适用于射频识别(rfid)标签的不连续环形天线以及相关部件、系统和方法【专利摘要】公开了不连续环形天线以及相关部件、射频识别(RFID)、标签、系统和方法。不连续环形天线为包括不连续部分的天线环结构。不连续环形天线可耦合至RFID芯片以提供RFID标签。不连续部分减少了环电感和标签电容，由此使不连续环形天线在仍匹配芯片阻抗的同时具有显著更大的环面积，导致近场灵敏度上显著的增加。增强的近场灵敏度在近场耦合期间提供增强的功率采集效率。作为非限制性示例，具有不连续环形天线的RFID标签可从RF信号中获得比具有调谐至相同或相似的谐振频率的连续环形天线的RFID标签多得多的功率采集。在制造之后可修剪不连续部分，允许调谐RFID标签的谐振频率。【专利说明】适用于射频识别（RFID)标签的不连续环形天线以及相关部件、系统和方法优先权申请[0001]本申请基于35U.S.C.§120要求2013年3月14日提交的标题为"DiscontinuousLoopAntennasSuitableForRadio-FrequencyIdentification(RFID)Tags,AndRelatedComponents,Systems,andMethods(适用于射频识别（RFID)标签的不连续环形天线以及相关部件、系统和方法）"的美国申请No.13/826,519的优先权权益，美国申请No.13/826,519基于35U.S.C.§119要求2012年5月1日提交的标题为"DiscontinuousLoopAntennasSuitableforRadio-FrequencyIdentification(RFID)Tags,andRelatedComponents,Systems,andMethods(适用于射频识别（RFID)标签的不连续环形天线以及相关部件、系统和方法）"的美国临时专利申请No.61/640,800的优先权权益，这些申请通过引用整体结合于此。【
技术领域：
】[0002]本公开的技术涉及可适用于射频（RF)识别（RFID)天线、标签或应答器（包括无源RIFD标签）的天线。【
背景技术：
】[0003]采用射频（RF)识别（RFID)应答器来识别制品是公知的。RFID应答器通常被称为"RFID标签"。例如，图1是包括无源RFID标签12的示例性RFID系统10的示图。无源RFID标签12包括通信地耦合至天线16的集成电路（1C)14。1C14也可耦合至存储器18。标识号或其它特征被存储在1C14或存储在耦合到1C14的存储器18中。无源RIFD标签12通常被包括在主体20或其它外壳中。标识号可被提供给另一个系统，比如RFID读取器22,以提供用于各种目的的标识信息。无源RFID标签12不包括发射器。无源RFID标签12的天线16接收来自RFID读取器22中的发射器26的无线RF信号24,也被称为"询问信号"。无源RFID标签12从无线RF信号24的电磁场中采集能量以向1C14供电用于无源RFID标签12的操作。作为示例，RFID标签12可经由后向散射调制通信对无线RF信号24的接收进行响应，包括提供标识信息。[0004]无源RFID系统的性能依赖于系统中无源RFID标签的性能。为了增强性能，无源RFID标签应该最大化来自询问信号的功率采集用于RFID标签的操作。向无源RFID标签的阈值量的功率转移对于无源RFID标签操作是必要的。转移至无源RFID标签的功率量也影响无源RFID标签的通信范围。最大化功率采集的一种方法为最小化由于RFID标签阻抗失配引起的功率转移损耗。RFID标签天线具有固有阻抗（S卩，阻性和抗性）特性，从而当其适当地匹配于RFID芯片阻抗（S卩，负载）时，由天线接收的信号能量可被有效转移至RFID集成电路（1C)芯片（"RFID芯片"）用于操作。阻抗失配将导致信号能量在与失配量相当的程度下被RFID芯片反射（未吸收）。此外，如果无源RFID标签位于其它无源RFID标签的阵列或集群中，则RFID阻抗失配可混合。来自询问信号的能量可在集群中的多个无源RFID标签之间共享，藉此向每一无源RFID标签提供较少的功率转移。RFID芯片阻抗基于通过无源RFID标签天线所接收的信号的频率而变化，使阻抗匹配问题进一步复杂化。[0005]基于辐射耦合模式的RFID标签天线分类，RFID标签天线可为近场耦合或远场耦合。若需要短程RFID标签通信能力（例如，距离RFID读取器小于一个波长），则可采用分类为近场耦合的RFID标签天线。近场耦合包含主要感应地通过非辐射的信号磁场（"H-场"）的耦合功率，且对于功率采集具有强电抗效应。然而，近场效应随距离呈幂次快速降低。因而，近场RFID标签需保持靠近于RFID读取器以从信号能量中采集功率用于有效的RFID标签操作。若需要更长范围的RFID标签通信能力（例如，距离RFID读取器大于两个波长），则可采用分类为远场耦合的RFID标签天线。远场耦合包含主要通过电场（"E-场"）辐射耦合的功率，其比近场耦合随距离降低得慢。因此，对于分类为近场或远场耦合的RFID天线的任一选择，关于是否主要从信号功率的E-场或H-场分量中采集功率存在折衷。【
