。如图17中所示，XX-YY方向角彼此相差2度或更少。在图17的方向角曲线图中，虽然图11的发光装置的腔区域具有非对称结构，由于非对称引起的XX-YY方向角之间的差可以通过向第一模塑组件中添加第一金属氧化物材料和向第二模塑组件中添加第二金属氧化物材料而减少。
[0128]将参考图14描述根据本发明实施例的发光芯片。
[0129]图14是示出根据本发明实施例的发光芯片的视图。
[0130]参看图14，发光芯片包括发光结构310、在发光结构310下形成的接触层321、在接触层321下的反射电极层324、在反射电极层324下的支撑组件325、围绕反射电极层324和发光结构310的保护层323、以及第一电极316。
[0131]发光结构310包括第一导电半导体层313、活性层314和第二导电半导体层315。
[0132]第一导电半导体层313通过使用第一导电掺杂物掺杂的II1-V族化合物半导体实现。第一导电半导体层313可以由η型半导体层以及第一导电掺杂物形成，η型半导体层包括 GaN、InN、AlN、InGaN, AlGaN, InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的至少一种，第一导电掺杂物是η型掺杂物，包括S1、Ge、Sn、Se和Te。
[0133]第一导电覆层可以在第一导电半导体层315和活性层314之间形成。第一导电覆层可以包括GaN基半导体。第一导电覆层的带隙比活性层314的带隙大。第一导电覆层可以以第一导电类型形成并限制载流子。[0134]活性层314形成于第一导电半导体层313下。活性层314可以选择性地包括单量子井结构、多量子井(MQW)结构、量子线结构、或量子点结构。活性层314可以具有周期的井层和势鱼层。井层可以包括成分配方InxAlyGal-x_yN(0 ≤x≤l,0≤y≤l,0≤ x+y ≤ I),并且势鱼层可以包括成分配方InxAlyGal_x_yN(0 ≤χ≤Ι,Ο≤y≤Ι,Ο?≤ x+y≤ Si)。例如，井 / 势垒层可以通过使用 InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/AlGaN、或InAlGaN/InAlGaN的层积结构以一个或更多个周期重复。势垒层可以由带隙宽于该半导体材料的半导体材料形成。
[0135]活性层314形成于第二半导体层315下。第二半导体层315可以包括使用第二导电掺杂物掺杂的半导体。例如，第二导电半导体层315可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs> GaP> GaAs> GaAsPP AlGaInP 形成。第二导电半导体层 315 是 p型半导体层，第二导电掺杂物可以是P型掺杂物，例如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。
[0136]第二导电半导体层315可以包括超晶格结构。该超晶格结构可以包括InGaN/GaN或者AlGaN/GaN的超晶格结构。第二导电半导体层315的超晶格结构扩散包含在异常电压中的电流，以便可以保护活性层314。
[0137]另外，可以相反地布置发光结构310导电类型。例如，第一导电半导体层313可以被制备为P型半导体层，而第二导电半导体层315可以被制备为η型半导体层。另外，还可以在第二导电半导体层315上布置极性与第二导电类型相反的第一导电半导体层。
[0138]发光结构310可以具有下述之一:η-ρ结结构、ρ_η结结构、η_ρ_η结结构、ρ_η_ρ结结构，其中，P表示P型半导体层，η表示η型半导体层，表示P型半导体层与η型半导体层直接或间接地彼此接触的结构。下文中，出于方便的目的，最高层将被描述为第二半导体层315。
[0139]第一电极316被布置在第一导电半导体层313上。第一导电半导体层313的上表面可以包括凹凸不平的结构，但本发明实施例不限于此。
[0140]接触层321与发光结构310的底层例如第二导电半导体层315进行欧姆接触。接触层321的材料可以从下述中选择:金属氧化物材料、金属氮化物、绝缘或导电材料。例如，接触层321的材料可以由从由下述材料构成的组中选择的材料构成:ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)、Α-- (锑锡氧化物)、GZ0 (镓锌氧化物)、Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及其选择性组合。另外，接触层321的材料可以以多层形式形成。例如，接触层321的材料可以以诸如IZ0/N1、AZ0/Ag、IZ0/Ag/N1、或者AZO/Ag/Ni的结构堆叠。还可以在接触层321内形成用于阻断对应于第一电极316的电流的层。
[0141] 保护层323可以选择性地由从下述选择的金属氧化物材料或绝缘材料形成:ΙΤ0(铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)、ΑΤ0 (锑锡氧化物)、GZ0 (镓锌氧化物)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或者TiO2。保护层323可以通过使用溅射方案或沉积方案形成，并且诸如反射电极层324的金属可以防止发光结构310的层被短路。
