一种单极磁铁的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开的单极磁铁，包括磁体和隔磁层，磁体为方块型的磁体块，隔磁层为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体的四周，隔磁层在一端设置有漏磁口。本实用新型通过设置的磁铁以及隔磁层，实现了磁体磁极的单极输出，同时还具有结构简单，使用操作方便，性能稳定的优点。
【专利说明】一种单极磁铁
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种磁铁，特别是一种单极磁铁。
【背景技术】
[0002]近年来，随着电脑、录像及通讯设备等领域的高速发展，设备组建向小型化微型化发展，随之而来的磁性配件的小型化和高精度要求就越来越高。高磁性的单极磁铁能够有效地提闻电子设备的读与速度和读与精度，有效地提闻了设备的品质和质量。
实用新型内容
[0003]为解决上述问题，本实用新型公开了一种单极磁铁，通过设置的由隔磁层包覆设置的磁体，实现了磁铁的单极作业和多余磁场隔断，从而提高了电子设备的工作和作业精度，提高了设备的处理和反应速度。
[0004]本实用新型公开的单极磁铁，包括磁体和隔磁层，所述的磁体为方块型的磁体块，所述的隔磁层为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体的四周，所述的隔磁层在一端设置有漏磁口。本实用新型公开的单极磁铁，通过设置的磁铁和隔磁层，实现了磁铁的单极输出作业和多余磁场隔断，从而提高了电子设备的工作和作业精度，提高了设备的处理和反应速度，同时还具有结构简单，生产成本低廉，使用操作方便，性能稳定的优点。
[0005]本实用新型公开的单极磁铁的一种改进，所述的磁体由成辐射形磁片设置的，所述的磁片两端的磁极同名。本改进通过设置的辐射形磁片，通过结构性的结构设置不仅增强了单极输出的磁场强度，减小磁体溢磁的同时，还增强了磁铁的单极输出强度，增强了单极磁铁的使用效果。
[0006]本实用新型公开的单极磁铁的又一种改进，所述的磁体的磁片间的空隙设置有填充层。本改进通过在磁片间设置具有固定填充作用的填充层，不仅提高了磁铁内磁片固定的稳固程度，同时还通过设置的填充层提高了磁铁的供磁精度，提高了产品的质量。
[0007]本实用新型公开的单级磁铁，通过设置的磁铁和包覆层实现了磁铁的单极输出，同时通过设置的辐射形磁片组成的磁体增强了单极磁铁的磁性，同时采用填充层对磁片进行固定，提闻了单极磁铁的结构稳定性，从而提闻了电子设备的工作精度，提闻了广品的质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1、本实用新型公开的单极磁铁的结构示意图；
[0009]图2、本实用新型公开的磁体的结构示意图；
[0010]附图标记列表:
[0011]1、磁体；2、隔磁层；3、磁片；
[0012]4、填充层。【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本实用新型，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。
[0014]如图1所示，本实用新型公开的单极磁铁，包括磁体I和隔磁层2，所述的磁体I为方块型的磁体块，所述的隔磁层2为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体I的四周，所述的隔磁层2在一端设置有漏磁口。本实用新型公开的单极磁铁，通过设置的磁铁和隔磁层，实现了磁铁的单极输出作业和多余磁场隔断，从而提高了电子设备的工作和作业精度，提高了设备的处理和反应速度，同时还具有结构简单，生产成本低廉，使用操作方便，性能稳定的优点。
[0015]作为一种优选，所述的磁体I由成辐射形磁片设置的，所述的磁片3两端的磁极同名。通过设置的辐射形磁片，通过结构性的结构设置不仅增强了单极输出的磁场强度，减小磁体溢磁的同时，还增强了磁铁的单极输出强度，增强了单极磁铁的使用效果。
[0016]作为一种优选，所述的磁体I的磁片间的空隙设置有填充层4。通过在磁片间设置具有固定填充作用的填充层，不仅提高了磁铁内磁片固定的稳固程度，同时还通过设置的填充层提闻了磁铁的供磁精度，提闻了广品的质量。
[0017]本实用新型公开的单级磁铁，通过设置的磁铁和包覆层实现了磁铁的单极输出，同时通过设置的辐射形磁片组成的磁体增强了单极磁铁的磁性，同时采用填充层对磁片进行固定，提闻了单极磁铁的结构稳定性，从而提闻了电子设备的工作精度，提闻了广品的质量。
[0018]本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。以上所述是本实用新型的【具体实施方式】，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种单极磁铁，其特征在于:所述的单极磁铁包括磁体和隔磁层，所述的磁体为方块型的磁体块，所述的隔磁层为底部和四周封闭的桶体并且紧密包覆设置在磁体的四周，所述的隔磁层在一端设置有漏磁口。
2.根据权利要求1所述的单极磁铁，其特征在于:所述的磁体由成辐射形磁片设置的，所述的磁片两端的磁极同名。
3.根据权利要求1或2所述的单极磁铁，其特征在于:所述的磁体的磁片间的空隙设置有填充层。
【文档编号】H01F7/02GK203573771SQ201320145902
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年3月28日 优先权日:2013年3月28日
【发明者】陈菊香 申请人:陈菊香