光照射装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种光照射装置，防止因在一对外部电极间形成的电场的影响而在被处理体上的布线图案处发生异常放电而受损伤。该光照射装置具备在发光管的上下外表面上配置一对外部电极而成的准分子灯、及收容该准分子灯并且在下方设置有光取出开口的外壳，所述一对外部电极中的、与被处理体对置的下方的外部电极被施加低电压，上方的外部电极被施加高电压，其特征在于，在所述外壳的光取出开口上，在所述高压侧的外部电极与被处理体之间且沿着所述准分子灯的长度方向的位置，具备电场遮蔽部件，该电场遮蔽部件对在所述高压侧的外部电极与所述低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽。
【专利说明】光照射装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及具备具有外部电极的准分子灯的光照射装置，尤其涉及用于对表面形成有微细的布线图案的玻璃基板等被处理体照射紫外线来进行处理的光照射装置。
【背景技术】
[0002]在半导体基板、液晶基板等的制造工序中，作为除去在半导体基板即晶片、液晶基板即玻璃基板等被处理体的表面上附着的有机化合物等污垢的方法，广泛利用使用了紫外线的干式洗净方法。尤其在使用了真空紫外线的基于臭氧、活性氧的洗浄方法中，使用了更高效地以短时间进行洗浄的光照射装置，例如，已知有日本特开2010 - 125368号公报(专利文献I)。
[0003]图3、4是专利文献I中公开的光照射装置的概略构成图。
[0004]在光照射装置21中，在铅垂方向的下方侧具有光取出开口的金属制的灯罩22的内部，作为光源而配置有封入了氙等发光气体的准分子灯23。在灯罩22的顶面附近，设置有用于供给惰性气体的惰性气体供给管24、24。
[0005]所述准分子灯23配置在该气体供给管24、24所夹的空间的铅垂下方，作为被处理体(工件)的玻璃基板W在准分子灯23的更下方通过。
[0006]所述准分子灯23在放电容器25的上下外表面上具备一对外部电极26、27，该一对外部电极26、27夹着放电容器25内的放电空间而对置配置，上方的外部电极26被施加高电压从而作为高压电极发挥功能，与被处理体W对置的下方的外部电极27被施加低电压从而作为低压电极发挥功能。而且，至少下方的外部电极27由于网眼构造等而被设为光透射性。
[0007]在对上述外部电极26、27施加高频高电压时，在放电容器25内发生氙气体的准分子发光，产生波长172nm的紫外线,从放电容器25的下方照射位于外壳21的下方的被处理体W。
[0008]被处理体W例如是液晶面板用的玻璃基板，当通过输送辊等输送的被处理体W到达准分子灯23的正下方时，被照射来自该准分子灯23的真空紫外线。在被处理体W的表面上，紫外线以及在周围生成的活性氧等起作用，从而有机物被分解除去，洗浄后的被处理体W被搬出到外壳22的外部。
[0009]此外，出于极力抑制从灯放射的紫外线的衰减的目的，经由气体供给管24、24向收容准分子灯23的外壳22的内部导入并填充氮气等惰性气体。
[0010]但是，在液晶面板用玻璃基板等作为所述被处理体W的情况下，光照射处理在被加工成液晶面板用之前的状态下进行，因此，如图4所示，基板(被处理体)W上，有在表面上露出了以导电性物质形成的布线图案30的情况。这种情况下，在用上述光照射装置21通过光照射来处理基板W时，有时会发生该导电性物质破损等事故。
[0011]对于这种损伤，本发明的各发明人进行了仔细研究，结果查清了这种损伤的原因是:通过对准分子灯23的外部电极26、27施加的高电压，在灯的周围形成电场，并且该电场波及到被处理体W。
[0012]参照图5、图6对该现象进行说明。
[0013]图5是表示外壳22内配设有准分子灯23的光照射装置21的作用的示意图，外壳22以SUS板、铝板构成，在其内部的下方收容有准分子灯23。
[0014]在准分子灯23的上下外表面上设置的一对外部电极26、27间，施加高频高电压，但通常在准分子灯23的上方外部电极26施加高电压，在与被处理体W对置的下方外部电极27施加低电压。因此，在准分子灯23的上表面侧形成较强的电场X。
[0015]也有准分子灯23和被处理体W配置在接近的位置的情况，该电场X的一部分如图5所示那样，形成为其等电位线达到准分子灯23的下方的被处理体W的位置。
