一种oled面板及显示装置制造方法

文档序号:7054120阅读:119来源:国知局
一种oled面板及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种OLED面板,包括多个像素结构,所述像素结构包括:发光单元,所述发光单元的发射光的波长为第一波长;由量子点形成的像素层,所述量子点的激发光的波长为所述第一波长,所述量子点的发射光的波长为第二波长;所述像素层的出光面覆盖有光吸收层,所述光吸收层用于吸收波长处于所述第二波长范围外的光。本发明还提供一种显示装置。本发明的有益效果是:光吸收层的设置解决环境光源对像素层的影响问题,同时消除有色背光在像素层上漏光的问题。
【专利说明】-种OLED面板及显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及0LED显示【技术领域】,尤其涉及一种0LED面板及显示装置。

【背景技术】
[0002] 量子点(quantumdots,QDs)是由有限数目的原子组成,三个维度尺寸均在纳米数 量级。量子点一般为球形或类球形,是由半导体材料(通常由II B?VI B或IIIB?VB元 素组成)制成的、稳定直径在1?l〇〇nm的纳米粒子又称半导体纳米晶。能够接受激发光 产生荧光的,由于其具有量子尺寸效应使其具有独特的光学和电学性质,其光学性质主要 取决于其尺寸大小,其激发光谱窄而发射光谱宽的特点,通过改变量子点的尺寸和它的化 学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。同时具有荧光强度高,抗光漂白能力强等特 点。目前,量子点材料已经被应用于照明及背光源等领域用来提高发光效率及色域。
[0003] 现有的各种0LED中,RGB三色0LED制作工艺比较复杂,且不容易实现高分辨率; 而白光0LED采用在发光模块上面加 RGB彩膜的结构比较容易实现高分辨率,但由于RGB彩 膜的透过率比较低,会影响显示装置的亮度;采用RGBW彩膜的0LED,通过增加一个像素 W 来增加显示装置亮度,但是这样会影响显示装置的色域。采用量子点彩膜就可以解决这些 问题,然而量子点彩膜易受环境光影响,降低显示品质。


【发明内容】

[0004] 为了解决上述技术问题,本发明提供一种0LED面板及显示装置,解决环境光源对 像素层的影响问题。
[0005] 为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种0LED面板,包括多个像素结 构,所述像素结构包括:
[0006] 发光单兀,所述发光单兀的发射光的波长为第一波长;
[0007] 由量子点形成的像素层,所述量子点的激发光的波长为所述第一波长,所述量子 点的发射光的波长为第二波长;
[0008] 所述像素层的出光面覆盖有光吸收层,所述光吸收层用于吸收波长处于所述第二 波长范围外的光。
[0009] 进一步的,所述发光单元的发射光为近紫外光,所述光吸收层为用于吸收从所述 像素层透过的近紫外光以及环境光中的紫外光的紫外吸收层。
[0010] 进一步的,所述紫外吸收层由紫外吸收剂UVP-327制成,所述紫外吸收剂UVP-327 包括水杨酸及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、磺酸基。
[0011] 进一步的,所述像素层包括:
[0012] 经所述近紫外光照射可激发出红光的量子点形成的红色像素层;
[0013] 经所述近紫外光照射可激发出绿光的量子点形成的绿色像素层;
[0014] 经所述近紫外光照射可激发出蓝光的量子点形成的蓝色像素层。
[0015] 进一步的,所述像素层由两层量子点形成。
[0016] 进一步的,所述发光单元为可发出近紫外光的有机电致发光器件。
[0017] 进一步的,所述有机电致发光器件包括:
[0018] 衬底;
[0019] 依次形成于所述衬底上的阳极、有机功能层、阴极,所述有机功能层包括由在外加 电源的驱动下可发出近紫外光的荧光材料构成的发光层。
[0020] 进一步的,相邻像素结构之间通过黑矩阵隔离。
[0021] 本发明还提供一种显示装置,其特征在于,包括上述的0LED面板。
[0022] 本发明的有益效果是:光吸收层的设置解决环境光源对像素层的影响问题,同时 消除有色背光在像素层上漏光的问题。

