射频ldmos器件的制造方法
射频ldmos器件的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法，在制作法拉第屏蔽层下方的氧化层时，使用热氧代替现有的淀积氧化层来作为法拉第环下面的氧化层，同时采用高掺杂的多晶硅作为漏极，可以增加漏极长度，提高器件的击穿电压和表面特性。
【专利说明】射频LDMOS器件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种射频LDMOS器件的制造方法。
【背景技术】
[0002] N型射频横向双扩散场效应晶体管（LDMOS!LaterallyDiffusedMetalOxide Semiconductor)，由多个栅极并联形成阵列以得到大电流，具有非常高的输出功率。由于总 栅宽很大，大于30晕米，可达200晕米，总输出电流路大于20安培，做好器件的击穿电压和 热载流子注入效应（HCI)具有很大的挑战，现有的射频LDMOS器件的制造过程中，法拉第环 下面的氧化层厚度和质量以及漏极轻掺杂去的长度共同决定了射频LDMOS器件的击穿电 压和热载流子效应。目前的工艺中，常常由于不够强壮的法拉第环，导致器件的击穿电压不 够稳定，同时在漏端靠近栅极区域的电场强度非常高，热载流子注入效应很强，影响器件的 使用寿命。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种射频LDMOS器件的制造方法。
[0004] 为解决上述问题，本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，包含如下工艺步骤：
[0005] 第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入；
[0006] 第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光 刻定义有源区；
[0007] 第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区；
[0008] 第4步，器件表面淀积多晶硅并离子掺杂注入，快速热退火；再淀积钴，快速热退 火形成钴硅化物，去除多余的钴；
[0009] 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶；
[0010] 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻 胶定义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活；
[0011] 第7步，淀积氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积 钛，形成源极金属硅化物；
[0012] 第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环；
[0013] 第9步，淀积氧化层及硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成钨塞；
[0014] 第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀 积氧化层及氮化硅层，形成钝化层。
[0015] 进一步地，所述第1步中，衬底采用P型的高掺杂衬底，掺杂浓度为Ixio19? 1x102°CM_3 ;生长P型外延，掺杂浓度为8xl014?I. 2xl015CM_3 ;牺牲氧化层的厚度为150A。
[0016] 进一步地，所述第2步中，N型LDD注入的注入浓度为2xl012?3xl015CM_3,注入能 量为150?200KeV;热场氧厚度为800?1000A。
[0017] 进一步地，所述第3步中，栅氧厚度为230?28〇A。
[0018] 进一步地，所述第4步中，淀积的多晶硅厚度为2500?3500A;掺杂注入为N型，注 入浓度为8xl015?1x1016CM_3,注入能量为50KeV，1015°C高温推进激活10秒；淀积的钴的 厚度为700A。
[0019] 进一步地，所述第6步中，沟道区的P型离子注入杂质为硼，注入剂量为6xl013? 8xl013CM_2,注入能量为150?200KeV，去胶后的炉管推进温度为850°C60分钟；源极的注 入剂量为2xl015?3xl015CM_2,注入能量为60KeV，去胶后1015°C快速热退火30秒。
[0020] 进一步地，所述第7步中，淀积氧化层厚度为200A;淀积金属钛厚度为500A。
[0021] 进一步地，所述第8步中，淀积法拉第隔离氧化层的厚度为300?500A;淀积金属 钨的厚度为1000A。
[0022] 进一步地，所述第9步中，淀积氧化层的厚度为1000?1500A;淀积的硼磷硅玻璃介 质层厚度为14000?15000A;淀积钨塞厚度为8000A。
[0023] 进一步地，所述第10步中，第一金属层的厚度为10000A;淀积的氧化层层间介质 厚度为30000A:再淀积12000A的金属钨，化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铝， 光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积8000A的氧化层及7000A的氮化硅层形成钝化层。
[0024] 本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，采用热氧的方法先形成一层氧化层作 为法拉第环的隔离介质层，同时采用高掺杂的多晶硅代替N型源漏注入来形成源极和漏极 引出，改善器件电场分布，提高单位面积的器件击穿特性，提高芯片的功率密度，同时改善 热电子注入效应，形成的器件性能稳定，工艺流程简单易于实施。