[0016]图6是将图5所示的光照射装置的准分子灯23以及工件W沿着工件W的输送方向切断的局部放大剖视图。
[0017]在玻璃基板等被处理体W上形成的导电性物质的布线图案30是各种各样的，近来形成微细的布线图案的情况很多，根据基板上的导电性物质的配置状态，如图所示那样接受由施加到准分子灯23的高电压所引起的电场，通过布线图案30而在邻接的导电性物质之间产生电位差，这期间有时发生异常放电Y。
[0018]其结果是，可以推测到导电性物质产生电火花而飞散并破损。
[0019]专利文献1:日本特开2010 - 125368号公报
【发明内容】
[0020]本发明鉴于上述现有技术的问题点，提供一种光照射装置的构造，该光照射装置在下方设置有光取出开口的外壳内收容在放电容器的上下外表面上具备一对外部电极的准分子灯而成，不会使在上下外部电极间产生的电场的影响波及到被处理体，能够防止被处理体上的布线图案发生异常放电，能够防止布线图案破损，可靠性高。
[0021]为了解决上述课题，本发明的光照射装置，其特征在于，在所述外壳的光取出开口上，在高压侧的外部电极与被处理体之间且沿着所述准分子灯的长度方向的位置，具备电场遮蔽部件，该电场遮蔽部件对在高压侧的外部电极与低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽。
[0022]另外，特征在于，所述电场遮蔽部件与所述外壳电连接，并经由该外壳接地。
[0023]另外，特征在于，在所述外壳内，具备供给惰性气体的气体供给单元，所述电场遮蔽部件具备通风孔，该通风孔使所述惰性气体朝向所述被处理体流出。
[0024]通过本发明的光照射装置，起到如下效果:不会出现因施加至准分子灯的高频高电压而在一对外部电极间形成的电场的影响波及到被处理体的情况，所以在对表面上形成有由导电性物质构成的布线图案的被处理体进行处理时，也不会在布线图案间发生不期望的异常放电，能够将构成布线图案的导电性物质的损伤防患于未然。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1是本发明的光照射装置的剖视图。
[0026]图2是说明本发明的作用的剖视图。
[0027]图3是以往的光照射装置的剖视图。[0028]图4是其一部分的放大立体图。
[0029]图5是说明以往的光照射装置的作用的剖视图。
[0030]图6是其一部分的放大剖视图。
[0031]附图标记说明
[0032]I光照射装置
[0033]2 外壳
[0034]2a光取出开口
[0035]3准分子灯
[0036]4惰性气体供给管
[0037]5放电容器
[0038]6高压侧外部电极
[0039]7低压侧外部电极
[0040]9外部电源
[0041]10电场遮蔽部件
[0042]11光取出窗
[0043]12通风孔
[0044]W 工件
[0045]X 电场
[0046]Y异常放电
【具体实施方式】
[0047]图1是表示本发明的光照射装置的构成的剖视图。光照射装置I在外壳2的内部配设有准分子灯3，被处理体W通过输送机构在准分子灯3的下方进行输送，在通过准分子灯3的正下方时，从该准分子灯3放射出的紫外线例如波长172nm的真空紫外线照射到该被处理体W上，进行表面的干式洗净。
[0048]在所述外壳2内的上方的顶面部附近，设置有惰性气体供给管4、4，氮气等惰性气体被导入并填充到外壳2内，抑制来自灯2的真空紫外线的衰减。
[0049]另外，所述外壳2的下端形成有来自准分子灯3的光取出开口 2a。
[0050]准分子灯3具备剖面呈扁平矩形形状的放电容器5，在放电容器5的内部，以规定的封入量封入了准分子放电用的气体作为发光气体。在使用氙气作为发光气体的情况下，通常封入10?70kPa。
[0051]在该准分子灯3的放电容器5的上下外表面上,设置有一对外部电极6、7，至少与被处理体W对置的下方的外部电极7由于网眼构造等而被设为透光性。
[0052]所述外部电极6、7与外部电源9连接，以准分子灯3的上侧的外部电极6为高压侧且与被处理体W对置的下侧的外部电极7为低压侧的方式被施加高频高电压。
[0053]在外壳2的下端的光取出开口 2a上，设置有电场遮蔽部件10。该电场遮蔽部件10由板状部件构成，在准分子灯3的高压侧的外部电极6与被处理体W之间沿着所述准分子灯3的长度方向设置，设置该电场遮蔽部件10，以遮蔽在所述高压侧的外部电极6与所述低压侧的外部电极7之间形成的电场。[0054]在该实施例中，所述电场遮蔽部件10在准分子灯3的放电容器5的下表面侧、与放电容器5的侧面接近地、沿着放电容器5的长度方向设置。在该电场遮蔽部件10上，与准分子灯3对应地形成有光取出窗11，来自所述准分子灯3的出射光从该光取出窗11向被处理体W照射。
