一种可降低绝缘子闪络的防护罩的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于绝缘子防护罩，具体提供了一种可降低绝缘子闪络的防护罩，包括绝缘子防护帽，还包括盘形遮护伞和亲水干燥涂层，其特征在于：所述的绝缘子防护帽和盘形遮护伞做成一体，在盘形遮护伞的内表层涂有亲水干燥涂层，通过阻碍绝缘子表面污秽物电解质溶解、电离的过程降低闪络效应的发生率。
【专利说明】一种可降低绝缘子闪络的防护罩
【技术领域】
[0001]本实用新型属于绝缘子防护罩，具体涉及一种可降低绝缘子闪络的防护罩。
【背景技术】
[0002]高压电线连接塔的一端挂了很多盘状的绝缘体，他是为了增加爬电距离的，通常由玻璃或陶瓷制成，就叫绝缘子。
[0003]在线运行的绝缘子，在自然环境中，受到S02、氮氧化物以及颗粒性尘埃等大气环境影响，在其表面逐渐沉积一层污秽物。在天气干燥的情况下，这些表面带有污秽物的绝缘子保持着较高的绝缘水平，其放电电压和洁净、干燥状态时接近。然而，当遇到有雾、露、毛毛雨及融冰、融雪等潮湿天气时，绝缘子表面污秽物吸收水分，使污层中的电解质溶解、电离，导致污层电导增加，这时，绝缘子的表面泄漏电流就会增加，由于绝缘子表面污秽度不同就会形成电压，电场足够大时，将产生辉光放电，继而产生局部电弧，严重时电弧贯穿两极，形成闪络效应，造成严重事故。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是为了降低闪络效应这种事故发生的可能性。
[0005]为此，本实用新型提供了一种可降低绝缘子闪络的防护罩，包括绝缘子防护帽，还包括盘形遮护伞和亲水干燥涂层，所述的绝缘子防护帽固定在盘形遮护伞上构成一体结构，在盘形遮护伞的内表层涂有亲水干燥涂层。
[0006]所述的绝缘子防护帽和盘形遮护伞的材料为硅橡胶。
[0007]所述的亲水干燥涂层由亲水层和干燥层组成，它们在盘形遮护伞的内表层上呈环形间隔分布。
[0008]所述的亲水层的材料为天然纤维和聚四氟乙烯做成的膜。
[0009]所述的干燥层为硅胶干燥涂层。
[0010]本实用新型提供的这种可降低绝缘子闪络的防护罩，包括绝缘子防护帽，还包括盘形遮护伞和亲水干燥涂层，所述的绝缘子防护帽和盘形遮护伞做成一体，在盘形遮护伞的内表层涂有亲水干燥涂层，因此，该可降低绝缘子闪络的防护罩能降低降低闪络效应这种事故发生的可能性。
[0011]以下将结合附图对本实用新型做进一步详细说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型产品内部结构示意图
[0013]图2是本实用新型亲水干燥涂层示意图
[0014]附图标记说明:1、绝缘子防护帽；2、盘形遮护伞；3、亲水干燥涂层；4、亲水层；5、
干燥层。【具体实施方式】
[0015]实施例1:
[0016]一种可降低绝缘子闪络的防护罩，包括绝缘子防护帽1，还包括盘形遮护伞2和亲水干燥涂层3，所述的绝缘子防护帽I固定在盘形遮护伞2上构成一体结构，在盘形遮护伞2的内表层涂有亲水干燥涂层3，绝缘子位于盘形遮护伞2内侧，绝缘子的线路穿过盘形遮护伞2由绝缘子防护帽I内导出。
[0017]如图1所示，亲水干燥涂层3与绝缘子表面距离最近，亲水干燥涂层3会对绝缘子表面出现的污秽物进行吸水干燥，防止其因为吸收水分产生电解质溶解电离，遏制其闪络效应的发生过程。
[0018]实施例2:
[0019]如图2所示，所述的亲水干燥涂层3由亲水层4和干燥层5组成，它们在盘形遮护伞2的内表层上呈环形间隔分布，亲水层4的材料为天然纤维和聚四氟乙烯做成的膜，干燥层5为硅胶干燥涂层。
[0020]天然纤维和聚四氟乙烯做成的膜使亲水层4具有亲水性、耐腐蚀性和低导电性能；硅胶干燥涂层做成的干燥层5具有较高的稳定性，在电弧高温下又能将吸收的水分分解，具有重复利用性。
[0021]亲水层4和干燥层5相互配合使绝缘子表面保持干燥的状态，阻碍闪络效应的形成。
[0022]以上例举仅仅是对本实用新型的举例说明，并不构成对本实用新型的保护范围的限制，凡是与本实用新型相同或相似的设计均属于本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种可降低绝缘子闪络的防护罩，包括绝缘子防护帽(1)，还包括盘形遮护伞(2)和亲水干燥涂层(3)，其特征在于:所述的绝缘子防护帽(I)固定在盘形遮护伞(2)上构成一体结构，在盘形遮护伞(2)的内表层涂有亲水干燥涂层(3 )。
2.如权利要求1所述的可降低绝缘子闪络的防护罩，其特征在于:所述的绝缘子防护帽(I)和盘形遮护伞(2)的材料为硅橡胶。
3.如权利要求1所述的可降低绝缘子闪络的防护罩，其特征在于:所述的亲水干燥涂层(3)由亲水层(4)和干燥层(5)组成，它们在盘形遮护伞(2)的内表层上呈环形间隔分布。
4.如权利要求1所述的可降低绝缘子闪络的防护罩，其特征在于:所述的亲水层(4)的材料为天然纤维和聚四氟乙烯做成的膜。
5.如权利要求1所述的可降低绝缘子闪络的防护罩，其特征在于:所述的干燥层(5)为硅胶干燥涂层。
【文档编号】H01B17/42GK203521068SQ201320579622
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月18日 优先权日:2013年9月18日
【发明者】门梦钰 申请人:西安吉帑电子科技有限公司