【专利附图】
【附图说明】
[0025] 图1?10是本发明射频LDMOS器件的制造方法步骤图；
[0026] 图11是本发明工艺步骤流程图。
[0027] 附图标记说明
[0028] 1是栅极，2是P型沟道掺杂，3是P型阱，4是N型源极区，5是N型轻掺杂区，6是 场氧化层，7是金属硅化物，8是钨法拉第环，9是栅氧化层，10是漏极掺杂多晶硅，11是接触 孔，12是第一层金属，13是通孔，14是第二层金属，15是P型外延，16是P型重掺杂衬底，17 是多晶娃钴娃化物。
【具体实施方式】
[0029] 本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法结合【专利附图】
【附图说明】如下：
[0030] 所述的制造方法包含如下工艺步骤：
[0031] 第1步，如图1所示，在衬底16上生长外延15,衬底16采用P型的高掺杂衬底，掺 杂浓度为Ixio19?1x102°CM_3 ;生长P型外延，掺杂浓度为8xl014?I. 2xl015CM_3。再生长厚 度为150A的牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱3注入。
[0032] 第2步，如图2所示，去除光刻胶，进行N型LDD注入5;N型LDD注入的注入浓度 为2xl012?3xl015CM_3,注入能量为150?200KeV。再去除牺牲氧化层，进行热场氧生6长， 热场氧6的厚度为800?1000A,光刻定义有源区。
[0033] 第3步，热氧生长栅氧9,栅氧厚度为230?280A,再光刻定义打开漏极区，如图3 所示。
[0034] 第4步，器件表面淀积厚度为2500?3500A的多晶硅，并进行N型离子掺杂注入， 注入浓度为8xl015?1x1016CM_3,注入能量为50KeV;快速热退火，1015°C高温推进激活10 秒；再淀积厚度为700A的钴，快速热退火形成钴硅化物17,去除多余的钴，如图4所示。
[0035] 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极1及漏极10,去除光刻胶，如图5所 /Jn〇
[0036] 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道2,沟道区的P型离子注入杂 质为硼，注入剂量为6xl013?8X1013CM_2,注入能量为150?200KeV;去胶后炉管推进，推 进温度为850°C60分钟；再用光刻胶定义源极区4,进行源极离子注入，源极的注入剂量为 2xl015?3xl015CM_2,注入能量为60KeV;去胶后热退火激活，1015°C快速热退火30秒，如图 6所示。
[0037] 第7步，淀积厚度为200A的氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅 化物区域，淀积厚度为500A的金属钛，形成源极金属硅化物7,如图7所示。
[0038] 第8步，淀积厚度为300?500A的法拉第隔离氧化层，淀积厚度为1000A的金属 钨，光刻及刻蚀制作法拉第环，如图8所示。
[0039] 第9步，淀积厚度为1000?1500A的氧化层及厚度为14000?15000A的硼磷硅玻璃 介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成厚度为8000A的钨塞，如图9所示。
[0040] 第10步，淀积厚度为IOOOOA的第一金属层，光刻及刻蚀形成第一金属层图形；再 淀积氧化层形成厚度为30000A的层间介质，光刻加刻蚀形成通孔，去胶；再淀积12000A的 金属钨，化学机械研磨至氧化层，淀积3微米的金属铝，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积 8000A的氧化层及7000A的氮化硅层形成钝化层。最终器件完成如图10所示。
[0041] 以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来 说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；包含如下工艺步骤： 第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入； 第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光刻定 义有源区； 第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区； 第4步，器件表面淀积多晶娃并离子惨杂注入，快速热退火；再淀积钻，快速热退火形 成钻娃化物，去除多余的钻； 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶； 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻胶定 义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活； 第7步，淀积氧化层作为金属娃化物阻挡层，光刻胶定义出金属娃化物区域，淀积铁， 形成源极金属娃化物； 第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属鹤，光刻及刻蚀制作法拉第环； 第9步，淀积氧化层及测磯娃玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成鹤塞； 第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀积氧 化层及氮化娃层，形成纯化层。
2. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第1步中，衬 底采用P型的高惨杂衬底，惨杂浓度为lxl〇i9?1x1〇2°CM^;生长P型外延，惨杂浓度为 8x10"?1. 2xlO"CM-3 ;牺牲氧化层的厚度为150A。
3. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第2步中，N 型LDD注入的注入浓度为2xl〇i2?3x1〇i 5CM-3,注入能量为150?200KeV ;热场氧厚度为 800 ?10朋A。
4. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第3步中，栅氧 厚度为230?280A。
5. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第4步中，淀积 的多晶娃厚度为巧日0?3500A;惨杂注入为N型，注入浓度为8xl〇is?1x1〇i 6CM-3,注入能量 为50KeV，1015°C高温推进激活10砂；淀积的钻的厚度为700A。
6. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第6步中，沟道 区的P型离子注入杂质为测，注入剂量为6x10"?8xlO"CM- 2,注入能量为150?200KeV， 去胶后的炉管推进温度为85(TC 60分钟；源极的注入剂量为2xl〇is?3x1〇i5CM-2,注入能量 为60KeV，去胶后1015°C快速热退火30砂。
7. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第7步中，淀积 氧化层厚度为200A;淀积金属铁厚度为500A。
8. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第8步中，淀积 法拉第隔离氧化层的厚度为300?500A;淀积金属鹤的厚度为1腑0A。
9. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第9步中，淀积 氧化层的厚度为1000?巧OOA;淀积的测磯娃玻璃介质层厚度为1400日?巧OOOA;淀积鹤塞 厚度为8000A。
10.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第10步中，第 一金属层的厚度为10000A;淀积的氧化层层间介质厚度为30000A;再淀积12000A的金属鹤， 化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铅，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积8000A 的氧化层及7000A的氮化娃层形成纯化层。
【文档编号】H01L21/336GK104425261SQ201310365031
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月20日 优先权日:2013年8月20日
【发明者】马彪, 周正良, 遇寒 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
【专利摘要】本发明公开了一种射频LDMOS器件的制造方法，在制作法拉第屏蔽层下方的氧化层时，使用热氧代替现有的淀积氧化层来作为法拉第环下面的氧化层，同时采用高掺杂的多晶硅作为漏极，可以增加漏极长度，提高器件的击穿电压和表面特性。
【专利说明】射频LDMOS器件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种射频LDMOS器件的制造方法。
【背景技术】
[0002] N型射频横向双扩散场效应晶体管（LDMOS!LaterallyDiffusedMetalOxide Semiconductor)，由多个栅极并联形成阵列以得到大电流，具有非常高的输出功率。由于总 栅宽很大，大于30晕米，可达200晕米，总输出电流路大于20安培，做好器件的击穿电压和 热载流子注入效应（HCI)具有很大的挑战，现有的射频LDMOS器件的制造过程中，法拉第环 下面的氧化层厚度和质量以及漏极轻掺杂去的长度共同决定了射频LDMOS器件的击穿电 压和热载流子效应。目前的工艺中，常常由于不够强壮的法拉第环，导致器件的击穿电压不 够稳定，同时在漏端靠近栅极区域的电场强度非常高，热载流子注入效应很强，影响器件的 使用寿命。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种射频LDMOS器件的制造方法。
[0004] 为解决上述问题，本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，包含如下工艺步骤：
[0005] 第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入；
[0006] 第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光 刻定义有源区；
[0007] 第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区；
[0008] 第4步，器件表面淀积多晶硅并离子掺杂注入，快速热退火；再淀积钴，快速热退 火形成钴硅化物，去除多余的钴；
[0009] 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶；
[0010] 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻 胶定义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活；