【专利附图】

【附图说明】
[0023] 图1表示本发明0LED面板结构示意图。

【具体实施方式】
[0024] 以下结合附图对本发明的结构和原理进行详细说明,所举实施例仅用于解释本发 明,并非以此限定本发明的保护范围。
[0025] 如图1所示,本实施例提供一种0LED面板,包括多个像素结构,所述像素结构包 括:
[0026] 发光单兀1,所述发光单兀1的发射光的波长为第一波长;
[0027] 由量子点形成的像素层,所述量子点的激发光的波长为所述第一波长,所述量子 点的发射光的波长为第二波长;
[0028] 所述像素层的出光面覆盖有光吸收层3,所述光吸收层3用于吸收波长处于所述 第二波长范围外的光。
[0029] 本实施例中,采用量子点形成像素层,量子点光致发光由于其激发光谱宽而发射 光谱窄(其发射光谱的波长区间为几个纳米),因而采用量子点作为像素层的像素材料,能 够得到单色性极高的红、绿、蓝三基色;而光吸收层 3的设置可以吸收波长处于所述第二波 长范围外的光,即可防止环境光对像素层发光的影响以及吸收所述发光单元1的发射光透 过像素层的光防止造成漏光。
[0030] 本实施例中,所述像素层包括:
[0031] 经所述近紫外光照射可激发出红光的量子点形成的红色像素层23 ;
[0032] 经所述近紫外光照射可激发出绿光的量子点形成的绿色像素层22 ;
[0033] 经所述近紫外光照射可激发出蓝光的量子点形成的蓝色像素层21。
[0034] 本实施例中,相邻像素结构之间通过黑矩阵4隔离。
[0035] 由于量子点是纳米球型结构且自身发光,因而不需要视角补偿膜,具有极佳的视 角。
[0036] 本实施例中形成每个像素层的量子点可以包括1层或多层。
[0037] 本实施例优选的,量子点的分布为双层,如图1中所示,避免由于量子点分布过于 密集,以影响响应像素层的光效;或者避免量子点过于稀疏导致相应像素层漏光严重,导致 像素层的光效降低。
[0038] 为了更好的提高像素层的光效,相邻两层量子点可以交错设置。
[0039] 本实施例中,所述发光单元1的发射光的第一波长要满足可以激发量子点发光的 要求,而满足可以激发量子点发光的光包括紫光、蓝光等,但是如果所述发光单元1的发射 光为蓝光,由于像素层包括蓝色像素层21,则蓝光不能被光吸收层3吸收以免影响蓝色像 素层21的光效,则从蓝色像素层21透过的蓝光无法被光吸收层3吸收,会造成漏光,所以 优选的,本实施例中,所述发光单元1的发射光为近紫外光,所述光吸收层3为用于吸收从 所述像素层透过的近紫外光以及环境光中的紫外光的紫外吸收层。
[0040] 紫外吸收层可以吸收所述发光单元1发出的、并从所述像素层透过的近紫外光用 于提高像素的色纯度;同时,紫外吸收层可以吸收环境光中的紫外光组分,进而防止环境光 对于像素层上量子点发光的影响。
[0041] 本实施例中,所述紫外吸收层由紫外吸收剂UVP-327制成,所述紫外吸收剂 UVP-327包括水杨酸及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、磺酸基。
[0042] 紫外线吸收剂UVP-327可吸收270?380纳米的紫外线,其具有化学稳定性好,耐 热及机械性能好以及树脂及烯烃类材料相容性好,易于加工,用量少、价格低廉等性质。水 杨酸及其衍生物有效吸收波长范围290nm-320nm,苯并三唑及其衍生物有效吸收波长范围 300-400,通过加入磺酸基改变其吸收波长范围的蓝移。因而可以用来解决紫外发光单元1 下彩膜的漏光问题。
[0043] 本实施例中,所述发光单元1为可发出近紫外光的有机电致发光器件。
[0044] 进一步的,所述有机电致发光器件包括:
[0045] 衬底;
[0046] 依次形成于所述衬底上的阳极、有机功能层、阴极,所述有机功能层包括由在外加 电源的驱动下可发出近紫外光的荧光材料构成的发光层。