发明内容】[0006]在详细描述中公开的实施例包括不连续环形天线。也公开了相关部件、标签、系统以及方法。不连续环形天线为包括不连续部分的天线环结构。作为非限制性示例，不连续环形天线可耦合至RFID芯片以提供RFID标签。不连续部分允许不连续环形天线在大于不连续环形天线的一个波长处具有磁场灵敏度。因而，不连续环形天线相对于其它天线具有显著增强的近场灵敏度。增强的近场灵敏度提供近场耦合期间增强的功率采集效率。作为非限制性示例，具有不连续环形天线的RFID标签可从射频（RF)信号中获得比具有调谐至相同或相似的谐振频率的连续环形天线的RFID标签多高达一百（100)倍的功率采集。[0007]就此，设置在天线环结构中的不连续部分将间断电容器引入到天线环结构中。间断电容器的引入降低了天线环结构中的电感。因此，通过增加天线环结构的环面积，天线环结构的电感可因由不连续部分提供的降低的电感而增加。由于此增加的环面积，不连续环形天线在近场耦合期间为增强的功率采集效率提供增强的近场灵敏度。在近场耦合期间为增强的功率采集效率提供增强的近场灵敏度可允许RFID标签在特定环境或介质中不受影响，这在其它情况下是不太可能的。如同利用较小环面积的连续环形天线结构可获得的，同样通过增加不连续环形天线的电感，可保持至RFID芯片的阻抗匹配。[0008]此外，由于电容是通过环形天线结构中的不连续部分提供，因而可调整间断电容以使其降低来调谐不连续环形天线的谐振频率。这可从下述特性中获得，即通过串联且小于RFID芯片的固定电容，间断电容器主导和降低RFID标签的整体电容。因此，具有不连续环形天线的RFID标签可被调谐以匹配不同频带和/或应用于其中需要针对性能进行调谐的制品。[0009]可采用若干方法来增加不连续环形天线的环面积。一个示例性方法包括增加天线环结构的长度和/或宽度。另一示例性方法包括增加在不连续环形天线中形成不连续部分的天线环结构的重叠。可在不连续环形天线设计阶段期间提供这些方法。然而，由于设置在不连续环形天线中的不连续部分，即使在天线制造完成之后，改变不连续环形天线的电感和相应的中心频率也是可行的。不连续环形天线谐振频率可根据应用进行调谐。[0010]就此，在一实施例中，提供不连续环形天线。该不连续环形天线包括环形导体。不连续部分设置在环形导体中，在环形导体中形成间断电容器。在一实施例中，不连续部分由单个间断形成。[0011]在另一实施例中，提供射频识别（RFID)标签。RFID标签包括配置成接收RF功率的RFID集成电路（1C)芯片。RFID标签也包括电耦合至所述RFID1C芯片的不连续环形天线。不连续环形天线配置成从接收的RF信号中收集RF功率，且提供RF功率至RFID1C芯片以向所述RFID1C芯片供能。不连续环形天线可包括设置在环形导体中的不连续部分，在环形导体中形成间断电容器。[0012]在另一实施例中，提供由RFID标签天线接收射频（RF)信号的方法。该方法包括通过不连续环形天线接收RF信号。该方法也包括向RFID1C芯片提供RF信号。该方法同样包括利用来自RF信号的RF能量向RFID1C芯片供能。该方法还包括在RFID1C芯片中解调RF信号中的RF通信。不连续环形天线可包括设置在环形导体中的不连续部分，在环形导体中形成间断电容器。将在以下详细描述中阐述附加的特征和优点，这些特征和优点部分地对于本领域的技术人员来说根据描述将是显而易见的，或者通过实施包括以下详细描述、权利要求书以及附图的本文所述的发明可认识到。[0013]应当理解的是，以上一般描述和以下详细描述两者给出诸实施例，并旨在提供用于理解本公开的本质和特性的概观或框架。包括的附图提供了进一步的理解，并结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图示出了多个实施例，并与详细说明一起用来解释所公开的概念的原理和操作。