一种igbt模块的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种IGBT模块，IGBT模块包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装于底座的顶面处的电子元器件，且底座上设置有多组相对应的正电极和负电极；所述底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔将底座固定于壳体上的固定件，所述底座的顶面还设置有若干个凹槽，每个凹槽位于一安装孔与电子元器件之间。本实用新型提供的IGBT模块可以减少安装时对电子元器件的损伤，进而提高IGBT模块的电性能及产品良率。
【专利说明】一种IGBT模块
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及功率模块领域，尤其涉及一种IGBT模块。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的发展，功率模块被广泛的应用于各种电子产品中，尤其是IGBT模块，其广泛的应用于带有开关电源的控制器以及电动汽车控制器等各个领域。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是80年代中期问世的一种复合型电力电子器件，从结构上说，相当于一个由MOSFET (Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管)，IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好、驱动电路简单的特性，也具备BJT的电流密度高、通态压降低，耐压高的特性，被广泛应用于电力电子设备中。
[0003]现有IGBT模块底座一般是采用铜材冲压或铸造成型，其结构一般都比较简单。IGBT模块通常需要安装到其它部件或电路中，例如通常需要将IGBT模块安装到散热体上后一起连接到电路中。但将IGBT模块进行安装时其通常会使得IGBT模块的底座发生形变且使底座上的电子元器件容易受到损伤，进而降低了 IGBT模块的电性能的可靠性及产品良率。
[0004]可以理解的是，本部分的陈述仅提供与本实用新型相关的背景信息，可能构成或不构成所谓的现有技术。
【发明内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有技术中IGBT模块由于安装外力以致电子元器件易受损，进而降低了 IGBT模块的电性能及良率的缺陷，提供一种可以减少电子元器件的损伤、提高产品电性能及良率的IGBT模块。
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种IGBT模块，其包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装于底座的顶面处且包括IGBT芯片的电子元器件，所述底座的顶面设置有多组与所述IGBT芯片相对应的正电极及多组与所述正电极相对应的负电极；所述底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔用于将底座固定于壳体内的固定件，所述底座的顶面还设置有若干个凹槽，每个所述凹槽位于一安装孔与电子元器件之间。
[0007]在上述IGBT模块中，所述凹槽的深度为所述底座的厚度的20% — 95%。
[0008]在上述IGBT模块中，所述凹槽均匀的分布于所述底座上。
[0009]在上述IGBT模块中，所述凹槽的中间部分的深度小于凹槽边缘部分的深度。
[0010]在上述IGBT模块中，所述凹槽与所述底座一体成型。
[0011]在上述IGBT模块中，每个所述安装孔与电子元器件之间设置有多个等间距排列的凹槽。
[0012]在上述IGBT模块中，所述隔离层、凹槽及底座一体成型。[0013]在上述IGBT模块中，所述凹槽的深度为2_4mm。
[0014]在上述IGBT模块中，所述凹槽的宽度为l_2mm。
[0015]在上述IGBT模块中，所述多个等间距排列的凹槽呈L型。
[0016]在上述IGBT模块中，每个安装孔与电子元器件之间的凹槽的数量及形状均相同。
[0017]本实用新型提供的IGBT模块，其主要通过在底座的顶面设置若干个凹槽，且使凹槽位于安装孔与电子元器件之间。当IGBT模块的底座在与外界进行安装固定时，底座的四周被固定件压紧了，由于凹槽对力的分解作用，所以外界的安装力在传递到凹槽所在位置时，由于凹槽处底座较薄，其在力的作用下会发生塑性变形来缓解安装力，这样就会使离凹槽有一定的距离的电子元器件受到的力大大减小，进而可以减少外力对电子元器件的损伤，从而提高IGBT模块的电性能及产品的良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1是本实用新型提供的一实施例中IGBT模块的部分结构示意图；
[0019]图2是本实用新型提供的一实施例中IGBT模块的底座的部分结构示意图；
[0020]图3是本实用新型提供的又一实施例中IGBT模块的底座的部分结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0022]在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附