[0047] 本实施例中,所述发光层为发出蓝光的突光材料和发出红光的磷光材料的组合 层,在外加电源的驱动下发出近紫外光。,所述发出蓝光的荧光材料是芳香二胺类化合物、 星形三苯胺化合物、咔唑类聚合物、金属配合物、DPVBi、BCzVB、Perylene和BczVBi中的一 种或多种,所述芳香族二胺类化合物是Ν,Ν' -双-(3-甲基苯基)-Ν,Ν' -二苯基-[1,Γ -联 苯基]-4, 4' -二胺;所述星形三苯胺化合物是三-[4-(5_苯基-2-噻吩基)苯]胺,所述 咔唑类聚合物是聚乙烯咔唑,所述金属配合物是BAlq。
[0048] 所述发出红光的磷光材料是PtOEP或Os(fptz)2(pph2Me) 2红光材料系列。
[0049] 所述阳极和阴极分别设置有注入层,所述有机功能层还包括空穴传输层、具有电 子传输能力的空穴阻挡层、电子传输层中,所述电子传输层和注入层可以是金属配合物材 料,所述金属配合物材料是8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉镓或者双[2- (2-羟基苯基-1)-吡 啶]铍等具有中心金属原子的一类化合物;具有电子传输能力的空穴阻挡层可以是N-乙烯 基咔唑等具有电子传输能力且能阻挡空穴的一类材料。
[0050] 需要说明的是,有机电致发光器件的结构形式可以有多种,形成有机电致发光器 件各部分结构的材料也可以有多种,以上并非对本发明有机电致发光器件的限定,只要可 以实现发出近紫外光即可。
[0051] 本发明还提供一种显示装置,其特征在于,包括上述的0LED面板。
[0052] 以上所述为本发明较佳实施例,需要指出的是,对于本领域普通技术人员来说,在 不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为 本发明保护范围。
【权利要求】
1. 一种OLED面板,包括多个像素结构,其特征在于,所述像素结构包括: 发光单元,所述发光单元的发射光的波长为第一波长; 由量子点形成的像素层,所述量子点的激发光的波长为所述第一波长,所述量子点的 发射光的波长为第二波长; 所述像素层的出光面覆盖有光吸收层,所述光吸收层用于吸收波长处于所述第二波长 范围外的光。
2. 根据权利要求1所述的0LED面板,其特征在于,所述发光单元的发射光为近紫外光, 所述光吸收层为用于吸收从所述像素层透过的近紫外光以及环境光中的紫外光的紫外吸 收层。
3. 根据权利要求2所述的0LED面板,其特征在于,所述紫外吸收层由紫外吸收剂 UVP-327制成,所述紫外吸收剂UVP-327包括水杨酸及其衍生物、苯并三唑及其衍生物、磺 酸基。
4. 根据权利要求2所述的0LED面板,其特征在于,所述像素层包括: 经所述近紫外光照射可激发出红光的量子点形成的红色像素层; 经所述近紫外光照射可激发出绿光的量子点形成的绿色像素层; 经所述近紫外光照射可激发出蓝光的量子点形成的蓝色像素层。
5. 根据权利要求2所述的0LED面板,其特征在于,所述像素层由两层量子点形成。
6. 根据权利要求2所述的0LED面板,其特征在于,所述发光单元为可发出近紫外光的 有机电致发光器件。
7. 根据权利要求6所述的0LED面板,其特征在于,所述有机电致发光器件包括: 衬底; 依次形成于所述衬底上的阳极、有机功能层、阴极,所述有机功能层包括由在外加电源 的驱动下可发出近紫外光的荧光材料构成的发光层。
8. 根据权利要求1所述的0LED面板,其特征在于,相邻像素结构之间通过黑矩阵隔离。
9. 一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的0LED面板。
【文档编号】H01L27/32GK104143564SQ201410350524
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日
【发明者】祝明, 杨亚锋, 铃木照晃 申请人:京东方科技集团股份有限公司
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