附图简述[0014]图1是由来自RFID读取器的询问信号询问的示例性RFID标签的示图；[0015]图2是具有由设置在环形导体内的重叠形成的不连续部分的示例性不连续环形天线的示图；[0016]图3A是当在RFID标签中采用不连续环形天线时，间断电容、RFID芯片电容以及总的RFID标签电容的示例性标绘图；[0017]图3B和3C分别是具有用于调谐不连续环形天线的谐振频率的标记的示例性不连续环形天线和用于不连续环形天线的示例性调谐的图表；[0018]图4是具有由设置在环形导体内的重叠形成的不连续部分的另一示例性不连续环形天线的示图；[0019]图5A和5B是具有由设置在环形导体内的端隙形成的不连续部分的示例性不连续环形天线的示图；[0020]图6A和6B是具有由设置在环形导体内的内指叉部分形成的不连续部分的其它示例性不连续环形天线的示图；[0021]图7A和7B分别是不具有和具有静电放电分路的情况下，耦合至RFID芯片的不连续环形天线的示例性表示的等效电路图；[0022]图8A和8B是示例性连续环形天线和示例性不连续环形天线的示图。[0023]图8C是比较分别位于图8A和图8B中的连续环形天线和不连续环形天线在磁场中的功率耦合的绘图；[0024]图9A和9B是具有变化的间断间隙的其它示例性不连续环形天线的示图；[0025]图9C是比较分别位于图9A和9B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0026]图10A和10B是具有变化的天线环导体宽度的其它示例性不连续环形天线的示图；[0027]图10C是比较分别位于图10A和10B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0028]图11A和11B是在不连续处具有变化的天线环宽度的其它示例性不连续环形天线的示图；[0029]图11C是比较分别位于图11A和11B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0030]图12A和12B分别是具有内部和外部静电放电（ESD)环的其它示例性不连续环形天线的示图；[0031]图12C是比较分别位于图12A和12B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0032]图13A和13B是具有变化的形状因数的其它示例性不连续环形天线的示图；[0033]图13C是比较分别位于图13A和13B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0034]图13D是比较分别位于图13A和13B中的不连续环形天线在电场中的功率耦合的示例性绘图；[0035]图14A-14C是调谐用于不同中心频率的具有相同形状因数天线环尺寸的其它示例性不连续环形天线；[0036]图14D是比较分别位于图14A-14C中的不连续环形天线的作为频率函数的功率耦合的示例性绘图；[0037]图15A是通过重叠不连续环形导体及增加导体长度实现的尺寸适用于空间受限应用的另一示例性不连续环形天线的示图；[0038]图15B是示出图15A中的不连续环形天线在磁场中的功率稱合的示例性绘图；[0039]图16A-16C是调谐用于不同中心频率的具有与图15A中的不连续环形天线相同形状因数的其它示例性不连续环形天线的示图；[0040]图16D是比较分别位于图16A-16C中的不连续环形天线的作为频率函数的功率耦合的示例性绘图；[0041]图17A-17C是为不同的示例性应用设计的具有与图17A中不连续环形天线相同的形状因数的其它示例性不连续环形天线的示图；[0042]图17D是比较分别位于图17A-17C中的不连续环形天线的作为频率函数的功率耦合的示例性绘图；[0043]图18A是图15A中的不连续环形天线的示图；[0044]图18B是具有使用周边导体改进的功率耦合的另一示例性不连续环形天线的示图；[0045]图18C是比较分别位于图18A和18B中的不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0046]图19A和19B分别是其它示例性小尺寸连续和不连续环形天线的示图；[0047]图19C是比较分别位于图19A和19B中的连续和不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0048]图20A和20B分别是其它示例性小尺寸连续和不连续环形天线的示图；[0049]图20C是比较分别位于图20A和20B中的连续和不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0050]图21A和21B分别是其它示例性小尺寸连续环形天线和具有外部ESD分路的不连续环形天线的示图；[0051]图21C是比较分别位于图21A和21B中的连续和不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；[0052]图22A和22B分别是其它示例性小尺寸连续环形天线和具有内部ESD分路的不连续环形天线的示图；以及[0053]图22C是比较分别位于图22A和22B中的连续和不连续环形天线在磁场中的功率耦合的示例性绘图；详细描述[0054]现在详细参考实施例，其示例在附图中示出，附图中示出一些但并非全部实施例。