[0142]例如，反射电极层324可以由从由下述构成的组中选择的材料形成:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf、及其选择组合。反射电极层324可以以大于发光结构310的宽度的尺寸形成，并且可以改进光反射效率。还可以布置反射电极层324和支撑组件325之间的用于结合的金属层以及用于热扩散的金属层，但本发明实施例不限于此。
[0143]支撑组件325可以是基座，并且可以由例如Cu、Au、N1、Mo或者Cu_W、或者载体晶片(例如S1、Ge、GaAs、ZnO、SiC)形成。还可以形成支撑组件325和反射电极层324之间的结合层，并且可以允许两层彼此粘合。上述公开的发光芯片是一个例子，并且不限于上述公开的特性。发光芯片可以被选择性地应用到发光装置的实施例中，但本发明实施例不限于此。
[0144]照明系统
[0145]根据本发明实施例的发光装置适用于照明系统。照明系统包括多个发光装置构成阵列的结构。照明系统包括图18和图19示出的显示设备、图20示出的照明设备、照明灯、闪光灯、信号灯、车辆的车头灯、和电子显不器。
[0146]图18示出具有根据本发明实施例的发光装置的显示设备的分解立体图。
[0147]参看图18，根据本发明实施例的显示设备1000包括导光板1041、向导光板1041提供光的光源模块1031、导光板1041下的反射组件1022、导光板1041上的光学片1051、光学片1051上的显示面板1061、以及用于容纳导光片1041、光源模块1031、和反射组件1022的底盖1011，但本发明实施例不限于此。
[0148]底盖1011、反射片1022、导光板1041和光学片1051可以被定义为光单元1050。
[0149]导光板1041扩散由光源模块1031提供的光，以提供表面光线。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括下述之一:基于丙烯酸的树脂(诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲脂))、PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、C0C (环烯烃共聚物)、以及PEN (聚萘二甲酸乙二酯)树脂。
[0150]光源模块1031被布置在导光板1041的至少一侧上，以向导光板1041的至少一侧提供光。光源模块1031用作显示装置的光源。
[0151]至少一个光源模块1031被布置成直接地或间接地从导光板1041的一侧提供光。光源模块1031可以包括基板1033和根据本发明实施例的发光装置或者发光装置1035。该发光装置或发光装置1035在基板1033上排列，彼此以预定间隔隔开。
[0152]基板1033可以包括包含电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。另外，基板1033还可以包括金属核PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及典型PCB，但本发明实施例不限于此。如果发光装置1035安装在底盖1011的侧面或散热片上，则可以省略基板1033。散热板部分地与底盖1011的上表面接触。
[0153]另外，将发光装置1035布置为使释放发光装置1035的光的出光表面与导光板1041以预定距离在基板1033上间隔开，但本发明实施例不限于此。发光装置1035可以直接地或间接地向入光表面提供光，该入光表面为导光板1041的一侧,但本发明实施例不限于此。
[0154]反射组件1022被布置在导光板1041下。反射组件1022将通过导光板1041的下表面向下传输的光向显示面板1061反射，从而提高光单元1050的亮度。例如，反射组件1022可以包括PET、PC或者PVC树脂，但本发明实施例不限于此。反射组件1022可以用作底盖1011的上表面，但本发明实施例不限于此。
[0155]底盖1011可以在其内容纳导光板1041、光源模块1031、和反射组件1022。为此，底盖1011具有容纳部分1012，容纳部分1012具有上表面打开的盒子形状，但本发明实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖(未示出)耦接，但本发明实施例不限于此。
[0156]底盖1011可以使用金属材料或树脂材料通过冲压过程或挤压过程生产。另外，底盖1011可以包括具有超强导热性的金属或非金属材料，但本发明实施例不限于此。
[0157]显示面板1061例如为IXD面板，其包括彼此相对的第一透明基板和第二透明基板、和介于第一基板和第二基板之间设置的液晶层。极化板能够被附接到显示面板1061的至少一个表面，但本发明实施例不限于此。显示面板1061通过允许光从其通过而显示信息。显示装置1000能够应用于各种便携式终端、笔记本式计算机的监视器、膝上型计算机的监视器、以及电视机。
[0158]光学片1051被布置在显不面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括从由下述构成的组中选择的至少一种:扩散片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。扩散片扩散入射光，水平和竖直棱镜片将入射光集中到显示面板1061上，而亮度增强片通过再利用损失的光而提高亮度。另外，保护片可以被布置在显示面板1061上，但本发明实施例不限于此。
[0159]导光板1041和光学片1051可以作为光学组件布置在光源模块1031的光路中，但本发明实施例不限于此。
[0160]图19示出根据本发明实施例的显示设备的截面图。
