Ic载板、具有该ic载板的半导体器件及制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种IC载板，其包括中介板及依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层。内层线路板包括第一结合区及围绕第一结合区的第一周边区。在第一结合区内层线路板靠近第二介电层侧具有第一电性接触垫。第三导电线路层通过第二介电层中的导电孔与内层线路板电性连接。第四导电线路层通过第三介电层中的导电孔与内层线路板电性连接。在第一结合区自第三导电线路层向内层线路板形成有一个凹槽，露出第一电性接触垫。中介板收容于凹槽且其相对两侧具有电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫。第二电性接触垫与第一电性接触垫电性连接。本发明还涉及具有该IC载板的半导体器件及其制作方法。
【专利说明】IC载板、具有该IC载板的半导体器件及制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种IC载板，具有该IC载板的半导体器件及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着芯片技术的日益发展，芯片内导线的线宽线距均越来越细。为使承载芯片的 承载基板的导线密度与芯片的线路间距相适应通常会使用中介板作为连接媒介，但由于中 介板及与其电连接的芯片突出所述承载基板，使得半导体器件的整体厚度增加，不利于实 现轻薄化。另外，中介板突出承载基板其电气特性易受外界影响。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的IC载板、具有该IC载板的半导体器件 及制作方法。
[0004] 一种IC载板的制作方法，包括步骤：提供一个内层线路板，所述内层线路板包括 第一介电层、多个第一电性接触垫及位于所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及第 二导电线路层，所述第一介电层具有多个第一导电孔，所述第一电性接触垫与所述第一导 电线路层位于第一介电层同侧；在所述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第 二介电层、在所述第二介电层形成多个第二导电孔并在第二介电层表面形成第三导电线路 层；在所述第二导电线路层压合第三介电层、在所述第三介电层形成多个第三导电孔并在 第三介电层表面形成第四导电线路层，所述第三导电孔成孔方向与第一导电孔相同，与第 二导电孔相反；自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电 性接触垫从凹槽底部露出；以及在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有 多个一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述 第一电性接触垫--对应电性连接。
[0005] -种IC载板，其包括中介板及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触的第三 导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层，所述内层线路板包 括第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述内层线路板靠近所述第二介电层 侧具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位于所述第一结合区，各导电线路层通 过与其相邻的介电层中的导电孔与所述内层线路板电性连接，所述第二介电层中导电孔成 孔方向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在所述第一结合区自所述第三导电线路 层向所述内层线路板形成有一个凹槽，多个第一电性接触垫所述凹槽底部露出，所述中介 板收容于所述凹槽中，所述中介板相对两侧具有--对应电性连接的第二电性接触垫及第 三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接。
[0006] -种半导体器件的制作方法，包括步骤：提供一个内层线路板，所述内层线路板包 括第一介电层、多个第一电性接触垫及位于所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及 第二导电线路层，所述第一电性接触垫与所述第一导电线路层位于第一介电层同侧；在所 述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第二介电层，并在第二介电层表面形成第 三导电线路层；在所述第二导电线路层压合第三介电层，并在第三介电层表面形成第四导 电线路层；自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电性接 触垫从凹槽底部露出；在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个 对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性 接触垫一一对应电性连接；以及在所述中介板上安装一个芯片，所述芯片包括多个电极垫， 所述电极垫与所述第三电性接触垫一一对应电性连接。
[0007] -种半导体器件，其包括IC载板及芯片。所述IC载板包括中介板及中介板载板， 所述中介板载板包括依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及 第四导电线路层，所述内层线路板包括第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区， 所述内层线路板靠近所述第二介电层侧具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位 于所述第一结合区，各导电线路层通过与其相邻的介电层中的导电孔与所述内层线路板电 性连接，所述第二介电层中导电孔成孔方向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在 所述第一结合区自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成有一个凹槽，多个第一电性 接触垫所述凹槽底部露出，所述中介板收容于所述凹槽中，所述中介板相对两侧具有-- 对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性 接触垫一一对应电性连接。所述芯片安装在所述中介板上。所述芯片具有多个电极垫。每 个电极垫均与一个所述第三电性接触垫电性连接。