[0055]该电场遮断部件10与外壳2为电连接，经由该外壳3被接地到地，始终处于GND电位。
[0056]另外，如图1所示，在外壳2上设置有惰性气体供给管4、4的情况下，也可以在所述电场遮蔽部件10上设置通风孔12并向被处理体W吹送惰性气体。此时，需要根据准分子灯3的输入电力等，以由该准分子灯3所引起的电场不经由通风孔12漏出的程度设定通风孔12的大小、间距。
[0057]基于图2说明本发明的作用。在对准分子灯3的外部电极6、7间施加高电压时，在上述电极6、7间形成电场X，但电场X的一部分被所述电场遮蔽部件10遮蔽而止于外壳2内，不会波及到被处理体W侧。因此，即使在该被处理体W的表面上形成有布线图案等导电性物质，也不会在布线图案间产生电位差，不会发生异常的放电，所以能够将构成布线图案的导电性物质的损伤防患于未然，能够对被处理体W照射规定的紫外线并安全地进行期望的处理。
[0058]此外，为了根据准分子灯3按照与用途的关系来选择来自灯的出射光的波长，也可以设为在放电容器5的内表面涂敷有突光体的构造。
[0059]以下，关于本发明所涉及的光照射装置1，例示具体的数值。
[0060]准分子灯3中，放电容器5的全长为2100mm，宽度方向的长度为42mm，高度方向的长度为15mm,构成放电容器5的石英玻璃的壁厚为2.5mm。
[0061]在此，放电容器5的四角的弯曲部具有1.5mm以上的曲率半径R。
[0062]对准分子灯3的输入负载为2?3W/cm。
[0063]外壳2的全长为2300mm、高度为50mm、宽度为150mm。
[0064]惰性气体的流量为300L/分。在为该流量时，外壳2内的氧浓度约为0.5?3%。
[0065]电场遮蔽板10是材质由SUS构成的板状体，板的厚度为0.5?2mm。另外，中央的开口(光取出窗11)的尺寸例如是2100mmX45mm。
[0066]并且，电场遮蔽部件10与高压侧的外部电极6的距离约为15mm，与低压侧的外部电极7的距离约为O?5mm。
[0067]该电场遮蔽部件10例如以冲压金属(punching metal)形成，并具有由交错状(日语:千鳥状)地形成的圆孔构成的通风孔12。关于通风孔12，若举出一例，则孔的直径为6mm,中心间距为8mm,开口率为51 %,若举出另一例，则孔的直径为1.5mm,中心间距为2mm,开口率同样为51%。
[0068]如以上说明，在本发明中，收容了准分子灯的外壳的光取出开口上，在所述准分子灯的高压侧的外部电极与被处理体之间，具备对在该高压侧的外部电极与低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽的电场遮蔽部件，由此对一对外部电极间施加了高频高电压时所形成的电场的一部分被所述电场遮蔽部件遮蔽，而不会波及被处理体侧，不会在被处理体上的布线图案间引起异常放电，能够防止布线图案的损伤。
【权利要求】
1.一种光照射装置，具备: 准分子灯，在封入了发光气体的发光管的上下外表面上配置一对外部电极而成；以及 外壳，收容该准分子灯并且在下方设置有光取出开口， 所述一对外部电极中的、与被处理体对置的下方的外部电极被施加低电压，上方的外部电极被施加高电压， 该光照射装置的特征在于， 在所述外壳的光取出开口上，在所述高压侧的外部电极与被处理体之间且沿着所述准分子灯的长度方向的位置，具备电场遮蔽部件，该电场遮蔽部件对在所述高压侧的外部电极与所述低压侧的外部电极之间形成的电场进行遮蔽。
2.如权利要求1所述的光照射装置，其特征在于， 所述电场遮蔽部件与所述外壳电连接，并经由该外壳接地。
3.如权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于， 在所述外壳内，具备供给惰性气体的气体供给单元， 所述电场遮蔽部件具备通风孔，该通风孔使所述惰性气体朝向所述被处理体流出。
【文档编号】H01L21/67GK103943536SQ201410007906
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年1月7日 优先权日:2013年1月21日
【发明者】千贺岳人 申请人:优志旺电机株式会社