[0161]参看图19，显示装置1100包括底盖1152、在其上布置有发光装置1124的基板1120、光学组件1154和显示面板1155。
[0162]基板120和发光装置1124可以构成光源模块1160。另外，底盖1152、至少一个光源模块1160、和光学组件1154可以构成光单元。底盖1151可以配置有容纳部分1153，但本发明实施例不限于此。光源模块1160包括基板1120、以及在基板1120上排列的多个发光装置或者发光装置1124。
[0163]光学组件1154可以包括从由下述构成的组中选择的至少一个:透镜、导光板、扩散片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。导光板可以包括PC或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)。可以省略导光板。扩散片扩散入射光，水平和竖直棱镜片将入射光集中到显示区域上，而亮度增强片通过再利用损失的光而提高亮度。
[0164]光学兀件1154被布置在光源模块1160上方，以便将从光源模块1160发射的光转换成表面光。
[0165]图20是示出根据本发明实施例的具有发光装置的照明装置的分解立体图。
[0166]参看图20，根据本发明实施例的照明装置可以包括盖2100、光源模块2200、热辐射组件2400、供电部分2600、内壳2700、和套筒2800。另外，根据本发明实施例的发光装置还可以包括组件2300和固定器2500中的至少一个。光源模块2200可以包括根据本发明实施例的发光装置或发光装置封装。
[0167]例如，盖2100具有灯泡的形状、或半球形。盖2100可以具有空心结构，并且盖2100的一部分可以是打开的。盖2100可以光学连接到光源模块2200，并且可以与热辐射组件2400耦接。盖2100可以具有与热辐射组件2400耦接的凹陷部分。
[0168]盖2100的内表面可以涂上用作扩散剂的乳白色颜料。从光源模块2200发射的光可以通过使用该乳白色材料而散射或扩散，以便光能够被释放到外部。
[0169]盖2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE、或PC。在这种情况下，PC表现优秀的耐光性、优秀的耐热性、以及优秀的强度。盖2100可以是透明的，以便能够在外部辨认出光源模块2200。另外，盖2100可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方案形成。
[0170]光源模块2200可以被布置在热福射组件2400的一个表面处。相应地,从光源模块2200发出的热被传导到热辐射组件2400。光源模块2200可以包括发光装置2210、连接片2230、以及连接器2250。
[0171]组件2300被布置在热辐射组件2400的上表面上，并且具有导槽2310，多个发光装置2210以及连接器2250插入在导槽2310内。导槽2310与发光装置2210的基板和连接器2250相对应。
[0172]在组件2300的表面上可以应用或涂覆白颜料。组件2300向盖2100反射被盖2100的内表面反射回光源模块2200的光。相应地，能够提高根据本发明实施例的照明设备的光利用率。
[0173]组件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接片2230可以包括导电材料。相应地，热辐射组件2400可以电连接到连接片2230。组件2300包括绝缘材料来防止连接片2230和热辐射组件2400之间的电短路。热辐射组件2400接收来自光源模块2200的热以及来自供电部分2600的热，并且辐射热。
[0174]固定器2500挡住在内壳2700内布置的绝缘部分2710的容纳槽2719。相应地，在内壳2700的绝缘部分2710内容纳的供电部分2600被密封。固定器2500具有导引突起部分2510。导引突起部分2510可以包括允许供电部分2600的突起部分2610穿过的孔。
[0175]供电部分2600处理并转换从外部接收到的电信号，并且将该电信号提供给光源模块2200。供电部分2600被容纳在内壳2700的容纳槽2719内，并且被固定器2500封闭在内壳2700内。
[0176]供电部分2600可以包括突起部分2610、导引部分2630、基部2650、和延伸部分2670。
[0177]导引部分2630从基部2650的一侧向外突出。导引部分2630可以插入固定器2500内。在基部2650的一个表面上可以布置多个部分。例如，这些部分包括DC转换器、驱动光源模块220的驱动芯片、保护光源模块2200的ESD (静电放电)保护装置，但本发明实施例不限于此。
[0178]延伸部分2670从基部2650的另一侧向外突出。延伸部分2670插入内壳2700的连接部分2750，并且接收来自外部的电信号。例如，延伸部分2670可以等于或小于内壳2700的连接部分2750的宽度。延伸部分2670可以通过导线电连接到套筒2800。
[0179]模塑部分与供电部分2600可以一起布置在内壳2700内。模塑部分通过硬化成型液体而形成，以便供电部分2600可以被固定入内壳2700。
[0180]本发明实施例能够改进具有多个模塑结构的发光装置的可靠性。虽然发光装置的腔是非对称的，但是可以降低相互不同的轴的光方向角之间的差。能够改进根据本发明实施例的发光装置和具有该发光装置的照明系统。
