一种提高电极颜色一致性的结构设计的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种提高电极颜色一致性的结构设计，尤其涉及一种半导体器件【技术领域】。该二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，所述N型金属电极的顶端与所述P型金属电极的顶端水平高度一致。本实用新型通过将N、P电极制备成同样的高度，解决了传统LED芯片N、P电极高度不一致带来的异色问题，从而使N、P电极焊盘明暗场颜色一致，高度一致，粗糙度一致，极大地提高了封装厂自动作业的速度，解决了焊线困难的问题。
【专利说明】一种提高电极颜色一致性的结构设计
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件【技术领域】，尤其涉及一种提高电极颜色一致性的结构设计。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)，它能将电能转化为光能。LED光源属于绿色光源，具有节能环保、寿命长、能耗低、安全系数高等优点，被广泛应用于照明和背光领域。
[0003]GaN基LED由于芯片工艺在制作电极前进行过刻蚀工艺形成裸露的N型区，会造成P、N型区形成高度差，同时P区存在电流扩展层的，这就导致制作出的LED芯片电极颜色不一致，造成P、N金属电极焊盘异色现象，严重影响了封装厂自动作业。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高电极颜色一致性的结构设计，使N电极和P电极具有同样高度，从而使N、P电极焊盘颜色一致，提高了封装厂自动作业速度。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是:一种提高电极颜色一致性的结构，该二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于:所述N型金属电极的顶端与所述P型金属电极的顶端水平高度一致。
[0006]优选的，所述N型金属电极内部有刻蚀预留层，所述刻蚀预留层与所述电流扩展层水平高度一致。
[0007]优选的，所述N型金属电极是金属复合电极，材质是Cr/Pt/Au,其厚度为25nm/50nm/1500nm,所述P型金属电极是金属复合电极，材质是Cr/Pt/Au,其厚度为25nm/50nm/1500nmo
[0008]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本实用新型通过将N、P电极制备成同样的高度，解决了传统LED芯片N、P电极高度不一致带来的异色问题，从而使N、P电极焊盘明暗场颜色一致，高度一致，粗糙度一致，极大地提高了封装厂自动作业的速度，解决了焊线困难的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型整体结构示意图；
[0010]其中，蓝宝石衬底1，N型半导体层2，发光层3，P型半导体层4，电流扩展层5，N型金属电极6，P型金属电极7，刻蚀预留层8。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。[0012]如图1所示，本实用新型是一种提高电极颜色一致性的结构，该二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底1、N型半导体层2、发光层3、P型半导体层4和电流扩展层5，N型金属电极6连接N型半导体层2，P型金属电极7连接电流扩展层5，其特征在于:所述N型金属电极6的顶端与所述P型金属电极7的顶端水平高度一致；所述N型金属电极6内部有刻蚀预留层8，所述刻蚀预留层8底端与N型半导体层2连接，其顶端与所述电流扩展层5水平高度一致；所述N型金属电极6是金属复合电极，材质是Cr/Pt/Au,其厚度为25nm/50nm/1500nm,所述P型金属电极7是金属复合电极,材质是Cr/Pt/Au,其厚度为 25nm/50nm/1500nm。
[0013]本实用新型可通过以下步骤制备而成，
[0014](I)在蓝宝石基板200上利用金属有机化合物化学气相沉淀(英文缩写为M0CVD)外延层，其从下到上依次包括N型半导体层2、发光层3、P型半导体层4。
[0015](2)在该外延层上，利用光刻、腐蚀和干蚀刻技术，从P型半导体层4表面往下蚀刻出部分裸露的N型半导体层2。
[0016](3)采用电子束蒸发在P型半导体层4上表面形成ITO透明电流扩展层5，其厚度250nmo
[0017](4)采用光刻、电子束蒸发和金属剥离技术，在所述ITO电流扩展层5和裸露的N型半导体层2上蒸发金属电极。
[0018]本实用新型通过将N、P电极制备成同样的高度，解决了传统LED芯片N、P电极高度不一致带来的异色问题，从而使N、P电极焊盘明暗场颜色一致，高度一致，粗糙度一致，极大地提高了封装厂自动作业的速度，解决了焊线困难的问题。
【权利要求】
1.一种提高电极颜色一致性的结构设计，二极管外延片结构设计从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(3)、P型半导体层(4)和电流扩展层(5)，N型金属电极(6)连接N型半导体层(2)，P型金属电极(7)连接电流扩展层(5)，其特征在于:所述N型金属电极(6)的顶端与所述P型金属电极(7)的顶端水平高度一致。
2.根据权利要求1所述的一种提高电极颜色一致性的结构设计，其特征在于:所述N型金属电极(6)内部有刻蚀预留层(8)，所述刻蚀预留层(8)底端与N型半导体层(2)连接，其顶端与所述电流扩展层(5)水平高度一致。
3.根据权利要求1所述的一种提高电极颜色一致性的结构设计，其特征在于:所述N型金属电极(6)是金属复合电极,材质是Cr/Pt/Au,其厚度为25nm/50nm/1500nm,所述P型金属电极(7)是金属复合电极，材质是Cr/Pt/Au,其厚度为25nm/50nm/1500nm。
【文档编号】H01L33/38GK203674252SQ201320871557
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日
【发明者】李珅, 李晓波, 王义虎, 甄珍珍, 王静辉, 肖国华, 孟丽丽 申请人:同辉电子科技股份有限公司