[0011] 第7步，淀积氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅化物区域，淀积 钛，形成源极金属硅化物；
[0012] 第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属钨，光刻及刻蚀制作法拉第环；
[0013] 第9步，淀积氧化层及硼磷硅玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成钨塞；
[0014] 第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀 积氧化层及氮化硅层，形成钝化层。
[0015] 进一步地，所述第1步中，衬底采用P型的高掺杂衬底，掺杂浓度为Ixio19? 1x102°CM_3 ;生长P型外延，掺杂浓度为8xl014?I. 2xl015CM_3 ;牺牲氧化层的厚度为150A。
[0016] 进一步地，所述第2步中，N型LDD注入的注入浓度为2xl012?3xl015CM_3,注入能 量为150?200KeV;热场氧厚度为800?1000A。
[0017] 进一步地，所述第3步中，栅氧厚度为230?28〇A。
[0018] 进一步地，所述第4步中，淀积的多晶硅厚度为2500?3500A;掺杂注入为N型，注 入浓度为8xl015?1x1016CM_3,注入能量为50KeV，1015°C高温推进激活10秒；淀积的钴的 厚度为700A。
[0019] 进一步地，所述第6步中，沟道区的P型离子注入杂质为硼，注入剂量为6xl013? 8xl013CM_2,注入能量为150?200KeV，去胶后的炉管推进温度为850°C60分钟；源极的注 入剂量为2xl015?3xl015CM_2,注入能量为60KeV，去胶后1015°C快速热退火30秒。
[0020] 进一步地，所述第7步中，淀积氧化层厚度为200A;淀积金属钛厚度为500A。
[0021] 进一步地，所述第8步中，淀积法拉第隔离氧化层的厚度为300?500A;淀积金属 钨的厚度为1000A。
[0022] 进一步地，所述第9步中，淀积氧化层的厚度为1000?1500A;淀积的硼磷硅玻璃介 质层厚度为14000?15000A;淀积钨塞厚度为8000A。
[0023] 进一步地，所述第10步中，第一金属层的厚度为10000A;淀积的氧化层层间介质 厚度为30000A:再淀积12000A的金属钨，化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铝， 光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积8000A的氧化层及7000A的氮化硅层形成钝化层。
[0024] 本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法，采用热氧的方法先形成一层氧化层作 为法拉第环的隔离介质层，同时采用高掺杂的多晶硅代替N型源漏注入来形成源极和漏极 引出，改善器件电场分布，提高单位面积的器件击穿特性，提高芯片的功率密度，同时改善 热电子注入效应，形成的器件性能稳定，工艺流程简单易于实施。
【专利附图】
【附图说明】
[0025] 图1?10是本发明射频LDMOS器件的制造方法步骤图；
[0026] 图11是本发明工艺步骤流程图。
[0027] 附图标记说明
[0028] 1是栅极，2是P型沟道掺杂，3是P型阱，4是N型源极区，5是N型轻掺杂区，6是 场氧化层，7是金属硅化物，8是钨法拉第环，9是栅氧化层，10是漏极掺杂多晶硅，11是接触 孔，12是第一层金属，13是通孔，14是第二层金属，15是P型外延，16是P型重掺杂衬底，17 是多晶娃钴娃化物。
【具体实施方式】
[0029] 本发明所述的射频LDMOS器件的制造方法结合【专利附图】
【附图说明】如下：
[0030] 所述的制造方法包含如下工艺步骤：
[0031] 第1步，如图1所示，在衬底16上生长外延15,衬底16采用P型的高掺杂衬底，掺 杂浓度为Ixio19?1x102°CM_3 ;生长P型外延，掺杂浓度为8xl014?I. 2xl015CM_3。再生长厚 度为150A的牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱3注入。
[0032] 第2步，如图2所示，去除光刻胶，进行N型LDD注入5;N型LDD注入的注入浓度 为2xl012?3xl015CM_3,注入能量为150?200KeV。再去除牺牲氧化层，进行热场氧生6长， 热场氧6的厚度为800?1000A,光刻定义有源区。
[0033] 第3步，热氧生长栅氧9,栅氧厚度为230?280A,再光刻定义打开漏极区，如图3 所示。
[0034] 第4步，器件表面淀积厚度为2500?3500A的多晶硅，并进行N型离子掺杂注入， 注入浓度为8xl015?1x1016CM_3,注入能量为50KeV;快速热退火，1015°C高温推进激活10 秒；再淀积厚度为700A的钴，快速热退火形成钴硅化物17,去除多余的钴，如图4所示。
[0035] 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极1及漏极10,去除光刻胶，如图5所 /Jn〇
[0036] 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道2,沟道区的P型离子注入杂 质为硼，注入剂量为6xl013?8X1013CM_2,注入能量为150?200KeV;去胶后炉管推进，推 进温度为850°C60分钟；再用光刻胶定义源极区4,进行源极离子注入，源极的注入剂量为 2xl015?3xl015CM_2,注入能量为60KeV;去胶后热退火激活，1015°C快速热退火30秒，如图 6所示。
