三相全桥快恢复整流模块的制作方法
【专利摘要】三相全桥快恢复整流模块，在壳体的底板上烧结隔离基片；在基片上烧结第一钼片、第二钼片、第三钼片；在第一钼片上焊接三个第一芯片，在三个第二钼片上三个第二芯片；三个第一芯片分别与三个第二钼片焊接连接桥进行电连接；三个第二芯片与第三钼片焊接连接桥进行电连接；壳体侧板上设有内装陶瓷隔片的插孔，直流接线端子穿过陶瓷隔片分别与第一钼片、第三钼片上的引线连接；交流接线端子穿过陶瓷隔片与第二钼片上的引线连接。其优点是：外形小、耐压高、频率高、大电流、散热性好，能耐高冷热剧变等特点，适合于在高压、高频、恶劣环境下对三相交流电进行整流，采用全金属密封外壳，绝缘电压大于2000V，壳盖与壳体能耐更高的温度冲击。
【专利说明】三相全桥快恢复整流模块
【技术领域】
[0001]本实用新型属于交直流转换装置【技术领域】，具体涉及一种三相全桥快恢复整流模块。
【背景技术】
[0002]现在，国内许多生产厂家生产的整流模块，其内部芯片与接线端子的连接，多采用多条铝丝键合，其封装多采用塑封外壳灌胶。由于三相整流模块在实际使用过程中，在开机瞬间的冲击电流很大，因此，现有技术存在的缺点是:多条铝丝容易分流不均而导致铝丝熔断，电流过载能力比较低，可靠性较差；其塑封外壳灌胶的封装方式，使得耐温度循环性能及密封性能、散热性能重量等均不能满足用户及标准的要求。
实用新型内容
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种性能优越、外形体积小、重量轻且安装拆卸方便的三相全桥快恢复整流模块。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种三相全桥快恢复整流模块，包括一壳体，其特征在于:在所述壳体的底板上，烧结一与所述底板电隔离的基片；在所述基片上，下部烧结第一钥片，中部烧结三个相同尺寸、间隔分布的第二钥片，上部烧结第三钥片；在所述第一钥片上，间隔均匀地焊接三个第一芯片，在所述三个第二钥片上，分别焊接三个第二芯片；
[0005]所述三个第一芯片分别与所述三个第二钥片焊接连接桥，进行电连接；所述三个第二芯片与所述第三钥片焊接连接桥，进行电连接；
[0006]在所述壳体的侧板上设置有插孔，所述插孔内设有陶瓷隔片；一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第一钥片上的引线连接；另一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第三钥片上的引线连接；三个交流接线端子穿过所述陶瓷隔片，分别与焊接于三个所述第二钥片上的引线连接。
[0007]优选的，还包括壳盖，所述壳盖扣设在所述壳体上方，并将所述基片、第一钥片、第二钥片、第三钥片、第一芯片、第二芯片及连接桥罩于所述壳体内。
[0008]优选的，所述壳体、壳盖均为金属材料制作。
[0009]优选的，所述底板为钨铜底板。
[0010]优选的，所述基片为氧化铍基片。
[0011]优选的，所述连接桥为无氧铜导带，所述引线为无氧铜引线。
[0012]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型的外形体积小、耐压高、频率高、大电流、散热性好，能耐更高的冷热剧变等特点，适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对三相交流电进行整流，米用全金属密封外壳，绝缘电压大于2000V,壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型实施例取掉壳盖的内部结构示意图；
[0014]图2是本实用新型封装后局部剖视结构示意图。
[0015]图中标记为:
[0016]1、壳体；2、壳盖；3、氧化铍基片；4、第一钥片；5、第二钥片；6、第三钥片；
[0017]7、第一芯片；8、第二芯片；9、无氧铜导带；10、陶瓷隔片；11、直流接线端子；
[0018]12、无氧铜引线；13、交流接线端子。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图实施例，对本实用新型做进一步描述:
[0020]如图1、2所示，一种三相全桥快恢复整流模块，包括壳体1、壳盖2均为钨铜材料制作，在壳体I的底板上，烧结了氧化铍基片3，氧化铍基片3与底板电隔离；在氧化铍基片3上，下部烧结第一钥片4，中部烧结三个相同尺寸、间隔分布的第二钥片5，上部烧结第三钥片6 ;在第一钥片4上，间隔均匀地焊接三个第一芯片7，在三个第二钥片5上，分别焊接三个第二芯片8 ；
[0021]三个第一芯片7与三个第二钥片5之间，分别一一对应焊接了无氧铜导带9，每对第一芯片7、第二钥片5之间，通过无氧铜导带9进行电连接；三个第二芯片8均分别与第三钥片6焊接无氧铜导带9，三个第二芯片8均通过无氧铜导带9，分别与第三钥片6进行电连接；
[0022]在壳体I的侧板上设置有插孔，插孔内设有陶瓷隔片10 ;两个直流接线端子11之一穿过陶瓷隔片10与焊接于第一钥片4上的无氧铜引线12连接；另一个直流接线端子11穿过陶瓷隔片10与焊接于第三钥片6上的无氧铜引线12连接；三个交流接线端子13穿过陶瓷隔片10，分别与焊接于三个第二钥片5上的无氧铜引线12连接；
[0023]壳盖2扣设在壳体I上方，并将氧化铍基片3、第一钥片4、第二钥片5、第三钥片
6、第一芯片7、第二芯片8及无氧铜导带9、无氧铜引线12均罩于壳体内。两个直流接线端子11、三个交流接线端子13均设置在壳体I的侧板外。
[0024]以上，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
【权利要求】
1.一种三相全桥快恢复整流模块，包括一壳体，其特征在于:在所述壳体的底板上，烧结一与所述底板电隔离的基片；在所述基片上，下部烧结第一钥片，中部烧结三个相同尺寸、间隔分布的第二钥片，上部烧结第三钥片；在所述第一钥片上，间隔均匀地焊接三个第一芯片，在所述三个第二钥片上，分别焊接三个第二芯片； 所述三个第一芯片分别与所述三个第二钥片焊接连接桥，进行电连接；所述三个第二芯片与所述第三钥片焊接连接桥，进行电连接； 在所述壳体的侧板上设置有插孔，所述插孔内设有陶瓷隔片；一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第一钥片上的引线连接；另一直流接线端子穿过所述陶瓷隔片与焊接于所述第三钥片上的引线连接；三个交流接线端子穿过所述陶瓷隔片，分别与焊接于三个所述第二钥片上的引线连接。
2.根据权利要求1所述的三相全桥快恢复整流模块，其特征在于:还包括壳盖，所述壳盖扣设在所述壳体上方，并将所述基片、第一钥片、第二钥片、第三钥片、第一芯片、第二芯片及连接桥罩于所述壳体内。
3.如权利要求2所述的三相全桥快恢复整流模块，其特征在于:所述壳体、壳盖均为金属材料制作。
4.如权利要求1至3任一所述的三相全桥快恢复整流模块，其特征在于:所述底板为钨铜底板。
5.根据权利要求4所述的三相全桥快恢复整流模块，其特征在于:所述基片为氧化铍基片。
6.根据权利要求5所述的三相全桥快恢复整流模块，其特征在于:所述连接桥为无氧铜导带，所述引线为无氧铜引线。
【文档编号】H01L23/488GK203481216SQ201320538135
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年9月2日 优先权日:2013年9月2日
【发明者】刘宏伟 申请人:青岛航天半导体研究所有限公司