[0181]在本说明书中对“ 一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何一个的使用的意思是:结合该实施例描述的特定的特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个地方出现的这样的短语并不一定全是指同一实施例。另外，当结合任一实施例描述特定的特征、结构或特性时，应当认为，其在本领域技术人员结合其他实施例应用这些特征、结构或特性的范围内。
[0182]虽然参考许多说明性实施例对本发明实施例进行了描述，应当理解，本领域技术人员能够作出许多其他修改和实施，并且这些修改和实施将落入本公开内容的原理的范围和精神之内。更具体地，在说明书、附图和所附权利要求书的范围内对组件部分和/或主题组合设置的设置进行各种变形和修改是可能的。除了在组件部分和/或设置方面的变形和修改，可替换的应用对本领域技术人员来说也是显而易见的。
【权利要求】
1.一种发光装置，包括: 主体，其具有腔； 多个引线框架，其位于所述腔内； 发光芯片，其位于至少一个所述引线框架上； 第一模塑组件，其围绕所述发光芯片，其中第一金属氧化物材料被添加到所述第一模塑组件；以及 第二模塑组件，其位于所述第一模塑组件和所述发光芯片上，其中第二金属氧化物材料被添加到所述第二模塑组件； 其中，所述发光芯片包括: 发光结构，其包括多个化合物半导体层；和 反射电极层，其位于所述发光结构下； 其中，所述第一模塑组件的上表面以预定曲率从所述发光芯片的上表面与所述反射电极层的侧面之间的区域延伸；并且， 其中，所述第二模塑组件的对应于所述第一模塑组件的所述上表面的下表面包括向所述第一模塑组件凸出的曲面。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面被布置在所述发光芯片与所述腔的内侧面之间。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面从所述发光芯片的所述上表面延伸。
4.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面延伸至所述腔的内侧面。
5.如权利要求4所述的发光装置，其中，所述腔的与所述第一模塑组件的所述上表面接触的内侧面的高度等于所述发光芯片的所述上表面的高度。
6.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面是向所述第一模塑组件的下表面凹陷的曲面，并且相对于从所述发光芯片的所述上表面延伸的水平线，该曲面的深度在所述发光芯片的厚度的30%至70%的范围内。
7.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件的所述上表面具有0.05mm至Imm范围内的曲率。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中，所述第二模塑组件的对应于所述第一模塑组件的所述上表面的下表面具有与所述第一模塑组件的所述上表面的曲率相等的曲率。
9.如权利要求7所述的发光装置，其中，所述第二模塑组件的上表面的曲率大于所述第一模塑组件的所述上表面的曲率。
10.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一金属氧化物材料的折射系数不同于所述第二金属氧化物材料的折射系数，并且添加到所述第一模塑组件和所述第二模塑组件中的所述第一金属氧化物材料和所述第二金属氧化物材料的量在5wt%至15wt%的范围内。
11.如权利要求10所述的发光装置，还包括在所述第二模塑组件内的荧光体。
12.如权利要求10所述的发光装置，其中，所述第一金属氧化物材料包括TiO2，所述第二金属氧化物材料包括SiO2。
13.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一金属氧化物材料具有与所述第二金属氧化物材料不同的材料，并且所述第一模塑组件具有与所述第二模塑组件相同的材料。
14.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第一模塑组件由与所述第二模塑组件相同的硅材料构成。
15.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述主体包括环氧树脂材料或硅材料。
16.如权利要求15所述的发光装置，其中，所述主体由与所述第一模塑组件和所述第二模塑组件相同的材料构成。
17.如权利要求1或2所述的发光装置，还包括在所述发光芯片和所述第二模塑组件之间的突光体层。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中，所述荧光体层的一部分被布置在所述第一模塑组件和所述第二模塑组件之间。
19.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述第二模塑组件的厚度大于所述第一模塑组件的最大厚度。
20.如权利要求1或2所述的发光装置， 其中，所述发光芯片的所述上表面与所述第二模塑组件的上表面之间的间隔在所述发光芯片的厚度的I至3倍的范围内。
【文档编号】H01L33/56GK103682036SQ201310110435
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年4月1日 优先权日:2012年9月13日
【发明者】尹汝赞, 郑在桓, 吴成株, 金镇成 申请人:Lg伊诺特有限公司