防老化光电位移传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种防老化光电位移传感器，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。通过在经超声清洗的Si基片上沉积Al掺杂ZnO薄膜替代金属-氧化物-半导体结构中金属薄膜层，可以得到基于侧向光伏效应的防老化光电位移传感器。该传感器的非线性率可以控制在3.22%,位置灵敏度可以达到41.85mV/mm。且由于直接使用Al掺杂ZnO靶材，制备工艺简单，可以在实际生产中大规模制备。
【专利说明】防老化光电位移传感器
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电位移探测器领域，特别是涉及一种基于侧向光伏效应的光电位移传感器。
【背景技术】
[0002]近年来，基于侧向光伏效应的光电位移传感器在金属-氧化物-半导体(MOS)或基于金属-半导体(MS)结构的光电位移传感器因为精度较高、线性度良好且造价相对低廉受到了极大关注，开始在军事、工业检测等领域得到广泛应用。不同的金属材料包括钛(Ti)、钴(Co)及铜(Cu)等因可以改善位移传感器的线性度或灵敏度而被广泛研究。然而，在实际应用过程中，金属材料因极易被氧化，造成器件老化而影响器件性能。因此，有必要探索出能够防止器件老化的工艺或新的材料。
[0003]经过对现有技术的检索发现，有文献提出在金属层外额外沉积一层TiO2氧化薄膜从而形成氧化物-金属-半导体结构，用于提高器件性能并防止老化。但对氧化层的厚度要求苛刻且成分较难均匀，在实际应用中较难实现。
【发明内容】
[0004]本发明针对现有的基于侧向光伏效应的光电位移传感器在实际应用中存在的明显缺陷，在空气中极易老化使得器件效应消失，提出用磁控溅射技术制备Al掺杂ZnO薄膜，替代金属-氧化物-半导体结构中金属薄膜层，从而制备出高线性度、高精确度、防老化性能优异的光电位移探测器。
[0005]—种防老化光电位移传感器，其特征在于，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。
[0006]所述的半导体衬底是经超声清洗的η型Si基底，厚度为0.3mm，电阻率为50-80 Ω.cm,表面的自然氧化层二氧化娃厚度为1.2nm。
[0007]所述的Al掺杂氧化锌薄膜是用磁控溅射技术制备，厚度为20_200nm。
[0008]所述的Al掺杂氧化锌薄膜是用磁控溅射技术制备，是将磁控溅射室本底真空抽至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，利用磁控溅射设定溅射功率为40W,靶材为2%三氧化二铝，98%氧化锌的Al掺杂氧化锌靶材，溅射时间为200-1600秒。
[0009]所述的电极，为直径不超过Imm铟点电极，两电极之间的距离不超过4mm。
[0010]本发明对基于侧向光伏效应的光电位移传感器具有以下增益效果:
1、本发明通过将Al掺杂ZnO替代传统的金属薄膜层，可以显著提高基于侧向光伏效应的光电位移传感器的抗老化性。
[0011]2、本发明通过设置Al掺杂ZnO薄膜层的厚度，使得基于侧向光伏效应的光电位移传感器灵敏度和线性度达到最优。
[0012]3、本发明涉及材料成本较低，制备简单，沉积过程易于控制，可实现大规模生产应用。【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1防老化光电位移传感器结构示意图。
[0014]图2为两个电极间距离为4mm时,侧向光伏随光照位置的变化关系。
[0015]图3样品3与样品7的刚制备好以及在空气中放置I月以后的性能比较图。
【具体实施方式】
[0016]下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
[0017]实施例1:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 200s,制成厚度约25 nm的薄膜。
[0018]实施例2:
将Si基片用丙 酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 400s，制成厚度约49 nm的薄膜。
[0019]实施例3:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 600s,制成厚度约74 nm的薄膜。
[0020]实施例4:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 800s，制成厚度约100 nm的薄膜。
[0021]实施例5:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 1000s,制成厚度约124 nm的薄膜。
[0022]实施例6:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 1200s,制成厚度约148 nm的薄膜。
[0023]实施例7:
将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 1400s,制成厚度约173 nm的薄膜。
[0024]实施例8:将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净，干燥后，放入磁控溅射腔，抽真空至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，设置溅射功率为40W，溅射Al掺杂ZnO靶材(2% Al2O3, 98% ZnO) 1600s,制成厚度约200nm的薄膜。
[0025]将实施例1-8的Al掺杂ZnO薄膜表面分别压上铟点形成电极，可形成简单的基于侧向光伏效应的一维光电位移探测器。当激光照射在Al掺杂ZnO薄膜表面上两个电极间不同的位置时，两电极的输出电压不同。该输出电压称为侧向光伏。图2为两个电极间距离为4_时，侧向光伏随光照位置的变化关系。表1给出了实施例1-8的侧向光伏效应的位置灵敏度和非线性率。
[0026]表1
【权利要求】
1.一种防老化光电位移传感器，其特征在于，包括半导体衬底、半导体衬底表面的Al掺杂氧化锌薄膜以及薄膜表面的两个铟点电极。
2.根据权利要求1所述防老化光电位移传感器，其特征在于，所述的半导体衬底是经超声清洗的η型Si基底，厚度为0.3mm,电阻率为50-80 Ω.cm，表面的自然氧化层二氧化硅厚度为1.2nm。
3.根据权利要求1所述防老化光电位移传感器，其特征在于，所述的Al掺杂氧化锌薄膜是用磁控溅射技术制备，厚度为20-200nm。
4.根据权利要求3所述防老化光电位移传感器，其特征在于，所述的Al掺杂氧化锌薄膜是用磁控溅射技术制备，是将磁控溅射室本底真空抽至10_5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到0.7Pa，利用磁控溅射设定溅射功率为40W，靶材为2%三氧化二铝，98%氧化锌的Al掺杂氧化锌靶材，溅射时间为200-1600秒。
5.根据权利要求1所述防老化光电位移传感器，其特征在于，所述的电极，为直径不超过Imm铟点电极 ,两电极之间的距离不超过4mm。
【文档编号】H01L31/09GK104022168SQ201410229653
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】何丹农, 卢静, 尹桂林 申请人:上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司