一种新型0π调制器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型0π调制器，涉及通信、测控、雷达领域中的相控阵、智能天线的调制装置。它由介质板、巴伦、单刀双掷开关、开关驱动芯片、3dB电桥、屏蔽腔体、电缆座等部件组成。它采用了3dB电桥的方法来提高调制器的相位幅度平衡度。本发明还具有尺寸小、重量轻、结构可靠等特点，特别适用于小型化高相位幅度平衡度要求的调制器。
【专利说明】
—种新型Οπ调制器
【技术领域】
[0001]本发明涉及通信、测控领域中的一种新型O π调制器，特别适用于小型化、有较高相位幅度平衡度要求应用场合的Oπ调制器。
【背景技术】
[0002]目前在通信测控及雷达领域中形成Oπ调制器的有以下几种结构形式，但高相位幅度平衡度要求的小体积O H调制器，在性能上均存在某种不足。
[0003]1、反射式鳍线O π调制器，结构简单，只通过一个二极管的通断就可以控制相位调制，但是寄生调幅大，实现相位幅度搞平衡度较难。
[0004]2、加载线型鳍线O π调制器，体积小易制造，但是设计的中心频点上实现较高的相位幅度平衡度，不适用于宽带设备。
[0005]3、分布式PIN型O 调制器，可应用频段很宽，但是体积大、功率容量小，也不易实现高相位幅度平衡度。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于避免上述【背景技术】中的不足之处而提供一种具有三个端口、结构简单而且具有高相位幅度平衡度的O π调制器，并且本发明还具有很高的隔离度，极小的插入损耗结构尺寸小、重量轻、结构可靠等特点。
[0007]为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是:
[0008]一种新型O 调制器，包括第一电缆座1、第二电缆座2、第三电缆座3和介质板8，其特征在于:还包括巴伦4、单刀双掷开关5、开关驱动芯片6和3dB电桥7 ;所述的巴伦4的输入端口与第一电缆座I的探针相连，巴伦4的两个输出端口分别与单刀双掷开关5的两个输入端口对应相连；单刀双掷开关5的输出端口与3dB电桥7的稱合端相连；单刀双掷开关5的控制端与开关驱动芯片6相连；第二电缆座2的探针与3dB电桥7的直通端相连，3dB电桥7的激励端与第三电缆座3的探针相连。
[0009]其中，所述的第一电缆座1、第二电缆座2和第三电缆座3采用标准SMA-KHD同轴电缆制作。
[0010]其中，所述的介质板8采用罗杰斯5880介质板材制作，有顶层、中间层和底层三层电路。
[0011]其中，还包括屏蔽腔体9，所述的屏蔽腔体9采用铝合金材料机械加工成腔体结构屏蔽盒，其顶部安装有腔体盖板，左侧壁上方安装有第一电缆座I，左侧壁下方安装有第三电缆座3，右侧壁下方与第三电缆座3相对位置安装有第二电缆座2，内部安装有介质板8，介质板8的底层与屏蔽腔体9底部接触。
[0012]其中，所述的单刀双掷开关5的型号为HMC347，开关驱动芯片6的型号为74HCT04。
[0013]本发明相比【背景技术】有如下优点:
[0014]1、本发明采3dB电桥7进行相位幅度调制，提高了相位幅度调制平衡度，并保证了很小的插入损耗。
[0015]2、本发明采3dB电桥7进行相位幅度调制，缩减了调制器的尺寸，减小了调制器的整体体积，使得这种调制器体积小重量轻。
[0016]3、本发明多数结构采用印制电路板，省去了集总元件，成本低、便于批量生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是本发明安装结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0019]参照图1，本发明提供一种新型O π调制器，包括第一电缆座1、第二电缆座2、第三电缆座3、巴伦4、单刀双掷开关5、开关驱动芯片6、3dB电桥7、介质板8、屏蔽腔体9、电阻10和接地片11。
