低漏磁电抗器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种低漏磁电抗器，包括铁芯，铁芯由两个边柱、中柱以及两个连接部分构成日字形，两个边柱和中柱并列设置，且两个边柱分别位于中柱的轴线的两侧，两个连接部分分别连接于边柱和中柱的同侧端部，铁芯由E形部和I形部组合而成，两个边柱、中柱和一个连接部分构成E形部，另一个连接部分构成I形部，E形部中两个边柱的端部和中柱的端部与I形部相连接，中柱的高度小于边柱的高度，且E形部中边柱的端部与I形部相焊接固定，中柱的端部与I形部之间形成气隙。本实用新型的电抗器仅在中柱与I形部之间设置有气隙，而在边柱与I形部之间不具有间隙，可以有效降低铁芯的漏磁，并降低其收到的电磁干扰。
【专利说明】低漏磁电抗器【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电抗器。
【背景技术】
[0002]现有的电抗器中，其铁芯呈“日”字形，并由分别呈“E”字形和“ I”字形的两部分组合而成，该铁芯包括三个相平行的柱状部分，分别为两个边柱和一个中柱，另外两个柱状部分则分别连接边柱和中柱的同侧的端部，称之为连接部分。其中，一个连接部分和两个边柱以及一个中柱构成呈“E”字形的部分，而另一个连接部分则单独构成呈“I”字形的部分。两个边柱和一个中柱的高度是相同的。当组装形成铁芯时，在“E”字形部分和“ I”字形部分之间留有气隙，即“E”字形部分中的两个边柱和一个中柱的端部与“I”字形部分之间分别都具有气隙。具有这种结构铁芯的电抗器在工作时会出现较多漏磁，并且容易收到电磁干扰。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种降低漏磁以及电磁干扰的低漏磁电抗器。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:
[0005]一种低漏磁电 抗器，包括铁芯，所述的铁芯由两个边柱、中柱以及两个连接部分构成日字形，两个所述的边柱和所述的中柱并列设置，且两个所述的边柱分别位于所述的中柱的轴线的两侧，两个所述的连接部分分别连接于所述的边柱和所述的中柱的同侧端部，所述的铁芯由E形部和I形部组合而成，两个所述的边柱、所述的中柱和一个所述的连接部分构成所述的E形部，另一个所述的连接部分构成所述的I形部，所述的中柱的高度小于所述的边柱的高度，且所述的E形部中所述的边柱的端部与所述的I形部相焊接固定，所述的中柱的端部与所述的I形部之间形成气隙。
[0006]所述的E形部由若干呈E字形的硅钢片叠设而成，所述的I形部由若干呈I字形的硅钢片叠设而成。
[0007]所述的低漏磁电抗器还包括线圈以及支架。
[0008]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点:本实用新型的电抗器仅在中柱与I形部之间设置有气隙，而在边柱与I形部之间不具有间隙，可以有效降低铁芯的漏磁，并降低其收到的电磁干扰。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]附图1为本实用新型的低漏磁电抗器的侧视示意图。
[0010]附图2为本实用新型的低漏磁电抗器的铁芯的主视示意图。
[0011]以上附图中:1、边柱；2、中柱；3、连接部分；4、E形部；5、I形部；6、气隙；7、铆接孔；8、铁芯；9、焊接部。【具体实施方式】
[0012]下面结合附图所示的实施例对本实用新型作进一步描述。
[0013]实施例一:参见附图1所示。一种低漏磁电抗器，包括铁芯8、绕设于铁芯8上的线圈以及支撑铁芯8的支架等部分构成。
[0014]参见附图2所示。铁芯8由两个边柱1、中柱2以及两个连接部分3构成日字形，两个边柱I和中柱2并列设置，且两个边柱I分别位于中柱2的轴线的两侧，两个连接部分3分别连接于边柱I和中柱2的同侧端部。铁芯8由E形部4和I形部5组合而成，两个边柱1、中柱2和一个连接部分3构成E形部4，另一个连接部分3构成I形部5，且E形部4由若干呈E字形的硅钢片叠设并通过铆接孔7铆接而成，I形部5由若干呈I字形的硅钢片叠设并通过铆接孔7铆接而成。
[0015]定义中柱2或边柱I沿两个连接部分3之间方向上的长度为其高度，中柱2的高度Ii1小于边柱I的高度h2，且E形部4中边柱I的端部与I形部5相焊接固定形成焊接部9而不具有气隙，中柱2的端部与I形部5之间形成气隙6。
[0016]通过上述结构，即中柱2的端部与I形部5之间形成气隙6，而边柱I的端部与I形部5之间没有气隙，可以降低铁芯8的漏磁以及电磁干扰。
[0017]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种低漏磁电抗器，包括铁芯，所述的铁芯由两个边柱、中柱以及两个连接部分构成日字形，两个所述的边柱和所述的中柱并列设置，且两个所述的边柱分别位于所述的中柱的轴线的两侧，两个所述的连接部分分别连接于所述的边柱和所述的中柱的同侧端部，所述的铁芯由E形部和I形部组合而成，两个所述的边柱、所述的中柱和一个所述的连接部分构成所述的E形部，另一个所述的连接部分构成所述的I形部，其特征在于:所述的中柱的高度小于所述的边柱的高度，且所述的E形部中所述的边柱的端部与所述的I形部相焊接固定，所述的中柱的端部与所述的I形部之间形成气隙。
2.根据权利要求1所述的低漏磁电抗器，其特征在于:所述的E形部由若干呈E字形的硅钢片叠设而成，所述的I形部由若干呈I字形的硅钢片叠设而成。
3.根据权利要求1所述的低漏磁电抗器，其特征在于:所述的低漏磁电抗器还包括线圈以及支架。
【文档编号】H01F27/26GK203444931SQ201320593700
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】沈永福 申请人:苏州康开电气有限公司