图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0023]参见图1至图3所示，本实用新型提供的IGBT模块主要包括:壳体10、底座11、电子兀器件14、正电极和负电极。底座11固定于壳体内，具体的,底座11的边缘处设置有若干个安装孔12及若干个固定件13，每个固定件13穿过一安装孔12以将底座11固定于壳体内。底座11的顶面处安装有包括IGBT芯片的电子元器件14，且底座11的顶面处设置有多组与IGBT芯片相对应的正电极及多组与所述正电极相对应的负电极，即底座11的顶面处设置有若干个正电极及与正电极相对应的若干个负电极。同时，底座11的顶面处还设置有若干个凹槽15，每个凹槽15位于一安装孔12与电子元器件14之间。底座11的边缘通过安装孔12及固定件13固定在壳体10上。当将IGBT模块与外界进行安装固定时，通常是将IGBT模块的底座的边缘与外界进行固定，例如，可直接通过上述固定件及安装孔将底座安装于壳体的同时安装到散热体等外部器件上。所以当外力作用于底座时，在底座的四周被压紧固定时，外界的安装力在传递到凹槽所在位置时，由于凹槽处底座较薄，其在力的作用下会发生塑性变形来缓解外力，这样就会使离凹槽有一定的距离的电子元器件(由于电子元器件14通常处于底座11的中间部位)受到的外力大大减小，进而可以减少外力对电子兀器件的损伤，从而提闻IGBT |旲块的电性能及广品的良率。[0024]在本实用新型的优选实施例中，凹槽的深度为底座的厚度的20% — 95%，这样既可以避免凹槽处太薄易断裂，也可以同时保证凹槽对外力的分解作用。更优选地，凹槽的深度为底座的厚度的50% — 95%。优选地，若干个凹槽15均匀的分布于底座11上，以使凹槽15在底座11上的分解力均匀分布。更优选地，凹槽15呈阶梯状，即凹槽15的中间部分的深度小于凹槽15边缘部分的深度，这样既可以避免凹槽15所处的底座较薄带来的底座损伤，也可以同时使凹槽15不会太浅，进而可以使凹槽15处对外力具有较好的分解及缓解作用。优选地，凹槽的深度为2-4mm，凹槽的宽度为l_2mm。底座11通常是通过铜板冲压形成，优选地的凹槽15与底座一体成型，例如通过铜板一体冲压成型，其工艺简单快捷。
[0025]在优选地实施中，每个安装孔与电子元器件之间设置有多个等间距排列的凹槽，这样可以有效的分解外力对底座的影响。例如，每个安装孔与电子元器件之间设置有多个凹槽，且这多个凹槽等间距的排列成L型。例如，每个所述安装孔与电子元器件之间设置有八个等间距排列的凹槽。更优选地，每个安装孔与电子元器件之间的凹槽的数量及形状均相同。这样可使得底座每个安装孔处受力均匀，例如每个安装孔与电子元器件之间均等间距的设置有六个月牙形的凹槽。
[0026]在本说明书的描述中，参考术语“ 一个实施例”、“ 一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0027]在本实用新型的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0028]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种IGBT模块，其特征在于:所述IGBT模块包括壳体、固定于壳体内的底座、及安装于底座的顶面处且包括IGBT芯片的电子元器件，所述底座的顶面设置有多组与所述IGBT芯片相对应的正电极及多组与所述正电极相对应的负电极； 所述底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔用于将底座固定于壳体内的固定件，所述底座的顶面还设置有若干个凹槽，每个所述凹槽位于一安装孔与电子元器件之间。
2.如权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽的深度为所述底座的厚度的20% — 95%。
3.如权利要求1或2所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽均匀的分布于所述底座上。
4.如权利要求3所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽的中间部分的深度小于凹槽边缘部分的深度。
5.如权利要求4所述的IGBT模块，其特征在于，每个所述安装孔与电子元器件之间设置有多个等间距排列的凹槽。
6.如权利要求5所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽与所述底座一体成型。
7.如权利要求6所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽的深度为2-4mm。
8.如权利要求6所述的IGBT模块，其特征在于，所述凹槽的宽度为l-2mm。
9.如权利要求6所述的IGBT模块，其特征在于，所述多个等间距排列的凹槽呈L型。
10.如权利要求6所述的IGBT模块，其特征在于，每个安装孔与电子元器件之间的凹槽的数量及形状均相同。
【文档编号】H01L23/13GK203434140SQ201320452893
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月29日 优先权日:2013年7月29日
【发明者】刘春江, 薛鹏辉, 陈刚 申请人:比亚迪股份有限公司