事实上，概念可表现为很多不同的形式且在本文中不应解释为限制；相反，提供这些实施例以使得本公开满足生效的法律要求。将尽可能地使用相似附图标记来表示相似的部件或部分。[0055]RFID标签的性能参数是其灵敏度或被激活和做出响应所需的最小功率。典型的近场超高频（UHF)RFID标签天线为单环结构，其电感在标签操作频率下与芯片电容相匹配。然而，随着环形天线的环面积增加，从环境场中耦合到RFID标签的功率同样是增加的。但是，由于环形天线的环形天线电感与RFID芯片电容相匹配，因而环形天线的有用环面积受RFID芯片电容限制。因此，最大功率耦合和RFID标签场灵敏度受RFID芯片电容的限制。[0056]就此，详细描述中所公开的实施例包括不连续环形天线。也公开了相关部件、标签、系统以及方法。不连续环形天线为包括不连续部分的天线环结构。作为非限制性示例，不连续环形天线可耦合至RFID芯片以提供RFID标签。不连续部分允许不连续环形天线在大于不连续环形天线的一个波长处具有磁场灵敏度。因而，不连续环形天线相对于其它天线具有显著增加的近场灵敏度。不连续环形天线显著增加近场灵敏度。增强的近场灵敏度在近场耦合期间提供增强的功率采集效率。作为非限制性示例，具有不连续环形天线的RFID标签可从射频（RF)信号中获得比具有调谐至相同或相似的谐振频率的连续环形天线的RFID标签多达一百（100)倍的功率采集。[0057]就此，设置在天线环结构中的不连续部分将间断电容器引入天线环结构中。间断电容器的引入降低了天线环结构中的电感。因此，通过增加天线环结构中的环面积，天线环结构中的电感可因由不连续部分提供的降低的电感而增加。由于环面积增加，不连续环形天线在近场耦合期间为增强的功率采集效率提供增强的近场灵敏度。在近场耦合期间为增强的功率采集效率提供增强的近场灵敏度可允许RFID标签在特定环境或介质中不受影响，这在其它情况下是不太可能的。如同利用较小环面积的连续环形天线结构可获得的，同样通过增加不连续环形天线的电感，可保持与RFID芯片的阻抗匹配。[0058]此外，由于电容是通过环形天线结构中的不连续部分提供，因而可调整间断电容以使其降低来调谐不连续环形天线的谐振频率。这可从下述特性中获得，即通过串联且小于负载的固定电容，间断电容器主导并降低负载的整体电容。因此，具有不连续环形天线的负载可被调谐以匹配不同频带和/或应用于其中需要针对性能进行调谐的制品。[0059]通过使用如此处作为示例讨论的不连续环形天线，可增加天线环的环形面积的尺寸以增加环形天线电感，且因此增加场灵敏度和功率耦合，超过由连续环形天线所提供的。作为非限制性示例，可实现功率耦合中二十（20)dB的改进。此外，使用如此处作为示例讨论的不连续环形天线可提高环形天线的环模式耦合，而无需增加天线的总长度，因此相对于其它传统的远场耦合天线，允许不连续环形天线被设置成较小的形状因数。[0060]就此，图2是包括位于环形导体内的不连续部分以在环形导体中提供间断电容器的示例性不连续环形天线的示图。在图2的示例中，不连续部分具体地由在环形导体中形成的重叠形成，但注意不连续部分可以其它方式提供，如将在本公开中以其它示例所讨论的那样。如图2所示，提供不连续环形天线30(1)。作为非限制性示例，不连续环形天线30(1)配置成电耦合至RFID芯片以提供RFID标签32。RFID标签32可为无源RFID标签，意味着采集来自无线RF信号的电磁场的能量来为操作供能。RFID标签32也可为有源RFID标签，意味着提供能量源（诸如电池）来为操作供能。RFID标签32还可为半无源RFID标签，意味着除了能够从无线RF信号采集能量外，也可提供能量源（诸如电池）来为操作供能。本文公开的不连续环形天线可用于显著地增加近场灵敏度以及扩展无源、半无源和有源RFID标签的通信范围，每种RFID标签可被构想为如图2中的RFID标签32。[0061]继续参照图2,不连续环形天线30(1)包括环形导体34(1)。