[0008] 本发明所述IC载板形成有凹槽，并将中介板完全收容于所述凹槽内一方面可以 避免所述中介板受外界环境影响，另一方面可降低产品整体厚度。另外，在内层线路层两侧 均形成增层线路，可防止产品成型后板面翘曲的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1是本发明实施例所提供的内层线路板的剖视图。
[0010] 图2是图1所示内层线路板的形成步骤第一步提供的基板的剖视图。
[0011] 图3是图2所示的基板的第一介电层表面形成第二导电线路层并在所述第一介电 层中形成第一导电孔后的剖视图。
[0012] 图4是在图3所示的第一铜箔层与基板分开后的剖视图。
[0013] 图5是将图4所示的第一铜箔层制成第一导电线路层及多个第一电性接触垫后的 首1J视图。
[0014] 图6是将图5所示的第一导电线路层上形成第二介电层及第三导电线路层，并在 所述第二介电层中形成第二导电孔后的剖视图。
[0015] 图7是在图6所示的第二导电线路层上形成第三介电层及第四导电线路层，并在 所述第三介电层中形成第三导电孔后的剖视图。
[0016] 图8是在图7所示的第三导电线路层及第四导电线路层上分别形成第一防焊层及 第二防焊层后的剖视图。
[0017] 图9是在图8所示的第一防焊层向所述内层线路板形成凹槽后的剖视图。
[0018] 图10是在图9所示的凹槽中安装一个中介板得到所述IC载板的剖视图。
[0019] 图11是在图10所示的中介板上封装一个芯片得到所述半导体器件的剖视图。
[0020] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种1C载板的制作方法，包括步骤： 提供一个内层线路板，所述内层线路板包括第一介电层、多个第一电性接触垫及位于 所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及第二导电线路层，所述第一介电层具有多个 第一导电孔，所述第一电性接触垫与所述第一导电线路层位于第一介电层同侧； 在所述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第二介电层、在所述第二介电层 形成多个第二导电孔并在第二介电层表面形成第三导电线路层； 在所述第二导电线路层压合第三介电层、在所述第三介电层形成多个第三导电孔并在 第三介电层表面形成第四导电线路层，所述第三导电孔成孔方向与第一导电孔的成孔方向 相同，与第二导电孔的成孔方向相反； 自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电性接触垫从 凹槽底部露出；以及 在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个-对应电性连接的第 二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电 性连接。
2. 如权利要求1所述的1C载板的制作方法，其特征在于，所述内层线路板包括一个第 一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述多个第一电性接触垫位于所述第一结 合区，所述第一导电线路层位于所述第一周边区。
3. 如权利要求2所述的1C载板的制作方法，其特征在于，所述内层线路板的制作方法， 包括步骤：提供一个基板，所述基板包括一个与所述第一结合区对应的第二结合区及与所 述第一周边区对应的第二周边区，所述基板包括一个承载板、位于所述承载板相对两侧的 两个第一铜箔层及位于两个第一铜箔层远离所述承载板侧的第一介电层；在第一介电层表 面均形成第二导电线路层；将所述第一铜箔层均与所述承载板分开；将所述第二周边区的 第一铜箔层均制成第一导电线路层，并将所述第二结合区的第一铜箔层均制成所述第一电 性接触垫。
4. 一种1C载板，其包括中介板及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触的第三导 电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层，所述内层线路板包括 第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述内层线路板靠近所述第二介电层侧 具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位于所述第一结合区，各导电线路层通过 与其相邻介电层中的导电孔与所述内层线路板电性连接，所述第二介电层中导电孔成孔方 向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在所述第一结合区自所述第三导电线路层向 所述内层线路板形成有一个凹槽，露出所述多个第一电性接触垫，所述中介板收容于所述 凹槽中，所述中介板相对两侧具有相互电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所 述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫电性连接。
5. 如权利要求4所述的1C载板，其特征在于，在厚度方向上，所述中介板远离所述第一 介电层的表面未超出所述第三导电线路层靠近所述第二介电层侧表面。
6. -种半导体器件的制作方法，包括步骤：提供一个如权利要求5或6所述1C载板； 及在所述中介板上安装一个芯片，所述芯片包括多个电极垫，所述电极垫与所述第三 电性接触垫--对应电性连接。
7. 如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述中介板上安装一 个芯片后，还包括在所述第三电性接触垫与所述电极垫之间的空隙、所述中介板与所述第 二介电层之间的空隙及所述第一电性接触垫与第二电性接触垫之间的空隙填满底部填充 胶的步骤。
8. -种半导体器件，其包括如权利要求5至6任一项所述的1C载板及芯片，所述芯片 安装在所述中介板上，所述芯片具有多个电极垫，每个电极垫均与一个所述第三电性接触 垫电性连接。
【文档编号】H01L21/48GK104425286SQ201310371056
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】苏威硕 申请人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司