[0020]本发明由巴伦4、单刀双掷开关5、开关驱动芯片6和3dB电桥7构成高相位幅度平衡度的调制结构，完成本发明的高相位幅度平衡度的调制关键功能。巴伦4的输入端口与第一电缆座I的探针相连，巴伦4的两个输出端口分别与单刀双掷开关5的两个输入端口一一对应相连；单刀双掷开关5的输出端口通过微带线与3dB电桥7的耦合端相连，其作用是产生0°与180°的高精度相位幅度信号在不增加插入损耗的情况下实现高的隔离度，同时实现输入输出匹配；单刀双掷开关5的控制端与开关驱动芯片6相连，具体为单刀双掷开关5的接口 a 口与开关驱动芯片6的a 口相连，单刀双掷开关5的接口 b 口与开关驱动芯片6的b 口相连，其作用是控制通断频率；第二电缆座2的探针与3dB电桥7的直通端相连，3dB电桥7的激励端与第三电缆座3的探针相连。
[0021]巴伦4采用印制工艺印制在介质板8的顶层与中间层中，如图1所示，实线部分印制在顶层，虚线部分印制在中间层。
[0022]单刀双掷开关5、开关驱动芯片6和3dB电桥7印制在介质板8顶层。3dB电桥7的隔离端与地之间通过微带线印制有50Ω电阻10，接地片11与地相连。
[0023]本发明的屏蔽腔体9采用铝合金材料机械加工成腔体结构屏蔽盒。介质板8安装在屏蔽腔体9内，实施例介质板8采用罗杰斯5880介质板材制作，介质板8底面与屏蔽腔体9底部良好接触，以保证介质板8良好接地，屏蔽腔体9顶部安装腔体盖板，其作用是电磁屏蔽。
[0024]本发明的第一电缆座I安装在屏蔽腔体9左侧壁上方，第三电缆座3安装在屏蔽腔体9左侧壁下方，第二电缆座2安装在屏蔽腔体9右侧壁下方且与第三电缆座3相对。第一电缆座1、第二电缆座2和第三电缆座3均采用标准SMA-KHD同轴电缆制作。
[0025]本发明工作原理如下:
[0026]第二电缆座2端口输入信号时通过微带线到达3dB电桥7的直通端；第一电缆座I端口输入信号时，信号经过微带线、巴伦4和单刀双掷开关5到达3dB电桥7的耦合端，到达直通端和耦合端的信号经过3dB电桥7对信号进行调制处理，调制过的信号通过3dB电桥7的激励端经过微带线到达第三电缆座3端口直通传输，传输损耗很小，可忽略不计，完成高相位幅度平衡度的指标要求。
【权利要求】
1.一种新型O π调制器，包括第一电缆座(I)、第二电缆座(2)、第三电缆座(3)和介质板(8)，其特征在于:还包括巴伦(4)、单刀双掷开关(5)、开关驱动芯片(6)和3dB电桥(7);所述的巴伦⑷的输入端口与第一电缆座⑴的探针相连，巴伦⑷的两个输出端口分别与单刀双掷开关(5)的两个输入端口一一对应相连；单刀双掷开关(5)的输出端口与3dB电桥(7)的耦合端相连；单刀双掷开关(5)的控制端与开关驱动芯片(6)相连；第二电缆座⑵的探针与3dB电桥(7)的直通端相连，3dB电桥(7)的激励端与第三电缆座(3)的探针相连。
2.根据权利要求1所述的一种新型Oπ调制器，其特征在于:所述的第一电缆座(I)、第二电缆座(2)和第三电缆座(3)采用标准SMA-KHD同轴电缆制作。
3.根据权利要求1所述的一种新型Oπ调制器，其特征在于:所述的介质板(8)采用罗杰斯5880介质板材制作，有顶层、中间层和底层三层电路。
4.根据权利要求1所述的一种新型Oη调制器，其特征在于:还包括屏蔽腔体(9)，所述的屏蔽腔体(9)采用铝合金材料机械加工成腔体结构屏蔽盒，其顶部安装有腔体盖板，左侧壁上方安装有第一电缆座(I)，左侧壁下方安装有第三电缆座(3)，右侧壁下方与第三电缆座(3)相对位置安装有第二电缆座(2)，内部安装有介质板(8)，介质板(8)的底层与屏蔽腔体(9)底部接触。
5.根据权利要求1所述的一种新型Oπ调制器，其特征在于:所述的单刀双掷开关(5)的型号为HMC347，开关驱动芯片(6)的型号为74HCT04。
【文档编号】H01P5/16GK104332688SQ201410680127
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年11月24日 优先权日:2014年11月24日
【发明者】李旭楠, 周越, 张 杰 申请人:中国电子科技集团公司第五十四研究所