在此实施例中，环形导体34(1)包括第一导体36A(1)和第二导体36B(1)。例如，第一和第二导体36A(1)，36B(1)可为导线。作为另一示例，若RFID标签32安装在基板或印刷电路板（PCB)上，则第一和第二导体36A(1)，36B(1)可为基板中或PCB中的导电迹线，这作为非限制性示例。如图2所示，第一导体36A(1)和第二导体36B(1)是按封闭的环状形式排布的以在具有环形导体电感的封闭环形导体34(1)内形成环形导体面积38。不连续部分40(1)设置在环形导体34(1)中，相关于设置在第一和第二导体36A(1)，36B(1)之间的不连续性。不连续部分40(1)在环形导体34(1)内形成间断电容器41(1)。如上所述，在环形导体34(1)中引入间断电容器41(1)降低了环形导体34(1)电感。[0062]继续参照图2,第一导体36(1)设置有具有第一宽度&的第一长度。第一导体36A(1)具有配置成电耦合至RFID芯片46的第一天线节点44A以供天线耦合的第一端42。第一导体36A(1)还具有设置在第二端50处的第二长度0lenl(len:长度）的第二端部48(1)。还提供了环形导体34(1)的第二导体36B(1)。第二导体36B(1)同样具有第一长度L2和第一宽度I。第二导体36B(1)具有配置成电耦合至RFID芯片46的第二天线节点44B以供天线耦合的第一端52。第二导体36B(1)具有设置在第二导体36B(1)的第二端56处的第二长度〇lenl的第二端部54(1)。[0063]由于将不连续部分40(1)引入不连续环形天线30(1)的环形导体34(1)中，电感'L'的公式如下所示，其中'Ldis'是电感修正因子。由于不连续部分40(1)的引入，环形导体34(1)的有效电感减小等于'Ldis'的量，且通过分别增加第一和第二导体36A(1)、36B(1)的第二端部48(1)、54(1)的重叠长度0lenl，此修正因子可减少至零。对于不连续环形天线30(1)的电感等于等效尺寸的连续环形天线的电感，重叠长度0lml在下面的电感公式中被称为'〇len。'。一旦增加重叠长度〇lenl超过'〇len。'，不连续环形天线30(1)的电感可增加超过由等效尺寸连续环形天线提供的电感。【权利要求】1.一种射频识别（RFID)标签，包括：RFID集成电路（1C)芯片，配置成接收RF功率；以及不连续环形天线，电耦合至所述RFID1C芯片，所述不连续环形天线配置成从所接收的RF信号收集RF功率，并且向所述RFID1C芯片提供所述RF功率以向所述RFID1C芯片供能。2.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述RFID标签设置为无源或半无源RFID标签。3.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述RFID标签设置为有源RFID标签。4.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线与所述RFID1C芯片阻抗匹配。5.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线包括：环形导体；以及不连续部分，设置在所述环形导体中，在所述环形导体中形成间断电容。6.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述间断电容小于所述RFID1C芯片的电容。7.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述RFID标签设置在玻璃介质、聚酰亚胺介质以及纸介质中的至少一个上。8.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述RFID标签设置在液体中或设置在液体的RFID标签通信范围内。9.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线配置成调谐至与调节所述不连续部分相关的谐振频率。10.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线配置成调谐至与调节所述间断电容器的间断电容相关的谐振频率。11.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线配置成调谐至与调节所述不连续部分以改变所述环形导体的电感相关的谐振频率。12.