[0037] 第7步，淀积厚度为200A的氧化层作为金属硅化物阻挡层，光刻胶定义出金属硅 化物区域，淀积厚度为500A的金属钛，形成源极金属硅化物7,如图7所示。
[0038] 第8步，淀积厚度为300?500A的法拉第隔离氧化层，淀积厚度为1000A的金属 钨，光刻及刻蚀制作法拉第环，如图8所示。
[0039] 第9步，淀积厚度为1000?1500A的氧化层及厚度为14000?15000A的硼磷硅玻璃 介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成厚度为8000A的钨塞，如图9所示。
[0040] 第10步，淀积厚度为IOOOOA的第一金属层，光刻及刻蚀形成第一金属层图形；再 淀积氧化层形成厚度为30000A的层间介质，光刻加刻蚀形成通孔，去胶；再淀积12000A的 金属钨，化学机械研磨至氧化层，淀积3微米的金属铝，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积 8000A的氧化层及7000A的氮化硅层形成钝化层。最终器件完成如图10所示。
[0041] 以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来 说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同 替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；包含如下工艺步骤： 第1步，在衬底上生长外延，生长牺牲氧化层，用光刻胶定义进行P型深阱注入； 第2步，去除光刻胶，进行N型LDD注入；再去除牺牲氧化层，进行热场氧生长，光刻定 义有源区； 第3步，热氧生长栅氧，光刻定义打开漏极区； 第4步，器件表面淀积多晶娃并离子惨杂注入，快速热退火；再淀积钻，快速热退火形 成钻娃化物，去除多余的钻； 第5步，光刻胶定义栅极及漏极区，形成栅极及漏极，去除光刻胶； 第6步，光刻胶定义沟道区，进行离子注入形成沟道，去胶后炉管推进；再用光刻胶定 义源极区，进行源极离子注入，去胶后热退火激活； 第7步，淀积氧化层作为金属娃化物阻挡层，光刻胶定义出金属娃化物区域，淀积铁， 形成源极金属娃化物； 第8步，淀积法拉第隔离氧化层，淀积金属鹤，光刻及刻蚀制作法拉第环； 第9步，淀积氧化层及测磯娃玻璃介质层，刻蚀形成接触孔，淀积形成鹤塞； 第10步，形成第一金属层，淀积氧化层形成层间介质，再淀积形成第二金属层；淀积氧 化层及氮化娃层，形成纯化层。
2. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第1步中，衬 底采用P型的高惨杂衬底，惨杂浓度为lxl〇i9?1x1〇2°CM^;生长P型外延，惨杂浓度为 8x10"?1. 2xlO"CM-3 ;牺牲氧化层的厚度为150A。
3. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第2步中，N 型LDD注入的注入浓度为2xl〇i2?3x1〇i 5CM-3,注入能量为150?200KeV ;热场氧厚度为 800 ?10朋A。
4. 如权利要求1所述的射频LDM0S器件的制造方法，其特征在于；所述第3步中，栅氧 厚度为230?280A。
5. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第4步中，淀积 的多晶娃厚度为巧日0?3500A;惨杂注入为N型，注入浓度为8xl〇is?1x1〇i 6CM-3,注入能量 为50KeV，1015°C高温推进激活10砂；淀积的钻的厚度为700A。
6. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第6步中，沟道 区的P型离子注入杂质为测，注入剂量为6x10"?8xlO"CM- 2,注入能量为150?200KeV， 去胶后的炉管推进温度为85(TC 60分钟；源极的注入剂量为2xl〇is?3x1〇i5CM-2,注入能量 为60KeV，去胶后1015°C快速热退火30砂。
7. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第7步中，淀积 氧化层厚度为200A;淀积金属铁厚度为500A。
8. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第8步中，淀积 法拉第隔离氧化层的厚度为300?500A;淀积金属鹤的厚度为1腑0A。
9. 如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第9步中，淀积 氧化层的厚度为1000?巧OOA;淀积的测磯娃玻璃介质层厚度为1400日?巧OOOA;淀积鹤塞 厚度为8000A。
10.如权利要求1所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于；所述第10步中，第 一金属层的厚度为10000A;淀积的氧化层层间介质厚度为30000A;再淀积12000A的金属鹤， 化学机械研磨至氧化层，再淀积3微米的金属铅，光刻及刻蚀形成第二金属层；淀积8000A 的氧化层及7000A的氮化娃层形成纯化层。
【文档编号】H01L21/336GK104425261SQ201310365031
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月20日 优先权日:2013年8月20日
【发明者】马彪, 周正良, 遇寒 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
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