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续环形天线具有可调阻抗，所述可调阻抗配置成通过调节所述不连续部分来调整。13.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续部分由设置在所述环形导体中彼此相距重叠距离的重叠导体形成。14.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续部分由间隙不连续形成，所述间隙不连续具有形成在所述环形导体中的间隙距离。15.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述不连续部分由第一宽度的宽度减小部分形成，所述宽度减小部分形成在具有比所述第一宽度大的第二宽度的所述环形导体中。16.-种通过RFID标签的RFID标签天线接收射频（RF)信号的方法，包括：通过不连续环形天线接收RF信号，所述不连续环形天线包括环形导体以及设置在所述环形导体中以在所述环形导体中形成间断电容器的不连续部分；向RFID1C芯片提供所述RF信号；利用来自所述RF信号的RF能量向所述RFID1C芯片供能；以及在所述RFID1C芯片中解调所述RF信号中的RF通信。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括将所述不连续环形天线调谐至与调节所述不连续部分相关的谐振频率。18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括将所述不连续环形天线调谐至与调节所述间断电容器的间断电容相关的谐振频率。19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括将所述不连续环形天线调谐至与调节所述不连续部分以改变所述环形导体的电感相关的谐振频率。20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括调节所述不连续部分以调节所述环形导体的阻抗。21.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括通过在设置于所述环形导体中的标记处修剪所述环形导体以调节所述不连续部分来调谐所述不连续环形天线的谐振频率。22.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括通过在设置于所述环形导体中的标记处修剪所述环形导体以基于基底材料调节所述不连续部分来调谐谐振频率。23.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括减小所述不连续部分的间断电容，所述减小包括减小形成所述不连续部分的重叠导体之间的重叠距离。24.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括减小所述不连续部分的间断电容，所述减小包括增加形成所述不连续部分的间隙不连续中的间隙距离。25.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括减小所述不连续部分的间断电容，所述减小包括减小形成在所述环形导体中构成所述不连续部分的宽度减小部分的第一宽度，其中所述环形导体具有大于所述第一宽度的第二宽度。26.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括通过增加所述环形导体的环面积增加所述环形导体的电感。27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，增加所述环形导体的电感包括增加形成所述不连续部分的重叠导体之间的重叠距离。28.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括调整所述环形导体的长宽比以控制所述不连续环形天线的相对H-场和E-场灵敏度。29.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括通过调节所述不连续部分来调节所述RFID标签的阻抗。【文档编号】H01Q1/22GK104508904SQ201380023129【公开日】2015年4月8日申请日期:2013年4月30日优先权日:2012年5月1日【发明者】J·K·威玛吉利,R·E·瓦格纳,M·S·怀廷申请人:康宁股份有限公司